电池片参数表格
太阳能电池板参数
太阳能电池板的一组参数最大标称功率W p max (W)，峰值电压Vmp(V)：峰值电压是在强光时的最高电压峰值电流Imp(A)开路电压Voc(V)：开路电压是电池板空载电压工作电压：是电池板带上负荷时测得的电压短路电流Isc(A)尺寸Size(mm)重量Weigh t(KGS)（峰值电压最高、开路电压次之、工作电压最低）直流接线盒：采用密封防水、高可靠性多功能A BS 塑料接线盒，耐老化防水防潮性能好；连接端采用易操作的专用公母插头，使用安全、方便、可靠。
工作温度：-40℃～+90℃使用寿命可达20 年以上，衰减小于20%。
问题集锦：1、什么是太阳能电池？答：太阳能电池是基于半导体的光伏效应将太阳辐射直接转换为电能的半导体器件。
现在商品化的太阳能电池主要有以下几种类型：单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池，目前还有碲华镉电池、铜铟硒电池、纳米氧化钛敏化电池、多晶硅薄膜太阳能电池及有机太阳能电池等。
晶体硅（单晶、多晶）太阳能电池需要高纯度的硅原料，一般要求纯度至少是99. 99998%，也就是一千万个硅原子中最多允许2 个杂质原子存在。
硅材料是用二氧化硅（SiO2，也就是我们所熟悉的沙子）作为原料，将其熔化并除去杂质就可制取粗级硅。
从二氧化硅到太阳能电池片，涉及多个生产工艺和过程，一般大致分为：二氧化硅—> 冶金级硅—>高纯三氯氢硅—>高纯度多晶硅—>单晶硅棒或多晶硅锭—>硅片—>太阳能电池片。
2、什么是单晶硅太阳能电池板？答：单晶硅太阳能电池片主要是使用单晶硅来制造，与其他种类的太阳能电池片相比，单晶硅电池片的转换效率最高。
在初期，单晶硅太阳能电池片占领绝大部份市场份额，在1998 年后才退居多晶硅之后，市场份额占据第二。
太阳能电池片性能参数
太阳能电池片目录国内常用的太阳能电池片根据尺寸和单多晶可分为：太阳能电池片单晶125*125多晶156*156单晶150*150单晶103*103多晶125*125编辑本段太阳能电池片的技术参数25*125单晶电池片晶体硅太阳电池的优良性能简介：·高效率，低衰减，可靠性强；·先进的扩散技术，保证了片间片内的良好均匀性，降低了电池片之间的匹配损失；·运用先进的管式PECVD成膜技术，使得覆盖在电池表面的深蓝色氮化硅减反射膜致密、均匀、美观；·应用高品质的金属浆料制作电极和背场。
确保了电极良好的导电性、可焊性以及背场的平整性；·高精度的丝网印刷图形，使得电池片易于自动焊接。
156*156多晶电池片晶体硅太阳电池的优良性能简介：·高效率，低衰减，可靠性强；·先进的扩散技术，保证了片间片内的良好均匀性，降低了电池片之间的匹配损失；·运用先进的管式PECVD成膜技术，使得覆盖在电池表面的深蓝色氮化硅减反射膜致密、均匀、美观；·应用高品质的金属浆料制作电极和背场。
确保了电极良好的导电性、可焊性以及背场的平整性；·高精度的丝网印刷图形，使得电池片易于自动焊接。
125单晶电池组件晶体硅太阳能电池组件的优良性能简介：·SF-PV的组件可以满足不同的消费层次·使用高效率的硅太阳能电池·组件标称电压24/12V DC·3.2mm厚的钢化玻璃·为提高风的压力和雪的负载，使用耐用的铝框架以方便装配，·组件边框设计有用于排水的漏水孔消除了在冬天雨或雪水长期积累在框架内造成结冰甚至使框架变形·电缆线使用快速连接头来装配·满足顾客要求的包装·保证25年的使用年限156多晶电池组件晶体硅太阳能电池组件的优良性能简介：·SF-PV的组件可以满足不同的消费层次·使用高效率的硅太阳能电池·组件标称电压24/12V DC·3.2mm厚的钢化玻璃·为提高风的压力和雪的负载，使用耐用的铝框架以方便装配，·组件边框设计有用于排水的漏水孔消除了在冬天雨或雪水长期积累在框架内造成结冰甚至使框架变形·电缆线使用快速连接头来装配·满足顾客要求的包装·保证25年的使用年编辑本段中国太阳能光伏设备产业的发展依靠中国半导体设备行业数十年来的技术积累，通过和一流光伏电池企业的深度合作，经过连续多年的不懈努力，中国光伏设备企业已基本具备太阳能电池制造设备的整线装备能力。
电池片电性能参数介绍
△V
Impp
Pmpp
各个参数之间的关系
在所有参数中，只有电压和电流是测量值，其他参数均是计算值。
Pmpp为在I-V曲线上找一点，使改点的电压乘以电流所得最大，该点对应的电压就是最 大功率点电压Umpp，该点对应得电流就是最大功率点电流Impp
Rs为在光强为1000W/M2和500W/M2下所得最大功率点的电压差与电流差的比值，只是 一个计算值，所以有时候会出现负值的情况
印刷栅线高宽比小
网印区工艺过程常见问题处理
一、翘曲： 1.硅片太薄 2.印刷铝浆太厚 3.烧结温度过高 4.烧结炉冷却区冷却效果不好
二、铝包： 1.烧结温度太高 2.印刷铝浆太薄 3.使用前浆料搅拌不充分 4.铝浆印刷后烘干时间不够 5.烧结排风太小 6.烧结炉冷却区冷却效果不好
放片的均匀性 工艺过程中的污染 如网带、传送带、
工作台等
并阻RSH组成
测试中并联电阻Rsh主要主要是由暗电流曲线推算出，主要由边缘漏电和体内漏电决定 边缘漏电主要由以下几个方面决定： ①边缘刻蚀不彻底 ②硅片边缘污染 ③边缘过刻
体内漏电主要几个方面决定 ①方阻和烧结的不匹配导致的烧穿 ②由于铝粉的沾污导致的烧穿 ③片源本身金属杂质含量过高导致的体内漏电 ④工艺过程中的其他污染，如工作台板污染、网带污染、炉管污染、DI水质不合格等
转换效率的影响因素
温度测试外部参数影响
I/A
光强
I/A
温度升高
光强降低
U/V
U/V
• 正常测试温度为25±2℃，随着温度的升高，开路电压急剧降低，短路电流略微增 大，整体转换效率降低
• 正常光强为1000±50W/M2，随着光强的降低，开路电压略微降低，短路电流急剧 下降，整体转换效率降低
电池片相关参数计算方法
上两图分别是156两线单晶和三线单晶，多晶两线三线和单晶一样1，一般PCB板制作才涉及到硅片按上图红绿线方向切割，玻璃层压一般用整片或按横向切割，硅片切割有如图涉及到的两种切割法（一种红线一种是蓝线），左图按红线切割的话得到的尺寸分别是40.5,37.5,37.5,40.5，（实际操作一般是切4个37.5，边上一点切掉），按蓝线切就是78,78，同理，右图按红线切得到6个26，蓝线得到3个52这里出现了几个数，26 37.5 52 78，一般板子宽度是由这几个来定的，比如一款板子尺寸是55×87，肯定选择52的宽度，那么选择的电池片就是3线的，再比如板子尺寸是4055，那么可以选择37.5，也可以522，再说如何根据客户要求来定电池片的尺寸问题，就目前市场来讲，一般3.5W电池片较多，我们首选 3.5W，我们知道单片电池片的电压都是0.5V，不管多大，那么一整片3.5W156电池片就有3.5W/0.5V=7000MA，电池片内部都是分布均匀的，156×156的电流是7000MA，那么156×78的电流就有7000/2=3500MA，以此类推，就是就算公式，比如客户需要一款板子尺寸是55*87，电压5V,电流100MA，根据上面公式可以算出宽度是6.7mm,那么硅片尺寸是52*6.7,3.5W156三线电池片还有一种情况是客户板子尺寸给你，电压给你，让你设计最大电流，比如板子55*87，电压5V，算最大电流，那么要首先算出硅片的尺寸才能知道电流的大小，首先想到的是52，即3线电池片，52排在55那边，5V即板子要贴10片，板子两头各留3mm，10片电池片之间每个留0.5mm，3+3+0.5*9=10.5mm，还剩下87-10.5=76.5mm，即每片电池片宽度是76.5/10=7.65mm，那么单片电池片就是52*7.65，还根据上面公式得到电流是114MA，保险起见给客户报100MA3，电池片转换效率，比如 3.5W156电池片转效为得到转效为14.38。
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2.340电气参数
单晶硅太阳电池 125mm*125mm*150mm(对角）型号
Efficiency Power Vmp Imp Voc Isc Eff(%)Ppm(W)Vmp(V)Imp(A)Voc(V)Isc(A)>18.50>2.7480.540 5.1000.625 5.400JSC5M18518.50 2.7480.540
5.100
0.625
5.400
JSC5M18218.25 2.711JSC5M18018.00 2.674JSC5M17717.75 2.637JSC5M17517.50 2.600JSC5M17217.25 2.563JSC5M17017.00 2.526JSC5M16716.75 2.488JSC5M16516.50 2.451JSC5M16216.25 2.414JSC5M16016.00 2.377JSC5M15715.75JSC5M15515.50 2.303JSC5M15015.00 2.228JSC5M14514.50 2.154JSC5M140
14.00 2.080<14.00
<2.080
电气参数
单晶硅太阳电池 125mm*125mm*165mm（对角）型号
Efficiency Power Vmp Imp Voc Isc Eff(%)Ppm(W)Vmp(V)Imp(A)Voc(V)Isc(A)>18.50>2.8630.540 5.3400.625 5.750JSC5M18518.50 2.8630.540
5.340
0.625
5.750
JSC5M18218.25 2.825JSC5M18018.00 2.786JSC5M17717.75 2.747JSC5M17517.50 2.709JSC5M17217.25 2.670JSC5M170
17.00
2.631
JSC5M16716.75 2.593
JSC5M16516.50 2.554
JSC5M16216.25 2.515
JSC5M16016.00 2.476
JSC5M15715.75 2.438
JSC5M15515.50 2.399
JSC5M15015.00 2.322
JSC5M14514.50 2.244
JSC5M14014.00 2.167
<14.00<2.167
电气参数
单晶硅太阳电池 156mm*156mm
型号Efficiency Power Vmp Imp Voc Isc Eff(%)Ppm(W)Vmp(V)Imp(A)Voc(V)Isc(A)
>18.50>4.5020.5418.3300.6259.150 JSC6M18518.50 4.5020.5418.3300.6259.150 JSC6M18518.25 4.441
JSC6M18518.00 4.380
JSC6M18517.75 4.319
JSC6M18517.50 4.258
JSC6M18517.25 4.198
JSC6M18517.00 4.137
JSC6M18516.75 4.076
JSC6M18516.50 4.015
JSC6M18516.25 3.954
JSC6M18516.00 3.893
JSC6M18515.75 3.833
JSC6M18515.50 3.772
JSC6M18515.00 3.650
JSC6M18514.50 3.528
JSC6M18514.00 3.407
<14.00<3.407
2.343电气参数
多晶硅太阳电池 125mm*125mm 型号Efficiency Power Vmp Imp Voc Isc Eff(%)Ppm(W)Vmp(V)Imp(A)Voc(V)Isc(A)JSC5P17617.60 2.7500.557
4.950
0.619
5.640
JSC5P17417.40 2.718JSC5P17217.20 2.687JSC5P17017.00 2.656JSC5P16616.60 2.593JSC5P16416.40 2.562JSC5P16216.20 2.531JSC5P16016.00 2.500JSC5P15815.80 2.468JSC5P15615.60 2.437JSC5P15415.40 2.406JSC5P15215.20 2.375JSC5P15015.00JSC5P14514.50 2.265JSC5P14014.00 2.187JSC5P13513.50 2.109JSC5P130
13.00 2.031<13.00
<2.031
电气参数
多晶硅太阳电池 156mm*156mm 型号Efficiency Power Vmp Imp Voc Isc Eff(%)Ppm(W)Vmp(V)Imp(A)Voc(V)Isc(A)JSC6P17617.60 4.2830.560
7.650
0.620
8.700
JSC6P17417.40 4.234JSC6P17217.20 4.185JSC6P17017.00 4.137JSC6P16616.60 4.039JSC6P16416.40 3.991JSC6P16216.20 3.942JSC6P160
16.00
3.893
JSC6P15815.80 3.845
JSC6P15615.60 3.796
JSC6P15415.40 3.747
JSC6P15215.20 3.699
JSC6P15015.00 3.650
JSC6P14514.50 3.528
JSC6P14014.00 3.407
JSC6P13513.50 3.285
JSC6P13013.00 3.163
<13.00<3.163
补充说明：
1、对角150和对角165是对单晶125*125分开说明，其他规格不作说明；
2、每个档位不一样，影响电性能参数的因素较多，电性能参数的偏差也是比较明显的；
3、同一个档位，也会因为各个参数的影响因素不同，电性能的差异性也是明显的；
4、电性能的差异表现在多方面，包括：原硅片的质量、扩散设备间的微差异性、印刷存在
的差异性、测试的差异性等。