微电子实验报告二
微电子实验报告2
集成电路设计（版图部分）实验报告学生姓名：周嫄学号：2011029170009 指导教师：曾洁实验地点：科B4532014年 5 月10 日电子科技大学实验：使用L-Edit编辑单元电路布局图一、实验学时：4学时二、实验目的1、熟悉版图设计工具L-Edit的使用环境；2、掌握L-Edit的使用技巧；三、实验内容：利用L-Edit绘制一个反相器的版图，并利用提取工具将反相器布局图转化为T-Spice 文件。
四、实验结果：1、本次版图设计中的设计技术参数、格点设定、图层设定、设计规则采用的是（morbn20.tdb）文件的。
9.1 Metal2 Minimum Width Minimum Width Metall2 3 lambda9.2 Metal2 to Metal2 Spacing 9.3 Metal2 Overlap of Via1 SpacingsurroundMetall2Via Metall24 lambda1 lambda2、绘制一个L=2u，W由学号确定的PMOS管掩膜版图。
先确定W。
W等于学号的最后一位乘以2，若学号最后一位 4，则先加10后再乘以2。
所以，要绘制的是一个L=2u，W=（ 18u ）的PMOS管掩膜版图。
所完成的经DRC检查无错误的PMOS版图为：该PMOS管的截面图为：3、绘制一个L、W和上面的PMOS管相同的NMOS管掩膜版图。
所完成的DRC检查无错误的NMOS版图为：该NMOS管的截面图为：4、运用前面绘制好的nmos 组件与pmos 组件绘制反相器inv的版图。
加入电源Vdd，地Gnd，输入A和输出B的标号。
所完成的DRC检查无错误的版图为：5、将反相器布局图转化为T-Spice 文件，该文件的内容为：五、实验总结与体会：1.通过本次实验，能够把理论与实际结合起来，利用软件将课本所学运用到实际的版图设计中，加深了对知识的理解与巩固；2.当第一次接触一个新软件时，应该怎样学习使用它，这是在实验中应该学习的技能；3.版图设计时需要考虑的因素有哪些，以及他们的相关性和重要程度对结果的影响。
毕业微电子实习报告
一、实习目的与意义随着科技的飞速发展，微电子技术已成为现代社会的重要支撑。
为了更好地将理论知识与实际应用相结合，提高自身的实践能力，我选择了微电子技术作为毕业实习的专业方向。
本次实习旨在通过实际操作，深入了解微电子技术的原理、应用及发展趋势，培养自身的动手能力和创新能力，为将来的职业发展打下坚实基础。
二、实习单位及环境本次实习单位为我国一家知名微电子企业——XX科技有限公司。
公司位于我国某高新技术产业园区，占地面积广阔，环境优美。
公司主要从事微电子器件的研发、生产和销售，产品广泛应用于通信、消费电子、汽车电子等领域。
实习期间，我所在的部门为研发部，主要负责新型微电子器件的研发工作。
部门内设有多个实验室，包括集成电路设计实验室、封装测试实验室等，设备先进，技术力量雄厚。
三、实习内容与过程1. 集成电路设计实习初期，我在导师的指导下，学习了集成电路设计的基本原理和流程。
通过查阅相关资料，了解了模拟电路、数字电路、混合信号电路等设计方法。
在导师的指导下，我参与了某款新型微电子器件的设计工作，从电路设计、仿真验证到版图设计，亲身体验了整个设计过程。
2. 封装与测试在完成集成电路设计后，我学习了封装与测试的相关知识。
了解了不同封装形式的特点、工艺流程及测试方法。
在导师的带领下，我参与了器件的封装与测试工作，学习了如何使用测试仪器对器件进行性能测试。
3. 项目实践实习期间，我还参与了多个项目实践。
其中包括某款无线通信模块的研发、某款汽车电子产品的升级等。
在项目实践中，我学会了如何将理论知识应用于实际，解决了项目过程中遇到的问题，提高了自己的实际操作能力。
4. 学术交流与培训实习期间，公司定期组织学术交流活动，邀请行业专家进行讲座。
我积极参加这些活动，拓宽了视野，了解了微电子领域的最新发展趋势。
此外，公司还为我提供了相关的培训课程，如EDA工具使用、半导体材料等，使我受益匪浅。
四、实习收获与体会1. 提高了实践能力通过本次实习，我掌握了微电子技术的实际操作技能，学会了如何将理论知识应用于实际，提高了自己的动手能力。
华桥大学微电子器件与电路实验实验报告IC2019实验2
实验报告)微电子器件与电路实验(集成学号实验时间姓名 2019.04实验成绩实验操作教师签字实验二集成二极管电学特性分析实验名称(1)计算机 (2)操作系统：Centos实验设备TSMC RF0.18um工艺模型软件平台：Cadence Virtuoso (4)(3)1.掌握变量扫描分析、OP分析、DC Sweep下分析器件电学模型参数2.掌握二极管电流和结面积和结周长关系，加深对集成二极管电学特性的理解实验目的特性的测试方法3.掌握二极管CV 掌握单边突变结二极管掺杂浓度测量方法4.实验要求1. 实验前按要求阅读器件说明文档，阅读实验操作文档，熟悉实验过程及操作步骤2. 实验过程中按实验报告要求操作、仿真、记录数据(波形)3. 实验结果经指导老师检查、验收，经允许后方可关机，离开实验室，、实验后按要求处理数据和波形，回答问题。
实验报告打印后，于下次实验时间缴交。
3实验内容：【20%】 2.1 集成二极管电流随结面积变化特性(变量分析)实验对给定的二极管固定二极管的L，然后对二极管结W进行变量分析，测得二极管电流和结面积之间的关系曲线，通过曲线斜率估计二极管电流和结面积是否满足线性关系，回答思考题1【20%】分析)2.2 实验集成二极管电流随结周长变化特性(OP使用不同结周长的二极管单元并联成结面积相同的二极管器件，测得相同偏置条件下的二极管电流，通过对比不同二极管电流之间的差异，确定二极管电流和结周长的关系，回答思考题2【30%】 CV特性测试(DC分析下器件电学模型参数分析)集成二极管实验2.3对给定结面积的二极管进行DC分析，分析二极管结电容和反偏电压之间的关系，测得CV特性曲线。
并根据《微电子器件与电路》所学知识，回答思考题3、4、5。
【30%】实验2.4 集成二极管内建电势差及掺杂浓度测量2测试不同结电压下单边突变结二极管的单位结面积电容，根据单边突变结1/C关系曲线特点计算得到二极管的掺杂浓度和内建电势差。
微电子实习报告
一、实习背景随着科技的飞速发展，微电子技术作为信息时代的关键技术，其重要性日益凸显。
为了更好地了解微电子技术，提高自身的实践能力，我于今年暑期在一家知名微电子企业进行了为期一个月的实习。
以下是实习报告的具体内容。
二、实习单位及部门实习单位：XX微电子有限公司实习部门：研发部三、实习目的1. 了解微电子行业的基本情况，掌握微电子技术的基本原理和实际应用。
2. 培养实际操作能力，提高动手实践水平。
3. 深入了解企业研发流程，为今后从事相关工作打下基础。
四、实习内容1. 微电子基础知识学习在实习初期，我主要学习了微电子技术的基本知识，包括半导体物理、集成电路设计、版图设计等。
通过学习，我对微电子技术有了初步的认识。
2. 研发项目参与在实习期间，我参与了公司的一个研发项目，具体负责其中一部分的工作。
以下是项目的主要内容：（1）项目背景：本项目旨在开发一款高性能的微控制器，以满足市场需求。
（2）工作内容：我主要负责微控制器核心部分的电路设计和仿真。
（3）实施过程：①根据项目需求，设计微控制器的核心电路，包括CPU、存储器、接口等。
②使用Cadence软件进行电路仿真，验证电路的稳定性和性能。
③根据仿真结果，对电路进行优化，提高电路性能。
3. 团队合作与交流在实习过程中，我与团队成员积极沟通，共同解决项目中遇到的问题。
此外，我还参加了公司举办的内部培训，了解了公司的发展历程、企业文化以及行业动态。
五、实习收获1. 知识储备：通过实习，我对微电子技术有了更深入的了解，掌握了相关理论知识。
2. 实践能力：在项目实践中，我学会了如何将理论知识应用到实际工作中，提高了动手实践能力。
3. 团队协作：在团队中，我学会了如何与他人沟通、协作，共同完成任务。
4. 行业认知：通过实习，我对微电子行业有了更全面的了解，为今后从事相关工作奠定了基础。
六、实习总结通过本次实习，我深刻认识到微电子技术的重要性，以及自己在实际操作和团队协作方面的不足。
微电子器件实验指导书(实验2)
实验指导书实验名称：实验二图示仪检测MOS管参数学时安排：4学时实验类别：验证性实验要求：必做￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣一、实验目的和任务1、用图示仪检测MOS直流参数；2、学习并掌握该仪器的基本测试原理和使用方法，并巩固及加深对晶体管原理课程的理解。
二、实验原理介绍同实验五三、实验设备介绍晶体管直流参数是衡量晶体管质量优劣的重要性能指标。
在晶体管生产中和晶体管使用前，须对其直流参数进行测试。
XJ4822晶体管图示仪是一类专门用于晶体管直流参数测量的仪器。
用该仪器可在示波管屏幕上直接观察各种直流特性曲线，通过曲线在标尺刻度的位置可以直接读出各项直流参数。
用它可测试晶体管的输出特性、输入特性、转移特性和电流放大特性等；也可以测定各种极限、过负荷特性。
四、实验内容和步骤1、测试场效应管2SK30、IRF830的直流参数。
准备工作：在仪器未通电前，把“辉度”旋至中等位置，“峰值电压”范围旋至0-10伏档，“功耗限制电阻”调到1K档，“峰值电压” 调到0位，“X轴作用”置集电极电压1伏/度档，“Y轴作用”置集电极电流1毫安/度档。
接通电源预热10分钟。
调节“辉度”和“聚焦”使显示的图像清晰。
晶体管特性图示仪是为普通的NPN、PNP晶体管的特性图示分析而设计的，要用它来检测场效应管，就必须找出场效应管和普通晶体管之间的相似点和不同处。
场效应管的源极( S )、栅极( G )和漏极( D )分别相当于普通晶体管的发射极( E )、基极( B )、和集电极( C )。
普通晶体管是电流控制元件，而场效应管则是电压控制元件。
1)场效应管2SK30是N-MOS器件，它的管脚分布如图6.1所示。
图6.1 2SK30管脚分布图按照管脚的分布插好管脚后，把“Y轴作用”调到0.2mA/div，“X轴作用”调到1V/div，扫描电压极性为“+”,“功耗限制电阻”调为250Ω，“峰值电压”范围为60% ,“阶梯档级”调到0.1V/div,“阶梯极性”为“-”，“级/簇”置为10。
实验报告2
实验一MOS电容的C-V特性测量及氧化层厚度、界面态密度等参数的提取微电子系00848067 曹宇一、实验目的1、测量MOS电容高频和低频时的C-V曲线2、利用C-V曲线进行栅氧化层厚度t ox、氧化层电荷和界面态密度D it、平带电压V fb、硅衬底掺杂浓度等参数的提取。
二、实验原理MOS电容如图1所示，它类似于金属和介质形成的平板电容器。
但是，由于半导体中的电荷密度比金属中的小得多，所以充电电荷在半导体表面形式的空间电荷区有一定的厚度（~微米量级），而不像金属中那样，只集中在一薄层中（~0.1nm）内。
半导体表面空间电荷区的厚度随偏压VG而变化，所以MOS电容是微分电容。
随着栅压的不同，MOS电容将处于不同的工作区：积累区、耗尽区和反型区。
三、实验内容1.掌握MOS电容的C-V特性测试原理和测试方法。
2.学习KeithleyModel 82-WIN 同步C-V测量仪的使用方法。
3.学习Model 82-WIN 同步C-V库的使用，并利用它提取界面陷阱电荷密度、可动离子浓度、掺杂浓度分布、平带电容、电压等。
四、实验仪器1.手动探针台2.KeithleyModel 82-WIN 同步C-V测试仪Keithley595QuasistaticCV Meter (595准静态CV仪)Keithley590 CV Analyzer (590 CV分析仪)Keithley230 Programmable Voltage Source (230可编程电压源)3.Metrics ICS五、典型C-V特性测量的步骤第一步漏电流和杂散电容修正第二步导线效应修正第三步配置测量系统第四步进行C-V测量第五步分析C-V数据配置测量系统：先连接测量元件。
一个好的探针台是不可少的。
把耦合器的同轴输入（Input)端与探针相连，输出（Output）端与底座相连。
进入Metrics ICS界面。
A．点击菜单行的Instruments按钮，出来一个下拉式菜单。
微电子器件和电路实验实验二实验报告
1.设计电源电压24V±20%，负载能力0-100mA，指定输出电压的齐纳稳压电路
2.设计满足设计指标的双向限幅电路
3.设计220Vrms，50Hz市电供电，负载能力0-200mA，输出电压给定，输出纹波小于1%的AC-DC电路(齐纳稳压)
4.设计220Vrms，50Hz市电供电，负载能力0-200mA，输出电压给定，输出纹波小于1%的AC-DC电路(线性稳压器稳压)
①最终设计完成的电路结构如下所示：
②AC-DC直流稳压器中线性稳压器的输入电压，即Vin节点的电压纹波，并计算纹波电压，波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并标注纹波电压的大小【波形打印出来必须清晰】。
③AC-DC直流稳压器中线性稳压器的输出电压，即Vout节点的电压纹波，是否有明显纹波，波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形【波形打印出来必须清晰】。
6.
纹波电压=（6.1956-6.1954）/6.1956=0.003%
【注：有明显纹波的话，说明Vin的直流电压没有比Vout高3V以上，请改变线圈匝数比】
④负载电流加大一倍(400mA)时，实验2.3电路的输出波形和实验2.4输出波形对照。
波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形【波形打印出来必须清晰】。
设计双向限幅电路，并记录电压传输特性及瞬态分析双向限幅波形
实验2.3 AC-DC直流稳压电路设计(齐纳稳压)
设计电路(变压器，整流桥、滤波电路、齐纳稳压电路)并记录满负载下次级线圈的纹波电压，最终输出的纹波电压
实验2.4AC-DC直流稳压电路设计(线性稳压器)
设计电路(变压器，整流桥、滤波电路、齐纳稳压电路)并记录满负载下次级线圈的纹波电压，最终输出的纹波电压
2.3
微电子技术实习报告
一、实习前言随着科技的飞速发展，微电子技术作为现代电子技术的核心，已成为推动社会进步的重要力量。
为了深入了解微电子技术的实际应用，提升自身的实践能力，我于2023年暑假期间，在XXX科技有限公司进行了为期一个月的微电子技术实习。
二、实习目的1. 熟悉微电子技术的基本原理和工艺流程。
2. 掌握微电子器件的设计、制造与测试方法。
3. 增强团队合作和沟通能力，提升自身的职业素养。
三、实习内容1. 微电子器件设计与仿真在实习期间，我参与了公司某款新型微电子器件的设计与仿真工作。
在导师的指导下，我学习了电路设计软件，如Cadence、LTspice等，并完成了器件原理图的设计、仿真与优化。
通过实际操作，我掌握了微电子器件的设计方法，为后续的制造与测试奠定了基础。
2. 微电子器件制造在实习过程中，我有幸参观了公司的微电子器件制造车间。
在导师的带领下，我了解了芯片制造的各个工序，包括晶圆制备、光刻、蚀刻、离子注入、扩散、镀膜、切割等。
此外，我还学习了设备操作和维护方法，对微电子器件的制造过程有了更为深刻的认识。
3. 微电子器件测试在实习后期，我参与了微电子器件的测试工作。
在导师的指导下，我学习了测试仪器的使用方法，如示波器、万用表、频谱分析仪等。
通过实际测试，我掌握了器件性能的评估方法，并参与了测试结果的整理与分析。
四、实习收获1. 理论知识与实践相结合通过实习，我将所学的微电子理论知识与实际应用相结合，提高了自身的综合素质。
2. 提升了动手能力在实习过程中，我掌握了微电子器件的设计、制造与测试方法，提升了自身的动手能力。
3. 培养了团队合作精神在实习期间，我与团队成员密切合作，共同完成了各项任务，培养了团队合作精神。
4. 明确了职业规划通过实习，我对微电子行业有了更为全面的认识，明确了自身的职业规划。
五、总结本次微电子技术实习使我受益匪浅。
在今后的学习和工作中，我将继续努力，不断提升自身能力，为我国微电子产业的发展贡献自己的力量。
微电子技术实验报告
微电子技术实验报告一、实验目的本实验旨在通过实际操作，加深对微电子技术的理解，掌握基本的电路设计和实验技能，提高学生的实践能力和动手能力。
二、实验原理微电子技术是一门研究电子器件、电路和系统中微观器件的制造工艺、物理特性、器件特性及其应用技术的学科。
本实验涉及到微电子技术中的基本器件，如二极管、场效应管等。
三、实验内容1. 利用示波器和信号源等工具，对二极管的正向和反向特性曲线进行测量。
2. 利用基本电路元件，如电阻、电容、电感等，设计并搭建一个简单的电路。
3. 使用场效应管并对其进行测试，掌握其工作原理和特性。
四、实验步骤1. 准备工作：连接示波器和信号源。
2. 测量二极管的正向特性曲线：在示波器上设置适当的参数，连接二极管并记录电压-电流特性曲线。
3. 测量二极管的反向特性曲线：更改示波器参数，连接二极管并记录反向漏电流。
4. 搭建简单电路：根据设计要求，选取合适的元件，进行电路搭建。
5. 测试场效应管：通过实验测试场效应管的工作状态，并记录相关数据。
五、实验数据及图表1. 二极管正向特性曲线图（插入图表）2. 二极管反向特性曲线图（插入图表）3. 搭建的简单电路图（插入图表）4. 场效应管测试数据（数据表）六、实验分析通过本次实验，我深刻理解了二极管的正反向特性曲线，掌握了电路设计和搭建的基本技能，并对场效应管有了更深入的了解。
实验过程中，通过数据的分析和曲线的对比，我得出了一些结论，并发现了一些问题需要进一步探讨和解决。
七、实验结论本实验通过对微电子技术中的基本器件进行实际操作，增强了我对电子器件特性的认识，提高了我的实验技能。
通过本次实验，我不仅学到了理论知识，还掌握了实践技能，为将来的学习和工作打下了坚实的基础。
八、参考文献1. 《微电子技术基础》2. 《电子技术实验指导》（以上为实验报告内容，供参考。
）。
微电子实习报告
微电子实习报告第一篇：微电子实习报告课程名称认识实习课程编号A200001A实习地点光电学院1101微电子工艺实验室实习时间2020年11月14日校外指导教师校内指导教师王智鹏、周围评阅人签字王智鹏成绩实习内容微电子工艺认识实习一、实习目的和意义学习光刻机原理，硅片的制作和加工，简单MOS器件的制备二、实习单位和岗位重庆邮电大学三、实习内容和过程实验内容：在2020年11月14日的下午我们班聚集在实验室门口等待，在老师的带领下我们进入实验室并且按规矩穿好实验服。
在将近半小时的参观下我们了解到半导体的制作原理。
半导体制作原理：图1.1半导体构造组成制造流程半导体工业所使用之材料包含单一组成的半导体元素，如硅(Si)、锗(Ge)(属化学周期表上第四族元素)及多成分组成的半导体含二至三种元素，如镓砷(GaAs)半导体是由第三族的镓与第五族的砷所组成。
在1950年代早期，锗为主要半导体材料，但锗制品在不甚高温情况下，有高漏失电流现象。
因此，1960年代起硅晶制品取代锗成为半导体制造主要材料。
半导体产业结构可区分为材料加工制造、晶圆之集成电路制造(wafer fabrication)(中游)及晶圆切割、构装(wafer package)等三大类完整制造流程，如图1.2所示。
其中材料加工制造，是指从硅晶石原料提炼硅多晶体(polycrystalline silicon)直到晶圆(wafer)产出，此为半导体之上游工业。
此类硅芯片再经过研磨加工及多次磊晶炉(Epitaxial reactor)则可制成研磨晶圆成长成为磊晶晶圆，其用途更为特殊，且附加价值极高。
其次晶圆之体积电路制造，则由上述各种规格晶圆，经由电路设计、光罩设计、蚀刻、扩散等制程，生产各种用途之晶圆，此为中游工业。
而晶圆切割、构装业系将制造完成的晶圆，切割成片状的晶粒(dice)，再经焊接、电镀、包装及测试后即为半导体成品。
图1.2 半导体产业结构上、中、下游完整制造流程制程单元集成电路的制造过程主要以晶圆为基本材料，经过表面氧化膜的形成和感光剂的涂布后，结合光罩进行曝光、显像，使晶圆上形成各类型的电路，再经蚀刻、光阻液的去除及不纯物的添加后，进行金属蒸发，使各元件的线路及电极得以形成，最后进行晶圆探针检测;然后切割成芯片，再经粘着、连线及包装等组配工程而成电子产品。
微电子工艺实习报告
实习报告实习时间：2022年6月1日至2022年6月30日实习单位：某微电子科技有限公司实习岗位：工艺工程师一、实习背景及目的随着科技的飞速发展，微电子技术在各个领域得到了广泛的应用。
为了更好地了解微电子工艺的基本原理和实际应用，提高自己的实践能力，我选择了某微电子科技有限公司进行为期一个月的实习。
实习期间，我主要担任工艺工程师岗位，参与了公司微电子工艺的相关工作。
二、实习内容及收获1. 实习内容（1）了解公司产品及工艺流程在实习初期，我对公司的主营业务、产品特点及工艺流程进行了全面的了解。
公司主要从事半导体器件的研发、生产和销售，主要产品包括功率器件、模拟器件和数字器件等。
通过学习，我掌握了各种器件的制备工艺和生产流程。
（2）参与生产实践在实习过程中，我参与了生产线的实际操作，学习了半导体器件的制备工艺，如氧化、扩散、离子注入、金属化等。
同时，我还参与了生产过程中的质量控制和故障排查，提高了自己的实际操作能力。
（3）学习相关设备的使用和维护为了更好地开展实习工作，我学习了公司常用设备的使用和维护方法，如光刻机、蚀刻机、清洗机等。
通过实践操作，我掌握了这些设备的基本操作技巧，并能够独立完成相关设备的维护工作。
2. 实习收获（1）理论联系实际通过实习，我将所学的微电子工艺理论知识与实际生产相结合，深入了解了微电子器件的制备过程，增强了自己的实践能力。
（2）提高团队协作能力在实习过程中，我与同事们共同解决生产中遇到的问题，学会了团队合作，提高了自己的沟通能力和协作精神。
（3）培养严谨的工作作风实习过程中，我深刻体会到严谨的工作态度对于微电子工艺的重要性。
在实际操作中，我遵循操作规程，细心观察生产过程，确保产品质量。
三、实习总结通过一个月的实习，我对微电子工艺有了更为深入的了解，实践能力得到了很大提高。
同时，我也认识到理论知识在实际工作中的重要性。
在今后的工作中，我将继续努力学习，将所学知识与实际工作相结合，为公司的发展贡献自己的力量。
微电子毕业实习报告
一、实习背景随着科技的飞速发展，微电子技术作为现代电子信息产业的核心技术，在我国得到了广泛的关注和应用。
为了更好地了解微电子技术在实际工程中的应用，提高自己的实践能力，我于2023年7月至9月在XX科技有限公司进行了为期两个月的毕业实习。
二、实习目的1. 了解微电子技术的基本原理和应用领域；2. 掌握微电子产品的生产流程和工艺技术；3. 提高自己的动手能力和团队协作能力；4. 为今后的工作打下坚实基础。
三、实习单位简介XX科技有限公司成立于2005年，是一家专业从事微电子技术研发、生产和销售的高新技术企业。
公司主要产品包括各类集成电路、电子元器件等，广泛应用于通信、家电、汽车等领域。
四、实习内容1. 理论学习在实习期间，我首先对公司微电子技术的基本原理和应用领域进行了系统学习。
通过查阅资料、参加技术培训等方式，了解了微电子技术的基本概念、电路设计、生产工艺等知识。
2. 生产实习在生产实习环节，我主要参与了以下几个方面的学习：（1）芯片制造：参观了芯片制造生产线，了解了晶圆制造、光刻、蚀刻、离子注入、扩散、氧化、抛光等工艺流程。
（2）封装测试：学习了封装材料、封装工艺、测试方法等知识，了解了封装、焊接、测试等过程。
（3）产品应用：了解了公司主要产品的应用领域和性能特点，学习了产品设计和开发的基本流程。
3. 项目实践在项目实践环节，我参与了公司一个实际项目的研发工作。
在导师的指导下，我负责编写部分软件代码，参与调试和测试。
通过这个过程，我学会了如何将理论知识应用于实际项目，提高了自己的编程能力和团队协作能力。
五、实习收获1. 知识储备：通过实习，我对微电子技术的基本原理和应用领域有了更深入的了解，为今后的工作打下了坚实基础。
2. 技能提升：在实习过程中，我学会了芯片制造、封装测试等工艺技术，提高了自己的动手能力。
3. 团队协作：在项目实践中，我学会了与团队成员沟通、协作，提高了自己的团队协作能力。
4. 职业素养：通过实习，我认识到职场中的责任感和敬业精神的重要性，为今后的职业生涯奠定了基础。
微电子期末实验报告
微电子期末实验报告实验目的本次实验的目的是通过设计和制作一片微电子芯片，学习和理解微电子器件的工作原理和制造过程，加深对微电子技术的认识和应用。
实验器材与原材料本实验涉及的器材和原材料如下：1. 纯净的硅晶圆2. 光刻机和曝光药水3. 溅射沉积设备4. 热氧化炉5. 电子束曝光设备6. 快速退火设备7. 电子显微镜8. 电阻计和电压源实验步骤及结果1. 硅晶圆的制作：首先，我们取出一块纯净的硅晶圆，将其放入热氧化炉中进行氧化处理，形成一层氧化硅薄膜。
然后，使用电子束曝光设备制作图案掩膜，在光刻机上对硅晶圆进行曝光，形成所需的图案。
最后，使用溅射沉积设备，在硅晶圆上沉积金属薄膜，形成导线和电极。
2. 芯片的制作：通过以上步骤，我们成功地制作了一片微电子芯片。
接下来，我们使用快速退火设备对芯片进行处理，使金属导线与硅基底良好地结合在一起。
然后，使用电阻计和电压源对芯片进行测试，确保芯片的电特性符合设计要求。
3. 电子显微镜的观察：为了进一步研究芯片的结构和性能，我们使用电子显微镜对芯片进行观察。
通过电子显微镜的放大和成像功能，我们可以清晰地看到芯片的微观结构和导线的连接情况。
实验结果分析通过实验步骤中的制作和测试过程，我们得到了一片功能正常的微电子芯片。
我们通过电阻计和电压源测量了芯片的电阻和电压特性，并与设计要求进行了比较。
实验结果表明，芯片的电特性符合预期，并且各个部件之间的连接良好，没有出现导线断裂或短路等问题。
通过电子显微镜的观察，我们进一步研究了芯片的微观结构。
观察结果显示，芯片表面的导线和电极均呈现出光滑的表面，金属导线与硅基底之间有良好的结合。
这表明我们在制作过程中注意了各个步骤的控制和操作，确保了芯片的质量和稳定性。
实验总结与心得体会通过本次实验，我们学习和理解了微电子器件的制造过程和性能测试方法。
我们通过制作一片微电子芯片，加深了对微电子技术的认识和了解。
实验过程中，我们学会了使用各种微电子器材和原材料，掌握了光刻、溅射和退火等工艺步骤，并学会了使用电阻计和电压源等测试仪器。
微电子制造工程的实习报告
微电子制造工程的实习报告实习报告实习单位：微电子制造工程实习时间：2020年5月-2020年8月实习地点：xx公司一、实习单位简介xx公司是一家专业从事微电子制造的高科技公司。
公司主要生产和研发各类集成电路芯片，并提供客户定制的解决方案。
公司在国内外均有广泛的市场份额，拥有先进的生产设备和一流的技术团队。
我有幸能够在这样的一家公司进行实习，深入了解微电子制造的流程和技术。
二、实习目的和内容我的实习目的是通过实践了解微电子制造的整个流程，并加深对相关技术的理解。
实习期间，我主要从事以下几个方面的工作：1. 设备操作：我学习和实践了生产线上的设备操作技术，包括各种设备的启动、运行参数的调整、异常情况的处理等。
2. 工艺流程管理：我了解了集成电路芯片生产的整个工艺流程，熟悉了各个工艺步骤的要求和操作方法，并参与了一些关键步骤的实际操作。
3. 质量控制：我学习了公司对产品质量的要求和控制方法，掌握了常用的检测手段和仪器的使用方法，并参与了产品的质量检测工作。
4. 数据分析：我学习了如何使用数据分析工具进行数据处理和统计，对产品产量、质量等数据进行分析，为工艺改进和质量控制提供依据。
三、实习心得和收获在实习期间，我有机会亲身参与了微电子制造的各个环节，对整个行业的运作流程有了更深入的理解。
通过与工程师和技术人员的交流，我学到了很多专业知识和实践经验，提高了自己的技能和能力。
同时，我也意识到微电子制造行业的竞争激烈，对于技术的要求非常高，需要不断学习和提升自己。
在实习期间，我还意识到团队合作的重要性。
微电子制造需要多个环节的密切配合，每个人的工作都会影响整个生产流程，所以团队协作非常关键。
我学会了与同事合作，并在工作中充分发挥自己的作用。
通过这次实习，我对微电子制造行业有了更全面的了解，也明确了自己的职业发展方向。
我将继续努力学习和提升自己，为微电子制造行业做出更大的贡献。
微电子技术实习报告
实习报告一、实习背景和目的作为一名微电子工程专业的学生，为了加深对微电子技术的理解和实践能力，我参加了为期三个月的微电子技术实习。
实习的目的主要是通过实际操作和项目实践，掌握微电子器件的基本原理、制造工艺和测试技术，培养实际动手能力和创新能力。
二、实习内容和过程实习期间，我主要参与了以下几个方面的内容和过程：1. 微电子器件的基本原理学习：通过阅读教材和参加讲座，我深入了解了MOSFET、BJT等常见微电子器件的工作原理和特性，学习了器件的结构设计和参数优化方法。
2. 制造工艺的学习和实践：在实验室中，我参观了微电子器件的制造工艺流程，包括晶圆制造、光刻、蚀刻、离子注入等步骤。
通过实际操作，我掌握了工艺参数的调整和控制方法，了解了工艺流程中的关键技术和挑战。
3. 测试技术的实践：在实验室中，我使用了多种测试设备对微电子器件进行了电学特性测试，包括I-V特性测试、C-V特性测试等。
通过测试数据的分析和处理，我了解了器件的性能指标和可靠性评估方法。
4. 实际项目的参与：在实习期间，我参与了一个微电子器件的性能改进项目。
通过团队合作，我负责了器件的结构设计和参数优化工作。
通过项目实践，我学会了与团队成员有效沟通和协作，提高了自己的解决问题和团队合作能力。
三、实习收获和体会通过这次实习，我收获了很多，具体如下：1. 理论知识与实践能力的结合：实习过程中，我将所学的微电子器件理论知识和实际制造工艺相结合，提高了自己的实践能力。
2. 创新思维的培养：在实际项目中，我通过不断尝试和优化，培养了自己的创新思维和解决问题的能力。
3. 团队合作和沟通能力的提升：在项目实践中，我与团队成员密切合作，学会了有效沟通和协作，提高了自己的团队合作能力。
4. 对微电子技术的深入理解：通过实习，我对微电子技术有了更深入的理解，明确了自己未来学习和研究方向。
总之，这次微电子技术实习是一次非常有意义的经历。
通过实习，我不仅提高了自己的实践能力和团队合作能力，还对微电子技术有了更深入的理解和认识。
微电子技术实训总结报告
一、前言随着科技的飞速发展，微电子技术已经成为当今世界最具发展潜力的领域之一。
为了更好地了解微电子技术的原理和应用，提高自身的实践能力，我们班级于近期进行了为期两周的微电子技术实训。
本次实训旨在通过实际操作，让学生掌握微电子技术的基本原理和操作技能，为今后的学习和工作打下坚实的基础。
二、实训内容本次实训主要分为以下几个部分：1. 微电子技术基础理论讲解实训开始前，我们首先进行了微电子技术基础理论的讲解。
通过学习，我们了解了半导体物理、集成电路设计、制造工艺等方面的知识，为后续的实训操作打下了理论基础。
2. 实验室参观与设备熟悉在实训过程中，我们参观了实验室，了解了实验室的布局、设备功能以及安全注意事项。
同时，我们还熟悉了各种实验设备的使用方法，为接下来的实验操作做好了准备。
3. 基本工艺操作训练实训期间，我们进行了以下基本工艺操作训练：（1）光刻工艺：学习了光刻原理、光刻机操作方法，掌握了光刻胶、抗蚀剂等材料的配制和使用技巧。
（2）蚀刻工艺：了解了蚀刻原理、蚀刻液的选择和配制方法，掌握了蚀刻机操作技巧。
（3）离子注入工艺：学习了离子注入原理、离子注入机操作方法，掌握了离子注入参数的设置。
（4）化学气相沉积（CVD）工艺：了解了CVD原理、CVD设备操作方法，掌握了CVD工艺的参数设置。
4. 集成电路设计与制作在实训的最后阶段，我们进行了集成电路设计与制作。
首先，我们学习了电路设计软件的使用方法，然后根据所学知识设计了一个简单的集成电路。
接着，我们按照设计图纸进行光刻、蚀刻、离子注入等工艺操作，最终完成了集成电路的制作。
三、实训心得1. 理论与实践相结合通过本次实训，我深刻体会到理论与实践相结合的重要性。
在理论学习过程中，我们了解到了微电子技术的基本原理，但在实际操作中，我们才能更好地理解这些原理，并掌握相应的技能。
2. 团队协作与沟通在实训过程中，我们不仅需要掌握个人操作技能，还需要与团队成员密切配合。
微电子认识实习报告
微电子认识实习报告微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。
下面请看小编带来的微电子认识实习报告！微电子认识实习报告【1】实习报告专业：微电子学年级：XX级姓名：xx学号：xxxxxxxxxxxxx微电子学是研究在固体材料上构成的微小型化电路、电路及系统的电子学分支。
微电子专业主要研究电子或粒子在固体材料中的运动规律及其应用，并利用它来实现一定的信号处理功能。
微电子是一门综合性很强的边缘学科，包括半导体器件物理、集成电路工艺、集成电路及系统的设计、测试等多方面的内容；涉及电磁学、量子力学、热力学与统计物理学、固体物理学、材料科学、电子线路、信号处理、计算机辅助设计、测试和加工、化学等诸多领域。
自摩尔定律提出以来，微电子领域一直如神话般按其所预言的规律不断发展。
微电子行业的进步使计算机的计算能力成倍增加，硬件成本大幅度降低，极大地推动了信息产业和工业的发展，是现代信息业和工业的基础。
微电子专业主要培养掌握集成电路、微电子系统设计、制造工艺及设计软件系统，能在微电子及相关领域从事科研、教学、工程技术及技术管理等工作的高级专门人才。
德才兼备的大学生不仅需要广泛的通识教育、扎实的专业理论功底，更需要理论与实践相结合的正规化训练。
学校和学生个人都有义务和责任将大学生培养成为既有理论知识、又有实际动手能力的综合型人才。
实习是绝大多数大学生必须参与的一项实践教学环节，通过或长或短的实习，学生可以更深入地了解本行业各岗位的工作性质，及该领域的发展状况和发展方向，以便能结合自己的能力特点和兴趣爱好，尽早寻找到适合各人的工作定位，为自己制定更长远、更细致的职业规划。
另外，学生在实践过程中也更易于懂得如何将理论知识与具体实际相结合，做到学以致用，不断提升自己的创造能力。
在大学生活接近尾声的时候，我们也迎来了本专业的毕业实习，实习地点为北京，共历时三日。
在学院教师与辅导员的带领下，我们班同学于5月25日下午抵达北京。
华桥大学微电子器件与电路实验实验报告(IC2019)实验2
微电子器件与电路实验(集成)实验报告姓名学号实验时间2019.04 实验操作实验成绩教师签字实验名称实验二集成二极管电学特性分析实验设备(1)计算机 (2)操作系统：Centos(3)软件平台：Cadence Virtuoso (4)工艺模型TSMC RF0.18um实验目的1.掌握变量扫描分析、OP分析、DC Sweep下分析器件电学模型参数2.掌握二极管电流和结面积和结周长关系，加深对集成二极管电学特性的理解3.掌握二极管CV特性的测试方法4.掌握单边突变结二极管掺杂浓度测量方法实验要求1. 实验前按要求阅读器件说明文档，阅读实验操作文档，熟悉实验过程及操作步骤2. 实验过程中按实验报告要求操作、仿真、记录数据(波形)3. 实验结果经指导老师检查、验收，经允许后方可关机，离开实验室3、实验后按要求处理数据和波形，回答问题。
实验报告打印后，于下次实验时间缴交。
，实验内容：实验2.1 集成二极管电流随结面积变化特性(变量分析)【20%】对给定的二极管固定二极管的L，然后对二极管结W进行变量分析，测得二极管电流和结面积之间的关系曲线，通过曲线斜率估计二极管电流和结面积是否满足线性关系，回答思考题1 实验2.2 集成二极管电流随结周长变化特性(OP分析)【20%】使用不同结周长的二极管单元并联成结面积相同的二极管器件，测得相同偏置条件下的二极管电流，通过对比不同二极管电流之间的差异，确定二极管电流和结周长的关系，回答思考题2 实验2.3 集成二极管CV特性测试(DC分析下器件电学模型参数分析)【30%】对给定结面积的二极管进行DC分析，分析二极管结电容和反偏电压之间的关系，测得CV特性曲线。
并根据《微电子器件与电路》所学知识，回答思考题3、4、5。
实验2.4 集成二极管内建电势差及掺杂浓度测量【30%】测试不同结电压下单边突变结二极管的单位结面积电容，根据单边突变结1/C2关系曲线特点计算得到二极管的掺杂浓度和内建电势差。
电子科技大学 微电子器件实验报告MICRO-2
电子科技大学实验报告（实验）课程名称微电子器件实验二：场效应晶体管直流特性的测试学生姓名：学号：*************指导教师：***实验地点：211楼605实验时间：2015、6、一、实验室名称：微电子器件实验室二、实验项目名称：场效应晶体管直流特性的测试三、实验学时：3四、实验原理：1. 实验仪器实验仪器为XJ4810图示仪，与测量双极晶体管直流参数相似，但由于所检测的场效应管是电压控制器件，测量中须将输入的基极电流改换为基极电压，这可将基极阶梯选择选用电压档（伏/级）；也可选用电流档（毫安/级），但选用电流档必须在测试台的B-E间（相当于场效应管的G.S之间）外接一个电阻（如接1kΩ电阻），将输入电流转换成输入电压。
测量时将场效应管的管脚与双极管脚一一对应，即S（源极）对应E（发射极）；G（栅极）对应B（基极）；D（漏极）对应C（集电极）。
值得注意的是，测量MOS管时，若没有外接电阻，必须避免阶梯选择直接采用电流档，以防止损坏管子。
另外，由于场效应管输入阻抗很高，在栅极上感应出来的电荷很难通过输入电阻泄漏掉，电荷积累会造成电位升高。
尤其在极间电容较小的情况下，常常在测试中造成MOS管感应击穿，使管子损坏或指标下降。
因而在检测MOS管时，应尽量避免栅极悬空，且源极接地要良好，交流电源插头也最好采用三眼插头，并将地线（E 接线柱）与机壳相通。
存放时，要将管子三个电极引线短接。
2. 参数定义（1）输出特性与转移特性输出特性曲线（I DS－V DS）即漏极特性曲线，它与双极管的输出特性曲线相似，如图2-1所示。
在曲线中，工作区可分为三部分：I 是可调电阻区（或称非饱和区）；Ⅱ是饱和区；Ⅲ是击穿区。
转移特性曲线为I DS－V DS之间的关系。
转移特性反映场效应管栅极的控制能力。
由于结型场效应晶体管都属于耗尽型，且栅源之间相当于一个二极管，所以当栅压正偏（V GS＞0）并大于 0.5V时，转移特性曲线开始弯曲，如图2-2中正向区域虚线所示。
微电子认识实习报告
一、实习背景随着科技的飞速发展，微电子技术已经成为现代电子信息技术的重要组成部分。
为了使学生们更好地了解微电子技术，提高实践操作能力，我校特组织了一次微电子认识实习活动。
本次实习旨在通过参观企业、实验室和生产线，让学生们对微电子技术有一个全面的认识，为今后的学习和工作打下坚实的基础。
二、实习目的1. 使学生了解微电子技术的发展现状和趋势；2. 增强学生对微电子技术的感性认识，提高实践操作能力；3. 培养学生的团队协作精神和创新意识；4. 为学生提供一个与企业接触、了解企业文化、拓展人脉的机会。
三、实习时间及地点实习时间：2021年9月1日-9月5日实习地点：某知名微电子企业四、实习内容1. 企业参观在实习的第一天，我们参观了某知名微电子企业。
企业负责人带领我们参观了生产车间、研发中心和实验室，让我们了解了企业的发展历程、企业文化、生产流程和技术优势。
2. 技术讲座在参观过程中，企业技术人员为我们讲解了微电子技术的基本原理、发展趋势和行业应用。
通过讲座，我们深入了解了微电子技术在通信、医疗、交通等领域的广泛应用。
3. 实验室参观与操作在实验室参观环节，我们了解了实验室的基本布局和设备配置。
在专业老师的指导下，我们进行了以下实验：（1）半导体器件制作实验：学习半导体材料的制备、器件结构设计及工艺流程；（2）集成电路设计与仿真实验：掌握基本的设计方法和仿真软件的使用；（3）电子电路分析与测试实验：学会分析电子电路原理，掌握常用测试仪器的使用。
4. 生产线参观在实习的第四天，我们参观了企业的生产线。
通过实地观察，我们了解了微电子产品的生产过程，包括原材料准备、封装、测试等环节。
五、实习收获1. 深入了解了微电子技术的发展现状和趋势，为今后的学习和研究提供了方向；2. 学会了微电子技术的基本原理和操作方法，提高了实践操作能力；3. 增强了团队协作精神和创新意识，为今后的工作打下了基础；4. 拓展了人脉，为今后的职业发展提供了有利条件。
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实验二非门、与非门、或非门的电路结构与仿真
班级姓名学号指导老师袁文澹
一、实验目的
1、熟练掌握仿真工具Hspice相关语法；
2、熟练掌握MOS管基本特性；
3、掌握使用HSPICE对MOS电路进行SPICE仿真，以得到MOS电路的I-V曲线。
二、实验内容及要求
1、设计反相器电路；
2、设计出二输入与非门、或非门并仿真；
三、实验原理
1、反相器
a)反相器中NMOS管和PMOS管轮流导通，在理想的输入高电平或者低电平时，电源VDD
与地级始终没有导通电路存在，最终输出的电平大小与NMOS管和PMOS管的尺寸没有关系。
b)直流电压传输特性
2、二输入与非门
T P1、T P2为PMOS管，T N1、T N2为NMOS管
a)当输入信号A、B都是低电平时，两个NMOS管都截止，两个PMOS管都导通，
输出高电平V DD；
b)当A、B有一个是高电平，一个是低电平时，必然有一个NMOS管截止同时有
一个PMOS管导通，输出高电平V DD，；
c)当A、B都是高电平时，两个PMOS管都截止，两个NMOS管都导通，输出低
电平0。
3、二输入或非门
a)或非门中NMOS管并联，PMOS管串联；
b)当输入信号A、B都是低电平时，两个NMOS管都截止，两个PMOS管都导通，
输出高电平V DD
；
c)当输入信号A、B只要有一个是高电平，那么至少有一个NMOS管导通，同时
至少有一个PMOS管截止，因此输出低电平0.
四、实验方法与步骤
实验方法：
计算机平台：（在戴尔计算机平台、Windows XP操作系统。
）
软件仿真平台：（在VMware和Hspice软件仿真平台上。
）
实验步骤：
1、编写源代码。
按照实验要求，在记事本上编写CMOS反相器、二输入与非门、二输入或非门输出特性曲线的描述代码。
并以相应的文件扩展名存储文件。
2、打开Hspice软件平台，点击File中的一个文件。
3、编译与调试。
确定源代码文件为当前工程文件，点击Complier进行文件编译。
编译结果有错误或警告，则将要调试修改直至文件编译成功。
4、软件仿真运行及验证。
在编译成功后，点击simulate开始仿真运行。
点击Edit LL单步运行查看结果,无错误后点击Avanwaves按照程序所述对比仿真结果。
5、断点设置与仿真。
…
6、仿真平台各结果信息说明.
五、实验仿真结果及其分析
1、仿真过程
1）源代码
反相器
*Sample netlist for GSMC
.TEMP
25.0000
.param wn=1u wp=0.28u Lmin=0.28u vdd=3.6v
.lib 'gd018.l' TT
.option post
vdd vcc 0 dc vdd
* --- V oltage Sources ---
* --- Inverter Subcircuit ---
M1 n2 n1 vcc vcc PCH w = wp L = Lmin
M2 n2 n1 0 0 NCH w = wn L = Lmin
C1 n2 0 10p
vs n1 0
* --- Transient Analysis ---
.dc vs 0 vdd 0.01
.print dc v(n2) I(m2)
.alter
.param wp = 1u
.alter
.param wp = 3u
.alter
.param wp = 9u
.alter
.param wp = 27u
.end
二输入与门
*Sample netlist for GSMC
.TEMP
25.0000
.param wn=30u wp=30u Lmin=6u vdd=3.6v .lib 'gd018.l' TT
.option post
vdd vcc 0 dc vdd
* --- V oltage Sources ---
* --- Inverter Subcircuit ---
Mp1 n3 n2 vcc vcc PCH w = wp L = Lmin Mp2 n3 n1 vcc vcc PCH w = wp L = Lmin Mn1 n3 n1 n4 0 NCH w = wn L = Lmin
Mn2 n4 n2 0 0 NCH w = wn L = Lmin
vs n1 0 dc=5v
vd n2 0 dc=5v
* --- Transient Analysis ---
.dc vs 0 vdd 0.01 vd 0 vdd vdd
.print v(n3)
.end
二输入或非门
*Sample netlist for GSMC
.TEMP 25.0000
.param wn=30u wp=30u Lmin=6u vdd=3.6v .lib 'gd018.l' TT
.option post
vdd vcc 0 dc vdd
* --- V oltage Sources ---
* --- Inverter Subcircuit ---
Mp1 vcc n1 n4 vcc PCH w = wp L = Lmin Mp2 n4 n2 n3 n4 PCH w = wp L = Lmin Mn1 n3 n1 0 0 NCH w = wn L = Lmin Mn2 n3 n2 0 0 NCH w = wn L = Lmin C1 n3 0 0.1p
vs n1 0
vd n2 0
* --- Transient Analysis ---
.dc vs 0 vdd 0.01 vd 0 vdd vdd
.print v(n3)
.end
2、仿真结果及分析1)仿真结果
反相器
二输入与非门
输入输出
二输入或非门
2) 仿真结果分析
反相器
反相器仿真中，低电平输入时高电平输出，并随输入升高输出降低，最后高电平输入时低电
输入
D0[S0，S1]
输入 D1[S0]
输入 D1[S1]
输出 D2[S0] 输出 D2[S1]
输入
D0[S0，S1]
输入 D1[S0]
输出 D2[S0]
输入 D1[S1]
输出 D2[S1]
平输出。
二输入与非门
二输入与非门仿真中，两个输入的都是高电平时，输出为低电平，当两输入中至少有一个为低电平时，输出都为高电平。
二输入或非门
二输入或非门仿真中，当两个输入的都是低电平时，输出为高电平。
当两输入中至少有一个为高电平时，输出都为低电平。
六、实验结论
实验结论
反相器
输入输出
A B
0 1
1 1
二输入与非门
输入输出
A B C
0 0 1
0 1 1
1 0 1
1 1 0
二输入或非门
输入输出
A B C
0 0 1
0 1 0
1 0 0
1 1 0
七、实验心得。