模电数电复习题(已整理)
模电数电期末复习
四、简答题1.试说明模拟调制中线性调制与非线性调制的区别。
解:按已调信号频谱和基带信号频谱之间的关系,模拟调制分为线性调制和非线性调制。
线性调制指的是已调信号频谱是基带信号频谱的线性搬移,非线性调制指的是已调信号频谱不是基带信号频谱的线性搬移。
(3分)线性调制实现的方法简单,已调信号带宽不超过基带信号带宽的两倍,抗噪声性能较差。
而非线性调制方法比较复杂,其中宽带角调制信号的带宽超过基带信号带宽的2倍,抗噪声性能较强。
(3分)2.简要说明数字通信相比模拟通信的最主要的优点。
解:数字通信相比模拟通信最主要的优点是抗干扰能力强。
模拟信号在传输的过程中会叠加噪声,噪声无法去掉。
随着传输的距离的增加,噪声不断积累,导致信噪比下降,影响接收信号的质量。
(3分)数字信号在传输的过程中会叠加噪声,对叠加噪声的数字信号经过判决再生后可以去掉噪声,得到和原始发送信号相同的数字信号。
只要噪声不引起错误判决,每传输一段距离就进行一次判决再生,正确的判决可以保障数字信号的质量。
(3分)3.举例数字通信系统的三种重要同步方式和两种复用方式。
解:三种重要同步方式:载波同步、帧同步、位同步两种复用方式:频分复用、时分复用4.说明随参信道的传输媒介一般具有的三点共同特性。
解:(1)对信号的衰耗随时间的变化而变化; (2)传输时延随时间变化而变化;(3)具有多径传播 (多径效应)。
5. 设二进制数字基带信号的(近似)带宽为W,写出相应此基带信号的2ASK, 2PSK, 2DPSK,2FSK等4种数字调制传输信号的带宽公式 (注:2FSK的2个载波频率分别为f1,f2)解:2ASK: W= 2fs 2PSK, 2DPSK: W= 2fs 2FSK: W= 2fs + | f2-f1|6.已知待传送二元序列{a }=1011011100k ,试画出ASK ,FSK ,PSK 的信号波形图。
(每种波形为2分,共6分)五、计算题1. 某消息以4Mbit/s 的信息速率通过有噪声的信道,在接收机输出端平均每小时出现144bit 差错,试求误比特率。
模电数电复习题
模电、数电复习题一、 填空题1、在本征半导体中掺入 价元素后称为P 型半导体,其少数载流子为 。
2、在本征半导体中掺入 价元素后称为N 型半导体,其多数载流子为 。
3、PN 结加正向电压时,阻挡层将变 。
4、 晶体三极管的三种工作状态分别是 、 、 。
5、三极管工作在放大区时,发射结处于 状态;集电结处于 状态。
6、三极管工作在截止区时,发射结处于 状态;集电结处于 状态。
7、三极管工作在饱和区时,发射结处于 状态;集电结处于 状态。
8、放大电路的静态工作点是指静态时的 、 、 值。
9、放大电路的静态工作点越低,越容易出现 __________ 失真。
10、 出现饱和失真时,应当将基极电阻R B 调 。
11、 出现截止失真时,应当将基极电流I B 调 。
12、 射极输出器的输入与输出在大小上 ;在相位上 。
射极输出器的输入电阻比较 ,输出电阻比较 。
13、 差动放大电路两个输入端的输入信号 时为共模输入, 时为差模输入。
14、 差动放大电路的输入、输出连接方式有 、 、、 。
15、 理想运算放大器的条件是:放大倍数 、输入电阻 、输出电阻 、共模抑制比 。
16、 理想运算放大器工作在线性区时分析的依据是:同相输入端和反相输入端即可以看成 又可以看成 。
17、逻辑电路中,正逻辑规定 表示高电平, 表示低电平。
18、函数式B A AB Y ++=Y= 。
19、函数式C AB B A ABC Y ++=化简后的最简与或表达式为:Y= 。
20、寄存器、计数器及分频器属于 逻辑电路,译码器、加法器、数据选择器属于逻辑电路。
21、逻辑函数D C B D A C B A F +++=的对偶函数为 。
22、三态门输出的三种状态分别为 、 、 。
二、 今测得两个工作在放大状态的晶体三极管管脚的电位分别如下表所列,按要求填空。
晶体管1的管脚1为 极,管脚2为 极,管脚3为 极,该晶体管为 材 料, 型。
晶体管2的管脚1为 极,管脚2为 极,管脚3为 极,该晶体管为 材料, 型。
数电与模电试题及答案
数电与模电试题及答案一、选择题1. 数字电路中,最基本的逻辑关系是:A. 与逻辑B. 或逻辑C. 非逻辑D. 异或逻辑答案:A2. 在模拟电路中,以下哪个元件不是基本的模拟元件?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案:D二、填空题1. 数字电路中,一个基本的逻辑门至少需要________个输入端。
答案:22. 模拟电路中,放大器的基本功能是________信号。
答案:放大三、简答题1. 请简述数字电路与模拟电路的主要区别。
答案:数字电路主要处理离散的数字信号,使用二进制逻辑进行运算和处理,而模拟电路处理的是连续变化的模拟信号,通常用于信号的放大、滤波等。
2. 列举至少三种常用的数字逻辑门,并说明它们的功能。
答案:与门(AND):只有所有输入都为高电平时,输出才为高电平;或门(OR):只要有一个输入为高电平,输出就为高电平;非门(NOT):输出是输入的反相。
四、计算题1. 给定一个数字逻辑电路,输入A=0,B=1,C=0,D=1,电路包含两个逻辑门:一个与门和一个或门。
与门的输入是A和B,或门的输入是与门的输出和C。
求最终输出。
答案:首先,与门的输出是A AND B,即0 AND 1 = 0。
然后,或门的输入是与门的输出和C,即0 OR 0 = 0。
所以最终输出是0。
五、分析题1. 假设有一个模拟电路,其中包含一个串联的电阻和电容。
如果输入信号的频率增加,电路的阻抗将如何变化?答案:当输入信号的频率增加时,电容的阻抗会降低,因为电容对高频信号的阻碍作用减小。
由于电阻的阻抗不随频率变化,整个电路的总阻抗会降低。
六、设计题1. 设计一个简单的数字电路,实现2位二进制数的加法运算。
答案:可以使用两个全加器(Full Adder)来实现2位二进制数的加法运算。
每个全加器负责一位的加法,并且可以处理进位。
将两个全加器的进位输入分别连接到前一位的输出,即可实现2位二进制数的加法。
自学考试数电模电各章节历年真题考点汇总(完整版)
各章节考点没有列出的章节几乎不考,希望同学们抓住重点,有的放矢,祝同学们考个好成绩!第一章考点1.对半导体三极管,测得发射结反偏,集电结反偏,此时该三极管处于( ) A.放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D.无法确定2.在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为2.8V 、3.5V 、6V ,则这只三极管属于( ) A.硅PNP 型 B.硅NPN 型 C.锗PNP 型 D.锗NPN 型3. 在放大电路中,测得三极管三个电极电位分别为3.2V 、3V 、6V ,则该管属于【 】A .锗NPN 型 B.锗PNP 型 C. 硅NPN 型 D. 硅PNP 型 4. 在放大电路中,测得三极管三个电极电位分别为12V ,11.3V ,0V ,则该管属于【 】A. 硅NPN 型B. 硅PNP 型C. 锗NPN 型D. 锗PNP 型5. 在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为6V 、11.8V 、12V ,则这只三极管属于【 】A. 硅NPN 型B. 硅PNP 型C. 锗NPN 型D. 锗PNP 型6. 测得NPN 型三极管三个电极的电位分别为U C =3.3V ,U B =3.7V ,U E =3V ,则该管工作在【 】A. 放大区B. 截止区C. 饱和区D. 击穿区 7.PNP 型晶体管工作在放大区时,三个电极直流电位关系为 【 】 A .U C <U E <U B B. U B <U C <U E C. U C <U B <U E D. U B <U E <U C13.带电容滤波的整流电路适用于负载电流__较小___的场合;带电感滤波的整流电路适用于负载电流__较大____的场合。
8.选择稳压管稳压电路中限流电阻的一个条件是流过稳压管的最小电流应___大于等于___稳定电流I z ,另一个条件是流过稳压管的最大电流应__小于____最大稳定电流I ZM 。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级:学号:姓名:成绩:一、填空题1.硅二极管导通时的正向管压降约为____ V,锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时,有一段死区电压,锗管约为____V,硅管约为____V。
0.70.30.20.52.半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3.电路中流过二极管的正向电流过大,二极管将会____;如果施加在二极管两端的反向电压过高,二极管将会____。
烧坏(开路)击穿(短路)4.使用二极管时,应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流(额定电流)最高反向工作电压(耐压)5.理想二极管的特点是正向导通时管压降为____,反向截止时反向电流为____。
0V0A6.用万用表测量二极管的正反向电阻时,若正、反向电阻均接近于零,则表明该二极管已____;若正、反向电阻均接近于无穷大,则表明二极管已____。
击穿烧坏7.在晶体管中,I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8.示波器是电子技术中常用的测量仪器,用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9.硅晶体管发射结的死区电压约为_____V,锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时,硅管发射结的导通电压约为_____V,锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310.某晶体管的U CE不变,基极电流I B =30μA时,集电极电流I C =1. 2mA,则发射极电流I E =____ mA,若基极电流I B增大到50μA时,I C增大到2mA,则发射极电流I E =_____mA,晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011.用万用表测量晶体管时,应将万用表置于_____挡,并进行_____。
数电与模电试题及答案
数电与模电试题及答案以下是数电与模电试题及答案:试题一:数字电路设计1. 设计一个4位二进制加法器,使用全加器实现。
给出电路原理图和真值表。
答案:电路原理图:```A[3] ──➤ ┌───────┐A[2] ──➤ │ │A[1] ──➤ │ Full │A[0] ──➤ │adder │B[3] ──➤ │ │B[2] ──➤ └───────┘B[1] ──➤ │B[0] ──➤ │└───────┐ │ ┌───────┐│ ──➤ │ XOR ││ ┌───────┐ ├─────┤300 ├─➤ │ XOR │ │ XOR ││ ├─────┬─┤ ├─────┤│ ──➤ AND │ 500 ├─➤ AND ││ ├─────┼─┤ ├─────┤700 ├─➤ │ OR │ │ XOR ││ ├─────┴─┤ ├─────┤│ ──➤ AND │ 100 ├─➤ OR ││ ├─────┬─┤ ├─────┤900 ├─➤ │ OR │ │ OR ││ └───────┘ └───────┘Sum[3] ─────➤ ┌───────┐Sum[2] ─────➤ │ │Sum[1] ─────➤ │ XOR │Sum[0] ─────➤ │ │└───────┘```真值表:```Inputs OutputsA[3] A[2] A[1] A[0] B[3] B[2] B[1] B[0] Sum[3] Sum[2] Sum[1] Sum[0] 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 00 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 10 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 00 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 10 1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 00 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 10 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 00 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 11 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 01 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 11 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 01 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 11 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 01 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 11 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 01 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1```试题二:模拟电路设计2. 设计一个放大器电路,将输入信号电压放大10倍。
模电复习题和答案
模电复习题和答案一、填空题1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。
是从射极输出,所以简称射极跟随器。
2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态,在数字电路中三极管作为开关使用时,它是工作在饱和、截止两种状态下。
3、在三极管的输出特性曲线中,当IB=0时的IC是穿透电流ICEO。
4、某同学用万用表测量一电子线路中三极管的管脚电压,得VE=3V,VC=8V,VB=3.7V,则该管是NPN 、处于放大状态。
5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。
6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域,三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。
7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管,所以我们说场效应管是电压控制型器件,三极管是电流控制型器件。
8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置;三极管的结温升高时穿透电流ICEO将增加。
9、二极管具有单向导电性,两端加上正向电压时有一段“死区电压”,锗管约为0.1-0.2 V;硅管约为0.4-0.5 V。
10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。
11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。
集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。
12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。
13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数AVO为_无穷大,共模抑制比KCMR为无穷大,差模输入电阻为无穷大。
14、单相半波整流电路输出电压的有效值UO=0.45 U2 ,单相桥式整流电路输出电压的有效值UO=0.9 U2 ;整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。
滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。
15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V;LM7924输出电压为-24V。
模电总复习题
一、判断选择题(1)(×)P型半导体带正电,N型半导体带负电。
(2)(√)半导体中的空穴带正电。
(3)(×)负反馈越深,电路的性能越稳定。
(4)(√)零点漂移就是静态工作点的漂移。
(5)(√)放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
(6)(√)镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。
(7)(√)引入直流负反馈可以稳定静态工作点。
(8)(×)凡是引入正反馈的集成运放,一定工作在非线性区。
(9) ( ×)实现运算电路不一定非引入负反馈。
(10)(×)只要满足相位平衡条件,电路就会产生正弦波振荡。
二、选择题1. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的(A) 。
(A)大(B)小(C)相等2.稳压二极管稳压时,工作在( C),发光二极管发光时,工作在( A)。
A.正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区3. 稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在(B)状态,但其两端电压必须(C)它的稳压值U z才有导通电流,否则处于( F )状态。
A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止4. 当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C B u B , u B B u E。
(A)>(B)<(C)=(D)≤5. 共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为(B),此时应该( E )偏置电阻。
A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小6.共集电极放大电路的负反馈组态是(A)。
A、压串负B、流串负C、压并负7. 用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是(C),该管是( D )型。
A、(B、C、E)B、(C、B、E)C、(E、C、B)D、(NPN)E、(PNP)8.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是(A)。
A.NPN 型硅管B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管9. 对功率放大器的要求主要是(B)、(C)、(E)。
(完整版)模拟电子技术复习题(含答案)
模 拟 电 子 技 术 复 习 题一、判断题(在正确的论断前的括号内填入“√”,否则填入“×”。
)第二章(× )1. 运算电路中一般引入正反馈。
( √ )2. 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
第三章(× )1. 因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
(× )2. 因为P 型半导体的多子是空穴,所以它带正电。
(× )3. 稳压二极管在稳压工作时,只要反向击穿,不需要限流。
(√ )4. N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
(× )5. 二极管的正向偏置电压升高时,其正向电阻增大。
(√ )6. PN 结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的,因而它的电阻率很高。
( × )7. 未加外部电压时,PN 结中电流从P 区流向N 区。
第四章(√ )1. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
(√ )2. 直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响。
(× )3. 晶体管的参数不随温度变化。
(√ )4. 放大电路没有直流偏置不能正常工作。
( × )5. 多级放大电路总的电压放大倍数,等于各级空载电压放大倍数的乘积。
(√ )6. 放大电路的直流分析,要依据直流通路图;放大电路的交流小信号分析计算,要依据交流通路图。
( × )7. 只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。
(× )8. 放大电路在低频信号作用时,放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。
(× )9. 射极跟随器的放大倍数为1,因此在电路不起任何作用。
(× )10. 只要将晶体管的静态工作点设置在BJT 特性曲线的放大区,则不论输入什么信号都不会产生非线性失真。
(× )11.多极放大电路的级数越多,其放大倍数越大,且其通频带越宽。
( √ )12. 射极输出器的输入电流是B i ,输出电流是E i ,因此具有较高的电流放大倍数。
电子技术基础(数电、模电)复习资料
电子技术基础(数电、模电) 复习资料一 、填空题1. N 型半导体中的多数载流子是 ,少数载流子是 , P 型半导体中的多数载流子是 ,少数载流子是 。
答案:自由电子、空穴、空穴、自由电子2. 二级管的伏安特性可分为 、 和三部分来说明。
答案:正向特性、反向特性、反向击穿特性 3. 使用环路增益波特图判断是否处在自激状态: 稳定状态时 、自激状态时 、 临界状态时 。
答案: 、4. 多级放大电路的常用耦合方式有 、 和 。
答案:阻容耦合、直接耦合、变压器耦合5. 放大电路有 、 和三种工作状态答案:甲类工作状态、甲乙类工作状态、乙类工作状态6. 理想运算放大器工作在线性区时满足“虚短”和“虚断”,“虚短”是 指 ,用公式表达为 ,“虚断”是指 用公式表达为 。
答案:理想运放的差模输入电压等于零、 、 理想运放的输入电流等于零、 。
7. 按输入电压允许的极性分类,乘法运算电路可分为 、 和 。
答案:四象限乘法电路、二象限乘法电路、单象限乘法电路8. 正弦波振荡电路是指电路本身能自动产生特定 、 和 的正弦波信号。
答案:频率、振幅、稳定度9. n 个变量的逻辑函数最多可有 个最小项。
答案: 10.与非门的电压传输特性可分为 、 、 和 四个区段。
答案:截止区、线性区、转折区、饱和区1. 集成运算放大器通常由 、 、 和 四部分组成。
答案:输入级、中间级、输出级、偏置电路2. 放大电路的频率特性是指在输入正弦信号幅值不变的情况下,放大电路输出信号的 和 随频率变化的关系,以频率特性图中间平坦部分为准,将频率特性分为 、 和 。
答-+=u u 0==-+i i n2dB G f f m o c 0,<>dB G f f m o c 0,><dBG f f m o c 0,==案: 幅值、相位、中频区、低频区、高频区3. 产生正弦波振荡的幅度平衡条件和相位平衡条件表示为和 。
(完整版)模电综合复习题
中国石油大学(华东)现代远程教育《模拟电子技术》综合复习资料第一章常用半导体器件 dfadasfds 一、选择 sdasdasda1、在晶体管放大电路中,测得晶体管 的各个电极 的电位如下图所示,该晶体管 的类型是 [ A ] asdasdasdasdasd A. B. C. D.NPN 型硅管 PNP 型硅管 NPN 型锗管 PNP 型锗管2V 6V 1.3V2、三极管各个电极 的对地电位如下图所示,可判断其工作状态是[ D ] asdasdasdasA.饱和B.放大C.截止D.已损坏3 、在如下图所示电路中,当电源V=5V 时,测得 I=1mA 。
若把电源电压调整到 V=10V ,则电流 的大小将是 [ C ]A.I=2mA C.I>2mAB.I<2mA D.不能确定4 、在杂质半导体中,多数载流子 的浓度主要取决于[ B ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷5、二极管 的主要特性是A.放大特性 [ C ]B. 恒温特性 恒流特性C.单向导电特性D.6、温度升高时,晶体管 的反向饱和电流 A.增大7 、下列选项中,不属三极管 的参数是 I CBO将 [ B ]B.减少C.不变D.不能确定[ B ]A.电流放大系数βB.最大整流电流 I FC.集电极最大允许电流I CMD.集电极最大允许耗散功率 PCM8、温度升高时,三极管 的β值将 A.增大9、在 N 型半导体中,多数载流子是[ A ]B.减少C.不变D. 不能确定[ A ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ A ]A.正向电阻小反向电阻大C.正向电阻反向电阻都小B.D.正向电阻大反向电阻小正向电阻反向电阻都大11、在 P型半导体中,多数载流子是[ B ]A. 电子B. 空穴C. 离子D. 杂质四、 asdasdsafsdafsadfas在某放大电路中,晶体管三个电极的电流下图所示。
模电数电复习题(已整理)
模电数电复习题(已整理)第1章常用半导体器件自测题三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD =0.7V 。
图T1.3解:U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4 所示电路中U O1和UO2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。
试问:(1)R b =50k Ω时,U o=? (2)若T 临界饱和,则R b =?解:(1)26BB BEB bV U I A R μ-==,2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
图T1.5(2)∵ 2.86CCBECScV UI mAR-==,/28.6BS CSI I Aβμ==∴45.5BB BEbBSV UR kI==Ω习题1.2电路如图P1.2所示,已知10siniu tω=(V),试画出iu与ou的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解:iu与ou的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示,已知tuiωsin5=(V),二极管导通电压U D=0.7V。
试画出u与ou的波形图,并标出幅值。
图P1.3 解图P1.3解:波形如解图Pl.3所示。
第2章基本放大电路2.7电路如图P2.7所示,晶体管的β=80 ,'100 bbr=Ω。
分别计算LR=∞和3LR k=Ω时的Q点、uA、iR和oR。
图P2.6 图P2.7解:在空载和带负载情况下,电路的静态电流、r均相等,它们分别为:22CC BEQ BEQBQb sV U UI AR Rμ-=-≈1.76CQ BQI I mAβ=≈'26(1) 1.3be bbEQmVr r kIβ=++≈Ω空载时,静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为:6.2CEQ CC CQ c U V I R V=-≈;308cubeRArβ=-≈-// 1.3i b be beR R r r k=≈≈Ω;93 beus ube srA Ar R≈?≈-+5o cR R k==Ω3LR k=Ω时,静态管压降、电压放大倍数分别为:(//) 2.3LCEQ CC CQ c LL cRU V I R R VR R=-≈+(//)115c L u beR R A r β=-≈- 34.7beus u be sr A A r R ≈≈-+// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω 5o c R R k ==Ω2.9 已知图P2.9所示电路中,晶体管β=100,be r =1.4kΩ。
模电数电复习题
模电数电复习题第三章集成触发器复习知识点: 1 触发器的框架图2 触发器的状态Q 0态 1态 3根据功能的不同,触发器的分类 4 基本触发器的功能(表3-1)(由与⾮门组成) 5 同步触发器的功能复习题:1.欲使同步RS 触发器保持原态,即Q n+1=Q n ,应输⼊信号(B )。
A.S=R=1B .S=R=0C.S=0,R=1D.S=1,R=02.要使由与⾮门组成的基本RS 触发器保持原状态不变,则(A )。
A .D R =D S =1 B.D S =1,D R =0 C.D R =1,D S =0D.D R =D S =03.触发器按照逻辑功能的不同可以分为RS 触发器、D 触发器、T 触发器等⼏类。
4.时序逻辑电路在任⼀时刻的输出不仅取决于当时输⼊信号,⽽且还取决于电路原来的状态。
5.时序电路包含组合电路和存储电路两部分,存储电路是必不可少的。
( T )6.基本RS 触发器只能由与⾮门电路组成,⽤或⾮门是不能实现的;(F )7.译码器,顾名思义就是把⾼低电平信号翻译成⼆进制代码;(F )第⼆章常⽤组合逻辑电路知识点:1 常⽤组合逻辑电路的分析⽅法(看例2-2 2-3) 2 常⽤的组合逻辑电路3 编码器、译码器、数据选择器的⼯作原理复习题:1.下列描述组合电路逻辑功能的⽅法中不正确的是(C )。
A.真值表B.逻辑图C.状态转换图D.卡诺图2.在下列逻辑电路中,不是组合逻辑电路的是(C )A.译码器B.编码器C.寄存器D.数据选择器3.分析组合逻辑电路的⼀般⽅法是(ABCD )。
A.根据逻辑电路图写出逻辑表达式B. 化简或变换逻辑表达式C. 根据逻辑表达式填写真值表D. 由真值表分析电路的逻辑功能 4.组合逻辑电路设计的⼀般⽅法是(ABCD )。
A. 设定事物不同状态的逻辑值B. 根据逻辑要求列出真值表C. 由真值表写出逻辑表达式并化简D. 画出逻辑电路图 5.普通编码器和优先编码器在某⼀时刻都只能输⼊⼀个编码信号。
(完整版)模拟电子技术复习题及答案
一、填空题:(要求)1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体,例如和等。
半导体中中存在两种载流子:和。
纯净的半导体称为,它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种:型半导体——多数载流子是;型半导体——多数载流子是。
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个结,这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区:区、区和区。
为了对输入信号进行线形放大,避免产生严重的非线形性失真,应使三极管工作在区内。
当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真,当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个加上外壳,引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有性,在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在区时,即使流过管子的电流变化很大,管子两端的电压变化也很小,利用这种特性可以做成。
4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流,是一种控制器件。
场效应管分为型和型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种:耦合、耦合和耦合。
6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体,加入价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数;负反馈使放大倍数;但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是,交流负反馈能够。
9、电压负反馈使输出保持稳定,因而了放大电路的输出电阻;而电流负反馈使输出保持稳定,因而了输出电阻。
串联负反馈了放大电路的输入电阻;并联负反馈则了输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中,有以下四种基本的反馈组态:式、式、式和式。
10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带通滤波器;将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带阻滤波器。
模电与数电总复习题(期末考试复习题)
模拟电路与数字电路总复习题一、判断题:(每题2分)( )1、通过半导体中的电流为电子电流与空穴电流之和。
√( )2、在本征半导体中掺入少量的硼元素,可以形成N 型半导体,它的多子是自由电子。
×( )3、PN 结内电场方向由N 区指向P 区,N 区的电位要高于P 区的电位。
√ ( )4、半导体二极管具有单向导电的重要特性,它的反向电流越大,表明管子的单向导电性越好。
×( )5、场效应管与晶体三极管一样,它们都是电流控制的电子器件。
× ( )6、场效应管与晶体三极管一样,它们只有一种载流子参与导电。
× ( )7、串联负反馈可以减小输入电阻,而并联负反馈可以提高输入电阻。
× ( )8、乙类功率放大器的工作效率高于甲类功率放大器。
×( )9、共模放大倍数越大,差模放大倍数越小,则共模抑制比越大,放大器的性能越好。
×( )10、设A 、B 、C 为逻辑变量,若已知C A B A +=+,则B =C 。
× ( )11、若两个函数具有相同的真值表,则两个逻辑函数必然相等。
√ ( )12、若两个函数具有不同的表达式,则两个逻辑函数必然不相等。
× ( )13、组合电路在逻辑功能上的特点是:电路任一时刻的输出仅取决于该时刻的输入状态,而与电路前一时刻的状态无关。
√( )14、时序逻辑电路的特点是:任意时刻的输出不仅取决于该时刻输入逻辑变量的状态,而且还与电路原来的状态有关,因此该时序逻辑电路具有记忆功能。
√ ( )15、数字信号和模拟信号的不同之处是:数字信号在大小和时间上均连续,而模拟信号则相反。
×二、选择题:(每题2分) 1、N 型半导体( C )。
A:带正电B:带负电C:呈中性2、在常温下,流过二极管的正向电流与其两端的外加电压(B )。
A:几乎无关B:近似按指数规律上升C:线性关系3、采用图解法分析基本放大器的静态特性时,必须画出晶体管特性曲线和(A ),所求两者之交点即为Q点。
模电数电笔试题汇总
模电数电笔试题汇总.t xt模拟电路面试题集锦20071、基尔霍夫定理的内容是什么?基尔霍夫定律包括电流定律和电压定律电流定律:在集总电路中,任何时刻,对任一节点,所有流出节点的支路电流的代数和恒等于零。
电压定律:在集总电路中,任何时刻,沿任一回路,所有支路电压的代数和恒等于零。
2、描述反馈电路的概念,列举他们的应用。
反馈,就是在电子系统中,把输出回路中的电量输入到输入回路中去。
反馈的类型有:电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈、电流并联负反馈。
负反馈的优点:降低放大器的增益灵敏度,改变输入电阻和输出电阻,改善放大器的线性和非线性失真,有效地扩展放大器的通频带,自动调节作用。
电压负反馈的特点:电路的输出电压趋向于维持恒定。
电流负反馈的特点:电路的输出电流趋向于维持恒定。
3、有源滤波器和无源滤波器的区别无源滤波器:这种电路主要有无源元件R、L和C组成有源滤波器:集成运放和R、C组成,具有不用电感、体积小、重量轻等优点。
集成运放的开环电压增益和输入阻抗均很高,输出电阻小,构成有源滤波电路后还具有一定的电压放大和缓冲作用。
但集成运放带宽有限,所以目前的有源滤波电路的工作频率难以做得很高。
数字电路1、同步电路和异步电路的区别是什么?同步电路:存储电路中所有触发器的时钟输入端都接同一个时钟脉冲源,因而所有触发器的状态的变化都与所加的时钟脉冲信号同步。
异步电路:电路没有统一的时钟,有些触发器的时钟输入端与时钟脉冲源相连,这有这些触发器的状态变化与时钟脉冲同步,而其他的触发器的状态变化不与时钟脉冲同步。
2、什么是"线与"逻辑,要实现它,在硬件特性上有什么具体要求?将两个门电路的输出端并联以实现与逻辑的功能成为线与。
(精选)模拟电子技术综合复习题(有答案)
(精选)模拟电⼦技术综合复习题(有答案)1、在本征半导体中掺⼊微量的 D 价元素,形成N型半导体。
A.⼆B.三C.四D.五2、在N型半导体中掺⼊浓度更⼤的 C 价元素,变成为P型半导体。
A.⼆B.三C.四D.五3、在本征半导体中,⾃由电⼦浓度 B空⽳浓度。
A.⼤于B.等于C.⼩于4、在P型半导体中,⾃由电⼦浓度 C 空⽳浓度。
A.⼤于B.等于C.⼩于5、本征半导体温度升⾼以后⾃由电⼦数和空⽳数都增多,且数⽬相同6、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电⼦B.空⽳C.离⼦D.分⼦7、PN结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
变宽 D. ⽆法确定。
反向击穿、当晶体管⼯作在放⼤区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
B. 前者正偏、后者反偏11、当温度升⾼时,⼆极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增⼤B. 不变C. 减⼩D. 都有可能12、⼯作在放⼤区的某三极管,如果当I B从12µA增⼤到22µA时,I C 从1mA变为2mA,那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将 A 。
A.增⼤B.不变C.减⼩D. 都有可能14、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流15、实践中,判别晶体管是否饱和,最简单的⽅法是测量U CE。
16、在正常放⼤的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所⽰,试判断管⼦的类型和材料。
图1为 D ;图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN硅管B.PNP硅管C.NPN锗管D.PNP锗管17、增强型PMOS管⼯作在放⼤状态时,其栅源电压 B ,耗尽型PMOS 管⼯作在放⼤状态时,其栅源电压 D 。
A.只能为正B.只能为负C.可正可负D.可正可负,也可为零18、在放⼤电路中,场效应管⼯作在漏极特性的 C 。
A.可变电阻(欧姆)区B.截⽌区 C.饱和区 D.击穿区20、场效应管是 D 器件。
模电数电复习资料
模电复习资料一.(10分)设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V,试判断下图中各二极管是否导通,并求出图(a)电路在v i=5sinωt V时的输出v o波形以及图(b)电路的输出电压V o1。
(a)(b)二.(10分)放大电路如图所示。
已知:R b1=62K,R b2=15K,R s=10K,R c=3K,R e=1K,R L=3K,C1=C2=10μ,C e=220μ,V CC=+15V,β=80,V BE=0.7V。
1.说明电路属于何种组态,画出该电路的直流通路;(5分)2.计算该电路的静态工作点。
(5分)3.画小信号等效电路,求电压放大倍数,输入电阻,输出电阻。
4.说明电路属于何种组态,三.(18分)放大电路如图所示。
已知C足够大,场效应管的参数g m=0.8ms,R2=6.8KΩ,三极管的参数β=50,r be=0.5K,R3=90KΩ,R4=10KΩ,R5=4KΩ,R6=1.5KΩ,R L=4KΩ。
1.画出其小信号模型等效电路。
(4分)2.计算电路的电压放大倍数A v、输入电阻R i和输出电阻R o。
(10分)3.若R s=10K时,计算源电压放大倍数A vs,说明R6对电路频率响应的影响。
(4分)四.(12分)反馈放大电路如图示。
1.判断各电路中级间交流反馈的极性(要求在图上标出反馈极性)。
(4分)2.对于级间交流反馈为负反馈的电路,进一步判断反馈的类型,同时按深度负反馈的条件估算电路的闭环电压增益(写出表达式)。
并简单说明电路对输入电阻,输出电阻的影响,对信号源内阻有什么要求?(8分)(a)(b)五.(10分)集成运算放大器构成的运算电路如图示,求电路的输出电压。
1.求出电路(a)的输出电压。
(4分)2.在电路(b)中,设t=0时v c=0,此时加入v i=1V,求t=40ms时v o=?(6分)(a)(b)六.(10分)电路如图所示,试用相位平衡条件判断哪个能振荡,哪个不能振荡(要求在电路中应标出i V ,o V ,fV 以及它们的瞬时极性)?对能振荡的电路写出振荡频率的表达式。
大学基础的数电模电试题及答案
一。
填空题1、继电保护装置必须满足选择性、( 快速性)、灵敏性和(可靠性)四个基本要求.2、安全工作规程是中规定:设备对地电压高于( 250V )为高电压;在250V 以下为低电压;安全电压为36V以下;安全电流为(10mA )以下。
3、软件测试时需要三类信息:软件配置、(测试配置)、(测试工具)。
4、存储容量为4K×8位的RAM存储器,其地址线为( 12 )条、数据线为(8 )条。
5、产品质量特性包括:性能、(寿命)、可信性、(安全性)和经济性。
6、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。
7、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压( 无关)。
8、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开.9、三极管是(电流)控制元件,场效应管是( 电压)控制元件。
10、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
11、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。
12、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、( 共射)、(共集)放大电路。
13、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。
14、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=( 1/ F).15、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fH –fL),(1+AF)称为反馈深度.16、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号.17、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的( 交越)失真,而采用( 甲乙)类互补功率放大器。
18、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路;OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。
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第1章 常用半导体器件自测题三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =0.7V 。
图T1.3解:U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4 所示电路中U O1和UO2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。
试问:(1)R b =50k Ω时,U o=? (2)若T 临界饱和,则R b =?解:(1)26BB BEB bV U I A R μ-==,2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
图T1.5(2)∵ 2.86CCBECScV UI mAR-==,/28.6BS CSI I Aβμ==∴45.5BB BEbBSV UR kI-==Ω习题1.2电路如图P1.2所示,已知10siniu tω=(V),试画出iu与ou的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解:iu与ou的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示,已知tuiωsin5=(V),二极管导通电压U D=0.7V。
试画出iu与ou的波形图,并标出幅值。
图P1.3 解图P1.3解:波形如解图Pl.3所示。
第2章基本放大电路2.7电路如图P2.7所示,晶体管的β=80 ,'100bbr=Ω。
分别计算LR=∞和3LR k=Ω时的Q点、uA、iR和oR。
图P2.6 图P2.7解:在空载和带负载情况下,电路的静态电流、ber均相等,它们分别为:22CC BEQ BEQBQb sV U UI AR Rμ-=-≈1.76CQ BQI I mAβ=≈'26(1) 1.3be bbEQmVr r kIβ=++≈Ω空载时,静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为:6.2CEQ CC CQ cU V I R V=-≈;308cubeRArβ=-≈-// 1.3i b be beR R r r k=≈≈Ω;93beus ube srA Ar R≈⋅≈-+5o cR R k==Ω3LR k=Ω时,静态管压降、电压放大倍数分别为:(//) 2.3LCEQ CC CQ c LL cRU V I R R VR R=-≈+(//)115c L u beR R A r β=-≈- 34.7beus u be sr A A r R ≈⋅≈-+// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω 5o c R R k ==Ω2.9 已知图P2.9所示电路中,晶体管β=100,be r =1.4kΩ。
(1)现已测得静态管压降U CEQ =6V ,估算R b ;(2)若测得i U 和oU 的有效值分别为1mV 和100mV ,则负载电阻R L 为多少?解:(1)mA R U V I cCECC C 2=-=,A I I C B μβ20/==, ∴Ω=-=k I U V R BBECC b 565。
(2)由(//)100o c L u i beU R R A U r β=-=-=-, 可得: 2.625L R k =Ω。
图P2.92.11 电路如图P2.11所示,晶体管β=100,b b r '=100Ω。
(1)求电路的Q 点、u A 、i R 和oR ; (2)若改用β=200的晶体管,则Q 点如何变化?(3)若电容C e 开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?解:(1)静态分析: 1122b BQ CC b b R U V V R R =⋅=+1BQ BEQ EQ f eU U I mA R R -==+101EQ BQ I I A μβ==+e (R ) 5.7CEQ CC EQ cf U V I R R V =-++= 图P2.11动态分析:'26(1)2.73be bb EQmVr r k I β=++≈Ω (//)7.7(1)c L u be fR R A r R ββ=-=-++12////[(1)] 3.7i b b be f R R R r R k β=++≈Ω 5o c R R k ==Ω (2) β=200时,1122b BQ CC b b R U V V R R =⋅=+(不变);1BQ BEQ EQ f eU U I mA R R -==+(不变);51EQ BQ I I A μβ==+(减小); e (R ) 5.7CEQ CC EQ c f U V I R R V =-++=(不变)。
(3) C e 开路时,(//)// 1.92(1)()c L c Lu be e f e fR R R R A r R R R R ββ=-≈-=-++++(减小);12////[(1)()] 4.1i b b be e f R R R r R R k β=+++≈Ω(增大); 5o c R R k ==Ω(不变)。
2.12 电路如图P2.12所示,晶体管的β=80,be r =1kΩ。
(1)求出Q 点; (2)分别求出R L =∞和R L =3kΩ时电路的u A 、i R 和o R 。
解:(1)求解Q 点: 32.3(1)CC BEQ BQ b eV U I A R R μβ-=≈++(1) 2.61EQ BQ I I mA β=+≈ 7.17CEQ CC EQ e U V I R V =-≈(2)求解放大倍数和输入、输出电阻:R L =∞时;(1)0.996(1)eu be eR A r R ββ+=≈++ 图P2.12//[(1)]110i b be e R R r R k β=++≈ΩR L =3kΩ时;(1)(//)0.992(1)(//)e L u be e L R R A r R R ββ+=≈++//[(1)(//)]76i b be e L R R r R R k β=++≈Ω输出电阻:////371s b beo e R R r R R β+=≈Ω+第3章 多级放大电路3.3基本放大电路如图P3.3(a)、(b)所示,图(a)虚线框为电路Ⅰ,图(b)虚线框为电路Ⅱ。
由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电路如图(c)、(d)、(e)所示,它们均正常工作。
试说明图(c)、(d)、(e)所示电路中(1)哪些电路的输入电阻较大; (2)哪些电路的输出电阻较小; (3)哪个电路的电压放大倍数最大。
(a) (b)(c) (d)(e)图P3.3解:(1)图(d)、(e)所示电路的输入电阻比较大; (2)图(c)、(e)所示电路的输出电阻比较小; (3)图(e)所示电路的电压放大倍数最大。
3.6图P3.6所示电路参数理想对称,晶体管的β均为100,'100bb r =Ω,0.7BEQ U V ≈。
试求R w 的滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流EQ I 以及动态参数A d 和R i 。
图P3.6 图P3.7解:R w 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流EQ I 分析如下:∵22WBEQ EQ EQ e EE R U I I R V +⋅+= ∴0.51722EE BEQ EQWe V U I mA R R -=≈+ 动态参数A d 和R i 分析如下: '26(1)5.18be bb EQmVr r k I β=++≈Ω 98(1)/2cd be W R A r R ββ=-≈-++2(1)20.5i be W R r R k β=++≈Ω3.7电路如图P3.7所示,T 1和T 2两管的β均为140,be r 均为4kΩ。
试问:若输入直流信号mV u I 201=,mV u I 102=,则电路的共模输入电压?=Ic u 差模输入电压?=Id u 输出动态电压?=∆o u解:电路的共模输入电压IC u 、差模输入电压Id u 、差模放大倍数d A 和动态电压O u ∆ 分别为:12152I I IC u u u mV +==; 1210Id I I u u u mV =-= 1752cd beR A r β=-≈-; 1.75O d Id u A u V∆==-第6章 放大电路中的反馈6.7分别判断图P6.5 (a) 、(b) 、(e) 、(f) 所示各电路中引入了哪种组态的交流负反馈。
解:(a)电压并联负反馈;(b) 电压串联负反馈;(e)电流并联负反馈;(f)电流串联负反馈。
6.8 分别估算图6.4 (d)~(h)所示各电路在理想运放条件下的电压放大倍数。
解:各电路在理想运放条件下的电压放大倍数如下:(d) 电流并联负反馈: 111o o L o L Luf i i f U I R I R R A U I R I R R =≈≈=(e) 电压串联负反馈: 311o o uf i f U U R A U U R =≈=+ (f) 电压串联负反馈: 1o ouf i fU U A U U =≈= (g) 电压串联负反馈: 211o o uf i f U U R A U U R =≈=+ (h) 电压串联负反馈: 311o o uf i f U U R A U U R =≈=+6.9分别估算图6.5 (a)、 (b) 、(e) 、(f)所示各电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数。
解:各电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数如下:(a)电压并联负反馈:f ff o usf s i s sI R R U A U I R R -==≈-(b)电压串联负反馈:41(1)o o uf i f U U R A U U R =≈=+ (e)电流并联负反馈:4142(//)//(1)o o L Lusf s f s sU I R R R R R A U I R R R =≈=+⋅ (f)电流串联负反馈:∵29292200249249f R R R R U R I R I I R R R R R R =⋅=⋅⋅=⋅++++∴0782497829(////)()(////)o L L uf i f U I R R R R R R R R R A U U R R ++=≈=-第7章 信号的运算和处理7.2电路如图P7.2所示,集成运放输出电压的最大幅值为±14V ,填表。
(a) (b)u I /V 0.1 0.5 1.0 1.5 u O1/V u O2/V解: 1(/)10O f I I u R R u u =-=-; 2(1/)11O f I I u R R u u =+=。