电力电子技术试题及答案分章节的
电力电子技术期末考试试题及答案(1)
电力电子技术试题第 1 章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在 __开关__状态。
2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为 __通态损耗 __,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为 __开关损耗 __。
3.电力电子器件组成的系统,一般由 __控制电路 __、_驱动电路 _、 _主电路 _三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加 _保护电路 __。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为 _单极型器件 _ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件 _三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为 _承受正向电压导通,承受反相电压截止 _。
6.电力二极管的主要类型有 _普通二极管 _、_快恢复二极管 _、 _肖特基二极管 _。
7. 肖特基二极管的开关损耗 _小于快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管,维持电流 IH与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压 UDSM与转折电压 Ubo数值大小上应为, UDSM_大于 __Ubo。
11.逆导晶闸管是将 _二极管_与晶闸管 _反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成 __结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的 _截止区 _、前者的饱和区对应后者的 __放大区 __、前者的非饱和区对应后者的 _饱和区 __。
14.电力 MOSFET的通态电阻具有 __正 __温度系数。
15.IGBT 的开启电压 UGE(th )随温度升高而 _略有下降 __,开关速度 __小于__电力 MOSFET。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为 _电压驱动型 _和_电流驱动型_两类。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
3.单相交流调压电路带阻感负载,当控制角<(=arctan(L/R) )时,VT1的导通时间_逐渐缩短_,VT2的导通时间__逐渐延长_。
4.根据三相联接形式的不同,三相交流调压电路具有多种形式,TCR属于_支路控制三角形_联结方式,TCR的控制角的移相范围为_90O-180O_,线电流中所含谐波的次数为_6k±1_。
度。
11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路;升压斩波电路;升降压斩波电路。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫换流。
13、按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分为有源、逆变器与无源逆变器两大类。
14、有一晶闸管的型号为KK200-9,请说明KK快速晶闸管;200表示表示200A,9表示900V。
3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O_,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_ ;带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O_,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ _和__ _;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
1、请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO;功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。。
电力电子技术第3章 习题答案
3章 交流-直流变换电路 课后复习题第1部分:填空题1.电阻负载的特点是 电压与电流波形、相位相同;只消耗电能,不储存、释放电能 ,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是 0° ≤a ≤ 180° 。
2.阻感负载的特点是 电感对电流变化有抗拒作用,使得流过电感的电流不发生突变 ,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是 0°≤a ≤ 180° ,2 ,续流二极管承受的最大反向电压2 (设U 2为相电压有效值)。
3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为 0° ≤a ≤ 180° ,2 和2 ;带阻感负载时,α角移相范围为 0° ≤a ≤ 90° ,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22U 2 ;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个 平波电抗器(大电感) 。
4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角δ时,晶闸管的导通角θ = 180°-2δ ; 当控制角α小于不导电角 δ 时,晶闸管的导通角 θ = 0° 。
5.从输入输出上看,单相桥式全控整流电路的波形与 单相全波可控整流电路 的波形基本相同,只是后者适用于 较低 输出电压的场合。
6.2 ,随负载加重U d 逐渐趋近于0.9 U 2,通常设计时,应取RC≥ 1.5~2.5T ,此时输出电压为U d ≈ 1.2 U 2(U 27.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压U Fm 2 ,晶闸管控制角α的最大移相范围是 0°≤a ≤90° ,使负载电流连续的条件为 a ≤30° (U 2为相电压有效值)。
8.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差 120° ,当它带阻感负载时,α的移相范围为 0°≤a ≤90° 。
电力电子技术期末测验试题及答案
电力电子技术期末测验试题及答案————————————————————————————————作者:————————————————————————————————日期:电力电子技术试题第1章 电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。
2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ;电力晶体管的图形符号是 ;第2章 整流电路1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。
2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O_ ,其承受的最大正反向电压均为_22U __,续流二极管承受的最大反向电压为__22U _(设U 2为相电压有效值)。
《电力电子技术(第二版)》习题答案
《电力电子技术》习题及解答第1章 思考题与习题1.1晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定? 答:晶闸管的导通条件是:晶闸管阳极和阳极间施加正向电压,并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流(或脉冲)。
导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定,负载上电压由输入阳极电压U A 决定。
1.2晶闸管的关断条件是什么? 如何实现? 晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?答:晶闸管的关断条件是:要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态,可采用阳极电压反向使阳极电流I A 减小,I A 下降到维持电流I H 以下时,晶闸管内部建立的正反馈无法进行。
进而实现晶闸管的关断,其两端电压大小由电源电压U A 决定。
1.3温度升高时,晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化?答:温度升高时,晶闸管的触发电流随温度升高而减小,正反向漏电流随温度升高而增大,维持电流I H 会减小,正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。
1.4晶闸管的非正常导通方式有哪几种?答:非正常导通方式有:(1) I g =0,阳极电压升高至相当高的数值;(1) 阳极电压上升率du/dt 过高;(3) 结温过高。
1.5请简述晶闸管的关断时间定义。
答:晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。
即gr rr q t t t +=。
答:快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。
1.7请简述光控晶闸管的有关特征。
答:光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管,在光的照射下,光电二极管电流增加,此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。
主要用于高压大功率场合。
1.8型号为KP100-3,维持电流I H =4mA 的晶闸管,使用在图题1.8所示电路中是否合理,为什么?(暂不考虑电压电流裕量)图题1.8答:(a )因为H A I mA K VI <=Ω=250100,所以不合理。
电力电子技术智慧树知到答案章节测试2023年
第一章测试1.晶闸管从承受正向电压开始到触发脉冲出现之间的电角度称为()。
A:脉冲角 B:导通角 C:触发延迟角 D:晶闸管角答案:C2.晶闸管在一个周期内处于导通的电角度称为()。
A:导通角 B:脉冲角 C:晶闸管角 D:触发延迟角答案:A3.电力二极管与小功率二极管的结构、工作原理和伏安特性相似,属于不可控器件。
() A:对 B:错答案:A4.现代电力电子器件是指半控性的电力半导体器件。
() A:对 B:错答案:B5.“电力”变换,其变换功率既可大到数百甚至数千兆瓦,亦可小到几瓦或更小。
() A:错 B:对答案:B6.晶闸管的结构是一种大功率单晶硅材料制成的四层三端结构。
() A:错 B:对答案:B7.单结晶体管有三个极,分别是发射极、基极、放大极。
() A:错 B:对答案:A8.单相桥式半控整流电路,正常运行情况下,如果突然把触发脉冲切断或者将触发延迟角增大到180°,电路将产生失控现象。
() A:对 B:错答案:A9.单相桥式半控整流电路带感性负载时,认为负载电感足够大从而使负载电流连续且为一水平线。
() A:错 B:对答案:B10.整流电路是一种把交流电源电压转换成所需的交流电压的电路。
() A:错B:对答案:A第二章测试1.同步就是要求锯齿波的频率与主回路电源的频率相同。
() A:对 B:错答案:A2.锯齿波同步电压是由起开关作用的控制的,截止期间产生锯齿波,其截止持续的时间就是锯齿波的宽度,开关的频率就是锯齿波的频率。
() A:对 B:错答案:A3.TCA785内部的逻辑运算电路都是由基准电源供电,通过引脚12就可以测量基准电压是否正常。
() A:对 B:错答案:B4.单相桥式全控整流电阻性负载电路中,晶闸管的电流有效值为I。
() A:对B:错答案:B5.单相桥式全控整流电感性负载电路中,当控制角大于90°时,负载两端电压波形的正面积大于负面积,输出平均值大于0。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
第 1 章 电力电子器件1. 电力电子器件一般工作在 __开关 __状态2. 在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为 要为 __开关损耗 __。
3. 电力电子器件组成的系统,一般由 存在电压和电流的过冲,往往需添加4. 按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为复合型器件 三类5. 电力二极管的工作特性可概括为 _承受正向电压导通,承受反相电压截止6. 电力二极管的主要类型有 _普通二极管 _、_快恢复二极管 _、 _肖特基二极管 _。
7. 肖特基二极管的开 关损耗 _小于 _快恢复二极管的开关损耗。
8. 晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止 __ 。
9. 对同一晶闸管,维持电流 IH 与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL __大于__IH 。
10. 晶闸管断态不重复电压 UDSM 与转折电压 Ubo 数值大小上应为, UDSM_大于__Ubo 。
11. 逆导晶闸管是将 _二极管 _与晶闸管 _反并联 _(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。
12. G TO 的__多元集成 __结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13. M OSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与 GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系, 其中前者的截止区对应后者的 _截止区 _、前者的饱和区对应后者的 __放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区 __。
14. 电力 MOSFET 的通态电阻具有 __正__温度系数。
15. I GBT 的开启电压 UGE (th )随温度升高而 _略有下降 __,开关速度 __小于 __电力MOSFET 。
16. 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为 _电压驱动型 _和_电流驱动型 _两类。
电力电子技术试题__通态损耗 __,而当器件开关频率较高时, 功率损耗主 __控制电路 __、 _驱动电路 主电路 三部分组成,由于电路中_单极型器件 _ 、 _双极型器件17.I GBT的通态压降在1/2 或1/3 额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2 或1/3 额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。
3晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
4.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。
5.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有__ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。
第2章整流电路1.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时,α的移相范围为__0-90o _2.逆变电路中,当交流侧和电网连结时,这种电路称为_有源逆变_第3章直流斩波电路1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM)_、_频率调制_和_(t on和T都可调,改变占空比)混合型。
第4章交流—交流电力变换电路1.改变频率的电路称为_变频电路_,变频电路有交交变频电路和_交直交变频_电路两种形式,前者又称为_直接变频电路__,后者也称为_间接变频电路_。
2.单相调压电路带电阻负载,其导通控制角α的移相范围为_0-180O_,随 α 的增大, Uo_降低_,功率因数λ_降低__。
2020智慧树知道网课《电力电子技术》章节测试满分答案.
绪论单元测试1【判断题】(2分)电力电子技术是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。
()A.对B.错2【判断题】(2分)电力变换通常分为四大类:交流-直流变换、直流-交流变换、直流-直流变换和交流-交流变换。
()A.错B.对第一章测试1【判断题】(2分)电力二极管的主要参数有正向平均电流、正向压降和反向重复峰值电压。
()A.错B.对2【判断题】(2分)晶闸管属于半控型器件。
()A.错B.对3【判断题】(2分)晶闸管是四层的PNPN结构。
()A.对B.错4【判断题】(2分)在晶闸管的铭牌上,额定电压是以电压等级的形式给出的。
()A.错B.对5【判断题】(2分)整流二极管、晶闸管及可关断晶闸管均属于半控型器件。
()A.对B.错6【判断题】(2分)当晶闸管承受正向阳极电压,门极加上正向触发电压,晶闸管导通。
()A.错B.对7【判断题】(2分)当晶闸管承受正向阳极电压,门极加上反向触发电压,晶闸管不导通。
()A.错B.对8【判断题】(2分)把晶闸管从承受正向阳极电压起到受触发脉冲触发而导通之间的电角度称为触发延迟角,也称为移相角。
()A.错B.对9【判断题】(2分)触发延迟角用θ表示,导通角用α表示。
()A.错B.对10【判断题】(2分)单相桥式半控整流电路α的移相范围为0~180度。
()A.对B.错第二章测试1【判断题】(2分)三相半波可控整流电路的电源由三相整流变压器供电,也可直接由三相四线制交流电网供电。
()A.错B.对2【判断题】(2分)U、V、W三相电相电压正半波的相邻交点,称为自然换相点。
()A.。
智慧树知到 《电力电子技术》章节测试答案
智慧树知到《电力电子技术》章节测试答案第一章单元测试1、电力电子技术中,电力变换电路包含()变换。
A:AC/DCB:DC/DCC:DC/ACD:AC/AC正确答案:AC/DC,DC/DC,DC/AC,AC/AC2、()年,电子管出现,从而开创了电子技术之先河。
A:1904B:1914C:1905D:1915正确答案:19043、1957年,美国通用电气公司研制出第一个( ),因电气性能和控制性能优越,其应用范围迅速扩大。
A:晶闸管B:GTOC:GTRD:IGBT正确答案:晶闸管4、一般认为,电力电子学的诞生是以( )的发明为标志。
A:IGBTB:晶闸管C:GTRD:GTO正确答案:晶闸管5、电力电子技术的发展趋势( )A:向容量更大和更小的两个方向发展B:向集成化方向发展C:向智能化方向发展正确答案:向容量更大和更小的两个方向发展,向集成化方向发展,向智能化方向发展6、电力电子器件按照驱动信号分类,可分为()A:电流驱动型B:电压驱动型C:混合型正确答案:电流驱动型,电压驱动型7、电力电子器件按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为( )。
A:单极型器件B:双极型器件C:复合型器件正确答案:单极型器件,双极型器件,复合型器件8、电力电子器件按照其控制器通断的能力分为()器件。
A:半控型B:全控型C:不控型正确答案:半控型,全控型,不控型9、电力电子器件组成的系统,一般由()组成。
A:控制电路B:驱动电路C:电力电子器件D:保护电路正确答案:控制电路,驱动电路,电力电子器件,保护电路第二章单元测试1、晶闸管稳定导通的条件()A:晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B:晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C:晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D:晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流正确答案:晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流2、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流()A:减小至维持电流以下B:减小至擎住电流以下C:减小至门极触发电流以下D:减小至5A以下正确答案:减小至维持电流以下3、为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用()A:du/dt抑制电路B:抗饱和电路C:di/dt抑制电路D:吸收电路正确答案:抗饱和电路4、IGBT是一个复合型的器件,它是()A:GTR驱动的MOSFETB:MOSFET驱动的GTRC:MOSFET驱动的晶闸管D:MOSFET驱动的GTO正确答案:MOSFET驱动的GTR5、晶闸管触发电路中,若改变()的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。
电力电子技术试题及答案
I=1.66Id=1.66×30=50A 为最大值 ITM 50 ∴ IT(AV)=2× =2× =64A 取 100A 1.57 1.57 又 Uyn=2UTM=2× 2 ×220=624V 取 700V
解:① 单向半波可控整流电路的 1 COS UL=0.45U2 2 当 UL=50V 时
阳”接法。 (×) 9、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。 (×) 10、 增大晶闸管整流装置的控制角α,输出直流电压的平 均值会增大。 (×) 11、 在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安 全。 (√) 12、 为防止“关断过电压”损坏晶闸管,可在管子两端并 接压敏电阻。 (×) 13、 雷 击 过 电 压 可 以 用 RC 吸 收 回 路 来 抑 制 。 (×) 14、 硒 堆 发 生 过 电 压 击 穿 后 就 不 能 再 使 用 了 。 (×) 15、 晶 闸 管 串 联 使 用 须 采 取 “ 均 压 措 施 ”。 (√) 16、 为防止过电流,只须在晶闸管电路中接入快速熔断器 即可。 (×) 17、 快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。 (√) 18、 晶 闸 管 并 联 使 用 须 采 取 “ 均 压 措 施 ”。 (×) 22、在电路中接入单结晶体管时,若把 b1、b2 接反了, 就会烧坏管子。 (×) 23、 单结晶体管组成的触发电路也可以用在双向晶闸管电 路中。 (√) 24 、单结晶体管组成的触发电路输出的脉冲比较窄。
15 、 在 晶 闸 管 两 端 并 联 的 RC 回 路 是 用 来 防 止 损坏晶闸管的。 15、关断过电压。 16、为了防止雷电对晶闸管的损坏,可在整流变压器的 一次线圈两端并接一个 或 。 16、硒堆、压敏电阻。 16、用来保护晶闸管过电流的熔断器叫 。 16、快速熔断器。 二、
电力电子技术第2至第8章作业答案
第2至第8章作业第2章 电力电子器件1. 使晶闸管导通的条件是什么?答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流〔脉冲〕。
或:U AK >0且U GK >0。
2. 维持晶闸管导通的条件是什么?答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。
3. 怎样才能使晶闸管由导通变为关断?答:要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。
4. 图1中阴影局部为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为I m ,试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 1、I 2、I 3。
πππ4π4π25π4a)b)c)图1-43图1 晶闸管导电波形7. 晶闸管的触发脉冲需要满足哪些条件?答:〔1〕触发信号应有足够的功率。
〔2〕触发脉冲应有一定的宽度,脉冲前沿尽可能陡,使元件在触发导通后,阳极电流能迅速上升超过掣住电流而维持导通。
第3章整流电路1. 单相半波可控整流电路对电感负载供电,L=20mH,U2=100V,求当α=0°和60°时的负载电流I d,并画出u d与i d波形。
2.单相桥式全控整流电路,U2=100V,负载中R=2Ω,L值极大,当α=30°时,要求:①作出u d、i d、和i2的波形;②求整流输出平均电压U d、电流I d,变压器二次电流有效值I2;③考虑平安裕量,确定晶闸管的额定电压和额定电流。
3.单相桥式全控整流电路,U2=100V,负载中R=2Ω,L值极大,反电势E=60V,当a=30°时,要求:①作出u d、i d和i2的波形;②求整流输出平均电压U d、电流I d,变压器二次侧电流有效值I2;③考虑平安裕量,确定晶闸管的额定电压和额定电流。
4.单相桥式半控整流电路,电阻性负载,画出整流二极管在一周内承受的电压波形。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
电力电子技术试题第1章电力电子器件1.1.电力电子器件一般工作在电力电子器件一般工作在电力电子器件一般工作在______开关开关开关______状态。
状态。
2.2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为______通态损耗通态损耗通态损耗______,而当器件开关频率较高时,,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为功率损耗主要为______开关损耗开关损耗开关损耗______。
3.3.电力电子器件组成的系统,电力电子器件组成的系统,电力电子器件组成的系统,一般由一般由一般由______控制电路控制电路控制电路______、、_驱动电路驱动电路__、 _ _主电路主电路主电路__三部分组成,三部分组成,由由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加__保护电路保护电路______。
4.4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件单极型器件_ _ _ 、、 _双极型器件双极型器件_ _ _ 、、_复合型器件复合型器件__三类。
5.5.电力二极管的工作特性可概括为电力二极管的工作特性可概括为电力二极管的工作特性可概括为__承受正向电压导通,承受反相电压截止承受正向电压导通,承受反相电压截止__。
6.6.电力二极管的主要类型有电力二极管的主要类型有电力二极管的主要类型有__普通二极管普通二极管__、_快恢复二极管快恢复二极管__、 _ _肖特基二极管肖特基二极管肖特基二极管__。
7.7.肖特基二肖特基二极管的开关损耗极管的开关损耗__小于小于__快恢复二极管的开关损耗。
8.8.晶闸管的基本工作特性可概括为晶闸管的基本工作特性可概括为晶闸管的基本工作特性可概括为 __ __ __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ __ __ 。
电力电子技术试题库(附答案)
电力电子技术试题库(附答案)一、判断题(共100题,每题1分,共100分)1.触发脉冲具有一定的脉宽,前沿要陡。
()A、正确B、错误正确答案:A2.有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。
()A、正确B、错误正确答案:A3.在DC/DC变换电路中,可以采用电网换流方法。
()A、正确B、错误正确答案:B4.单结晶体管触发电路结构简单、抗干扰能力强和运行可靠。
()A、正确B、错误正确答案:A5.双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样,双向晶闸管的额定电流是用电流有效值来表示的。
()A、正确B、错误正确答案:A6.电流的波形系数是电流的有效值与平均值之比。
()A、正确B、错误正确答案:A7.快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。
()A、正确B、错误正确答案:A8.单相半波可控整流电路带电阻负载时的移相范围为0.5π。
()A、正确B、错误正确答案:B9.直流变换电路输出的电压都小于输入电压。
()A、正确B、错误正确答案:B10.单相半波可控整流电路带电阻负载时输出电压平均值的最大值为U2。
()A、正确B、错误正确答案:B11.有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回电网的逆变电路。
()A、正确B、错误正确答案:A12.两个以上晶闸管串联使用,是为了解决自身额定电压偏低,不能胜用电路电压要求,而采取的一种解决方法,但必须采取均压措施。
()A、正确B、错误正确答案:A13.在GTO、GTR、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是MOSFET,单管输出功率最大的是GTO,应用最为广泛的是IGBT。
()A、正确B、错误正确答案:A14.触发脉冲必须具有足够的功率。
()A、正确B、错误正确答案:A15.在三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反压为2倍相电压U2。
()A、正确B、错误正确答案:B16.三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。
()A、正确B、错误正确答案:B17.降压斩波电路斩波开关关断时,电感充电。
电力电子技术试题含答案
电力电子技术试题含答案一、单选题(共25题,每题1分,共25分)1.三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态的条件是()A、α=л/4B、α=л/3C、α>л/2D、α<л/2正确答案:C2.在晶闸管整流电路中,变压器二次侧所供给的有功功率P=()A、I2RdB、UIdC、U2IdD、I2dRd正确答案:C3.在晶闸管应用电路中,为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是()A、触发电压信号B、干扰信号和触发信号C、触发电流信号D、干扰信号正确答案:D4.可实现有源逆变的电路为()。
A、三相半控桥整流桥电路B、单相全控桥接续流二极管电路C、三相半波可控整流电路D、单相半控桥整流电路正确答案:C5.具有自关断能力的电力半导体器件称为()A、不控型器件B、触发型器件C、半控型器件D、全控型器件正确答案:D6.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成()A、可关断晶闸管B、逆阻型晶闸管C、双向晶闸管D、大功率三极管正确答案:B7.为了防止逆变失败,最小逆变角限制为()。
A、200~250B、400~450C、100~150D、300~350正确答案:D8.具有自关断能力的电力半导体器件称为()A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、触发型器件正确答案:A9.对于升降压直流斩波器,当其输出电压小于其电源电压时,有()。
A、α无法确定B、0.5<α<1C、0<α<0.5D、以上说法均是错误的正确答案:C10.在单相桥式全控整流电路中,大电感负载时,控制角α的有效移相范围是()。
A、90°~180°B、0°~90°C、0°~180°正确答案:B11.三相桥式全控整流电路,大电感负载,当α=()时整流平均电压Ud=0。
A、60度B、30度C、90度D、120度正确答案:C12.电力电子器件一般工作在()状态A、开关B、放大C、开关和放大D、其他正确答案:A13.将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是()A、有源逆变器B、A/D变换器C、D/A变换器D、无源逆变器正确答案:D14.已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流()A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下正确答案:A15.IGBT是一个复合型的器件,它是()A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO正确答案:B16.逆变电路是一种()变换电路。
电力电子技术智慧树知到课后章节答案2023年下武汉科技大学
电力电子技术智慧树知到课后章节答案2023年下武汉科技大学武汉科技大学第一章测试1.以下关于电力电子技术说法错误的是()。
答案:电子技术包括模拟电子技术和电力电子技术两大分支2.以下不属于电力变换的是()。
答案:变压器变压3.以下不属于电力电子器件发展方向的是()。
答案:不受控的自主通断能力4.以下事件是标志着电力电子技术诞生的是()。
答案:1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管5.以下关于电力电子电路特性说法错误的是()。
答案:在一个输出电压周期中令电力电子器件多次改变通断状态,可以降低谐波的频率6.以下应用领域使用了电力电子技术的有()。
答案:柔性交流输电;家用变频空调;无功补偿与谐波治理;核聚变反应堆使用脉冲电源7.以下关于电力电子电路特性说法正确的有()。
答案:对于逆变电路,在输入端接入LC低通滤波器,可使输入接近平稳的直流;对于逆变电路,若基波交流电压可损失较少地送至负载,负载端电压近似正弦波8.以下是构成电力电子技术交叉特征的理论技术包括()。
答案:控制理论;电力技术;电子技术9.电力电子技术分为电力电子器件控制和电力变换两个分支。
()答案:错10.为了使电力变换电路基本特性简明清晰,通常忽略一些次要因素,采用一些近似方法进行分析和计算。
()答案:对第二章测试1.以下关于电力电子器件说法错误的是()。
答案:电力电子器件不需要信息电子电路进行控制2.以下关于电力电子器件损耗说法正确的是()。
答案:电力电子器件功率损耗一般远大于信息电子器件3.以下关于PN结工作原理说法正确的是()。
答案:外加反向电压时,PN结表现为高阻态4.以下关于电力二极管特性说法正确的有()。
答案:电力二极管由零偏置转换为正向偏置时正向压降会出现一个过冲;电力二极管由正向偏置转换为反向偏置时并不能立即关断;电力二极管由正向偏置转换为反向偏置时会有反向电压过冲现象5.电力二极管PN结内的空间电荷区又被称为()。
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电力电子技术试题(第一章)一、填空题1、普通晶闸管内部有PN结,,外部有三个电极,分别是极极和极。
1、两个、阳极A、阴极K、门极G。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时,门极上加上电压,晶闸管就导通。
2、正向、触发。
3、、晶闸管的工作状态有正向状态,正向状态和反向状态。
3、阻断、导通、阻断。
4、某半导体器件的型号为KP50—7的,其中KP表示该器件的名称为,50表示,7表示。
4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压100V。
5、只有当阳极电流小于电流时,晶闸管才会由导通转为截止。
5、维持电流。
6、当增大晶闸管可控整流的控制角α,负载上得到的直流电压平均值会。
6、减小。
7、按负载的性质不同,晶闸管可控整流电路的负载分为性负载,性负载和负载三大类。
7、电阻、电感、反电动势。
8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时,负载两端的直流电压平均值会,解决的办法就是在负载的两端接一个。
8、减小、并接、续流二极管。
9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角、电流波形不连续、呈状、电流的平均值。
要求管子的额定电流值要些。
9、小、脉冲、小、大。
10、单结晶体管的内部一共有个PN结,外部一共有3个电极,它们分别是极、极和极。
10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。
11、当单结晶体管的发射极电压高于电压时就导通;低于电压时就截止。
11、峰点、谷点。
12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压,保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发,才能得到稳定的直流电压。
12、同步、时刻。
13、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压和电压。
13、正弦波、锯齿波。
14、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用与一个或几个的叠加,利用改变的大小,来实现移相控制。
14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。
15、在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止损坏晶闸管的。
15、关断过电压。
16、为了防止雷电对晶闸管的损坏,可在整流变压器的一次线圈两端并接一个或。
16、硒堆、压敏电阻。
16、用来保护晶闸管过电流的熔断器叫。
16、快速熔断器。
二、判断题对的用√表示、错的用×表示(每小题1分、共10分)1、普通晶闸管内部有两个PN结。
(×)2、普通晶闸管外部有三个电极,分别是基极、发射极和集电极。
(×)3、型号为KP50—7的半导体器件,是一个额定电流为50A的普通晶闸管。
()4、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零,晶闸管就会关断。
(×)5、只要给门极加上触发电压,晶闸管就导通。
(×)6、晶闸管加上阳极电压后,不给门极加触发电压,晶闸管也会导通。
(√)7、加在晶闸管门极上的触发电压,最高不得超过100V。
(×)8、单向半控桥可控整流电路中,两只晶闸管采用的是“共阳”接法。
(×)9、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。
(×)10、增大晶闸管整流装置的控制角α,输出直流电压的平均值会增大。
(×)11、在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。
(√)12、为防止“关断过电压”损坏晶闸管,可在管子两端并接压敏电阻。
(×)13、雷击过电压可以用RC吸收回路来抑制。
(×)14、硒堆发生过电压击穿后就不能再使用了。
(×)15、晶闸管串联使用须采取“均压措施”。
(√)16、为防止过电流,只须在晶闸管电路中接入快速熔断器即可。
(×)17、快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。
(√)18、晶闸管并联使用须采取“均压措施”。
(×)22、在电路中接入单结晶体管时,若把b1、b2接反了,就会烧坏管子。
(×)23、单结晶体管组成的触发电路也可以用在双向晶闸管电路中。
(√)24、单结晶体管组成的触发电路输出的脉冲比较窄。
(√)25、单结晶体管组成的触发电路不能很好地满足电感性或反电动势负载的要求。
(√)三、单项选择题把正确答案的番号填在括号内(每小题1分,共10分)1、晶闸管内部有(C)PN结。
A 一个,B 二个,C 三个,D 四个2、单结晶体管内部有(A)个PN结。
A 一个,B 二个,C 三个,D 四个3、晶闸管可控整流电路中的控制角α减小,则输出的电压平均值会(B)。
A 不变,B 增大,C 减小。
4、单相半波可控整流电路输出直流电压的平均值等于整流前交流电压的()倍。
A 1,B 0.5,C 0.45,D 0.9.5、单相桥式可控整流电路输出直流电压的平均值等于整流前交流电压的()倍。
A 1,B 0.5,C 0.45,D 0.9.7、为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作,应在电路中接入(B)。
A 三极管,B 续流二极管,C 保险丝。
8、晶闸管可整流电路中直流端的蓄电池或直流电动机应该属于(C)负载。
A 电阻性,B 电感性,C 反电动势。
9、直流电动机由晶闸管供电与由直流发电机供电相比较,其机械特性(C)。
A 一样,B 要硬一些,C 要软一些。
10、带平衡电抗器的双反星型可控整流电路适用于(A)负载。
A 大电流,B 高电压,C 电动机。
11、晶闸管在电路中的门极正向偏压(B)愈好。
A 愈大,B 愈小,C 不变12、晶闸管两端并联一个RC电路的作用是(C)。
A 分流,B 降压,C 过电压保护,D 过电流保护。
13、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来(C)。
A 分流,B 降压,C 过电压保护,D 过电流保护。
14、变压器一次侧接入压敏电阻的目的是为了防止(C)对晶闸管的损坏。
A 关断过电压,B 交流侧操作过电压,C 交流侧浪涌。
15、晶闸管变流装置的功率因数比较(B)。
A 高,B 低,C 好。
16、晶闸管变流器接直流电动机的拖动系统中,当电动机在轻载状况下,电枢电流较小时,变流器输出电流是(B)的。
A 连续,B 断续,C 不变。
18、普通晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的(C)来表示的。
A 有效值B 最大赛值C 平均值20、普通的单相半控桥可整流装置中一共用了(A)晶闸管。
A 一只,B 二只,C 三只,D 四只。
四、问答题(每小题6分,共计24分)答:电力电子变流技术现在一般都应用在可控整流、有源逆变、交流调压、逆变器(变频器)、直流斩波和无触点功率静态开关等几个方面。
1、晶闸管的正常导通条件是什么?晶闸管的关断条件是什么?如何实现?答:当晶闸管阳极上加有正向电压的同时,在门极上施加适当的触发电压,晶闸管就正常导通;当晶闸管的阳极电流小于维持电流时,就关断。
只要让加在晶闸管两端的阳极电压减小到零或让其反向,就可以让晶闸管关断。
2、对晶闸管的触发电路有哪些要求?答:为了让晶闸管变流器准确无误地工作要求触发电路送出的触发信号应有足够大的电压和功率;门极正向偏压愈小愈好;触发脉冲的前沿要陡、宽度应满足要求;要能满足主电路移相范围的要求;触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压取得同步。
3、正确使用晶闸管应该注意哪些事项?答:由于晶闸管的过电流、过电压承受能力比一般电机电器产品要小的多,使用中除了要采取必要的过电流、过电压等保护措施外,在选择晶闸管额定电压、电流时还应留有足够的安全余量。
另外,使用中的晶闸管时还应严格遵守规定要求。
此外,还要定期对设备进行维护,如清除灰尘、拧紧接触螺钉等。
严禁用兆欧表检查晶闸管的绝缘情况。
4、晶闸管整流电路中的脉冲变压器有什么作用?答:在晶闸管的触发电路采用脉冲变压器输出,可降低脉冲电压,增大输出的触发电流,还可以使触发电路与主电路在电气上隔离,既安全又可防止干扰,而且还可以通过脉冲变压器多个二次绕组进行脉冲分配,达到同时触发多个晶闸管的目地。
5、一般在电路中采用哪些措施来防止晶闸管产生误触发?答:为了防止晶闸管误导通,①晶闸管门极回路的导线应采用金属屏蔽线,而且金属屏蔽层应接“地”;②控制电路的走线应远离主电路,同时尽可能避开会产生干扰的器件;③触发电路的电源应采用静电屏蔽变压器。
同步变压器也应采用有静电屏蔽的,必要时在同步电压输入端加阻容滤波移相环节,以消除电网高频干扰;④应选用触发电流稍大的晶闸管;⑤在晶闸管的门极与阴极之间并接0.01μF~0.1μF的小电容,可以有效地吸收高频干扰;⑥采用触发电流大的晶闸管。
晶闸管的过电流保护常用哪几种保护方式?其中哪一种保护通常是用来作为“最后一道保护”用?答:晶闸管的过电流保护常用快速熔断器保护;过电流继电器保护;限流与脉冲移相保护和直流快速开关过电流保护等措施进行。
其中快速熔断器过电流保护通常是用来作为“最后一道保护”用的。
7、 对晶闸管的触发电路有哪些要求?计算题 (每小题10分,共计20分)1、 单相半波可控整流电路,电阻性负载。
要求输出的直流平均电压为50~92V 之间连续可调,最大输出直流电流为30A ,由交流220V 供电,求①晶闸管控制角应有的调整范围为多少?②选择晶闸管的型号规格(安全余量取2倍,d T I I =1.66)。
解:① 单向半波可控整流电路的U L =0.45U 221αCOS +当U L =50V 时COS α=20452U U L —1=220045502⨯⨯—1≈0 则α=90°当U L =92V 时COS α=20452U U L —1=220045922⨯⨯—1=0.87 则α=30°∴控制角α的调整范围应为0~90° ②由dT I I =1.66知 I=1.66I d =1.66×30=50A 为最大值∴ I T(A V)=2×57.1TM I =2×57.150=64A 取100A 又 U yn =2U TM =2×2×220=624V 取700V晶闸管的型号为:KP100-7。
2、 一台由220V 供电的自动恒温功率为1kW 的电炉,采用单相半控桥整流电路。
通过计算选择晶闸管和续流二极管的型号。
解:电炉电阻丝的电阻R d =dP U 22=1000220220⨯≈48Ω 当α=0°时晶闸管与整流管的电流有效值才最大为I Tm =I Dm =Rd U 2παπαπ2241-+SIn =48220πππ200241-+⨯=3.2A选择晶闸管和整流管的型号I T(A V)=(1.5~2)57.1Tm I =(1.5~2)57.12.3=34A 取5A(电流系列值)U Tn =(2~3)U TM =(2~3)2×220=625~936V所以,晶闸管的型号为KP5-8同理,整流管的型号为ZP5-83、 单相半波可控整流电路中,已知变压器次级U 2=220V ,晶闸管控制角α=45°,负载R L =10Ω。
计算负载两端的直流电压平均值、负载中电流平均值和每只晶闸管流过的电流平均值。