电容器陶瓷高频
电容器类型(图片)
聚苯乙烯薄膜电容器
结构：聚苯乙烯膜作介质；高纯度铝箔为电极； 镀铜CP引出线。 主要特点：绝缘电阻高（>100,000MΩ）， 介质损耗很小（fn>1Khz,DF<0.0005），容量 精度高，良好的温度系数，电参数随频率温度变化 小等特点。 缺点是：体积大， 工作温度不高（上限为70C）。 用途：主要应用于滤波，高频调谐器，均衡器中。
X1（CTX）跨接抑制突波电容器
玻璃釉电容
玻璃电容器
采用新型有机薄膜作介质；铝箔为电极；有感式卷绕；透 明树脂包封；镀铜CP引出线。容量范围宽、绝缘电阻大， 良好的电气性能。适用于一般滤波，信号耦合能最 稳定,适用于高 要求电路
X7R:电性能最 稳定,适用于对 容量稳定性要 求一般的电路 Y5V.Z5U:可做 高容量电容产 品,但其容量稳 定性较X7R差 容量范围 :14.7UF
聚四氟乙烯电容器： 特点：电容损耗小，耐热性好，工作温度可达-150--200C 电参数的温度频率特性稳定，耐化学腐蚀好， 缺点是：耐电晕性差，成本高，主要应用于高温高 绝缘，高频的场合。
型号：CBF10容量：0.5-5.1PF，额定工作电压：160
绝缘性能：引出头之间：30000mohm. 容量允差：D， F，C 损耗角正切：（正常气候条件下） <0.001 试验电压： 2Uw
8.油渍电容器：
电容器的材料分类、代号及命名方法
C 序号，用数字表示 特征，用数字或字母表示 材料，用字母表示
C：瓷介（CC1） Y：云母（CY31） O：玻璃膜（CO2） Z：纸介（CZ30）
CG：高功率瓷介（CCG11） I：玻璃釉（CI12） B：聚苯乙烯（CB14） J：金属化纸介（CJ10）
2类瓷介电容
2类瓷介电容瓷介电容是一种常见的电子元器件，广泛应用于各种电路中。
根据其材料和结构的不同，可以将瓷介电容分为多个类别。
其中比较常见的有2类，下面将对这两类瓷介电容进行详细介绍。
一、高频陶瓷介电容高频陶瓷介电容是一种采用高纯度氧化铝等陶瓷材料制成的电容器。
由于其具有良好的高频特性和稳定性，因此广泛应用于各种高频电路中。
1.材料高频陶瓷介电容主要采用氧化铝等高纯度陶瓷材料制成。
这些材料具有良好的机械强度、耐腐蚀性和稳定性，可以在各种恶劣环境下使用。
2.结构高频陶瓷介电容通常采用片式结构。
它由两个金属片夹持一块陶瓷片组成，金属片上分别涂有导体层和绝缘层，形成两个极板。
当外加电压时，在两个极板之间就会产生一个带有能量的场强，使得介质中的电荷分布发生变化，从而形成电容器。
3.特性高频陶瓷介电容具有良好的高频特性和稳定性。
它的电容值可以在很大范围内调整，而且不受温度和频率的影响。
此外，它还具有较低的损耗因子和较高的工作温度范围。
4.应用高频陶瓷介电容广泛应用于各种高频电路中，例如射频放大器、滤波器、振荡器等。
由于其良好的高频特性和稳定性，可以保证电路的稳定运行。
二、多层陶瓷介电容多层陶瓷介电容是一种采用多个薄片陶瓷片层堆叠而成的电容器。
由于其具有小体积、大电容值和优异的温度特性，因此被广泛应用于各种微型电子设备中。
1.材料多层陶瓷介电容主要采用氧化铝等高纯度陶瓷材料制成。
这些材料具有良好的机械强度、耐腐蚀性和稳定性，可以在各种恶劣环境下使用。
2.结构多层陶瓷介电容由多个薄片陶瓷片层堆叠而成，每个薄片上都涂有导体层和绝缘层。
这些薄片通过金属电极连接在一起，形成一个整体。
当外加电压时，在各个薄片之间就会产生一个带有能量的场强，使得介质中的电荷分布发生变化，从而形成电容器。
3.特性多层陶瓷介电容具有小体积、大电容值和优异的温度特性。
它的电容值可以在很大范围内调整，而且不受温度和频率的影响。
此外，它还具有较低的损耗因子和较高的工作温度范围。
陶瓷电容器基础知识简介陶瓷电容器使用要点大全
陶瓷电容器基础知识简介陶瓷电容器使用要点大全谈论起陶瓷电容器，我们会想到电子元件器工业。
电子元件器工业在在20世纪出现并得到飞速发展，使得整个世界和人们的工作、生活习惯发生了翻天覆地的变化。
继电器、二极管、电容器、传感器等产品的出现，给我们的生活带来了极大地便利。
而电容器，顾名思义，是‘装电的容器’，是一种容纳电荷的器件。
英文名称：capacitor。
电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。
文章开篇所提到的陶瓷电容器（ceramiccapacitor；ceramiccondenser）就是用陶瓷作为电介质，在陶瓷基体两面喷涂银层，然后经低温烧成银质薄膜作极板而制成。
它的外形以片式居多，也有管形、圆形等形状。
一、陶瓷电容器基础知识简介1、陶瓷电容器是用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。
它又分高频瓷介和低频瓷介两种。
具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。
这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
高频瓷介电容器适用于高频电路。
2、陶瓷电容器又分为高频瓷介电容器和低频瓷介电容器两种。
具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡电路中，作为回路电容器。
低频瓷介电容器用在对稳定性和损耗要求不高的场合或工作频率较低的回路中起旁路或隔直流作用，它易被脉冲电压击穿，故不能使用在脉冲电路中。
高频瓷介电容器适用于高频电路。
3、陶瓷电容器有四种材质分类：这四种是：Y5V，X5R，X7R，NPO(COG)。
那么这些材质代表什么意思呢？第一位表示低温，第二位表示高温，第三位表示偏差。
Y5V表示工作在-30~+85度，整个温度范围内偏差-82%~+22%X5R表示工作在-55~+85度，整个温度范围内偏差正负15%X7R表示工作在-55~+125度，整个温度范围内偏差正负15%NPO（COG）是温度特性最稳定的电容器，电容温漂很小，整个温度范围容量很稳定，温度也是-55~125度，适用于振荡器，超高频滤波去耦，但容量一般做不大。
高频电容和普通电容
高频电容和普通电容高频电容和普通电容是电子电路中常用的两种电容器。
它们在电路中的作用和特点略有不同，本文将分别介绍高频电容和普通电容的特点和应用。
高频电容，顾名思义，主要用于高频电路中。
高频电容的特点是具有较低的电容值和较高的工作频率范围。
它通常由金属薄膜或多层陶瓷制成。
高频电容在高频电路中起到隔直阻交的作用，可以滤除电路中的高频噪声信号，保证信号的纯净性。
在无线通信设备、雷达系统等高频电路中，高频电容被广泛应用。
普通电容是指在低频电路中使用的电容器。
普通电容的特点是具有较大的电容值和较低的工作频率范围。
它通常由铝箔和电解质组成。
普通电容在低频电路中起到储能和滤波的作用，可以平滑电路中的直流信号，减少噪声和干扰。
在电源滤波、音频放大器、电机驱动等低频电路中，普通电容被广泛使用。
高频电容和普通电容的主要区别在于工作频率范围和电容值大小。
高频电容适用于高频电路，具有较低的电容值和较高的工作频率范围；而普通电容适用于低频电路，具有较大的电容值和较低的工作频率范围。
高频电容和普通电容在结构上也有所不同。
高频电容通常采用金属薄膜或多层陶瓷制成，结构较为紧凑；而普通电容通常采用铝箔和电解质构成，结构相对较大。
在实际应用中，选择高频电容还是普通电容需要根据电路的工作频率和电容值要求来决定。
如果需要在高频范围内工作，滤除高频噪声，就需要选择高频电容；如果需要在低频范围内进行信号平滑和滤波，就需要选择普通电容。
此外，还需要考虑电容器的尺寸、耐压能力等因素。
高频电容和普通电容分别适用于不同的电路应用场景。
高频电容主要用于高频电路中，具有较低的电容值和较高的工作频率范围；普通电容主要用于低频电路中，具有较大的电容值和较低的工作频率范围。
选择合适的电容器对于电路的正常运行和性能表现至关重要。
电容选用资料(2)瓷介电容器(公布)
三、瓷介电容器（一）概述1、电容器用陶瓷的分类方法：适合做电容器的陶瓷很多，为了生产和使用上的规范，将电容器用陶瓷材料按照其性能特点进行分类，分类的主要依据是介电常数ε、损耗角正切tgδ、频率特性、温度特性、电压特性等综合考虑，我国已有完整的电容器用陶瓷材料分类标准，将电容器瓷分成三类（1、2、3类），由此也将陶瓷电容器分成1、2、3类瓷介电容器。
通常将1类瓷称做高频瓷（顺电体陶瓷），2类瓷称为低频瓷（铁电体陶瓷），3类瓷称为半导体瓷。
2、电容器瓷的介电常数并非一个恒定值，是一个与温度有关的电参数，为了描述介电常数这种温度特性，对1类瓷用温度系数TC(也用α表示，单位10-6/℃)来表达，对2、3类瓷用介电常数ε随温度的变化率△ε/ε（%）来表达。
温度特性是各类陶瓷电容器瓷分组的主要依据。
3、陶瓷电容可以有引线，也可以无引线（比如MLCC：贴片陶瓷电容）；其包封材料可以是酚醛树脂（液体涂封）、环氧树脂（粉末涂装，兰色、红色、绿色各种颜色）、釉膜涂装（烧结涂装）。
4、相关词语解释：1）结构类似元件：用相同的工艺和材料制造的电容器，即使它们的外形尺寸和数值可能不同，也可以认为是结构类似的电容器。
2）初始制造阶段：单层电容器的初始制造阶段是形成电极的介质金属化（即被银瓷片生产）。
多层电容器的初始制造阶段是介质-电极叠压后的第一次共同烧结。
3）1类瓷介固定电容器：专门设计并用在低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路中的一种电容器。
例如，在电路中做温度补偿之用。
该类陶瓷介质是以标称温度系数来确定的。
4）2类瓷介固定电容器：适用于作旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器。
该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来确定的。
5）3类瓷介固定电容器：是一种具有半导体特征的瓷介电容器。
该类电容器适于作旁路、耦合之用。
该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来确定的。
陶瓷电容在高频下的耐压值
陶瓷电容在高频下的耐压值陶瓷电容是一种常见的电子元器件，广泛应用于各类电子设备中。
在高频下，陶瓷电容的耐压值是一个重要的性能指标，它决定了电容器在高频工作条件下的可靠性和稳定性。
在高频工作条件下，电容器所承受的电压会随频率的增加而增加。
因此，陶瓷电容的耐压值必须能够满足高频工作时的电压要求，以确保电容器能够正常工作而不损坏。
陶瓷电容的耐压值通常通过直流耐压试验来确定。
直流耐压试验是将电容器连接到直流电源上，逐渐增加电压，直到电容器出现击穿或电流超过设定值为止。
测试过程中，需要记录电容器的耐压值，即电容器在被测试电压下能够持续工作的时间。
陶瓷电容的耐压值与其结构和材料有关。
陶瓷电容的结构通常由两个金属电极和介质层组成。
介质层是由陶瓷材料制成的，具有良好的绝缘性能。
在高频工作条件下，陶瓷电容的介质层需要承受较高的电场强度，因此介质材料的绝缘性能对耐压值起着关键作用。
陶瓷电容的耐压值还受到电容器的尺寸和几何形状的影响。
通常情况下，较大尺寸和较小几何形状的陶瓷电容具有较高的耐压值。
这是因为较大尺寸和较小几何形状的电容器可以提供更长的电场路径，从而增加介质层的绝缘能力。
陶瓷电容的耐压值还与电容器的制造工艺和质量控制有关。
制造工艺的不同可能会导致电容器内部存在缺陷或不均匀性，从而降低了电容器的耐压值。
因此，在生产过程中，需要采取严格的质量控制措施，确保陶瓷电容的耐压值符合设计要求。
除了耐压值，陶瓷电容在高频下还有其他性能指标需要考虑。
例如，电容器的谐振频率和损耗角正切等。
谐振频率是指电容器在高频工作条件下的电容值开始下降的频率，损耗角正切则是指电容器在高频工作条件下的能量损耗程度。
这些性能指标与耐压值密切相关，同时也会影响电容器的工作性能和可靠性。
陶瓷电容在高频下的耐压值是一个重要的性能指标，它决定了电容器在高频工作条件下的可靠性和稳定性。
耐压值受到陶瓷材料、电容器结构和制造工艺等因素的影响，同时还与电容器的尺寸和几何形状、质量控制等因素密切相关。
陶瓷电容的材料
陶瓷电容的材料全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：陶瓷电容是一种常见的电子元件，用于在电路中储存和放出电荷。
它由陶瓷材料制成，具有高介电常数和低介电损耗，因此在高频电路和电源稳压器等领域有着广泛的应用。
下面我们将详细介绍陶瓷电容的材料及其特点。
一、陶瓷电容的材料种类1. 氧化铝陶瓷电容：氧化铝是一种硬质的陶瓷材料，具有优异的绝缘性能和高介电常数，因此被广泛应用于陶瓷电容中。
氧化铝陶瓷电容具有较高的电容密度和稳定性，可用于高频电路和高温环境下的应用。
2. 钛酸钡陶瓷电容：钛酸钡是一种具有极高介电常数和低介电损耗的陶瓷材料，被广泛用于陶瓷电容的制造。
钛酸钡陶瓷电容具有优异的频率特性和稳定性，适用于高频电路和天线等领域。
3. 陶瓷电容：除了氧化铝和钛酸钡外，还有其他种类的陶瓷材料被用于制造陶瓷电容，如氮化硅陶瓷、钛酸锶陶瓷等。
这些材料具有不同的介电性能和应用范围，可以根据具体的电路设计需求来选择适合的陶瓷材料。
二、陶瓷电容的特点1. 高介电常数：陶瓷材料具有相对较高的介电常数，使得陶瓷电容具有较大的电容密度，适合用于储存和放出电荷。
2. 低介电损耗：陶瓷电容具有较低的介电损耗，能够保持较高的电容稳定性和频率特性，适合用于高频电路和微波设备。
3. 耐高温性能：由于陶瓷材料具有较高的热稳定性，陶瓷电容具有良好的耐高温性能，可以在高温环境下长期稳定工作。
4. 耐湿气性能：陶瓷电容具有较高的绝缘性能和耐湿气性能，能够保持电容器的稳定性和可靠性，适合在潮湿环境中的应用。
5. 尺寸小巧：陶瓷电容的尺寸通常较小，便于在电路板上进行布置和安装，节省空间。
三、陶瓷电容的应用领域1. 通信设备：陶瓷电容广泛应用于通信设备中，用于天线匹配、滤波器和功率放大器等部件。
2. 电源稳压器：陶瓷电容在电源稳压器中起着重要作用，用于滤波器和去耦电容等功能。
3. 无线传感器：陶瓷电容也被广泛用于无线传感器中，用于信号调理和射频天线的匹配。
陶瓷高频电容
陶瓷高频电容高频电容是指能够在高频电磁场下工作的电容器。
陶瓷高频电容是其中一种常见的高频电容器，在无线通信、射频电路以及电子设备中起着重要的作用。
本文将详细介绍陶瓷高频电容的特性、应用领域以及制造工艺。
1.1 优异的高频特性陶瓷高频电容具有独特的高频特性，能够在高频电磁场中稳定工作。
它的介质常采用高介电常数的陶瓷材料，如二氧化铬、二氧化钛等。
这样的材料具有较低的电阻和电容值，能够满足高频信号传输的要求。
1.2 低损耗陶瓷高频电容的损耗因数（D）较低，能够降低电路的功耗。
其内部电阻小，电容值相对稳定，减少了信号传输过程中能量的损失。
1.3 高温稳定性陶瓷高频电容在高温环境下依然能够保持稳定的性能。
这主要得益于陶瓷材料具有良好的热稳定性和耐高温特性。
因此，在一些高温应用场景下，陶瓷高频电容能够发挥出更好的性能。
二、应用领域2.1 无线通信陶瓷高频电容在无线通信领域中应用广泛。
它可以被用于各种无线通信设备中，如手机、无线路由器、通信基站等。
其高频特性和低损耗能够提高无线信号的传输质量，保证通信的稳定性和可靠性。
2.2 射频电路射频电路中需要使用大量的高频电容，用于滤波、耦合、变容等功能。
陶瓷高频电容因其独特的特性而成为射频电路设计中的理想选择。
它能够满足高频信号处理的要求，提高电路的性能和稳定性。
2.3 电子设备电子设备中的各种电路和模块都需要使用到高频电容。
陶瓷高频电容由于其性能优越，被广泛应用于电源管理、功率放大、计算机硬件等领域。
它能够提高电路的工作效率和稳定性，保证设备的正常运行。
三、制造工艺陶瓷高频电容制造工艺主要包括材料选择、成型、烧结以及封装等环节。
首先，根据电容的工作频率需求选择合适的陶瓷材料。
然后，采用成型工艺将陶瓷材料成型为所需形状，如片状、圆柱状等。
接下来，通过烧结过程将成型后的材料加热，使其结合成坚固的电容体。
最后，将电容体封装成标准的电容外壳，以保护电容体不受外界环境的干扰。
教你如何选择电容
电容的分类固定电容器电容量固定的电容器叫做固定电容器。
根据介质的不同可分为陶瓷、云母、纸质、薄膜、电解几种。
陶瓷电容器陶瓷电容器是用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。
它又分高频瓷介和低频瓷介两种。
高频瓷介电容器适用于无线电、电子设备的高频电路。
具有小的正电容温度系数的电容器，使用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。
这种电容器不宜使用在脉冲电容中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。
引线电感极小，特别适于高频旁路用。
独石电容器独石电容器即多层陶瓷电容器，其结构是在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次绕结成一块不可分割的整体，外面再用树脂包封而成，它是一种小体积、大容量、高可靠和耐高温的新型电容器，高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能，体积极小。
云母电容器就结构而言，可分为箔片式及被银式。
被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成图3，由于消除了空气间隙，温度系数大为下降，电容稳定性也比箔片式高。
云母电容器广泛应用在高频电器中，并可用作标准电容器。
玻璃釉电容器的介质是由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成"独石"结构。
玻璃釉电容器的性能可与云母电容器媲美，能耐受各种气候环境，一般可在200℃或更高温度下工作，额定工作电压可达500V，损耗tgδ0.0005～0.008纸质电容器纸质电容器在无线电、电子设备中应用很广，一般是用两条铝箔作为电极，中间以厚度为0.008～0.012mm的电容器纸隔开重叠卷绕而成，制造工艺简单，价格便宜，能得到较大的电容量，一般在0.25μF以下，但容量误差较大且不易控制，质量较好的是±10%，损耗较大，温度频率特性稳定性较差。
i类陶瓷电容
i类陶瓷电容
I类陶瓷电容，也被称为高频陶瓷电容器，是一种采用非铁电（顺电）配方的电容器，主要成分为TiO2（介电常数小于150），因此具有非常稳定的性能。
此外，通过添加少量的其他（铁电体）氧化物，如CaTiO3或SrTiO3，可以形成“扩展型”的温度补偿陶瓷，显示出近似线性的温度系数，同时介电常数也可以增加到500。
这两种介质具有低损耗、高绝缘电阻和良好的温度特性。
I类陶瓷电容器的特性包括：
1. 线性温度系数：其电容随温度线性变化。
2. 无电压依赖性：其电容量不依赖于所施加的电压。
3. 无老化：由于制造过程中使用的材料是顺电位材料，因此不会经历严重的老化过程。
由于这些特性，I类陶瓷电容器特别适用于振荡器、谐振回路、高频电路中的耦合电容和其他小损耗和稳定电容量的电路中，或用于温度补偿。
然而，需要注意的是，I类陶瓷电容的容量一般较小。
在封装形式上，I类陶瓷电容可以按照插件和贴片式进行分类。
而在介质材料上，NPO、SL0、COG等通常被认为是I类瓷介电容。
这
些电容器具有极高的容量稳定性，其值基本不随温度、电压、时间的变化而变化。
总的来说，I类陶瓷电容器是一种性能稳定、适用于特定电路应用的电容器。
电容的种类及符号
电容的种类及符号电容器是一种用于储存电荷的电子元件。
它由两个导体板之间的绝缘材料（或电介质）隔开。
根据其结构和性能的不同，电容器可以分为多种类型。
以下将对常见的电容器类型及其符号进行详细介绍。
1.高频电容器：高频电容器专为用于高频电路设计而设计，能够提供较低的等效串联电阻和等效串联电感。
最常见的高频电容器是陶瓷电容器，也称为多层陶瓷电容器。
它们通常以“C”作为电路图符号。
2.电解电容器：电解电容器由两个金属电极组成，通过电解质将两个电极隔开。
根据其电解质的不同，电解电容器分为有机电解电容器和无机电解电容器。
有机电解电容器通常用铝箔作为阳极和铝氧化物作为电解质，而无机电解电容器通常用铝箔作为阳极和液体电解质作为电介质。
电解电容器一般以“E”或“C”作为电路图符号。
3.薄膜电容器：薄膜电容器使用金属薄膜作为导体，使用非常薄的绝缘膜将导体隔开。
最常见的薄膜电容器是聚酯薄膜电容器和聚酰亚胺薄膜电容器。
薄膜电容器通常以“C”作为电路图符号。
4.陶瓷电容器：陶瓷电容器使用陶瓷材料作为电介质，金属导体片作为电极。
根据陶瓷材料的不同，陶瓷电容器可以分为多种类型，如可变电容器、温度补偿电容器、高稳定性电容器等。
陶瓷电容器通常以“C”作为电路图符号。
5.可变电容器：可变电容器的电容值可以通过调节其结构或电场来控制。
最常见的可变电容器是电容二极管（Varactor Diode）和电容滚轮。
电容二极管的符号通常使用一个带圆圈的“C”表示。
6.超级电容器：超级电容器也称为超级电容器或电化学电容器，利用电化学过程在电极和电解质之间储存电能。
它们具有高能量密度和快速充放电速度的特点，被广泛用于储能和迅速供电的应用。
超级电容器的符号通常使用两个平行线代表两个电极之间的电介质。
除了上述常见的电容器类型，还有一些特殊用途的电容器，如功率电容器、陶瓷电容器、瓷介电容器等。
它们通常在特定的应用领域和特殊要求的电路设计中使用。
总结起来，电容器的种类及符号包括：-高频电容器（C）-电解电容器（E或C）-薄膜电容器（C）-陶瓷电容器（C）-可变电容器（带圆圈的C）。
大容量陶瓷电容器在高频整流滤波中地地的应用
大容量陶瓷电容器在高频整流滤波中的应用陈永真1 李丽2某某工业大学1某某石化职业技术学院2cyz_cbl126.摘要本文首先分析了电解电容器在高频整流滤波电路中存在的问题，其最主要的原因时由于电解电容器的比拟高的ESR，当纹波电流流过这个ESR时将产生比拟大的纹波电压，使滤波效果变差；分析了采用电解电容器与小容量陶瓷电容器并联缓解电解电容器高频特性不佳的效果；分析了陶瓷电容器的低ESR特性给高频整流滤波所带来的性能改善。
最后给出大容量陶瓷电容器对高频整流滤波的改善效果。
关键词陶瓷电容器纹波电流 ESRThe application of High Capacity Ceramic capacitor to smoothing/filtering in high frequencyChen Yongzhen1 Wang Lili2LiaoNing University of Technology1Liaoning Petro -Chemical Vocational TechnologyCollege2cyz_cbl126.Abstract：In this paper, the author describes the disadvantages of Electrolytic capacitor to filtering and rectifying in high frequency, the most important problem is the higher ESR of Electrolytic capacitor, the ripple Current via through the ESR will generate the higher ripple Voltage, the effect of rectifying bees bad; analysesthe effect of Electrolytic capacitor in high frequencyis not well whenElectrolytic capacitor and small CapacityCeramic capacitor parallel connection, introduces the improvements of f iltering and rectifying in high frequency by lower ESR of Ceramic capacitor. In the end, an application example is put forward.Key words：Ceramic capacitor ripple current ESR1．电解电容器在应用中的问题各类电解电容器在电子线路中有着重要的地位。
cog高频电容
cog高频电容
摘要：
1.COG 高频电容的概述
2.COG 高频电容的特点
3.COG 高频电容的应用领域
4.COG 高频电容的发展前景
正文：
一、COG 高频电容的概述
COG 高频电容，全称为Ceramic On Glass 高频电容，是一种采用陶瓷作为介质，玻璃作为电极材料的高频电容器。
它具有体积小、容量大、稳定性高、高频性能好等特点，因此在电子元器件市场中具有广泛的应用。
二、COG 高频电容的特点
1.体积小：COG 高频电容的体积较小，可以满足电子产品对于微型化的需求。
2.容量大：COG 高频电容具有较大的电容量，能够满足各种电子设备的电容需求。
3.稳定性高：COG 高频电容具有较高的稳定性，能够在各种环境条件下保持其性能。
4.高频性能好：COG 高频电容的高频性能较好，能够满足高频率的电子设备的需求。
三、COG 高频电容的应用领域
COG 高频电容广泛应用于通讯、计算机、家电、汽车电子等领域。
例
如，在智能手机、平板电脑等移动设备中，COG 高频电容被用于无线通信模块、触摸屏模块等关键部件。
此外，COG 高频电容还被用于LED 照明、太阳能发电等绿色能源领域。
四、COG 高频电容的发展前景
随着科技的发展，电子产品对于元器件的需求也在不断提高。
COG 高频电容作为高频电容器的一种，其市场前景十分广阔。
高频瓷介电容
高频瓷介电容高频瓷介电容是一种电容器，其介质为高介电常数的陶瓷材料，如钛酸钡（BaTiO3）等。
这种电容器的特点是具有较高的绝缘电阻、较小的体积和较高的稳定性。
首先，高频瓷介电容的介质是陶瓷材料，这种材料具有较高的介电常数，可以存储更多的电荷。
因此，高频瓷介电容的容量较大，可以做到较高的电容值。
同时，由于陶瓷材料的绝缘性能较好，高频瓷介电容的绝缘电阻也较高，能够保证电容器在高频电路中的稳定运行。
其次，高频瓷介电容的结构简单，体积较小。
由于其介质是陶瓷材料，不需要像电解电容器那样使用电解质，因此其体积可以做得更小。
同时，由于其结构简单，制造工艺也比较成熟，生产成本较低。
第三，高频瓷介电容的稳定性较好。
由于陶瓷材料的稳定性较好，不易受温度、湿度等因素的影响，因此高频瓷介电容的容量和绝缘电阻的稳定性也较好。
此外，由于其结构简单、体积较小，在高温、高湿等恶劣环境下也能保持较好的性能。
高频瓷介电容的应用范围很广，主要包括通信、雷达、导航、广播电视、航空航天等领域。
在这些领域中，高频瓷介电容的高频性能和稳定性得到了广泛的应用和认可。
例如，在通信领域中，高频瓷介电容被广泛应用于信号传输和处理电路中；在雷达和导航领域中，高频瓷介电容被用于天线匹配电路和信号处理电路中；在航空航天领域中，由于高频瓷介电容的高温、高湿等恶劣环境适应性较好，也被广泛应用于各种电子设备中。
除了以上优点外，高频瓷介电容也存在一些不足之处。
例如，其机械强度较低，容易受到外力损坏；同时，其容量和绝缘电阻等电气性能参数也会受到温度和湿度的影响。
因此，在使用高频瓷介电容时需要注意其使用环境和条件。
总之，高频瓷介电容作为一种高稳定性的电容器，在许多领域中得到了广泛的应用。
其具有较高的绝缘电阻、较小的体积和较高的稳定性等特点，能够保证电子设备的稳定运行。
未来随着科技的不断进步和应用领域的不断拓展，高频瓷介电容将会得到更加广泛的应用和发展。
高频瓷片电容
高频瓷片电容
高频瓷片电容是一种电容器，广泛应用于高频电路中。
它是由陶瓷材料制成，具有高
精度、低噪音、稳定性好等特点，在许多高频电路中起到了重要的作用。
高频瓷片电容一般由两片金属电极和一层介质材料组成。
介质材料一般选用高纯度的
氧化铝陶瓷，也有一些电容器会选用其它材料如氧化钛陶瓷等。
铝陶瓷具有高精度、稳定
性好等特点，且在高温、高压、低噪声等方面表现良好，并能够耐受长期工作的高频电磁
干扰。
因此，它成为了高频瓷片电容最常用的介质材料。
高频瓷片电容的一大特点是其精度高。
一般来说，它的误差范围可以控制在±0.25% ~ ±20%之间。
而且在高温、高压、高频电磁环境下，其精度变化非常小，从而保证了高频
电路的稳定性。
在高频电路中，高频瓷片电容扮演了很多重要的角色。
例如，它用于合成电路中，作
为振荡电路、滤波电路等的基础元器件。
在调频收音机、电视机、通讯设备等领域中，高
频瓷片电容也有着广泛的应用。
除了广泛的应用于高频电路之外，高频瓷片电容还被广泛应用于成套的高频贴片滤波器、高频耦合电容器、稳定电容器等。
这些元件能够提供稳定的高频响应、减少高频干扰，从而提升设备的性能和可靠性。
需要注意的是，在使用高频瓷片电容时，应该选择合适的封装和安装方式，以保证其
稳定性和可靠性。
另外，在使用和储存瓷片电容时，应注意环境温度和电气特性，以避免
其老化和性能下降。
mlcc陶瓷电容阻抗频率曲线
mlcc陶瓷电容阻抗频率曲线
MLCC（多层陶瓷电容器）的阻抗频率曲线是一个重要的特性，用于描述电容器在不同频率下的阻抗变化。
这个曲线通常展现了以下几个关键特征：
1. 低频区域：在较低的频率下，MLCC的阻抗值较高。
这是由于在低频下，电容器内部的介电材料对电荷的存储能力起主导作用。
2. 谐振点：随着频率的增加，MLCC的阻抗会下降，直到达到一个最小阻抗点，这通常称为谐振点。
在此频率下，电容器的电感和电容效应相互抵消，使得总阻抗达到最低。
3. 高频区域：在谐振点之后，随着频率的继续增加，电容器的阻抗会再次上升。
在高频区域，电感效应开始占主导，导致阻抗增加。
4. 自谐振频率（SRF）：在自谐振频率处，电容器表现出纯电阻特性，此时电容器的阻抗最低，电感和电容效应完全平衡。
这些特性使得MLCC在不同的应用中表现出不同的适用性。
在选择MLCC时，重要的是考虑其在预期使用频率下的阻抗特性，以确保其满足特定电路的需求。
例如，在高频应用中，可能需要考虑电容器的谐振特性和高频阻抗。
在低频应用中，则更注重电容器的电容值和低频阻抗。
陶瓷电容与频率的关系
陶瓷电容与频率的关系
陶瓷电容器的频率特性是指电容器电容量等参数随频率变化的关系。
一般来讲，电容器在高频下工作时，随着工作频率的升高，由于绝缘介质介电系数减小，电容量将会减小，而损耗将增大，并且会影响电容器的分布参数。
在高频工作时，如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等，都会影响电容器的性能。
所有这些，使得电容器的使用频率受到限制。
为了保证陶瓷电容器的稳定性，一般应将电容器的极限工作频率选择在电容器固有谐振频率的1/3 - 1/2 。
电容量与频率是离不开的，关系应该是很密切的，高压陶瓷电容规格容量大的电容对高频的响应很差对低频的响应却好，而规格容量小的陶瓷电容对低频的响应很差而对高频的响应却非常好。
可是高压陶瓷电容容量的大小与频率的大小关系到底怎样呢？希望有道同仁一起讨论。
电容容量与频率是曲线关系，在谐振点之前，电容容量随频率的增加而减小，在谐振点之后，电容容量随频率的增加而增加。
曲线关系，实际是指陶瓷电容量与频率的关系，即Z(=ESR+jwL-j/wC)与频率的关系。
在低频范围内，电容呈现容抗特性；中频范围内，主要是ESR特性；高频范围内，感抗占主导作用。
简单得说，就是器件上不可避免得带有寄生电感和寄生电容。
随着频率的提高，电容的电抗值将越来越接近0，而寄生电感的电抗值却逐渐增大，最
后超过电容的电抗而使整个器件表现为电感性。
容量越大的电容，其高频电抗值越接近0，就越容易被本身的寄生电感所超越。
同理，电感在高频也可能表现为电容性，而且越大的电感越容易发生这样。
电容器陶瓷高频
（2）金红石生产中存在的问题：
①严防SiO2杂质的进入。SiO2会使介电常数下降， 介电常数的温度系数绝对值变小，因此，球磨必 须用刚玉磨球及内衬。
（2）金红石生产中存在的问题：
②由于TiO2可塑性差,坯料常需适当的陈腐时间, 使TiO2水解,以提高可塑性。新练出的泥料可通 过加入酸(如醋酸)碱（如氨水）适当调节PH值， 克服坯料触变性，提高成型性能。另外，在新练 的泥中，掺入50%左右的回坯料，亦可使坯料水 份均匀，改善或消除坯料的触变性，这也是工厂 中常用的有效措施之一。
§ 2-2 电容器瓷的介电特性
一、高频电容器瓷的分类
二、 值不同的原因
三、ε的对数混合法则 四、产生高介电系数的原因 五、含钛陶瓷的介质损耗
§ 2-2 电容器瓷的介电特性
一、 高频电容器瓷的分类
金红石瓷：TiO2
按主晶相分
钛酸盐瓷：CaTiO3、SrTiO3、MgTiO3 锡酸盐瓷：CaSnO3、 SrSnO3 锆酸盐瓷：CaZrO3
La2O3·2TiO2：ε=38, αε=+30×10-6/℃ Bi2O3·2TiO2：ε=104, αε=-150×10-6/℃
当有CaCO3过量时,会生成部分 Ca3Ti2O7(ε=55),使材料的ε下降。因此,配方宁可 TiO2稍稍过量。
烧块的质量可以由测定游离氧化钙的含量来评 价。
此外,如果希望降低瓷料的温度系数绝对值, 尚 可采用La2Ti2O7,若希望瓷料的介电常数增大,则 可用SrTiO3和Bi2Ti2O7来调整性能。
陶瓷电容器以其体积小、容量大、结构简单、优 良的高频特性、品种繁多、价格低廉、便于大批 量生产而广泛应用于家用电器、通信设备、工业 仪器仪表等领域。
陶瓷电容器是目前飞速发展的电子技术的基础之 一,今后,随着集成电路（IC)、大规模集成电路 (LSI)的发展,可以预计,陶瓷电容器将会有更大的 发展。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
§ 2-3 高频电容器瓷 一、 热补偿电容器瓷 二、 热稳定电容器瓷 三、 温度系数系列化的电容器瓷
电容器陶瓷高频
一、温度补偿电容器陶瓷
高频温度补偿电容器陶瓷的介电常数在650以下，介电常数
的温度系数较小，而且可通过组成的调整，使介电常数的温
度系数灵活地变化。介电常数的温度系数常为负值，用来补
偿回路中电感的正温度系数，使回路的谐振频率保持稳定。 1.金红石瓷 ε：80～90，αε：-750～-850×10-6/℃ 2.钛酸钙陶瓷 ε：150～160 αε：-2300×10-6/℃( -60～120 ℃)
电容器陶瓷高频
陶瓷电容器以其体积小、容量大、结构简单、优 良的高频特性、品种繁多、价格低廉、便于大批 量生产而广泛应用于家用电器、通信设备、工业 仪器仪表等领域。
陶瓷电容器是目前飞速发展的电子技术的基础之 一,今后,随着集成电路（IC)、大规模集成电路 (LSI)的发展,可以预计,陶瓷电容器将会有更大的 发展。
电容器陶瓷高频
§ 2-2 电容器瓷的介电特性 一、高频电容器瓷的分类 二、 值不同的原因 三、ε的对数混合法则 四、产生高介电系数的原因 五、含钛陶瓷的介质损耗
电容器陶瓷高频
§ 2-2 电容器瓷的介电特性
一、 高频电容器瓷的分类
按主晶相分
按
金红石瓷：TiO2 钛酸盐瓷：CaTiO3、SrTiO3、MgTiO3 锡酸盐瓷：CaSnO3、 SrSnO3 锆酸盐瓷：CaZrO3 铌铋锌系：ZnO－Bi2O3-Nb2O5
五、 含钛陶瓷的介质损耗 低温下高频电容器瓷的tgδ较小，但在一定的频率下，
当温度超过某一临界温度后，由离子松弛极化和电子电 导所引起的大量能量损耗，使材料的介质损耗急剧地增 大。 另外：①TiO2的二次再结晶，破坏晶粒的均匀度，使材 料的机械性能和介电性能恶化；②Ti4+→Ti3+→tgδ↑
电容器陶瓷高频
Ⅱ类瓷以高介电常数为特征，为具有钙钛矿型结构的 铁电强介瓷料，如BaTiO3、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3。（主要 用于：低频高介电容器瓷）
Ⅲ类瓷：半导体陶瓷
电容器陶瓷高频
高频介质陶瓷：制造Ⅰ类瓷介电容器（GB366383)的陶瓷电介质。与装置瓷、铁电陶瓷相比： ①介电常数高，8.5～900； ②介质损耗小，一般tgδ小于6×10-4； ③介电系数温度系数的范围很宽，且要求系列化。
电容器陶瓷高频
2）电容器两个重要的特性 通交隔直 在充电或放电的过程中，两极板上的电荷有积累过
程，或者说极板上的电压有建立过程，因此电容器 上的电压不能突变。
电容器陶瓷高频
2.电容器的分类
陶瓷介质类（1、2、3类） 有机薄膜类（聚酯PET、聚丙烯PP、聚苯乙烯PS、
聚碳酸酯PC、聚2,6萘乙烯酯PEN、聚苯硫醚 PPS） 电解类：钽、铝电解液、有机半导体络合盐 TCNQ、导电聚合物阴极聚吡咯（PPY）\聚噻吩 （PTN） 其他类（云母、云母纸、空气）
I类瓷
1
d
dT
ITI类C瓷 25oC 25o C
电容器陶瓷高频
§ 2-1 概述
④ 体积电阻率ρv高（ρv>1012Ω·cm） 为保证高温时能有效工作，要求ρv高
⑤ 抗电强度Ep要高 a、小型化，使Ε=V/d↑ b、陶瓷材料的分散性，即使Ε<Ep，可能仍有击穿
电容器陶瓷高频
§ 2-1 概述
2、电容器瓷分类：
电容器陶瓷高频
§ 2-1 概述
1、对电容器瓷的一般要求： ① 介电常数大，以制造小体积、重量轻的陶瓷电容器， ε↑→电容器体积↓→整机体积、重量↓ ② 介质损耗小，tgδ=（1~6）×10-4，保证回路的高Q值。 高介电容器瓷工作在高频下时ω↑、tgδ↑ 。 ③ 对I类瓷，介电系数的温度系数αε要系列化。对II类瓷， 则用ε随温度的变化率表示（非线性）。
ห้องสมุดไป่ตู้
低介（ε<10，tgδ小），装置瓷
Ⅰ类瓷： （高频）
中介（ε=12~50
，tgδ小）
高介（ε=60~200，tgδ小）
Ⅱ类瓷：高ε，较大的tgδ，强介陶瓷或称铁电陶瓷 （低频）
Ⅲ类瓷：超高ε,半导体陶瓷
电容器陶瓷高频
§ 2-1 概述
Ⅰ类瓷是电容量随温度变化稳定度高的电容器瓷，主 要用于高频谐振回路中。Ⅰ类瓷主要以钛、锆、锡的 化合物及固溶体为主晶相。（主要用于：高频热稳定 电容器瓷，高频热补偿电容器瓷）
子位移极化后，产生强大的局部内电场，并进一步产 生强烈的离子位移极化和电子位移极化，使得作用在 离子上的内电场得到显著加强，故ε大。 钛酸锶铋也是利用SrTiO3钙钛矿型结构的内电场，而 加入钛酸铋等，使之产生锶离子空位，产生离子松弛 极化，从而使ε增大。
电容器陶瓷高频
§ 2-2 电容器瓷的介电特性
a、 TiO2、CaTiO3 ( << 0)
b、 CaSnO3、CaZrO3 ( > 0)
c、 BaO·4TiO2 ( 0)
电容器陶瓷高频
§ 2-2 电容器瓷的介电特性
三、ε的对数混合法则
ln x1ln 1x2ln 2
x1 1 x2 2
x1x2 1
对于n相系统：
lnx1ln1x2ln2.... xnlnn x11x22... xnn
第二章 电容器陶瓷
电容器陶瓷高频
片状电容器 贴片式多层陶瓷电容器MLCC
电容器陶瓷高频
1.电容的基础知识
1）概念： 能存储电荷的容器。 电容器基本模型是一种中间被电介质材料隔开的
的双层导体电极所构成的单片器件。这种介质必 须是纯绝缘材料。电容器常用的介质材料有空气、 天然介质、合成材料。电容器所用陶瓷介质是以 钛酸盐为主要成份。
x1x2... xn1
电容器陶瓷高频
§ 2-2 电容器瓷的介电特性
由以上法则，在生产实践中，可用具有不同εi、 αi材料通过改变浓度比来获得满足各种温度系数要 求的材料。 如：由αε>0 +αε<0的瓷料获得αε≈0的瓷料。
电容器陶瓷高频
§ 2-2 电容器瓷的介电特性
四、 产生高介电系数的原因 金红石型和钙钛矿型结构的陶瓷具有特殊的结构，离
按αε的值分
< 0：TiO 、CaTiO 、SrTiO
2
3
3
> 0：MgTiO3 、 CaSnO3 、 SrSnO3、 CaZrO3
0： BaO•4TiO2 电容器陶瓷高频
§ 2-2 电容器瓷的介电特性
二、 值不同的原因
有正、负、零，取决于不同温度下质点的极化程
度，也决定于相应温度下单位体积的质点数。