硅材料基础知识
硅知识点总结框架
硅知识点总结框架全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：硅是一种常见的半导体材料，广泛应用于电子工业中。
在学习硅的知识点时，我们可以按照以下框架进行总结：硅的基本性质、硅的制备方法、硅的应用领域以及硅的未来发展方向。
我们来看硅的基本性质。
硅是周期表中第14元素，化学符号为Si。
它是一种灰白色的固体，具有金属和非金属的特性。
硅是地壳中含量最丰富的元素之一，其化学性质稳定，不容易与其他元素发生化学反应。
硅具有良好的导电性和热导性，是一种优良的半导体材料。
硅的制备方法主要包括自然硅的提取和人工合成两种。
自然硅主要存在于硅酸盐矿物中，通过矿石的精炼和提纯可以得到高纯度的硅。
人工合成硅主要是指通过化学反应将硅源物质转化为硅材料。
目前，工业上主要采用的制备方法是化学气相沉积法和晶体生长法。
硅的应用领域非常广泛，主要包括电子工业、光伏产业、半导体材料等方面。
在电子工业中，硅被广泛应用于集成电路、太阳能电池、电子器件等领域，是现代电子产品的重要组成部分。
硅还可以用于制备硅钢、硅铁合金等工业原材料，广泛应用于冶金、化工等领域。
未来，硅材料在电子工业中的应用前景非常广阔。
随着5G、人工智能等新兴技术的发展，对集成电路和光伏材料的要求越来越高，硅作为优良的半导体材料将在未来得到更广泛的应用。
人们也在不断研究硅材料的改性方法，以提高其性能和应用范围。
第二篇示例：硅知识点总结框架硅是一种非金属元素，化学符号为Si，原子序数为14。
硅在地壳中含量很高，是地壳中第二多的元素。
硅是一种广泛应用的材料，被广泛用于电子工业、建筑领域、制造业等多个领域。
以下是硅知识点的总结框架：一、硅的性质1. 物理性质：硅是一种灰色的晶体，熔点为1414°C，沸点为3265°C。
硅是半导体材料，其导电性介于导体和绝缘体之间。
2. 化学性质：硅是惰性元素，不容易与其他元素反应。
硅可以与氧形成氧化硅，与氢形成硅氢化合物。
二、硅的结构1. 晶体结构：硅以晶体形式存在，常见的晶体结构包括钻石结构、闪锌矿结构等。
化学硅有关知识点总结
化学硅有关知识点总结硅的物理性质硅是一种灰白色的晶体固体，具有金属性光泽。
在常温下，硅是一种不活泼的物质，不与酸、碱以及大部分常见氧化剂反应。
硅是半导体材料的重要组成部分，可以用来制造集成电路和太阳能电池板等高科技产品。
硅在自然界中还以二价、四价等多种形式存在，如二氧化硅、多硅酸盐和硅酸盐等。
这些形式具有不同的化学性质，从而在地球化学和材料科学领域有着不同的应用。
硅的化学性质硅的化学性质主要表现为在常温下不与酸、碱及大部分氧化剂发生反应。
但是，当高温高压下，硅与氧、氢、氮、卤素等元素都能发生化学反应。
硅的四价化合物是最常见的化合物，包括二氧化硅（SiO2）和硅酸盐等。
在工业和科学领域，二氧化硅是一种重要的原料，用于制备硅酸盐、硅酸及其他硅化合物。
硅的应用硅是一种十分重要的元素，在材料科学、电子工业、太阳能等领域都有着广泛的应用。
其中，硅材料主要用于制备集成电路芯片、太阳能电池板等高科技产品。
此外，硅在冶金、有机合成、橡胶工业等领域也有着广泛的应用。
在集成电路芯片制造过程中，硅晶圆是重要的材料之一，用于制备芯片的基底。
硅晶圆上通过特殊工艺刻蚀和沉积多层金属、氧化物、多晶硅等物质，从而制备集成电路芯片。
硅材料的高纯度和良好的电学性能使其成为集成电路制造中不可或缺的材料。
在太阳能领域，硅是制备太阳能电池板的重要原料。
太阳能电池板是一种高效的可再生能源，通过将太阳能转化为电能，广泛应用于户外照明、通信设备、航空航天等领域。
硅材料的优良导电性和光学性能使其成为太阳能电池板的理想材料。
此外，硅还被应用于冶金、有机合成、橡胶工业等领域。
在冶金工业中，硅铁合金是一种重要的合金材料，用于制备不锈钢、合金钢等产品。
在有机合成领域，硅化合物被广泛应用于合成有机化合物，如硅烷、硅醇等。
在橡胶工业中，硅材料被用于制备硅橡胶，用于生产密封材料、保温材料等。
总结硅是一种重要的化学元素，具有重要的应用价值。
它在材料科学、电子工业、太阳能等领域有着广泛的应用，是现代工业发展的重要支撑。
硅材料基础知识
导体：导体是很容易导电的物质，电阻率约为10-6-10-8Ωcm,绝缘体：极不容易或根本不导电的一类物质。
半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的一类物质，目前已知的半导体材料有几百种，适合工业化的重要半导体材料有：硅、锗、砷化镓、硫化镉，电阻率介于10-5-1010Ω（少量固体物质如砷、锑、铋，不具备半导体基本特性，叫做半金属。
冶金级硅（工业硅）：将自然级自然界的SI02矿石冶炼成元素硅的第一步，冶金级硅分为两类：1、供钢铁工业用的工业硅，硅含量约为75%。
2、供制备半导体硅用，硅含量在99.7%-99.9%，它常用作制备半导体级多晶硅的原料。
多晶硅：1、改良西门子法，2、硅烷法，3、粒状硅法。
改良西门子法：多晶硅生产的西门子工艺，在11000C左右德高纯度硅芯上还原高纯三氯氢硅，生成多晶硅沉积在硅芯上。
过程：1、原料硅破碎；2、筛分（80目）——沸腾氯化制成液态的SIHCL3——粗馏提纯——精馏提纯——氢还原——棒状多晶硅——破碎——洁净分装。
硅烷法：原料破碎——筛分——硅烷生成——沉积多晶硅——棒状多晶——破碎、包装。
单晶硅：硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构的晶体，不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导体，纯度要求达到99.9999%甚至达到99.9999999%用于制造半导体器件、太阳能电池等。
区域熔炼法：制备高纯度、高阻单晶的方法。
切克劳斯基法（直拉法）：制作大规模集成电路、普通二极管和太阳能电池单晶的使用方法。
硅棒外径滚磨：将单晶滚磨陈完全等径的单晶锭。
硅切片：硅切片是将单晶硅原锭加工成硅圆片的过程（内圆切片机刀口厚度在300-350um，片厚300-400um。
线切机刀口厚度不大于200u，片最薄可达200-250u.）.硅磨片：一般是双面磨，用金刚砂作原料，去除厚度在50-100u，用磨片的方法去除硅片表面的划痕，污渍和图形，提高硅片表面平整度。
用内圆切片机加工的硅片一般都需要进行研磨。
半导体硅材料基础知识.1
微秒是10-6秒）。
所谓非平衡载流子是指当半导体中载流子的产生与复合处于平衡状态时，由于受某种外界条件的作用，如受到光线照射时而新增加的电子——空穴对，这部分新增加的载流子叫作非平衡载流子。
对于P型硅而言：新增加的电子叫作非平衡少数载流子；而新增加的空穴叫作非平衡多数载流子。
对于N型硅而言：新增加的空穴叫作非平衡少数载流子；而新增加的电子叫作非平衡多数载流子。
当光照停止后，这些非平衡载流子并不是立即全部消失，而是逐渐被复合而消失，它们存在的平均时间就叫作非平衡载流子的寿命。
非平衡载流子的寿命长短反映了半导体材料的内在质量，如晶体结构的完整性、所含杂质以及缺陷的多少，因为硅晶体的缺陷和杂质往往是非平衡载流子的复合中心。
少子寿命是一个重要的参数，用于高能粒子探测器的FZ硅的电阻率高达上万Ωcm，少子寿命上千微秒；用于IC工业的CZ硅的电阻率一般在5—30Ωcm范围内，少子寿命值多要求在100μs以上；用于晶体管的CZ硅的电阻率一般在30—100Ωcm，少子寿命也在100μs以上；而用于太阳能电池CZ硅片的电阻率在0.5—6Ωcm，少子寿命应≥10μs。
5. 氧化量：指硅材料中氧原子的浓度。
太阳能电池要求硅中氧含量＜5×1018原子个数/cm3。
6. 碳含量：指硅材料中碳原子的浓度。
太阳能电池要求硅中碳含量＜5×1017原子个数/cm3。
7、晶体缺陷另外：对于IC用硅片而言还要求检测：微缺陷种类及其均匀性；电阻率均匀性；氧、碳含量的均匀性；硅片的总厚度变化TTV；硅片的局部平整度LTV等等参数。
一、我公司在采购中常见的几种硅材料1.Cell：称为电池片，常常是电池片厂家外销的产品，它实际是一个单元电池。
2.Wafer：这通常指的是硅片，可能是圆片，也可能是方片。
圆片包括：硅切片，硅磨片、硅抛光片、图形片、污渍片、缺损片。
3.Ingot：常常指的是单晶硅锭，且是圆柱形的硅锭，也有用指多晶硅铸锭的。
硅胶基础知识
有机硅基础知识什么是有机硅：有机硅产品的基本结构单元是由硅－氧链节构成的，侧链则通过硅原子与其他各种有机基团相连。
因此，在有机硅产品的结构中既含有" 有机基团"，又含有"无机结构"，这种特殊的组成和分子结构使它集有机物的特性与无机物的功能于一身。
与其他高分子材料相比，有机硅产品的最突出性能是：耐温特性有机硅产品是以硅－氧〔Si－O〕键为主链结构的，C－C键的键能为82.6千卡/克分子，Si－O键的键能在有机硅中为 121千卡/克分子，所以有机硅产品的热稳定性高，高温下〔或辐射照射〕分子的化学键不断裂、不分解。
有机硅不但可耐高温，而且也耐低温，可在一个很宽的温度范围内使用。
无论是化学性能还是物理机械性能，随温度的变化都很小。
耐候性有机硅产品的主链为－Si－O－，无双键存在，因此不易被紫外光和臭氧所分解。
有机硅具有比其他高分子材料更好的热稳定性以及耐辐照和耐候能力。
有机硅中自然环境下的使用寿命可达几十年。
电气绝缘性能有机硅产品都具有良好的电绝缘性能，其介电损耗、耐电压、耐电弧、耐电晕、体积电阻系数和外表电阻系数等均在绝缘材料中名列前茅，而且它们的电气性能受温度和频率的影响很小。
因此，它们是一种稳定的电绝缘材料，被广泛应用于电子、电气工业上。
有机硅除了具有优良的耐热性外，还具有优异的拒水性，这是电气设备在湿态条件下使用具有高可靠性的保障。
生物特性生物活性有机硅是人体必需的一种的营养素。
有机硅是构成人体组织和参与新陈代谢的重要元素。
存于人体的每一个细胞当中，作为细胞构建的支撑，同时帮助其他重要物质如镁，磷，钙等吸收。
人体只能通过食物不断获得有机硅。
科学家们认为，有机硅主要以三种形式存在于人体中：〔一〕可溶性有机硅，占重量的10%〔二〕百分之三十存在于各种细胞基质〔三〕60%用来合成蛋白质这说明我们每天所需的有机硅是相当高。
如果要保持5年，10年甚至于是30年的年轻程度，每天摄入有机硅20-30毫克的有机硅尤为重要。
硅材料化学高考知识点
硅材料化学高考知识点近年来，硅材料化学成为高考重要的考点之一。
硅材料化学不仅与日常生活息息相关，还在工业、农业、医疗等领域具有广泛应用。
下面将从硅材料的性质、制备方法、应用以及环境问题等方面深入探讨硅材料化学的高考知识点。
硅材料是指以硅元素为主要成分的材料，最常见的硅材料是硅石（SiO2）。
硅材料具有高熔点、高硬度、高化学稳定性和良好的光学性能等特点。
这些特性使得硅材料成为制造电子器件、太阳能电池、光纤等高端技术产品的理想材料。
在硅材料的制备方法方面，高考常考的有两种制备方法：熔融法和化学气相沉积法（CVD法）。
熔融法是将硅石与碳等材料加热到高温，使硅石发生还原反应生成硅，然后通过冷却结晶得到硅块。
CVD法则是将硅材料的原料气体通过加热使其分解沉积在衬底上形成薄膜。
这两种方法在工业生产中得到了广泛应用。
硅材料的应用与生产领域广泛，其中最常见的是电子器件制造。
硅材料具有半导体特性，可以通过控制杂质的加入和浓度来调节导电性。
这使得硅材料成为制造集成电路、晶体管、存储器件等电子元件的主要材料之一。
此外，硅材料的光学性能也使其成为制造光纤、太阳能电池等产品的重要原料。
虽然硅材料在工业中得到广泛应用，但也面临一些环境问题。
熔融法生产硅块时产生的高温烟气中含有大量的二氧化硅，如果未经处理直接排放到大气中，会形成硅尘污染和酸雨等环境问题。
此外，硅材料的生产还需要大量的能源输入，导致对能源资源的过度消耗。
因此，在硅材料的制备和使用过程中应注重环保和节能措施的应用。
总之，硅材料化学是高考中的重要考点。
了解硅材料的性质、制备方法、应用和环境问题等方面的知识，对于理解和应用硅材料化学具有重要意义。
希望同学们通过深入学习硅材料化学，加深对此领域的理解，为未来的学习和职业发展打下坚实基础。
半导体硅材料基础知识
半导体硅材料基础知识讲座培训大纲一、什么是半导体？1、导体（Conductor）导体是指很容易传导电流的物质2、绝缘体（Insolator）是指极不容易或根本不导电的一类物质3、半导体（Semiconductor）导电性能介于导体和绝缘体之间且具备半导体的基本特性的一类材料。
二、半导体硅材料的电性能特点硅材料的电性能有以下三个显著特点：一是它对温度的变化十分灵敏；二是微量杂质的存在对电阻率的影响十分显著；三是半导体材料的电阻率在受光照时会改变其数值的大小。
综上所述，半导体的电阻率数值对温度、杂质和光照三个外部条件变化有较高的敏感性。
三、半导体材料的分类1、元素半导体2、化合物半导体3、有机半导体4、无定形半导体迄今为止，工艺最为成熟、应用最为广泛的是前两类半导体材料，尤其是半导体硅材料，占整个半导体材料用量的90%以上。
硅材料是世界新材料中工艺最为成熟、使用量最大的半导体材料。
它的实验室纯度可接近本征硅，即12个“九”，即使是大工业生产也可以到7—9个“九”的纯度。
四、半导体硅材料的制备1、冶金级硅（工业硅）的制备冶金级硅是将比较纯净的SiO2矿石和木炭或石油焦一起放入电弧炉里,在电孤加热的情况下进行还原而制成。
其反应式是：SiO2+2C→Si+2CO普通冶金级硅的纯度大约是2～3个“九”。
目前市面上也有号称4～5个“九”纯度的冶金级硅，那是通过多次“冶金法”或称为“物理法”提纯后获得的。
2、多晶硅的制备目前全世界多晶硅的生产方法大体有三种：一是改良的西门子法；二是硅烷法；三是粒状硅法。
（1）改良的西门子法生产半导体级多晶硅：这是目前全球大多数多晶硅生产企业采用的方法，知名的企业有美国的Harmlock、日本的TOKUYAMA、三菱公司、德国的瓦克公司以及乌克兰和MEMC意大利的多晶硅厂。
全球80％以上的多晶硅是用此法生产的。
其工艺流程是：原料硅破碎筛分（80目）沸腾氯化制成液态的SiHCl3粗馏提纯精馏提纯氢还原棒状多晶硅破碎洁净分装。
基础知识硅材料
基础知识硅材料硅是重要的半导体材料，化学元素符号Si，电子工业上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和机械等性能。
硅是产量最大、应用最广的半导体材料，它的产量和用量标志着一个国家的电子工业水平。
在研究和生产中，硅材料与硅器件相互促进。
在第二次世界大战中，开始用硅制作雷达的高频晶体检波器。
所用的硅纯度很低又非单晶体。
1950年制出第一只硅晶体管，提高了人们制备优质硅单晶的兴趣。
1952年用直拉法(CZ)培育硅单晶成功。
1953年又研究出无坩埚区域熔化法(FZ)，既可进行物理提纯又能拉制单晶。
1955年开始采用锌还原四氯化硅法生产纯硅，但不能满足制造晶体管的要求。
1956年研究成功氢还原三氯氢硅法。
对硅中微量杂质又经过一段时间的探索后，氢还原三氯氢硅法成为一种主要的方法。
到1960年，用这种方法进行工业生产已具规模。
硅整流器与硅闸流管的问世促使硅材料的生产一跃而居半导体材料的首位。
60年代硅外延生长单晶技术和硅平面工艺的出现，不但使硅晶体管制造技术趋于成熟，而且促使集成电路迅速发展。
80年代初全世界多晶硅产量已达2500吨。
硅还是有前途的太阳电池材料之一。
用多晶硅制造太阳电池的技术已经成熟；无定形非晶硅膜的研究进展迅速；非晶硅太阳电池开始进入市场。
化学成分硅是元素半导体。
电活性杂质磷和硼在合格半导体和多晶硅中应分别低于0.4ppb和0.1ppb。
拉制单晶时要掺入一定量的电活性杂质，以获得所要求的导电类型和电阻率。
重金属铜、金、铁等和非金属碳都是极有害的杂质，它们的存在会使PN结性能变坏。
硅中碳含量较高，低于1ppm者可认为是低碳单晶。
碳含量超过3ppm时其有害作用已较显著。
硅中氧含量甚高。
氧的存在有益也有害。
直拉硅单晶氧含量在5～40ppm范围内；区熔硅单晶氧含量可低于1ppm。
硅的性质硅具有优良的半导体电学性质。
禁带宽度适中，为1.21电子伏。
载流子迁移率较高，电子迁移率为1350厘米□/伏□秒，空穴迁移率为480厘米□/伏□秒。
有机硅基础知识
有机硅主要分为硅油、硅橡胶、硅树脂和硅烷偶联剂四大类。
分别介绍如下：一、硅油类产品介绍硅油是一种不同聚合度链状结构的聚有机硅氧烷。
它是由二甲基二氯硅烷加水水解制得初缩聚环体，环体经裂解、精馏制得低环体，然后把环体、封头剂、催化剂放在一起调聚就可得到各种不同聚合度的混合物，经减压蒸馏除去低沸物就可制得硅油。
最常用的硅油，有机基团全部为甲基，称甲基硅油。
有机基团也可以采用其它有机基团代替部分甲基基团，以改进硅油的某种性能和适用各种不同的用途。
常见的其它基团有氢、乙基、苯基、氯苯基、三氟丙基等。
近年来，有机改性硅油得到迅速发展，出现了许多具有特种性能的有机改性硅油。
硅油一般是无色（或淡黄色），无味、无毒、不易挥发的液体。
硅油不溶于水、甲醇、二醇和- 乙氧基乙醇，可与苯、二甲醚、甲基乙基酮、四氯化碳或煤油互溶，稍溶于丙酮、二恶烷、乙醇和了醇。
它具有很小的蒸汽压、较高的闪点和燃点、较低的凝固点。
随着链段数n的不同，分子量增大，粘度也增高，固此硅油可有各种不同的粘度，从0.65厘沲直到上百万厘沲。
如果要制得低粘度的硅油，可用酸性白土作为催化剂，并在180℃温度下进行调聚，或用硫酸作为催化剂，在低温度下进行调聚，生产高粘度硅油或粘稠物可用碱性催化剂。
硅油按化学结构来分有甲基硅油、乙基硅油、苯基硅油、甲基含氢硅油、甲基苯基硅油、甲基氯苯基硅油、甲基乙氧基硅油、甲基三氟丙基硅油、甲基乙烯基硅油、甲基羟基硅油、乙基含氢硅油、羟基含氢硅油、含氰硅油等；从用途来分，则有阻尼硅油、扩散泵硅油、液压油、绝缘油、热传递油、刹车油等。
硅油具有卓越的耐热性、电绝缘性、耐候性、疏水性、生理惰性和较小的表面张力，此外还具有低的粘温系数、较高的抗压缩性）有的品种还具有耐辐射的性能。
有机硅乳液有机硅乳液是硅油的一种形式。
下面从硅油织物柔软整理剂和硅油乳液型消泡剂两方面来介绍。
一．硅油织物柔软整理剂有机硅乳液主要是用作硅油织物柔软整理剂。
硅片相关知识点总结
硅片相关知识点总结一、硅片的特性1.硅片材料：硅片是由硅单质制备而成的，硅单质是一种非金属元素，常温下呈灰色晶体，具有金属性质量良好的晶体是制备硅片的基础。
2.硅片的晶体结构：硅片具有钻石结构，在硅片结晶中，硅原子通过共价键相互连接，形成一种非常坚固稳定的结构。
3.硅片的电学特性：硅片是半导体材料，它在室温下的电导率介于导体和绝缘体之间。
硅片的电导率可以通过掺杂来调节，掺杂后的硅片可以得到P型硅片和N型硅片。
4.硅片的热学特性：硅片的热导率很高，因此可以很好地传导热量，这使得硅片在集成电路等高密度电子器件中有着重要的应用。
5.硅片的光学特性：硅片是半透明材料，对不同波长的光有不同的透射率和反射率。
这些特性使得硅片在太阳能电池等光电器件中有着广泛的应用。
二、硅片的制备工艺1.单晶硅片的制备：单晶硅片是通过在高温下将硅石熔融后缓慢冷却得到的，在冷却过程中控制温度和降温速率，使得硅原子按照晶格结构有序排列。
2.多晶硅片的制备：多晶硅片是通过将熔融的硅融料浇铸在铸模中制备成块状，再通过多次拉拔、切割和去除表面缺陷等加工工艺得到的。
3.硅片的清洗和处理：制备好的硅片需要进行严格的清洗和表面处理，以去除表面的污染物和缺陷，增强硅片的电学和光学性能。
4.硅片的加工和切割：硅片需要根据具体的用途进行加工和切割，例如晶圆的制备、太阳能电池板和集成电路的制备等。
三、硅片在电子器件中的应用1.集成电路：硅片是集成电路的基础材料，通过在硅片上沉积不同的材料和通过光刻、蒸镀等工艺，制备出晶体管、电容器、电阻器等微小电子器件。
2.太阳能电池：硅片是太阳能电池的主要材料之一，通过在硅片上沉积P型或N型硅层，并加工形成PN结，吸收太阳光能产生电流，实现太阳能的转换。
3.光电器件：硅片在光电器件中也有广泛的应用，例如感光元件、光耦合器、激光器等，利用硅片对光的敏感性和半导体特性，实现光信号的检测与处理。
四、硅片相关的新技术和发展趋势1.硅片的微纳加工：随着微纳加工技术的不断发展，硅片的微纳加工工艺也在不断完善，可以制备出更加微小精密的电子器件，实现高集成度、高性能和小尺寸化。
硅材料基础知识
硅材料基础知识主要内容：一、概述二硅的结构、分类与来源三硅的物理性质、硅的化学性质五、硅的物理参数及测量六、硅的应用及注意事项一、概述硅材料的基础知识，课程包括较多，有固体物理、量子力学、半导体物理、半导体化学、半导体器件工艺、半导体材料等方面的知识；内容较多，如半导体电子状态和能级、载流子的发布、导电性、非平衡载流子、P-N结、金属与半导体的接触、表面理论、光电效应、磁电效压阻效应、异质结等。
这里只介绍半导体材料的最基本的内容。
1、材料按导电性能划分，可分为：导体、绝缘体、半导体三类。
导体——容易导电的材料。
如各种金属、石墨等。
一般的，电阻率0.2Q・cm 绝缘体——很难导电的材料。
如橡胶、玻璃、背板、EVA、SiO2、Si3N4等。
—般的，电阻率＞20000Q・cm半导体——介于两者之间的材料。
如Si、Ge、GaAs、ZnO等，它具有一些独特的性质。
注：a、金属靠电子导电，溶液靠离子导电，半导体导电靠电子或空穴导电。
b、空穴就是电子的缺少。
2、半导体材料，按组成结构可分为：元素半导体、化合物半导体、非晶半导体、有机半导体。
3、半导体器件对材料的要求：3.1禁带宽度适中（一般0.5 ~ 1.5电子伏，硅是1.08）3.2载流子迁移率高（一般1000 ~ 5000cm2/V-s ）3.3纯度高3.4电阻率要求可靠、均匀（一般0.001 ~ 100000，硅本征2.3x105）3.5晶体的完整性二硅的结构,分类与来源1、硅的原子理论1.1元素周期表中，第三周期、第IVA族元素，原子序数14,原子量28 电子排布1S22S22P63S23P2，化合价为+ 4价（+2价）1.2 硅有三种同位素28Si : 92.21%、29Si:4.70%、30Si :3.09%、1.3晶体结构：金刚石结构（正四面体），原子间以共价键结合。
由于外围电子全部形成共价键，结合力较强。
可画出硅的共价键结构示意图。
2、硅的分类2.1按纯净度划分：粗硅、提纯硅、高纯硅、掺杂硅2.2按晶体结构分：单晶硅.多晶硅单晶硅：在晶体中，组成的原子按一定规则呈周期性排列。
硅的基本知识
高纯硅是指将工业硅提纯到硅含量在99.9999%(6N)以上的多晶硅。
高纯硅材料经提拉或铸锭处理制成的单晶硅或多晶硅,是制作集成电路和光伏电池不可或缺的基础材料工业硅金属硅定义：金属硅又称结晶硅或工业硅，其主要用途是作为非铁基合金的添加剂。
硅是非金属元素，呈灰色，有金属色泽，性硬且脆。
硅的含量约占地壳质量的26%；原子量为28.80；密度为2.33g/m3；熔点为1410°C；沸点为2355°C；电阻率为2140Ω.m。
金属硅的牌号：按照金属硅中铁、铝、钙的含量，可把金属硅分为553、441、411、421、3303、3305、2202、2502、1501、1101等不同的牌号。
金属硅的附加产品:包括硅微粉,边皮硅，黑皮硅，金属硅渣等。
其中硅微粉也称硅粉、微硅粉或硅灰，它广泛应用于耐火材料和混凝土行业金属硅的用途：金属硅（Si）是工业提纯的单质硅，主要用于生产有机硅、制取高纯度的半导体材料以及配制有特殊用途的合金等。
（1）生产硅橡胶、硅树脂、硅油等有机硅硅橡胶弹性好，耐高温，用于制作医疗用品、耐高温垫圈等。
硅树脂用于生产绝缘漆、高温涂料等。
硅油是一种油状物，其粘度受温度的影响很小，用于生产高级润滑剂、上光剂、流体弹簧、介电液体等，还可加工成无色透明的液体，作为高级防水剂喷涂在建筑物表面。
（2）制造高纯半导体现代化大型集成电路几乎都是用高纯度金属硅制成的，而且高纯度金属硅还是生产光纤的主要原料，可以说金属硅已成为信息时代的基础支柱产业。
（3）配制合金硅铝合金是用量最大的硅合金。
硅铝合金是一种强复合脱氧剂，在炼钢过程中代替纯铝可提高脱氧剂利用率，并可净化钢液，提高钢材质量。
硅铝合金密度小，热膨胀系数低，铸造性能和抗磨性能好，用其铸造的合金铸件具有很高的抗击冲击能力和很好的高压致密性，可大大提高使用寿命，常用其生产航天飞行器和汽车零部件。
硅铜合金具有良好的焊接性能，且在受到冲击时不易产生火花，具有防爆功能，可用于制作储罐。
有机硅基础知识培训
➢ 比重 Specific Gravity
• 比重也称相对密度，固体和液体的比重是该物质（完全密实状态）的密度与在标准大气压下 3.98℃时纯H2O下的密度（999.972 kg/m3）的比值。
• 比重是无量纲量，即比重是无单位的值，一般情形下随温度、压力而变。
• 硅胶的密度一般比水大，主要取决于硅胶的填料。
• 它们的测量原理完全相同，所不同的是测量针的尺寸不同。其中 A型的针尖直径为 0.79mm， 邵 A型硬度计用来测量软塑料、橡胶、合成橡胶、毡、皮革、D型的针尖直径为 0.2mm.即 半径为R0.1。邵D型硬度计用来测量硬塑料和硬橡胶的硬度，例如:地板材料，保龄 球等现场 测量硬度。C型的测针是一个圆球直径5mm。邵氏 C型硬度计用来测量泡沫材料和海绵等软 性材料。
• 备注:热硫化通常分两段进行，预硫化是在加压下进行，温度为150~160℃;后硫化是为了除去过氧 化物、添加剂分解产生的挥发成分，要在常压热空气中(200℃左右)硫化1~4H(二次硫化)。为使硫 化更稳定、物性更好，后硫化的时间可到12H或更长。
➢ 二次硫化 Post Curing
• 二次硫化又叫后硫化。常用于硅橡胶，氟橡胶和氟硅橡胶硫化。二次硫化的作用：硅橡胶采 用过氧化物硫化时，过氧化物分解引发高聚物反应后，生成了低分子化合物（如苯和苯甲酸 等）存在于橡胶中将影响橡胶机械性能。况且硅橡胶在第一阶段加热成型后，其交联密度不 够，要使其进一步硫化反应才能增加硅橡胶的密度. 拉升强度,回弹性,硬度,溶胀程度,密度,热 稳定性都比一次硫化有较大的改善。
➢ 定义
• 有机硅，主要指以硅氧键（-Si-O-Si-）为骨架组成的聚硅氧烷，是硅微粉与氯甲烷反应得到 的产物，是半无机、半有机结构的高分子化合物，在空间上呈现螺旋状结构。
高考化学硅知识点总结
高考化学硅知识点总结化学是高考科目之一，其中硅是重要的知识点之一、硅是地壳中含量最多的化学元素之一，其具有多种重要的化学性质和广泛的应用价值。
下面是关于硅的知识点总结。
1.硅的性质：（1）硅是一种非金属元素，原子序数为14，位于元素周期表的第3周期第14族，属于主族元素。
（2）硅的原子结构：硅原子有14个电子，电子排布为1s²2s²2p⁶3s²3p²，即外层电子排布为2s²2p⁶。
硅原子具有4个价电子，可形成4个共价键。
（3）硅是一种灰黄色固体，具有金属光泽，呈现半导体性质。
2.硅的化合物：（1）硅的氧化物：硅的氧化物有硅的氧化物（SiO₂）和二氧化硅（SiO₂）。
二氧化硅是自然界中普遍存在的矿物，常见的有石英、水晶等。
硅的氧化物是硅的最重要的化合物之一，具有重要的物理和化学性质。
（2）硅的氢化物：硅的氢化物有硅烷（SiH₄）、二硅烷（Si₂H₆）等。
硅烷是一种无色气体，是硅的最简单的有机化合物，常用于半导体材料制备和化学气相沉积中。
（3）硅的卤化物：硅的卤化物包括四氯化硅（SiCl₄）、三氯化硅（SiCl₃）、三溴化硅（SiBr₃）等。
四氯化硅是一种无色液体，常用于有机合成、涂料等工业上的应用。
（4）硅的硫化物：硅的硫化物包括硫化硅（SiS₂）等。
硫化硅是一种黄色固体，常用于化学实验室中的试剂。
3.硅的应用：（1）半导体材料：硅是最重要的半导体材料之一，用于制造集成电路、电子元件等。
硅片是半导体电子元器件的基础材料，是计算机、手机等现代电子产品的核心元件。
（2）玻璃制造：硅是制造玻璃的重要原料之一、二氧化硅可以与其他金属氧化物形成玻璃，常见的玻璃材料有石英玻璃、硼硅酸玻璃等。
（3）建筑材料：硅材料常用于建筑领域，如硅酸盐水泥、硅藻土等。
硅酸盐水泥是一种优质的建筑材料，具有强度高、耐久性好、硬化速度快等优点。
（4）化学试剂：硅化合物常用于化学实验室中的试剂，如硅烷、四氯化硅等。
化学高中硅知识点总结
化学高中硅知识点总结
硅的物理性质
硅是一种灰色的金属loid（半金属），具有金属和非金属的性质。
硅的结晶形式包括普通结构（钻石晶格）和同轴结构（锑状晶格）。
普通结构的石英和同轴结构的金刚石是地球上最常见的硅化合物。
硅的化学性质
硅的原子结构由14个电子组成，排布在四个能级上。
其外层电子结构为2-8-4，因此硅有四个价电子，可以形成四个共价键。
硅与氧的共价键形成了硅氧化合物，这些化合物构成了大部分岩石、矿物和土壤中的成分。
硅的化合物
硅的化合物包括硅酸盐、硅烷和硅醚等。
硅酸盐是一类以硅酸根离子（SiO4）4-为基础的化合物，包括石英、石灰石和长石等。
硅烷是一类含有硅碳键的有机化合物，例如三甲基硅烷（(CH3)3SiH）。
硅醚是一类含有硅氧键的有机化合物，例如二甲基二乙基氧硅烷（（CH3）2Si(OC2H5)2）。
硅的应用
硅在电子行业中有广泛的应用，主要体现在半导体材料、太阳能电池和纳米技术领域。
半导体材料主要是指硅晶体和硅片，是电子元件和集成电路的基础材料。
太阳能电池则是利用硅的光电性质将太阳能转化为电能。
硅的纳米颗粒也被广泛应用于生物医学和材料科学领域。
总结
硅是一种重要的化学元素，具有丰富的化学性质和广泛的应用价值。
通过深入了解硅的物理性质、化学性质和化合物，可以更好地理解它在自然界和工业上的作用。
在未来的发展中，硅材料和硅技术有望继续发挥重要的作用，为人类社会的进步做出贡献。
高纯多晶硅基础知识多晶硅材料
高纯多晶硅基础知识多晶硅材料，是指由两个以上尺寸不同的单晶硅组成的硅材料，它的材料性质体现的是各向同性。
非晶硅材料，是指硅原子在短距离内有序排列，而在长距离内无序排列的硅材料，其材料的性质显示各向同性。
目前高纯多晶硅的大规模生产，被美国、日本和德国等少数发达国家所垄断。
由于多晶硅的生产必须规模化（至少年产千吨以上）才能赢利，再加技术上的复杂性、专有性和保密性，以及后进入者开发市场困难等因素，建设一座先进且规模化的多晶硅生产企业是相当不容易的。
冶金级硅是制造半导体多晶硅的原料，它由石英砂（二氧化硅）在电弧炉中用碳还原而成。
尽管二氧化硅矿石在自然界中随处可见，但仅有其中的少数可以用于冶金级硅的制备。
一般来说，要求矿石中二氧化硅的含量应在97%~98%以上，并对各种杂质特别是砷、磷和硫等的含量有严格的限制。
在用于制造高纯多晶硅的冶金硅中，除了含有99%以上的硅（Si）外，还含有铁（Fe）、铝(Al)、钙(Ca)、磷(P)、硼(B)等，它们的含量在百万分之几十个到百万分之一千个（摩尔分数）不等。
而半导体硅中的杂质含量应该降到10~9（摩尔分数）的水平，太阳级硅中的杂质含量应降到10~6（摩尔分数）的水平。
要把冶金硅变成半导体硅或者太阳能硅，显然不可能在保持固态的状态下提纯，而必须把冶金硅变成含硅的气体，先通过分馏与吸附等方法，对气体提纯，然后再把高纯的硅源的气体，通过化学气相沉积（CVD）的方法转化成为多晶硅。
目前生产制造高纯多晶硅的方法，主要有3大流派，即：用SIMENS法（又称SiHCl3法）生产多晶硅棒；用AsiMi法(又称SiH4法)生产多晶硅棒；利用SiH4硅源制造颗粒状多晶硅。
1．SIMENS法（SiHCl3法）生产多晶硅该法于1954年推出，随即淘汰了当时使用的SiCl4锌还原法，而成为迄今一直使用的方法。
它的第一步，是在250~350的温度下让冶金硅粉末和氯化氢在流化床上反应；第二步，是对SiHCl3进行分馏，在这一过程中可以把具有不同沸点的氯化物分离出来；第三步，是硅的沉积。
化学高一有关硅的知识点
化学高一有关硅的知识点硅是一种非金属元素，其化学符号为Si。
作为地壳中最丰富的元素之一，硅的重要性在于它的广泛应用。
在高中化学课程中，学生们学习了一些与硅相关的知识点，本文将探讨硅的物理性质、化学性质以及其在日常生活和工业中的应用。
一、硅的物理性质硅是一种灰色晶体，具有金属性光泽。
它是地壳中丰富的元素之一，占地壳质量的27.7%。
硅具有较高的熔点和沸点，分别为1414°C和3265°C。
其比重为2.33 g/cm³。
硅的确切晶体结构是钻石型结构，每个硅原子与四个相邻的硅原子形成共价键。
这种晶体结构赋予硅高度的稳定性和硬度。
二、硅的化学性质硅是一种单质，与许多元素发生化学反应。
然而，由于硅的电负性较高，大多数化合物都是共价型的。
例如，硅与氧气反应形成二氧化硅（SiO₂），常见的二氧化硅是石英。
此外，硅还可与氮、氢、卤素等元素形成相应的硅化物、硅氮化物和硅氢化物。
这些化合物在材料科学、电子工业等领域有很多应用。
三、硅在日常生活中的应用硅的应用极为广泛，几乎每个人的日常生活都与硅有关。
例如，在建筑材料中，二氧化硅是一种重要的原料，用于制造水泥、玻璃和陶瓷等。
硅还被广泛应用于电子产品，例如计算机芯片、智能手机和平板电脑。
硅在光学领域有很多应用，可以制成光纤传输信息。
此外，硅还被用作化妆品和医疗器械中的材料。
四、硅在工业中的应用硅在工业中也扮演着重要的角色。
由于硅具有高度的稳定性和导电性能，它被广泛应用于半导体领域。
硅晶片作为计算机芯片的基础，推动了现代计算机技术的发展。
此外，硅还用于制造太阳能电池板，以转换太阳能为可再生能源。
陶瓷工业也大量使用硅材料，例如高温陶瓷和瓷砖。
总之，硅是一种非常重要的元素，其应用范围广泛，涉及到日常生活和工业领域的许多方面。
通过学习硅的物理性质和化学性质，我们可以更好地理解它在实际应用中的作用。
随着科学技术的不断进步，硅的应用领域还将不断扩大，为人们的生活和工业发展带来更多的便利与可能性。
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基础课件－硅材料基础知识硅材料基础知识主要内容：一、概述二、硅的结构、分类与来源三、硅的物理性质四、硅的化学性质五、硅的物理参数及测量六、硅的应用及注意事项一、概述硅材料的基础知识，课程包括较多，有固体物理、量子力学、半导体物理、半导体化学、半导体器件工艺、半导体材料等方面的知识；内容较多，如半导体电子状态和能级、载流子的发布、导电性、非平衡载流子、P－N结、金属与半导体的接触、表面理论、光电效应、磁电效压阻效应、异质结等。
这里只介绍半导体材料的最基本的内容。
1、材料按导电性能划分，可分为：导体、绝缘体、半导体三类。
导体——容易导电的材料。
如各种金属、石墨等。
一般的，电阻率<0.2Ω·cm 绝缘体——很难导电的材料。
如橡胶、玻璃、背板、EVA、SiO2、Si3N4等。
一般的，电阻率>20000Ω·cm半导体——介于两者之间的材料。
如Si、Ge、GaAs、ZnO等，它具有一些独特的性质。
注：a、金属靠电子导电，溶液靠离子导电，半导体导电靠电子或空穴导电。
b、空穴就是电子的缺少。
2、半导体材料，按组成结构可分为：元素半导体、化合物半导体、非晶半导体、有机半导体。
3、半导体器件对材料的要求：3.1禁带宽度适中（一般0.5～1.5电子伏，硅是1.08）3.2载流子迁移率高（一般1000～5000cm2/V·s）3.3纯度高3.4电阻率要求可靠、均匀（一般0.001～100000 ，硅本征2.3×105）3.5晶体的完整性二、硅的结构、分类与来源1、硅的原子理论1.1元素周期表中，第三周期、第IVA 族元素，原子序数14，原子量28电子排布1S 22S 22P 63S 23P 2 ,化合价为＋4价（＋2价）1.2硅有三种同位素28Si ：92.21％、29Si ：4.70％、30Si ：3.09％、1.3晶体结构：金刚石结构（正四面体），原子间以共价键结合。
由于外围电子全部形成共价键，结合力较强。
可画出硅的共价键结构示意图。
··2、硅的分类2.1按纯净度划分：粗硅、提纯硅、高纯硅、掺杂硅2.2按晶体结构分：单晶硅、多晶硅单晶硅：在晶体中，组成的原子按一定规则呈周期性排列。
多晶硅：由许多不同方位的单晶组成。
2.3按导电类型划分：N 性、P 型2.4按硅的形状划分：粉状、粒状、块状、棒状、片状等。
2.5按应用领域划分：太阳能级、电子级、航天级2.6按制造方法划分：原硅、拉晶硅、冶金硅等。
2.7按实际应用划分：各个厂家均不同。
3、硅的来源在自然界中没有游离态的单质硅，硅以化合物的形态存在。
在地壳中硅含量很大，氧约占地壳的1/2，硅约占1/4（25.8％），那么单质硅的来源如何？3.1制造原理：3.1.1粗硅的生产：SiO2+2C 2000℃Si+2CO (纯度约98％，最多2～3个“9”) 注：主要用于Al的生产（60％）、硅油的生产（25％）、钢铁的生产（5％）、半导体的生产（<5％）3.1.2提纯：（主要三种方法）(a) SiHCl3氢还原法：Si+3HCl 250～350℃SiHCl3+H2副反应：2Si+7HCl 250～350℃SiHCl3+SiCl4i+3H2经精馏两次，去掉杂质。
但BCl3、PCl3沸点与SiHCl3相近，所以去除较难。
SiHCl3+H2 900～1100℃Si+3HCl，一般淀积在钼或多晶硅载体上。
(b) SiCl4氢还原法：Si+2Cl2 450～500℃SiCl4SiCl4+2H21150℃Si+4HCl(c) SiH4热分解法：2Mg+Si 500～550℃(真空) Mg2SiMg2Si+4NH4Cl －30～－33℃(液氨) SiH4+2MgCl2+4NH3经提纯后，去掉杂质。
SiH4 800～850℃Si+2H2另外，还有二氯硅烷热分解法，此法有发展前途。
3.1.3 单晶的制备：3.1.3.1 直拉法:将经处理的多晶硅料装入单晶炉的石英坩埚内，在合理的热场中，于真空或某些气氛下，加热硅使之融化，用一经加工处理过的籽晶，使其与熔硅充分熔接，并以一定速度旋转提升，在此晶核的诱导下，控制特定的工艺条件和掺杂技术，使具有预期电学性能的单晶体，沿籽晶定向凝固成核长大，从熔体中被缓解提拉出来。
整个过程分引晶、细颈、放肩、等径、收尾。
按加料方式分一次加料直拉法、连续加料直拉法；连续加料直拉法又分液态加料法、固态加料法。
3.1.3.2 区熔法：将预先处理好的多晶硅棒和籽晶，一起垂直固定在区熔炉上下轴间，以高频感应的方法加热，在电磁场浮力、熔硅表面张力和重力的平衡作用下，使所产生的熔区能稳定地悬浮在硅棒中间，在真空或某些气氛下，控制特定的工艺条件和通过掺杂使熔区在硅棒上从头至尾定向移动，从此反复多次使硅棒提纯，最后沿籽晶长成具有预期电学性能的硅单晶。
按射频感应加热方式分水平区熔和悬浮区熔两种方式。
3.1.3.3 外延生长法:在一定工艺条件下，使硅原子沿着经过精密加工的衬底长出预期电学性能的薄膜单晶。
3.1.4硅料制备的发展：在第二次世界大战期间美国杜邦公司采用锌（Zn）还原SiCl4制出多晶硅，供美国的电子公司生产高频二极管，但用途未扩大。
日本曾花几年时间试图改进工艺，使多晶硅电阻率达到1000Ω•cm，但是始终未能成功。
1953年贝尔实验室将易于提纯和回收重复使用的氢气（H2）代替难于提纯的Zn还原SiCl4，在钽（Ta）丝上沉积多晶硅，P型电阻率达到1000Ω•cm。
1955年西门子公司研究成功了用H2还原SiHCl3，在硅芯发热体上沉积硅的工艺技术，并于1957年建厂进行工业规模生产，这就是通常所说的西门子法。
随后，西门子工艺的改进主要集中在减少单位多晶硅产品的原料、辅料、电能消耗以及降低成本等方面，于是出现了改良西门子法。
（在西门子法工艺基础上，增加还原尾气干法回收系统、SiCl4氢化工艺，实现了闭路循环，形成当今广泛应用的改良西门子法。
该方法通过采用大型还原炉，降低了单位产品的能耗；采用SiCl4氢化和尾气干法回收工艺，明显降低了原辅材料的消耗，所生产的多晶硅占当今世界生产总量的70～80%）。
1956年英国国际标准电气公司的标准电讯实验所研究成功了SiH4热分解制备多晶硅的方法，被称为硅烷法。
1959年日本的石冢研究所也同样成功研究出该方法。
美国联合碳化物公司研究歧化法制备SiH4，1980年发表最终报告，综合上述工艺并加以改进，诞生了新硅烷法多晶硅生产工艺技术。
3.2主要厂家：国外：德国瓦克、美国MEMC、日本三菱、日本新日铁、日本住友等。
国内：四川739、四川新光、洛阳中硅等。
4、硅中的杂质主要非金属杂质有O、C、P、B等，主要金属杂质有Fe、Cu等，含量一般为ppm(百万分之一)、ppb(十亿分之一)、ppt（千亿分之一）硅中没有杂质，一般是没有用途的，但对杂质含量有一定的要求。
例如：a、Na＋会使电流下降，噪声增强，出现沟道击穿。
b、重金属使反向漏电流增加，寿命下降。
c、氧的存在，好像引入了一定量的施主，叫热施主。
严重影响少子寿命，会经常造成假寿命，因为氧与重金属结合，在热处理时，降低寿命。
另外，也影响微晶、电阻率等重要指标。
（如：电阻率可以通过工艺控制，若1300℃迅速冷却，1100℃较长时间，再450℃热处理等。
）d、P、B决定材料的导电类型。
4.1杂质的种类：按原子大小分：替位式杂质（如B、P）、间隙式杂质（如Li+）、间隙—间隙式杂质（如Cu）;另外还有一种缺位式杂质。
按电离性质分：施主杂质、受主杂质。
4.2分凝效应与蒸发效应：分凝系数O——1.25、Si——1、B——0.8、P——0.35、C——0.07Mo、Fe、B难挥发，Sb、Cu易挥发，Mn、Pb、P次之。
4.3晶体硅内的缺陷：点缺陷、线缺陷（如位错）、面缺陷（如晶界）、微缺陷、体缺陷（如大的夹杂物）三、硅的物理性质1、硅的热学性质熔点1420（1417）℃，沸点2355℃；固体密度2.33g/cm3、液体密度2.5（2.45）g/cm3，具有明显的热膨胀和热传导性质。
2、硅的机械性质硬度6.5摩氏/950努氏2.1在常温下，硅是一种延展性的脆性材料，但温度高于700℃～800℃时，却具有明显的热塑性，在应力作用下，呈现塑性变形。
2.2硅的抗拉应力远远大于剪应力，在硅片加工过程中会产生弯曲和翘曲，或裂纹、破碎。
四、硅的化学性质常温下，十分稳定，在高温下几乎可与所有物质发生反应。
不溶于HCl、H2SO4、HNO3、HF、王水等，易溶于HNO3与HCl的混合物；易溶于碱。
1、Si+O2 400℃SiO22、3Si+2N2 1000℃Si3N43、Si+SiO2 1500℃2SiO4、Si+2Cl2 450℃～500℃SiCl45、Si+3HCl 250～350℃SiHCl3+H2、2Si+7HCl 250～350℃SiHCl3+SiCl4i+3H26、Si+2H2O（蒸气）加热SiO2+2H27、Si+4HNO3——Si02+2H2O +4NO28、Si+2NaOH＋H2O——Na2Si03+2H29、4F*（等离子体）+ Si——SiF4（样品表面）五、硅的物理参数及测量1、描述硅材料性能的基本参数1.1高纯度1.2导电类型1.3电阻率（本征2.3×105Ω•cm）注：电阻率计算——q(μn·n＋μp·p)的倒数1.4寿命：非平衡载流子的平均生存时间，其浓度随时间按指数变化衰减，这个时间一般按浓度下降到原来的1/e所经历的时间计算。
1.5杂质浓度：单位体积中的杂质原子数。
1.6晶体的完整性2、参数测量方法：2.1导电类型：（导电类型测试仪）a、冷热探笔法、冷探笔法、四探针法（低阻）——温差电效应b、单探针点接触整流法（高阻）、三探针法——整流效应2.2电阻率：（电阻率测试仪）a、接触法：四探针法、两探针法b、非接触法。
2.3非平衡少数载流子寿命：（少子寿命测试仪）a、直接法：光电导衰退法（直流光电导法、高频光电导法）b、间接法：扩散长度法、光磁法2.4氧、碳含量红外吸收法（傅立叶变换红外光谱分析仪）2.5金属粒子含量a、质谱分析法（质谱分析仪）b、中子活化分析法2.6硅中杂质补偿度a、晶棒重溶法测定（区熔真空多次提纯）b、低温霍尔效应法测定六、硅的应用及注意事项1、硅在铸锭、切割车间的应用1.1几个名词：（a）沸腾流化床：硅化物SiHCl3或SiH4的反应器。
另外还有管状的反应器。
（b）温度圈：以硅芯为中心的年轮状状况。
易形成疏松的夹层；晶粒大小或颜色有差异。
（c）氧化夹层：与温度圈相似，并以Si02为界限，颜色不同，“灰白色、棕黄色、深褐色”（d）裂纹、夹杂物、断面孔洞1.2我公司的硅料分类：详见《硅料命名规范》、《硅料质量鉴定标准》1.3掺杂方式：固体（纯元素或母合金）、液体（酒精浸泡或涂抹）、中照（N型）1.4注意事项：人、机、料、法、环几方面2、硅在电池车间的应用2.1 P-N结的生成：合金法、扩散法、生长法、离子注入法等。