(精选)场效应管及其应用
场效应管用法
场效应管用法
以下是 8 条关于场效应管用法的内容：
1. 嘿，你知道场效应管能当开关用吗？就像我们家里的电灯开关一样，轻轻一按，灯就亮或灭。
比如说在一个电机控制电路里，场效应管就能精准地控制电机的启动和停止呢，是不是很神奇呀！
2. 哇塞，场效应管还能用来放大信号哦！这就好比把一个小小的声音变大好多倍。
像在音响系统中，场效应管就能让我们听到更清晰、更响亮的声音，这可太棒啦！
3. 嘿呀，场效应管做电流源那也是杠杠的！可以想象成它是一个稳定的水源，源源不断地提供特定大小的电流呢。
在一些需要稳定电流的电路里，它的作用可大了，你说厉害不厉害？
4. 天哪，场效应管能实现阻抗变换呢！这不就像一个神奇的转换器，把一种阻抗变成另一种。
比如在一些信号传输的场合，它就能很好地完成这个任务，简直妙不可言啊！
5. 你看哦，场效应管还能用来做电压控制呢！就好像你通过遥控来控制电视音量一样。
在一些自动控制的系统里，用它来控制电压，那效果可太好啦，真让人惊叹不已呢！
6. 哎呦喂，场效应管做恒流源也很在行呀！想象一下，它就像个坚定的卫士，始终保持电流不变呢。
在一些对电流稳定性要求高的地方，它可发挥大作用啦，是不是很牛？
7. 嘿哟，场效应管在模拟电路里可重要啦！它就像一个出色的演员，在各种场景里都能大放异彩。
你能在好多复杂的电路里发现它的身影，这多了不起呀！
8. 哇哦，场效应管能用来做逻辑门呢！就和我们玩的逻辑游戏一样有趣。
在数字电路中，它可是重要的组成部分，这真的太有意思啦！
我的观点结论就是：场效应管的用法真的超多，而且都超级实用，每种用法都有其独特的魅力和价值！。
场效应管在开关电路中的应用
应用场景
描述
示例
电机控制
MOSFET可用作电机驱动器的开关，控制电机的启停和转向。
N沟道或P沟道MOSFEБайду номын сангаас驱动单相或三相电机，实现电机的正反转和速度控制。
灯光控制
在照明系统中，MOSFET可用于控制LED灯或其他类型灯具的开关。
使用MOSFET构建的LED驱动器，通过控制栅极电压来点亮或熄灭LED灯。
电源管理
在电源管理电路中，MOSFET可用作电源开关，控制电源的通断和电压转换。
笔记本电脑等便携式设备中的电源管理芯片，利用MOSFET实现电池的充放电控制。
数字逻辑电路
MOSFET可用于构建数字逻辑门（如与门、或门、非门等），进而实现复杂的数字逻辑系统。
使用MOSFET构建的与非门（NAND）电路，通过组合多个与非门可以实现任意逻辑功能。
高功率应用
由于MOSFET能够承受较大的电流和电压，因此特别适用于电机、变压器等大功率应用。
工业级逆变器中的MOSFET开关，用于将直流电转换为交流电，驱动大功率电机。
快速切换
MOSFET在饱和区域之间可以快速切换，这使得它在需要高频开关的应用中非常有用。
PWM（脉冲宽度调制）控制器中的MOSFET，通过调整占空比来控制电机的转速。
场效应管的工作原理和使用方法
场效应管的工作原理和使用方法场效应管（Field-Effect Transistor，FET）是一种用于放大、开关和调制信号的半导体器件。
场效应管有着广泛的应用领域，包括通信、电子设备和电源等。
一、工作原理1.基本构造场效应管包括一个绝缘栅、一个漏电极和一个源极，它们构成了“门电极-漏极-源极”结构。
-绝缘栅：用绝缘材料制成，用来隔离漏极和源极。
-漏电极：负责控制和操控电流。
-源极：负责提供电流。
2.工作原理当栅极电势施加于绝缘栅时，栅极电场将与绝缘层之间的电子引诱至表面，形成轨道，此时2DEG激活。
通过改变栅极电势的大小和极性，可以控制电子通过2DEG的程度，进而有效控制漏电流。
在N型场效应管中，栅极电势增大时，电子通过2DEG的能力减弱，导致漏电流减小。
而在P型场效应管中，栅极电势增大时，2DEG中空穴（正电荷载体）增加，漏电流也会增加。
基于以上原理，可以通过调整栅极电势，控制从漏极到源极的电流，实现场效应管的放大和开关功能。
二、使用方法1.引脚连接场效应管一般有三个引脚：栅极、漏极和源极。
栅极是场效应管的控制端，漏极和源极是输出端。
在使用场效应管时，需要正确将电源、信号源和负载与相应的引脚连接。
2.工作电压不同类型的场效应管具有不同的工作电压范围，需要根据厂商规定和数据手册，选定适当的电源和信号电压。
同时，还需要关注电流和功率的限制，确保不超出场效应管的额定数值。
3.极性场效应管分为N型和P型，其极性不同。
在连接场效应管时，需要确保漏极和源极的极性与电源匹配，以免产生不良影响或损坏器件。
三、场效应管的优缺点1.优点-控制方便：场效应管可以通过改变栅极电势，实现电流的控制，相较于双极型晶体管（BJT）具有更高的灵活性。
-噪音低：场效应管的输入电阻高，输出电阻低，可以有效降低噪音的生成和传播。
-响应速度快：场效应管的响应速度较快，适用于高频率和快速开关应用。
2.缺点-漏电流：场效应管的漏电流相对较大，可能导致功耗过高。
场效应管的工作原理及应用
场效应管的工作原理及应用一、场效应管的基本原理场效应管（FET）是一种基于电场效应的半导体器件，它主要由三个区域组成：栅极（Gate）、漏极（Source）和源极（Drain）。
场效应管的工作原理是通过在栅极施加电压来控制漏极和源极之间的电流。
实际上，场效应管的工作原理与双极型晶体管（BJT）有很大的不同。
BJT是通过调节基极电流来控制集电极电流，而FET则是通过控制栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。
这种控制电压的方式使得场效应管具有以下优点：•输入电阻高：场效应管的输入电阻非常高，这意味着输入信号对于场效应管来说几乎没有损耗。
•输出阻抗低：场效应管的输出电阻非常低，可以提供较大的输出功率。
•可靠性好：场效应管的制造工艺相对简单，因此具有较高的可靠性。
二、场效应管的种类及特点场效应管分为三种，分别是MOSFET、JFET和IGFET。
它们各自具有以下特点：1. MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）•结构复杂：MOSFET由金属栅极、绝缘层和半导体材料组成，结构较为复杂。
•低功耗：MOSFET的功耗较低，适用于集成电路和低功耗应用。
•可控性强：MOSFET的栅极电压可通过改变电压来控制漏极和源极之间的电流。
2. JFET（结型场效应管）•结构简单：JFET由两个半导体材料构成，结构较为简单。
•低噪声：JFET具有低噪声、高增益和大动态范围的特点，适用于音频放大器等应用。
•可控性弱：JFET的控制电压较低，控制灵敏度相对较弱。
3. IGFET（绝缘栅极场效应管）•高速开关：IGFET具有较高的开关速度和低损耗，适用于高频功率放大器等应用。
•可控性中等：IGFET的栅极电压对电流的控制相对较强，但仍不及MOSFET。
三、场效应管的应用场效应管广泛应用于各种电子设备和系统中，包括但不限于以下领域：1.放大器：由于场效应管具有高输入电阻和低输出阻抗的特点，因此可以用作信号放大器。
在音频放大器、射频放大器、视频放大器等设备中，场效应管常被用来放大弱信号。
场效应管的用法
场效应管的用法
1. 你知道吗，场效应管可以用来放大信号呢！比如说在音响系统里，场效应管就像是一个大力士，把微小的声音信号变得超级响亮，让我们能尽情享受震撼的音乐，这难道不神奇吗？
2. 嘿，场效应管还能当作电子开关哟！就像家里的电灯开关一样，轻松地控制电流的通断。
比如在自动门的控制电路中，场效应管就能准确地控制门的开关，是不是超厉害呀！
3. 哇塞，场效应管能用来做恒流源呢！这就好比是一条稳定流淌的小溪，持续提供稳定的电流。
在一些需要稳定电流的设备中，它可发挥了大作用，这可真是个宝贝呀！
4. 你晓得不，场效应管在模拟电路中用处可大啦！它就好像是一个出色的演员，能完美地演绎各种角色。
比如在放大器中，它把信号演绎得更出色，简直妙不可言呀！
5. 嘿呀，场效应管可以用于电源管理呢！就像是一个优秀的管家，把电流管理得井井有条。
像手机充电器里就有它的身影，保障充电的稳定，多了不起呀！
6. 哇哦，场效应管在传感器领域也能大显身手呢！可以说它是一个敏感的小侦探，精准地检测各种信息。
比如温度传感器中，它快速而准确地反馈温度变化，太让人佩服啦！
7. 哈哈，场效应管还能用于信号变换哦！它就如同一个神奇的魔术师，把一种信号巧妙地变成另一种信号。
在一些通信设备里，它的这个能力可真是不可或缺呀！
8. 哎呀，场效应管用来驱动电机也很棒呀！就像是一个强劲的车夫，拉着电机飞速运转。
比如在一些机器人中，它让机器人行动自如，太酷了吧！9. 总之，场效应管的用法真是多种多样，在电子世界里无处不在呀，它就像是一个全能的战士，随时准备为我们的科技生活冲锋陷阵！。
场效应管的作用及原理
场效应管的作用及原理
场效应管是一种重要的电子器件，它在电子技术中起着至关重要的作用。
本文将介绍场效应管的作用及原理。
一、场效应管的作用
场效应管的主要作用是放大和开关信号。
它可以根据输入信号的大小，通过控制栅极电压来改变输出信号的幅度。
场效应管具有高输入阻抗和低输出阻抗的特性，因此可以有效地将输入信号放大，并将放大后的信号输出到负载上。
此外，场效应管还可以作为开关使用，通过控制栅极电压来控制导通或截止状态，实现信号的开关控制。
二、场效应管的原理
场效应管的工作原理是基于电场控制电流的机制。
它由源极、漏极和栅极组成。
当栅极施加正电压时，栅极与源极之间形成一个正电场，这会吸引漂浮在栅极上的自由电子，使得栅极与源极之间形成导电通道。
电子通过通道流向漏极，形成电流。
此时，场效应管处于导通状态。
相反，当栅极施加负电压或不施加电压时，栅极与源极之间的电场消失，导电通道关闭，电流无法通过。
此时，场效应管处于截止状态。
由于栅极与源极之间的电场可以通过改变栅极电压来控制，因此场效应管具有电压控制电流的特性。
栅极电压变化可以引起漏极电流的变化，从而实现对信号的放大或开关控制。
三、总结
场效应管是一种重要的电子器件，它可以实现信号的放大和开关控制。
其工作原理是通过电场控制电流，栅极电压的变化可以改变漏极电流，从而实现对信号的控制。
场效应管具有高输入阻抗和低输出阻抗的特性，适用于各种电子设备中的放大和开关电路。
通过深入理解场效应管的作用和原理，我们可以更好地应用和设计电子电路，推动电子技术的发展。
什么是场效应管
什么是场效应管场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种用于电子设备中的半导体器件。
场效应管利用静电场控制电流流动，其工作原理与晶体管相似。
本文将介绍场效应管的定义、工作原理、类型以及应用领域。
定义：场效应管是一种三极管，由栅极（Gate）、源极（Source）和漏极（Drain）组成。
其中，栅极是控制电流的电极，源极是电流进入管子的电极，漏极是电流从管子流出的电极。
工作原理：场效应管的工作原理基于氧化物半导体场效应。
在FET内部，栅极和基底之间存在一层绝缘氧化物。
当栅极上施加电压时，电压在绝缘氧化物上产生电场，控制了栅极和基底之间的电流。
根据电压的极性和大小，场效应管可以分为两种类型：1. N沟道型场效应管（N-channel FET）：N沟道型FET的基底为P型半导体，漏极和源极之间存在一个N型的沟道。
当栅极电压为正值时，电场将吸引阳极中电子，导致电子从源极流向漏极，形成电流。
2. P沟道型场效应管（P-channel FET）：P沟道型FET的基底为N型半导体，漏极和源极之间存在一个P型的沟道。
当栅极电压为负值时，电场将吸引阴极中的空穴，导致空穴从源极流向漏极，形成电流。
应用领域：场效应管在电子设备中有广泛的应用，包括：1. 放大器：场效应管可以作为放大器，放大小信号电压或电流，用于音频放大、射频放大等应用。
2. 开关：场效应管可以作为开关，控制电流的通断。
例如，在数字逻辑电路中，场效应管可用于构建数字逻辑门电路。
3. 电源稳定器：场效应管可用于构建电源稳定器，保持电源输出的稳定性，用于电子设备的供电。
4. 数模转换器：场效应管可以将模拟信号转换为数字信号，用于模数转换器中的采样和保持电路。
总结：场效应管是一种重要的半导体器件，通过控制电场实现电流控制。
它具有放大器、开关、电源稳定器等多种应用，广泛用于电子设备和电路中。
了解场效应管的工作原理和应用，有助于理解电子技术中的基本原理和电路设计。
场效应管的作用
场效应管的作用
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常见的
半导体器件，主要用于信号放大、开关和电流调节等电路中。
该器件具有高输入阻抗、低输出阻抗和高频率响应等优点，被广泛应用于各种电子设备和系统中。
作为信号放大器，场效应管能够将输入信号放大到较大的幅度，从而实现信号的增强。
其工作原理是通过控制栅极-源极电压
的变化来调节导通区的导电性，进而控制源-漏极电流的大小。
根据不同的工作模式，场效应管可以分为三种类型：增强型、耗尽型和共源型。
其中，增强型场效应管是最常用的一种，其栅极-源极电压增大时，源-漏极电流也随之增大。
在开关电路中，场效应管起到实现开关控制的作用。
当正向偏置电压施加在栅极上时，场效应管处于导通状态，电流可以从源极流向漏极；当负向偏置电压施加在栅极上时，场效应管处于截止状态，电流无法通过。
通过改变栅极-源极电压的大小，可以实现对开关状态的控制，从而实现对电路的开关操作。
此外，场效应管还可以用作电流调节器。
通过调节栅极-源极
电压的大小，可以改变场效应管的导通区大小，从而实现对电流的调节。
这在一些需要电流变化的电路中非常有用，如电源电流的稳定控制、LED亮度调节等。
总之，场效应管作为一种重要的半导体器件，在电子电路中发挥着重要的作用。
它具有高频率响应、高输入阻抗和低输出阻
抗等优势，广泛应用于各种电子设备和系统中的信号放大、开关和电流调节等功能。
场效应管的作用和工作原理
场效应管的作用和工作原理
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种电子器件，常用于放大、开关和调节信号的电流。
它的作用类似于晶体管，但是它的控制方式不同。
场效应管的工作原理是利用电场控制电流流动。
它由一个P
型或N型的半导体基片、上面覆盖着一个绝缘层和一个金属
门极组成。
当施加一个外部电压于门极时，电场会影响衬底与沟道之间的电荷分布，从而改变电流的流动。
N型场效应管：
1. 当门极施加正电压时，形成一个负电荷区（空穴）在绝缘层下方，继而吸引N型衬底上的自由电子形成一个由N型沟道
连接源极与漏极的导电通道。
这时，N型场效应管处于导通状态。
2. 当门极施加负电压时，将把基片上空N型区的电子排斥开，减少了N型沟道的导电能力，导致漏电流减小，所以N型场
效应管处于截止状态。
P型场效应管：
1. 当门极施加负电压时，形成一个正电荷区（电子）在绝缘层下方，继而吸引P型衬底上的空穴形成一个由P型沟道连接
源极与漏极的导电通道。
这时，P型场效应管处于导通状态。
2. 当门极施加正电压时，将把基片上空P型区的空穴排斥开，减少了P型沟道的导电能力，导致漏电流减小，所以P型场
效应管处于截止状态。
总之，场效应管的工作原理是通过改变门极电压来控制沟道的导电能力，从而实现对电流的调节。
与晶体管相比，场效应管具有输入电阻高、噪声低、频率响应宽等优点，因此在很多应用中被广泛使用。
场效应管参数用途大全
场效应管参数用途大全场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种主要用于放大、开关和调节信号的电子器件。
它是一种三端器件，由源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）组成。
场效应管具有很多参数，下面将详细介绍这些参数的用途。
1.漏极电流（ID）：漏极电流是指通过场效应管的漏极-源极电路的电流。
它可以用来测量和控制场效应管的放大增益和工作状态。
2.栅-源电压（VGS）：栅电压与源电压之间的差值，用于控制场效应管的导通与截止状态。
当VGS小于场效应管的阈值电压时，管子截止；当VGS大于阈值电压时，管子导通。
3.漏-源电压（VDS）：漏电压与源电压之间的差值，用于测量场效应管的电压增益和功耗。
它还用于确定场效应管的工作状态，如饱和区、线性区和截止区。
4. 率定电压（VGS-off）：当栅电压小于阈值电压时，场效应管处于关断状态。
率定电压是指栅电压，使得场效应管完全截止，漏极电流为零。
5.漏极电阻（RD）：漏极电阻是指场效应管的漏极电压和漏极电流之间的比率。
它用于测量和控制场效应管的输出阻抗和信号衰减。
6.栅-漏电流（IGS）：栅-漏电流是指栅极和源极之间的电流。
它表示在截止区域时，栅极上的电流，即零漏极电压条件下的漏极电流。
7.漏极电容（CDS）：漏极电容是指场效应管的漏极电压和变化的漏极电流之间的比率。
它与场效应管的频率响应和带宽有关。
8.栅电流（IG）：栅电流是指通过场效应管的栅极-源极电路的电流。
栅电流用于测量和控制场效应管的输入阻抗和信号增益。
9.输入电容（CGS）：输入电容是指场效应管的栅极电压和变化的栅极电流之间的比率。
它与场效应管的频率响应和带宽有关。
10.输出电容（CDS）：输出电容是指场效应管的漏极电压和变化的漏极电流之间的比率。
它与场效应管的频率响应和带宽有关。
11. 开关速度（Switching Speed）：开关速度是指场效应管在从截止状态到导通状态或从导通状态到截止状态的转换时间。
场效应管及其应用【精选】
g＋ ugs －
id
d
＋
uds
－ s
g＋ ugs －
id
d
＋
gmugs
uds
－ s s
图3.12场效应管微变等效电路
（1） 电压放大倍数:
'
A u i R R g u R g
( o d
//
d
) L
m gs
L
'
R u
mL
u u u i
gs
gs
（2） 输入电阻:
r R R R ( // )
g s
g s
衬底引线
(a)
(b)
(c)
图 3.5增强型MOS
(a) N沟道结构图; (b) N沟道符号; (c) P沟道符号
UDD
d
s
UGG
g
iD
N＋
N＋
P型 硅 衬 底
图 3.6 N沟道增强型MOS管工作原理
3)
（1） N沟道增强型绝缘栅场效应管的转移特性曲线 如图3.7(a)所示。 在uGS≥UGS（th）时, iD与uGS的关系可用 下式表示:
恒流区(放大区)
uDS＝ 0 V
4可 变 电
3阻 区
2
－1 V
击
穿
－2 V
区
－3 V
1
－4 V
0
2 4 6 8 10 12 14 16 18
uDS / V
夹断区
图 3.4 N沟道结型场效应管输出特性曲线
3.1.2 1. 增强型绝缘栅场效应管的结构及工作原理
1)
2)
s
g
d
SiO2
N＋
六种场效应管
六种场效应管一、结型场效应管结型场效应管是一种单极场效应管，其工作原理是基于栅极电压改变二氧化硅（SiO2）层中电荷分布来实现对漏极电流的控制。
它的工作特点是在工作过程中不需要很大的功耗，并且具有良好的噪声特性。
在电子设备中，结型场效应管通常用于放大、振荡、开关等电路中。
二、绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管是一种单极场效应管，其工作原理是通过在二氧化硅（SiO2）绝缘层上覆盖金属薄膜来实现对源极和漏极之间的控制。
由于没有栅极氧化层与半导体之间的电容，因此其输入电阻非常高，并且具有低噪声特性。
在电子设备中，绝缘栅型场效应管通常用于放大、振荡、开关等电路中。
三、MOS型场效应管MOS型场效应管是一种单极场效应管，其工作原理是通过在金属-氧化物-半导体（MOS）结构上施加电压来改变电荷分布实现对漏极电流的控制。
它的优点是输入电阻高、驱动电流小、功耗低、易于集成等。
在电子设备中，MOS型场效应管通常用于放大、振荡、开关等电路中。
四、高电子饱和迁移率型场效应管高电子饱和迁移率型场效应管是一种具有高电子饱和迁移率的单极场效应管。
它的工作原理是通过改变栅极电压来改变半导体内部的电子饱和迁移率实现对漏极电流的控制。
它的优点是具有高速响应和低功耗特性，适用于高速数字电路和模拟电路中。
五、高电子饱和迁移率型场效应管高电子饱和迁移率型场效应管是一种具有高电子饱和迁移率的双极场效应管。
它的工作原理是通过改变栅极电压来改变半导体内部的电子饱和迁移率实现对漏极电流的控制。
它的优点是具有高速响应和低功耗特性，适用于高速数字电路和模拟电路中。
六、结型双极型场效应管结型双极型场效应管是一种双极场效应管，其工作原理是基于栅极电压改变半导体内部的电子和空穴浓度实现对漏极电流的控制。
它的优点是具有高速响应和低功耗特性，适用于高速数字电路和模拟电路中。
同时，它还具有较好的噪声特性和稳定性，适用于各种复杂的电子设备中。
常用部分场效应管型号用途参数
常用部分场效应管型号用途参数场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种利用电子场的作用控制电流的半导体元件。
常用的场效应管型号有MOSFET和JFET，它们在电子电路中广泛应用。
下面将介绍几种常用的场效应管型号及其用途和参数。
1.N沟道MOS场效应管（NMOS）NMOS是最早出现的一种场效应管，通过在P型衬底上形成N型沟道来控制电流。
NMOS在低电压和低功率电子电路中广泛应用。
它具有低开关损耗、高通道导电度等特点。
常用的NMOS型号有2N7000、IRF540等。
这些型号的参数一般包括最大漏源电压（VDS）、最大漏极电流（ID）、演化速度等。
2.P沟道MOS场效应管（PMOS）PMOS是通过在N型衬底上形成P型沟道来控制电流的。
PMOS比NMOS具有更高的开关损耗和较低的通道导电度。
它主要应用于部分数值逻辑电路和模拟信号放大电路。
常用的PMOS型号有IRF9520、IRF630等。
这些型号的参数包括最大漏源电压（VDS）、最大漏极电流（ID）、演化速度等。
3.绝缘栅双极MOS场效应管（IGBT）IGBT是一种高压、大功率开关器件，适用于需要控制高电流和高电压的电路。
它结合了MOS场效应管和双极晶体管的优点，具有低漏电流、低导通压降等特点。
常用的IGBT型号有IRFP4668、IRFP460等。
这些型号的参数包括最大漏源电压（VDS）、最大漏极电流（ID）、演化速度等。
4.JFET场效应管JFET是一种通过调节源漏电流，改变沟道导电性的场效应管。
它具有低噪声、高输入电阻等特点，适用于放大和开关电路。
常用的N型JFET型号有2N3819、J113等，P型JFET型号有J310、BF245等。
这些型号的参数包括最大漏极电流（IDSS）、截止电压（VGS(off)）等。
场效应管应用
场效应管应用例1：作反相器用。
|Vp1|=|Vp2|=Vp 0<|Vp|<Vdd Tp:p沟道增强型，Tn:n沟道增强型Vi=+Vdd时：Tp:V GS p=0>Vp ，截止Tn:V GS n=Vdd>Vp ，导通Vo= 0Vi= 0时：Tp:V GS p=-Vdd<Vp ，导通Tn:V GS n=0<Vp ，截止Vo= +Vdd例2：压控电阻场效应管工作在可变电阻区时，i D随V DS的增加几乎成线性增大，而增大的比值受V GS控制。
所以可看成是受V GS控制的电阻。
多级放大电路串联稳压电源中应用：由于桥式整流、电容滤波电路十分成熟，这里我们选择桥式整流、电容滤波电路作为电源的整流、滤波部分。
由于要求电源输出电压有一定的调整范围，稳压电源部分选择串联负反馈稳压电路。
同时由于对输出电流要求比较大，调整管必须采用复合管。
综合这些因素可以初步确定电路的形式，参见图4－2－9。
3、变压部分这一部分主要计算变压器B1次级输出电压（U B1）O和变压器的功率P B1。
一般整流滤波电路有2V以上的电压波动（设为ΔU D）。
调整管T1的管压降（U T1）CE应维持在3V以上，才能保证调整管T1工作在放大区。
整流输出电压最大值为15V。
根据第二章《常用整流滤波电路计算表》可知，桥式整流输出电压是变压器次级电压的1.2倍。
当电网电压下降－10％时，变压器次级输出的电压应能保证后续电路正常工作，那么变压器B1次级输出电压（U B1）OMIN应该是：（U B1）OMIN＝（ΔU D＋（U T1）CE＋（U O）MAX）÷1.2（U B1）OMIN＝（2V＋3V＋15V）÷1.2＝20V÷1.2＝16.67V则变压器B1次级额定电压为：（U B1）O＝（U B1）OMIN÷0.9（U B1）O＝16.67V÷0.9＝18.5V当电网电压上升＋10％时，变压器B1的输出功率最大。
场效应管在开关电源中的作用
场效应管在开关电源中的作用场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）在开关电源中具有重要作用。
开关电源是一种将直流电转换为高频脉冲的装置，用于驱动各种电子设备。
而场效应管作为一种重要的功率开关元件，能够在开关电源中实现高效率、高速度的开关操作。
我们来了解一下场效应管的基本结构和工作原理。
场效应管由源极、栅极和漏极组成。
栅极与源极之间的电压可以控制漏极电流的大小。
其工作原理是通过控制栅极电压，改变栅极与漏极之间的电场强度，从而改变电流的通断状态。
在开关电源中，场效应管承担着两个重要的功能：开关功能和功率放大功能。
首先是开关功能。
开关电源需要将输入的直流电源通过开关操作，转换为高频脉冲输出。
场效应管作为开关元件，能够在很短的时间内实现通断操作，将输入电源切换为高频脉冲输出。
这种高速开关操作可以实现高效率的能量转换，减少能量损耗，提高电源的效率。
其次是功率放大功能。
在开关电源中，输入电压一般是低电平的直流电源，需要经过放大操作，转换为高电平的高频脉冲。
场效应管具有很高的电流放大倍数，可以将输入信号放大到足够的幅度，以驱动负载电路。
这种功率放大功能可以保证开关电源输出的能量足够大，能够满足各种电子设备的工作要求。
场效应管还具有以下几个优点，使其在开关电源中得到广泛应用：首先是导通电阻小。
场效应管的导通电阻远远小于普通的开关管，可以实现更低的功耗和更高的效率。
其次是响应速度快。
场效应管的开关速度非常快，能够在纳秒甚至皮秒级别内完成通断操作，适用于高频开关电源的需求。
场效应管还具有体积小、重量轻、寿命长等优点，方便集成和使用。
然而，场效应管在开关电源中也存在一些问题。
首先是静态功耗较大。
由于场效应管的导通电阻不为零，会产生一定的静态功耗，导致效率下降。
其次是导通压降较大。
场效应管的导通电阻对应的电压降较大，会产生一定的功耗。
此外，场效应管还对栅极电压有一定的要求，需要外部电路进行控制，增加了设计和调试的复杂度。
电路中的场效应管有哪些种类和应用
电路中的场效应管有哪些种类和应用场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种常见的电子元件，广泛应用于各种电路中。
它基于电场效应来实现电流的控制和放大，具有高输入阻抗、低功耗和高频特性等优点。
本文将介绍电路中的场效应管的种类和应用。
一、场效应管的种类1. MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）MOSFET是最常见的场效应管种类之一，由金属氧化物半导体材料构成。
根据结构和工作模式的不同，MOSFET可分为两种类型：增强型MOSFET和耗损型MOSFET。
增强型MOSFET（Enhancement Mode MOSFET）通常处于截止状态，需要施加正向电压来打开通道。
它的主要特点是输入电阻高，适用于放大和开关电路。
耗损型MOSFET（Depletion Mode MOSFET）则相反，通常处于导通状态，需要施加负向电压来截止通道。
它具有低输入电阻和高输出电阻的特点，适用于特定的应用场景。
2. JFET（结型场效应管）JFET使用p-n结构构成，分为N沟道型JFET和P沟道型JFET两种。
N沟道型JFET的导电沟道为N型，需要施加负向电压来控制电流。
它的主要特点是低噪声、高输入阻抗和高放大倍数，常用于高频放大器和低噪声电路。
P沟道型JFET则相反，导电沟道为P型，需要施加正向电压来控制电流，适用于某些特殊的电路设计。
二、场效应管的应用1. 放大器场效应管有很好的放大特性，常用于放大信号。
通过调整输入电压，可以控制输出电流的变化，实现对信号的放大。
2. 开关由于场效应管的高输入阻抗和快速开关速度，可以用作开关元件，广泛应用于电源管理、逆变器和驱动电路等领域。
它的开关速度快，能够有效控制高频信号和脉冲信号。
3. 模拟开关场效应管还可以用作模拟开关，根据输入电压的变化，实现对模拟信号的切换和控制。
比如在音频信号中的应用，可以实现信号的选择、切换和调节。
4. 逻辑门场效应管可以组合成各种逻辑门电路，实现数字电路中的逻辑运算。
六种场效应管
六种场效应管场效应管，也称为放大管或开关管，是一种电子元件，常用于放大电路和开关电路中。
根据N沟道场效应管（N-channel）和P沟道场效应管（P-channel）的不同，可以将场效应管分为两类。
下文将详细介绍这六种场效应管的特点和应用。
1. N沟道增强型场效应管（N-channel Enhancement-mode MOSFET）N沟道增强型场效应管是一种常见的场效应管，其通道内没有形成倒转层，需要加正压才能导通。
它具有高输入阻抗、低输出阻抗以及较高的放大能力。
N沟道增强型场效应管广泛应用于放大电路、开关电路、数字电路、感应器等。
2. P沟道增强型场效应管（P-channel Enhancement-mode MOSFET）P沟道增强型场效应管与N沟道增强型场效应管相似，但其通道内由P型材料构成，需要加负压才能导通。
P沟道增强型场效应管广泛应用于自动控制系统、电源管理、信号处理等领域。
3. N沟道耗尽型场效应管（N-channel Depletion-mode MOSFET）N沟道耗尽型场效应管是一种通道内部已经形成倒转层的场效应管，其导通状态是默认状态，需要施加负压才能阻断导通。
N沟道耗尽型场效应管常用于模拟电路、功率放大器、电源稳压器等领域。
4. P沟道耗尽型场效应管（P-channel Depletion-mode MOSFET）P沟道耗尽型场效应管与N沟道耗尽型场效应管类似，但其导通状态是默认阻断状态，需要施加正压才能导通。
P沟道耗尽型场效应管广泛应用于低电平开关、电源管理、信号选择等场合。
5. 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor，IGBT）绝缘栅双极晶体管是一种结合了MOSFET和双极晶体管特点的高压功率半导体器件。
IGBT具有高输入阻抗、低导通压降、高电流放大倍数等特点，在电力电子领域被广泛应用于变频器、电机驱动、逆变器等高压高功率设备中。
场效应管的作用
场效应管的作用
场效应管（又称晶体管、MOSFET）是一种半导体器件，通过外加电压调节其内部电场分布，从而控制器件的电流。
首先，场效应管具有放大功能。
通过控制其栅极电压，可以调节场效应管的电阻，从而控制电压和电流的变化。
在放大电路中，场效应管可以作为电压放大器或电流放大器使用。
当输入信号施加在场效应管的栅极上时，经过放大后，输出信号会有较大的幅值。
其次，场效应管具有开关功能。
当控制电压施加在栅极上时，场效应管可以被打开或关闭。
当场效应管处于关闭状态时，其输入电流非常小，几乎可以忽略不计；而当场效应管被打开时，其输入电流变得很大，可以通过大电流操控其他设备的工作。
此外，场效应管还具有稳压功能。
场效应管的输出电压可以自动调节，以适应负载变化。
当负载电流变大时，场效应管的输出电压会自动降低，以保持稳定的输出电压。
这种稳压特性使得场效应管可以广泛应用于电源稳压、电压调节以及功率放大等领域。
近年来，随着技术的发展，场效应管在集成电路中得到广泛应用，如CMOS集成电路、逻辑门电路等。
场效应管小巧、功
耗低、可靠性高，能够在高频率和高速度的电路中提供优异的性能。
总之，场效应管作为一种重要的半导体器件，不仅具有放大和
开关功能，还具有稳压特性，可应用于各种电子设备和电路中。
它在电子行业的发展中发挥着重要的作用，并且在不断的技术进步中，有着更广泛的应用前景。
场效应管的作用及典型电路
场效应管的作用及典型电路
一、Mosfet管的作用
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（MOSFET）是一种半导体多层效应管，它由三个极门构成：源极、汲极和控制极。
控制极之间有一层氧化膜，当控制极电压变化时，就可以改变这个氧化膜的电容，从而改变源极和汲极之间的电流。
MOSFET电路可以提供更高的效率，更小的尺寸和低功耗。
Mosfet管可以在电路中用来传输、放大、改变或控制电路的输出。
它是用来替代传统的开关管（BJT）的，它的操作要比传统的开关管更加灵活。
MOSFET的另一个优点是它可以将更高的电流压缩到更少的开关数量，从而使电路的整体尺寸减小，成本也更低。
二、Mosfet管的典型电路
1、放大器：MOSFET可用于单端放大电路，也可用于双端放大电路。
它通常被用来放大低频信号，例如声音信号。
2、开关：MOSFET可用于将电路的输出断开或接通。
它可以用来控制负载电流，也可以用来加快看门狗器件的超时脉冲。
3、控制：MOSFET也可以用来控制电路的输出电压或电流。
它可以被用来构建稳压器、电源稳压器或线性调整器。
4、线性应用：MOSFET有时也可以用作可调电阻，可以用来调节输出电压或电流。
三、总结
MOSFET是一种半导体多层效应管，由三个极门构成：源极、汲极和控制极。
场效应管的分类和作用
场效应管的分类和作用
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称.由多数载流子参加导电,也称为单极型晶体管.它属于控制型器件.
特点:
具有输入高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、平安工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
场效应管的作用
1、场效应管可应用于放大。
因为场效应管的输入阻抗很高，因此耦合
可以容量较小，不必用法电解。
2、场效应管很高的输入阻抗十分适合作阻抗变换。
常用于多级放大器
的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以便利地用作恒流源。
5、场效应管可以用作开关。
场效应管的测试
1、结型场效应管的管脚识别：
场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分离对应于晶体管的放射极和集电极。
将置于R×1k档，用两表笔分离测量每两个管脚间的正、反向电阻。
当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数K Ω时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。
对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（用法中接地）。
2、判定栅极
用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分离碰触另外两个电极。
若两次测出的阻值都很小，解释均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
创造工艺打算了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换用法，并
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U I R
GS
DS
R g2
UUU U IR GS G S
DD D s
RR g1 g2
(3. 7) (3. 8)
21
R
，
g1
R
：
g2
栅
极
分压电阻使栅极获
得合适的工作电压
R g1
C1 ＋ ＋
R g3
ui R g2
－
Rd ＋C2
＋ U DD ＋
＋
Rs
Cs
uo
－
栅极电阻：用来 提高输入电阻
图 3.11
1)
2)
s
g
d
SiO2
N＋
N＋
d
d
P型硅衬底
g s
g s
衬底引线
(a)
(b)
(c)
图 3.5增强型MOS
(a) N沟道结构图; (b) N沟道符号; (c) P沟道符号
9
U DD
d
s
U GG
g
iD
N＋
N＋
P型 硅 衬 底
图 3.6 N沟道增强型MOS管工作原理
10
3)
（1） N沟道增强型绝缘栅场效应管的转移特性曲线 如图3.7(a)所示。 在uGS≥UGS（th）时, iD与uGS的关系可用 下式表示:
u ( GS 1)2
i I D
DO
UGS(th)
(3. 4)
其中ID0是uGS=2UGS（th）时的iD值。 （2） N沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线
如图3.7（b）所示。
11
iD / mA 4 3
2 uDS＝ 10 V
1
0
2
4
6
UGS(th＝) 3 V
(a)
iD / mA 5
6V 4
3
19
栅
极
电
阻
：
将
R
压
s
降
加至栅极
＋
＋
C1
ui
Rg
－
＋UDD
Rd ＋
漏极电阻：将漏 极电流转换成漏 极电压，并影响 放 大 倍 数Au
＋
C2
＋
uo
Rs
Cs
－
源极电阻：利用
ID
在
Q
其
上
的
压
降
为
栅源极提拱偏压
旁 路 电 容 ： 消 除 R s对 交流信号的衰减
图 3.10 场效应管共源放大电路
20
由于栅极电阻上无直流电流, 因而
13
s
g
d
＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋
N＋
N＋
P型硅衬底
d
g s
d
g s
衬底引线
(a)
(b)
(c)
图3.8耗尽型MOS (a) N沟道结构图; （b） N沟道符号; （c） P沟道符号
14
在uGS≥ UGS（off）时, iD与uGS的关系可用下式表示:
u (1 GS )2
i I D
DSS
UGS(off)
第3章 场效应管及其应用
• 3.1 场效应管及其应用 • 3.2 场效应及其放大电路
1
3.1 场效应管
场效应管按结构分为结型场效应管和绝缘栅型场 效应管两类。
3.1.1 1. 结型场效应管的结构及工作原理 1) 如图3.1( a )所示, 在一块N型硅半导体两侧制作 两个P型区域, 形成两个PN结, 把两个P型区相连后引出 一个电极, 称为栅极, 用字母G(或g)表示。
17
（4） 在使用场效应管时, 要注意漏源电压、 漏源 电流及耗散功率等, 不要超过规定的最大允许值。
18
3.2 场效应管及其放大电路
与三极管一样, 根据输入、 输出回路公共端选 择不同, 将场效应管放大电路分成共源、 共漏和共 栅三种组态。 本节主要介绍常用的共源和共漏两种 放大电路。
3.2.1 1.
i u f( D
)u DS
常数
GS
(3. 3)
7
iD / mA 5
恒流区 (放大 区)
uDS＝ 0 V
4可 变 电
3阻 区
2
－1 V
击
穿
－2 V
区
－3 V
1
－4 V
0
2 4 6 8 10 12 14 16 18
uDS / V
夹断区
图 3.4 N沟道结型场效应管输出特性曲线
8
3.1.2
1. 增强型绝缘栅场效应管的结构及工作原理
图 3.11分压偏置式共源放大电路
2
1
8 uGS/ V
0
5V
24
4V
3V 6 8 10 12 14 16 18 uDS/ V
(b)
图3.7N （a） 转移特性;
（b） 输出特性
12
2. 图3.8为N沟道耗尽型场效应管的结构图。 其结构与增 强型场效应管的结构相似, 不同的是这种管子在制造时, 就在二氧化硅绝缘层中掺入了大量的正离子。
1 U GS(off)
－4 －3 －2 －1 0
uGS /V
图3.3 N沟道结型场效应管转移特性曲线
6
在UGS(off)≤uGS≤0的范围内, 漏极电流iD与栅极电
压uGS的关系为
u (1 GS )2
i I D
DSS
UGS(off)
(3. 2)
2)
输出特性是指栅源电压uGS一定, 漏极电流iD与 漏极电压uDS之间的关系, 即
g di du m
D
u 常数 DS
GS
(3. 6)
16
2． 1） 结型效应管可用万用表判别其管脚和性能的优劣。 （1） 管脚的判别 （2） 质量判定 2） 注意事项 （1） MOS管栅、 源极之间的电阻很高, 使得栅极的 感应电荷不易泄放, 因极间电容很小, 故会造成电压过 高使绝缘层击穿。 （2） 有些场效应晶体管将衬底引出, 故有4个管脚, 这种管子漏极与源极可互换使用。 （3） 使用场效应管时各极必须加正确的工作电压。
(3. 5)
iD/ mA
iD/ mA
12
12
uGS= 2 V
10
10
uDS= 常数
8
6
4 IDSS
2 UGS(off) －5 －4 －3 －2 －1 0
(a)
uGS/ V
8
1V
6
4
0V
2
－3 V
－1 V －2 V
0 2 4 6 8 10 12 14 16 uDS/V
(b)
图3.9N （a） 转移特极
d 漏极 耗尽层
d
P
P
N
g
g
s
s 源极
(a)
(b)
图 3.1
(a) 结构; (b) N沟道结型场效应管符号; (b) (c) P沟道结型场效应
d s (c)
3
2) 图3.2表示的是结型场效应管施加偏置电压后的接 线图。 2． 特性曲线 场效应管的特性曲线分为转移特性曲线和输出特 性曲线。
15
3.1.3
1．
1） 夹断电压UGS（off）或开启电压UGS（th
2） 饱和漏极电流IDSS
3） 漏源击穿电压U（BR）DS
4) 栅源击穿电压U（BR）GS
5） 直流输入电阻RGS
6） 最大耗散功率PDM
7） 跨导gm
在uDS为定值的条件下, 漏极电流变化量与引起这个 变化的栅源电压变化量之比, 称为跨导或互导, 即
1)
在uDS一定时, 漏极电流iD与栅源电压uGS之间的关系 称为转移特性。 即
i u f( D
) gs 常数 uds
(3. 1)
4
iD d
－ U GG
＋
g
－
P
uGS ＋
P N
S
＋
Rd
＋
uDS
－ UDD
－
图3.2 N沟道结型场效应管工作原理
5
iD / m A
IDSS 5 4
3
uDS =1 2 V 2