光电子技术复习题_考试用的
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一.单项选择题
1. 光电转换定律中的光电流与
A 温度成正比B光功率成正比 C暗电流成正比 D光子的能量成正比
2. 发生拉曼—纳斯衍射必须满足的条件是
A 超声波频率低,光波平行声波面入射,声光作用长度短
B 超声波频率高,光波平行声波面入射,声光作用长度短
C 超声波频率低,光波平行声波面入射,声光作用长度长
D 超声波频率低,光束与声波面间以一定角度入射,声光作用长度短
3.光束调制中,下面属于外调制的是
A 声光调制
B 电光波导调制
C 半导体光源调制
D 电光强度调制
4.红外辐射的波长为[ ]
A 100-280nm
B 380-440 nm
C 640-770 nm
D 770-1000 nm
5.激光具有的优点为相干性好、亮度高及[ ]
A 多色性好 B单色性好
C 吸收性强 D吸收性弱
6.能发生光电导效应的半导体是
A. 本征型和激子型
B. 本征型和晶格型
C. 本征型和杂质型
D. 本征型和自由载流子型
7.光敏电阻的光电特性由光电转换因子γ描述,在强辐射作用下
A. γ=0.5
B. γ=1
C. γ=1.5
D. γ=2
8.电荷耦合器件分 [ ]
A 线阵CCD和面阵CCD
B 线阵CCD和点阵CCD
C 面阵CCD和体阵CC
D D 体阵CCD和点阵CCD
9. 光通亮φ的单位是[ ]
A 焦耳 (J)
B 瓦特 (W) C流明 (lm) D坎德拉(cd)
10.硅光二极管主要适用于[ ]
A紫外光及红外光谱区 B可见光及紫外光谱区
C可见光区 D 可见光及红外光谱区
为最大值时的波长是
13.光视效能K
λ
A.555nm B.666nm C.777nm D.888nm
14.可见光的波长范围为[ ]
A 200—300nm
B 300—380nm
C 380—780nm
D 780—1500nm
15.电荷耦合器件的工作过程主要是信号的产生、存储、传输和[ ]
A 计算
B 显示
C 检测
D 输出
16. 辐射通亮φe的单位是[ ]
A 焦耳 (J)
B 瓦特 (W) C每球面度 (W/Sr) D坎德拉(cd)
二.填空题
1. 光在大气中传播,将会使光速的能量衰减,其主要因素来源于大气衰减、大气湍流效应。
2. 按照声波频率的高低以及声波和光波作用长度的不同,声光相互作用可以分为拉曼拉斯衍射和布喇格衍射两种类型。
3. CCD的工作过程就是产生、存储、传输、检测的过程。
4.实现脉冲编码调制,必须进行三个过程:抽样、量化、编码。
6.光束调制按其调制的性质可分为调幅、调频、调相、强度调制。
8. CCD的基本功能为电荷存储、电荷转移。
三.术语解释
(补)电磁波谱:按照波长或频率的顺序把电磁波排列成图表。
1.色温(P9):在规定两波长处具有与热辐射光源的辐射比率相同的黑体的温度。
(补)大气窗口:对于某些特点的波长,大气呈现出极强的吸收.根据大气的这一特性,把近红外分成八个区段,将透过率较高的的波段称为大气窗口。
2.半波电压:当光波的两个垂直分量Ex’,Ey’的光程差为半个波长(相应的相位差为180度)时所需要加的电压。
3.内调制:加载信号是在激光振荡过程中进行的,以调制信号改变激光器的振荡参数,从而改变激光器输出特性以实现调制。
4.光电发射效应:在光照下,物体向表面以外的空间发射电子(即光电子)的现象。光电发射效应条件:波长(nm)=1240/E (eV)
5.非平衡载流子:光辐射照射端电压为u的半导体,如果波长满足如下条件,Eg是禁带宽度,Eg是杂质能带宽度。那么光子将在其中激发新的载流子(电子和空穴),这就使半导体中的载流子浓度在原来平衡值上增加了一个量 n和p,新增的部分半导体物理中叫非平衡载流子。
6.视场光阑
7.吸收比
8.辐照度 10.内调制11.反射比 12.辐射能 13.光子效应 14. 温差电动势15.光束漂移16.光通量7.视见函数18.迁移率19.热噪声20.冷阻
四、简答题
1.何为大气窗口?简单分析光谱位于大气窗口内的光辐射的大气衰减因素。
2.解释半波电压。半波电压由晶体的那些参数决定?
3.什么是光束的直接调制?请解释其中的脉冲编码调制过程?
4.光热效应的特点有哪些?
5.选用光敏电阻应当注意什么?
6.实际工作中,如何得出光电池的开路电压和短路电流值?如何操作?
7.材料对光激发的波长阈值要求至少应满足什么条件?
8.研究光电导弛豫时间的实际意义是什么?
9.如何解释光电导光谱分布中短波方向光电导下降现象?
10.试述用光敏电阻检测光的原理。
11.简述激光器的组成及各组成部分的作用。
12.解释光波在大气中传播衰减的因素。
13.何为大气湍流效应,大气湍流对光束的传播产生哪些影响?
14.何谓帧时、帧速?二者之间有什么关系?
15. 选用光电探测器的一般原则。
17. 请说明光电检测装置由哪些部分组成,并对各部分输出信号类型进行说明。
18.请说明光的基本度量中光度量与辐射度量两种单位制的区别,说明它们的换算关系。
19.什么是半导体材料的本征吸收?
20.光电发射效应与光电导效应相比有什么区别?
21.如何改善光敏电阻的时间响应特性?
22.光电池作为探测器件时,有哪些特点,可用于哪些方面?
23.如何解释光电导光谱分布中短波方向光电导下降现象?
24.试述用光敏电阻检测光的原理。
25.试述光的调制原理
五.判断说明题
1对本征半导体来说,导带的电子和价带的空穴是相等的。
2.光敏电阻一般采用禁带宽度E g较大的材料。
3.使用热电偶测温度时,测试系统须加外电源。
4.光电耦合器件易受外界光的干扰。
5.光电二极管一般在反偏压下工作。
六.应用、计算题