西电微电子学院考研复试面试注意事项
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专业课面试
1. 齐纳击穿与雪崩击穿的原理和区别
2. 什么是有比例设计与无比例设计，其影响参数
3. 高低电平噪声影响的参数
4. 多级放大器的耦合方式及优缺点
5. 什么是线性电源
6. 直流电源的原理及构成
7. PN节的两种电容的机理。
8. PN节有哪几种击穿？各自的机理及击穿曲线的特点？
9.简述CMOS的工艺流程，几层版图？10. 影响Spice软件精度的因素有哪些？11.半导体中载流子的两种运动。12 模拟集成运算放大器的组成和性能。13. 四探针法测电阻的原理。14. 共价键和金刚石结构晶体15.什么是共价键(有什么特点) 16.半导体的导电原理,导电机构17.ROM和RAM的工作原理18.晶体管与MOS管隔离的区别19. N沟耗尽型MOSFET工作原理？20.集成运算放大器的基本组成？有哪些参数？21.CAD的含义与作用22.现在CAD软件模拟与数字谁更好及原因
23.半导体及金属导电的原理24.半导体及金属禁带宽度25.cmos有那几种有源寄生效应，有什么影响？26 晶体三极管工作的三种组态以及它们的应用场合？27.说出几种可编程ROM的原理及优缺点
英语题1. 你的专业是什么，和你对专业的看法2. 说说你的大学3. 你喜欢什么运动及他的规则4. 如果你有钱了你怎么办 5. 谈谈外国教育 6. 改革开放对中国的影响
7.你为什么选西电
顺便附上微电子学院2013年复试题（双极）回忆版
1.名词解释（8分*4）大注入效应电流集边效应扩散电容内建电势
2.分析题（20分*2）①分析两个掺杂浓度不同的PN结的I-V特性，并在同一个坐标系里画出曲线。②画出p+n二极管平衡时候的能带图以及正偏时候的少子浓度分布图。
3.计算题①计算PN结Vbi ，空间电荷区宽度，还有个我不会的。
②告诉注入效率，计算基区与集电区的掺杂浓度比（γ=1/(1+DEGB/DBGE))