S8050三极管规格书 长电S8050参数
三极管 8550 和 8050 封装定义及参数
三极管8550 和8050 封装定义及参数
模拟技术&音响制2009-10-18 19:51:03 阅读161 评论0 字号：大中小订阅
8550是电子电路中常用到的小功率pnp型硅晶体三极管。
很多放大电路中都要用到他,下面是引脚资料介绍.
<三极管8550管脚图>
1.发射极
2.基极
3.集电极
8550参数:
集电极-基极电压Vcbo：-40V
工作温度：-55℃to +150℃
和8050（NPN）相对
贴片smt封装的8550三极管引脚图及功能.
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8050三极管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电（VCEO）:25; 频率:150 KHz
8050引脚图
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：C060AJ-00
芯片厚度：240±20μm
管芯尺寸：600×600μm 2
焊位尺寸：B 极130×150μm 2；E 极140×130μm 2电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：S8050，H8050
极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）
Tstg——贮存温度-55~150℃
Tj——结温150℃
PC——集电极耗散功率1W
VCBO——集电极—基极电压40V
VCEO——集电极—发射极电压25V
VEBO——发射极—基极电压6V
IC——集电极电流1.2A。
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN集电极-发射极电压30V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.03A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989012 结构：PNP集电极-发射极电压-30V集电极-基电压-40V射极-基极电压-5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009013 结构：NPN集电极-发射极电压25V集电极-基电压45V射极-基极电压5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压45V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.1A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009015 结构：PNP集电极-发射极电压-45V集电极-基电压-50V射极-基极电压-5V集电极电流0.1A耗散功率0.45W结温150℃特怔频率平均300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009016 结构：NPN集电极-发射极电压20V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.025A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989018 结构：NPN集电极-发射极电压15V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.05A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198三极管85508550是一种常用的普通三极管。
s8050放大电路实验
s8050放大电路实验S8050 DF331最优方案12V 基极电阻 4.7K 1.8K集电极电流5.87V/50=117mA集电极电阻功率为0.686W,基极电阻功率为0.000423W，三极管功率为0.336W7.55V/50=151mA集电极电阻功率为1.14W,基极电阻功率为0.000624w，三极管功率为0.135W二极管电压 2.17V 2.35V基极电流 1.41V/4.7K=0.3mA 1.06V/1.8K=0.589mA 发射结电压0.56V 正偏0.7V 正偏ULN2003输出脚电压0.84V0.9V集电结电压 2.57V 反偏（放大区）0.2V 反偏（放大区）三极管放大倍数117mA/0.3mA=390151mA/0.589mA=256 S8050 DF3315V 基极电阻 4.7K 1.8K集电极电流2.27V/50=45.4mA集电极电阻功率为0.103W,基极电阻功率为0.000589W，三极管功率为0.0045W2.32V/50=46.4mA集电极电阻功率为0.107W,基极电阻功率为0.0015W，三极管功率为0.0027W二极管电压 1.88V 1.86V基极电流 1.67V/4.7K=0.353mA 1.66V/1.8K=0.92mA发射结电压0.70V 正偏0.72V 正偏ULN2003输出脚电压0.75V0.76V集电结电压0.61v 正偏（截止区）0.66V 正偏（截至区）三极管放大倍数45.4mA/0.353mA=12846.4mA/0.92mA=40.6 1K8.15V/50=163mA（非常烫手）集电极电阻功率为1.328W,基极电阻功率为0.0008836W，三极管功率为0.048W 2.42V0.94V/1K=0.94mA0.74正偏0.90V0.44V 正偏（截止区）163mA/0.94mA=1731K2.28V/50=45.6mA集电极电阻功率为0.104W,基极电阻功率为0.00256W，三极管功率为0.001824W 1.90V1.60V/1K=1.6mA0.73V 正偏0.76V0.69V 正偏（截至区）45.6mA/1.6mA=28.5。
s8050基极电压
s8050基极电压S8050基极电压是指S8050三极管的基极电压。
三极管是一种常用的电子元件，广泛应用于电子电路中。
而S8050是一种常见的NPN型三极管，具有较高的电流放大倍数和较低的饱和压降，被广泛应用于各种电子设备中。
基极电压是指三极管中基极与发射极之间的电压差。
在正常工作状态下，S8050的基极电压通常为0.6V至0.7V之间。
这个数值是根据三极管的材料和结构特性决定的，也是保证三极管正常工作的重要参数之一。
基极电压的大小对三极管的工作状态和性能有着重要影响。
当基极电压小于0.6V时，三极管处于截止状态，无法工作。
而当基极电压大于0.7V时，三极管处于饱和状态，电流放大倍数较低。
因此，在设计电子电路时，需要合理选择基极电压，以确保三极管能够正常工作。
S8050三极管的基极电压可以通过外部电路进行调节。
一种常见的方法是通过电阻分压来实现。
通过将一个适当的电阻连接到基极和地之间，可以将基极电压调整到所需的数值范围内。
这样可以根据具体的应用需求，灵活地控制三极管的工作状态。
除了基极电压，S8050三极管还有其他重要的参数需要考虑。
例如，集电极电流、最大功耗、最大工作温度等。
这些参数都会对三极管的性能和可靠性产生影响。
因此，在选择和使用S8050三极管时，需要仔细研究其参数和规格书，确保其能够满足具体的应用需求。
总之，S8050基极电压是S8050三极管的重要参数之一。
合理选择和调节基极电压，可以确保三极管正常工作，并满足具体的应用需求。
在设计和使用电子电路时，需要充分了解和考虑三极管的各项参数，以确保电路的性能和可靠性。
s8050
S80501. 概述S8050是一种NPN型的晶体管，常用于低功耗、低噪音放大器和开关电路中。
它具有高电流增益和较低的饱和压降，使得它在各种电子设备中都得到广泛应用。
2. 特性S8050晶体管具有以下主要特点：•极限值：–集电极-基极电压：30V–集电极-发射极电压：25V–集电极电流：0.5A–整体功耗：625mW•封装：TO-92•高电流增益：40 - 300•高频带宽：100MHz•高电压稳定性•低噪音3. 引脚配置S8050晶体管的引脚配置如下：┌─────┐集电极──┤ ├─ 发射极│ │基极───┤ ├─ 基极└─────┘4. 用途由于S8050具有高电流增益和较低的饱和压降，因此广泛应用于以下领域：1.低噪音放大器：S8050可以在低噪音场合中以放大器的形式使用，比如在无线通信设备中。
2.开关电路：由于S8050的高电流增益和高电压稳定性，它可以用作开关电路的驱动器，如电源开关和控制电路。
3.电源稳压：S8050具有良好的电压稳定性，可用于电源稳定电路中，确保稳定的电压输出。
4.控制电路：由于S8050的快速开关特性，它可以用作控制电路中的开关元件。
5.低功耗设备：由于S8050的低功耗特性，它适合用于低功耗设备的驱动和控制。
5. 电路示意图下图显示了一个使用S8050的常见电路示意图：R1Vcc ────►████|▼███████B████ C| |─────┘RL▼─────┌┘或掉电6. 典型参数以下是S8050的一些典型参数：•集电极-基极电压：30V•集电极-发射极电压：25V•集电极电流：0.5A•整体功耗：625mW•直流电流增益：40-300•最大频率：100MHz•封装类型：TO-927. 使用注意事项•在应用S8050时，必须确保在其允许的电流和电压范围内使用。
•使用适当的散热措施，以确保晶体管处于安全工作温度范围内。
•在进行焊接时应小心，避免损坏引脚和封装。
s8050三极管中文
8050是非常常见的NPN型晶体三极管，在各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，主要用于高频放大。
编辑本段8050管脚图8050三极管（TO-92封装）管脚图8050三极管（TO-92封装）管脚图8050三极管（TO-92封装）管脚图8050三极管（SOT-23封装）管脚图编辑本段8050三极管参数类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电（VCEO）:25; 频率:150 MHz PE8050 硅NPN 30V 1.5A 1.1W 3DG8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K 2SC8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K MC8050 硅NPN 25V 700mA 200mW 150MHz CS8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K编辑本段三极管管脚识别方法三极管管脚识别方法：(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如8050，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。
在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
几种常见8050的区别
几种常见8050的区别8050 8550三极管有时在电路里做为对管来使用，也有的做单管应用。
在有些电路里对S8050放大倍数要求是很高的，不能随意替换，必需要用原参数管才能替换，否则电路不能正常工作。
8050为NPN型三极管8550为PNP型三极管S8050 S8550参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压0.6V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为EBC或ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-3508050S 8550S参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压0.5V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 E280-400 L100-200 H200-350关于C8050 C8550参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300关于8050SS 8550SS参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种关于SS8050 SS8550参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400图一是这几种三极管的管脚排列图。
PNP-NPN区别及S8550-S8050参数
PNP 、NPN 的区别及三极管S8550和S8050 参数NPN 是用B T E 的电流（IB ）控制C T E 的电流（IC ） , E 极电位最低，且正常放大时通 常C 极电位最高，即 VC > VB > VEPNP 是用E T B 的电流（IB ）控制E T C 的电流（IC ）, E 极电位最高，且正常放大时通 常C 极电位最低，即 VC<VB<VENPN 电路中，E 最终都是接到地板（直接或间接），C 最终都是接到天花板 （直接或间接） PNP 电路则相反，C 最终都是接到地板（直接或间接），E 最终都是接到天花板（直接或间 接）。
这也是为了满足上面的 VC 和VE 的关系。
NPN 基极高电压，集电极与发射极短路。
低电压，集电极与发射极开路。
也就是不工作。
PNP 基极高电压，集电极与发射极开路，也就是不工作。
如果基极加低电位，集电极与发 射极短路。
NPN 和PNP 的区别： 1.如果输入一个高电平，而输出需要一个低电平时，首选择npn 。
黄电结、a oN -P -一基工H一rbo --------c-—N --WlxVa集电權G2. 如果输入一个低电平，而输出需要一个低电平时，首选择 pnp 。
3. 如果输入一个低电平，而输出需要一个高电平时，首选择 npn 。
4. 如果输入一个高电平，而输出需要一个高电平时，首选择pnp 。
圄片一TO92封装S8050和S8550是现在很常用的小功率三极管。
S8050是NPN 管，S8550是PNP 管。
它们引脚排列完全一样。
你面对字标，自左向右一一e ;发射极；b 基级；c 集电极。
指针万用表核对：档位拨到 hfe 档位，8050插入到NPN 测试孔，8550插入到PNP 测试孔，万用表正确指示 hfe 值的，万用表测试孔标定的ebc 管脚记下就是了。
S8550 TO-92封装TO 921. 发射扱2. 基极玉集电扱SOT —23T 基极 2发射根3集电棣團片二贴片对装W WEI 1 Z5M|S8550PNP General Purpose Transistors 观 Lead(Pb)-Free,.™r Z. BA^iE I^COLLECTOR、ABSOLCTE MAXJMUV1 RATIM^S (T 沪站t )RjtflDgS? nibihl ^'alur Uni[ Coilectcr-Emilter VoltageVCEO -2SVdc Collector-Base Voltage VtBOVdc Emvitt^r-Base VOltageV£BO-SOVdc Collector Current<C -SOO m Adc Total Device Dissipation T A =25 <Z Pp Q 635 W Junction Ttrnperature TJ ISO p Storage. Ternp&ratureTstg-55 10 fl 50°CS8550 SOT-23MAXIMUM RATINGS (T A =25 Cunless ottienvise notedSymbol Pa4r<amfli$r Value Units VtM Gollector'Basft Vbitfige 40 V VetoCoKectw-Emlfter votta^e 25 V 皿 Emilter-Base Vdtage 5V lcGodeclw Currenl -Conlinuou^ 0.5A P CCoiilectv OiMipanon 03w 卜Junction Temp&mure150£JStoraoa TemperalurB■55-15QS8050 TO-92FEATURESComplim&frtary tc S855OCollector Current" IC=& 5AMARKING; J3YSOT-23DimMin MaxA2.8Q03 040 6 1 2001 400 CQmC 1.110 D Q.37QO^OCIG 1.TB0 2X0 H 0.013 0.100J o.oes0.177K0.4AO 0<600 L 0.6S0 1 QEOs 2.100 2 500 ¥0.450OuOOOAll Di men sio n in mmi ■in*A 初 e 賈ci 「V •嚏per”豊n 乳河 晒补-MtEle TS8050 SOT-23。
s8050中文资料_数据手册_参数
UTC S8050NPN外延硅晶体管S8050半导体技术有限公司1QW-R201-013,ALOW电压高电流小 信号特性*集电极电流可达700mA*集电极-发射极电压可达20v *，补充S8550TO-9211:发射极 2:基数3:COLLECTORABSOLUTE最高评级(Ta = 25°C,除非另有说 明)PARAMETERSYMBOLVALUEUNITCollector-Base VoltageVCBO30VCollector-Emitter VoltageVCEO20VEmitter-Base VoltageVEBO5VCollector耗散(Ta = 25°C)Pc1WCollector CurrentIc700mAJunction TemperatureTj150°CStorage temperaturetstg - 65 ~ + 150° CELECTRICAL特征(Ta = 25°C,除非另有说明)PARAMETERSYMBOLTEST CONDITIONSMINTYPMAXUS8050NITCollector-Base击穿VoltageBVCBOIc = 100 a,IE = 030 vcollector-emitter击穿VoltageBVCEOIc = 1 ma,IB = 020 vemitter-base分解VoltageBVEBOIE = 100 a,Ic = 05 vcollector截止CurrentICBOVCB = 30 v,IE = 01 aemitter截止CurrentIEBOVEB = 5 v,Ic = 0100 nadc电流增益(注意)hFE1hFE2hFE3VCE = 1 v,Ic = 1 mAVCE = 1 v,Ic = 150 mAVCE = 1 v,Ic = 500 ma10012040110400collector-emitter饱和VoltageVCE(坐)Ic = 500 ma,IB = 50 ma0.5vbase-emitter饱和度VoltageVBE(satS8050)Ic=500mA,IB= 50ma1.2 vbase -发射器饱和 VoltageVBEVCE=1V,Ic=10mA1.0VCurrent Gain Bandwidth ProductfTVCE=10V,Ic=50mA100MHzOutput capacity itancecobvcb =10V,IE=0f=1MHz9.0p绝对 最大额定值(Ta = 25°C,除非另有说明)PARAS8050METERSYMBOLRATINGSUNITCollectorBase VoltageVCBO30VCollector-Emitter VoltageVCEO20VEmitter-Base VoltageVEBO5VCollector CurrentIc700mACollector耗散(Ta = 25°C)Pc1WJunction TemperatureTJ150°CStorage temperaturetstg - 65 ~ + 150°CNote:绝对最大额定参数的值超过此设备可以永久损坏。绝对 最大额定值仅为应力额定值，功能器S8050件操作不包含在内。电特性(Ta = 25°C,除非另 有说明)PARAMETERSYMBOLTEST CONDITIONSMINTYPMAXUNITCollector-Base击穿 VoltageBVCBOIc = 100μa,IE = 030 vcollector-emitter击穿VoltageBVCEOIc = 1 ma,IB = 020 vemitter-base分解VoltageBVEBOIE = 100μa,Ic = 05 vcollector截止CurrentICBOVCB = 30 v,IE = 01μaemitter截止CurrentIEBOVEB = 5 v,Ic = 0100 nahfe1vce = 1 v,Ic = 1 ma100hfe2vce = 1 v,Ic = 150 mA120110400DC当前GainhFE3VCE = 1 v,Ic = 500 ma40collector-emitter饱和 VoltageVCE(坐)Ic马= 500,IB= 50ma0.5 vbase -发射器饱和度VoltageVBE(SAT) Ic=500mA, IB= 50ma1.2 vbase -发射器饱和度VoltageVBEVCE=1V, Ic=10mA1.0VCurrent Gain Bandwidth ProductfTVCE=10V, Ic= 50ma100mhz100mhzS8050输出容量itancecobvcb =10V, icb20 2h282hfpv25
FOSAN富信电子 三极管 S8050-产品规格书
安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.S8050 SOT-23Bipolar Transistor双极型三极管▉Features特点NPN General Purpose通用▉Absolute Maximum Ratings最大额定值Characteristic特性参数Symbol符号Rat额定值Unit单位Collector-Base Voltage集电极基极电压V CBO40V Collector-Emitter Voltage集电极发射极电压V CEO25V Emitter-Base Voltage发射极基极电压V EBO5V Collector Current集电极电流I C500mA Power dissipation耗散功率P C(T a=25℃)300mW Thermal Resistance Junction-Ambient热阻RΘJA417℃/WJunction and Storage TemperatureT J,T stg-55to+150℃结温和储藏温度■Device Marking产品打标S8050=J3YANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.S8050■ElectricalCharacteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号Min 最小值Type 典型值Max 最大值Unit 单位Collector-Base Breakdown V oltage集电极基极击穿电压(I C =100uA ，I E =0)BV CBO 40——V Collector-Emitter Breakdown Voltage 集电极发射极击穿电压(I C =1mA ，I B =0)BV CEO 25——V Emitter-Base Breakdown V oltage发射极基极击穿电压(I E =100uA ，I C =0)BV EBO 5——V Collector-Base Leakage Current集电极基极漏电流(V CB =40V ，I E =0)I CBO ——100nA Collector-Emitter Punch Throng Current 集电极发射极穿透电流(V CE =20V ，V BE =0)I CES ——100nA Emitter-Base Leakage Current发射极基极漏电流(V EB =3V ，I C =0)I EBO ——100nADC Current Gain直流电流增益(V CE =1V ，I C =50mA)H FE(1)120—400DC Current Gain直流电流增益(V CE =1V ，I C =500mA)H FE(2)50——Collector-Emitter Saturation Voltage 集电极发射极饱和压降(I C =500mA ，I B =50mA)V CE(sat)——0.6V Base-Emitter Saturation V oltage 基极发射极饱和压降(I C =500mA ，I B =50mA)V BE(sat)—— 1.2V Transition Frequency特征频率(V CE =5V ，I C =20mA)f T—250—MH Z Output Capacitance输出电容(V CB =10V ，I E =0,f=1MH Z )C ob—6—pFANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.S8050■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.S8050■Dimension外形封装尺寸Symbol Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Min Max Min Max A 0.900 1.1500.0350.045A10.0000.1000.0000.004A20.900 1.0500.0350.041b 0.3000.5000.0120.020c 0.0800.1500.0030.006D 2.800 3.0000.1100.118E 1.200 1.4000.0500.055E1 2.2502.5500.0890.100e 0.950TYP0.037TYPe1 1.8002.0000.0710.079L 0.550REF0.022REFL10.3000.5000.0120.020θ0o8o 0o8o。
三极管8050和8550对管的参数
图１8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列图２8050和8550三极管SOT-23封装外形和引脚排列8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。
8050 为硅材料NPN型三极管；8550 为硅材料PNP型三极管。
8050S 8550S S8050 S8550 参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出按三极管后缀号分为B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350C8050 C8550 参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-3008050SS 8550SS 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400引脚排列有EBC ECB两种SS8050 SS8550 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400NEC的8050最大集电极电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集电极-发射极电压（VCEO）:25;频率:150 MHz .其它的8050PE8050 硅NPN 30V 1.5A 1.1WMC8050 硅NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K3DG8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K值得注意的是，在代换相应的8050或8550三极管时，除了型号匹配，放大倍数也是很重要的参数。
s8050三极管的反相电路
s8050三极管的反相电路S8050三极管的反相电路引言：反相电路是一种常用的电路配置，它可以将输入信号的相位反转，并输出一个反向的信号。
在实际应用中，反相电路常用于信号放大、滤波和线性运算等方面。
本文将重点介绍以S8050三极管为核心的反相电路。
一、S8050三极管的基本特性S8050是一种NPN型三极管，具有以下主要特性：1. 集电极电流（IC）：最大可承受0.5A的集电极电流，这意味着它可以用于较小的功率电路。
2. 饱和电压（VCEsat）：正常工作时的饱和电压通常为0.2V，这使得S8050三极管在开关电路中具有较低的能量损耗。
3. 最大漏极电压（VCEO）：最大可承受的漏极电压为40V，这使得S8050三极管在较高电压的电路中具有良好的稳定性。
二、S8050三极管的反相电路原理反相电路是一种基本的放大电路，通过将输入信号的相位反转并放大后输出。
而S8050三极管的反相电路则是利用S8050三极管的放大特性来实现这一功能。
三、S8050三极管的反相电路的具体实现S8050三极管的反相电路可以使用以下电路图来表示：输入信号---->R1---->基极（B）---->发射极（E）---->地|R2|集电极（C）---->输出信号在这个电路中，R1起到了限流的作用，R2起到了反馈的作用。
当输入信号为正向时，S8050三极管的基极电流增大，导致集电极电流也增大，输出信号为负向。
当输入信号为负向时，S8050三极管的基极电流减小，导致集电极电流也减小，输出信号为正向。
通过这样的反向放大，实现了输入信号的相位反转。
四、S8050三极管的反相电路的应用S8050三极管的反相电路可以广泛应用于许多领域，如音频放大、信号滤波、信号调理等。
在音频放大领域中，反相电路可以将输入的音频信号放大后输出，实现声音的放大效果。
在信号滤波领域中，反相电路可以通过选择合适的滤波器实现对特定频率范围内的信号进行滤波，去除不需要的信号成分。
8050三极管参数，8050的引脚参数
8050三极管参数，8050的引脚参数首先，三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
8050是非常常见的NPN型晶体三极管，在各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，主要用于高频放大。
参数：类型:开关型;极性:NPN;材料:硅;最大集电极电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集电极-发射极电压(VCEO):25;特征频率:150 MHzPE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *KMC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K对于8050的引脚参数其实很容易判别的。
S8050,NPN三极管，平面向上，左到右分别为为EBC极D8050则是ECB极8050参数：BVCBO=40伏，BVCEO=25伏，I=1.5安，P=1瓦8050S参数：BVCBO=25伏，BVCEO=20伏，I=0.7安，P=0.625瓦S8050和S8550是现在很常用的小功率三极管。
S8050是NPN 管，S8550是PNP管。
它们参数都一样。
BVceo=25V，Pcm=1W，Icm=1.5A，引脚排列完全一样。
面对型号，从左到右引脚分别是e、b、c。
/342ac65c10385343e7e2f4499313b07eca8088ac?x-bce-process=image/resize,m_lfit,w_600,h_800,limit_18050三极管参数共享文档 2018-06-28 2页用App免费查看8050三极管参数类型:开关型;极性:NPN;材料:硅;最大集存器电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集存器发射电(VCEO):25;频率:150 MHzPE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *KMC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。
S8050技术规格书
Value
Units
VCBO
Collector-Base Voltage
40
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
25
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
6
V
IC
Collector Current -Continuous
800
mA
PC
Collector Power Dissipation
* Pulse Test : pulse width ≤ 300µs , duty cycle ≤2%. CLASSIFICATION OF hFE(2)
Rank
L
40
V
25
V
6
V
0.1
μA
0.1
μA
45
80Leabharlann 300400.5
V
1.2
V
150
MHz
H
Range
80-200
200-300
M8050
SOT-23 Transistor(NPN)
M8050(NPN)
TO-92 Transistors
1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR
TO-92
Features
Power dissipation
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
■最大額定值(Ta=25℃)
CHARACTERISTIC 特性參數
Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓
s8050 放大电路实验
S8050 DF331最优方案12V 基极电阻 4.7K 1.8K集电极电流5.87V/50=117mA集电极电阻功率为0.686W,基极电阻功率为0.000423W，三极管功率为0.336W7.55V/50=151mA集电极电阻功率为1.14W,基极电阻功率为0.000624w，三极管功率为0.135W二极管电压 2.17V 2.35V基极电流 1.41V/4.7K=0.3mA 1.06V/1.8K=0.589mA 发射结电压0.56V 正偏0.7V 正偏ULN2003输出脚电压0.84V0.9V集电结电压 2.57V 反偏（放大区）0.2V 反偏（放大区）三极管放大倍数117mA/0.3mA=390151mA/0.589mA=256 S8050 DF3315V基极电阻 4.7K 1.8K集电极电流2.27V/50=45.4mA集电极电阻功率为0.103W,基极电阻功率为0.000589W，三极管功率为0.0045W2.32V/50=46.4mA集电极电阻功率为0.107W,基极电阻功率为0.0015W，三极管功率为0.0027W二极管电压 1.88V 1.86V基极电流 1.67V/4.7K=0.353mA 1.66V/1.8K=0.92mA发射结电压0.70V 正偏0.72V 正偏ULN2003输出脚电压0.75V0.76V集电结电压0.61v 正偏（截止区）0.66V 正偏（截至区）三极管放大倍数45.4mA/0.353mA=12846.4mA/0.92mA=40.61K8.15V/50=163mA（非常烫手）集电极电阻功率为1.328W,基极电阻功率为0.0008836W，三极管功率为0.048W 2.42V0.94V/1K=0.94mA0.74正偏0.90V0.44V 正偏（截止区）163mA/0.94mA=1731K2.28V/50=45.6mA集电极电阻功率为0.104W,基极电阻功率为0.00256W，三极管功率为0.001824W 1.90V1.60V/1K=1.6mA0.73V 正偏0.76V0.69V 正偏（截至区）45.6mA/1.6mA=28.5。
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V
—— I
CEsat
C
100
Ta=100℃
30
Ta=25℃
10
1
3
10
30
100
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
I —— V
500
C
BE
COMMON EMITTER
VCE=1V
100
β=10
500
30
10
Ta=100℃
3
1
Ta=25℃
0.3 0.1
0.2
1000
0.4
0.6
0.8
Label on the Outer Box Outer Box: 440 mm× 440 mm× 230 mm
【 南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
S8050 TRANSI STOR (NPN)
V(BR)EBO
IE=100μA, IC=0
ICBO
V= CB=40 V , IE 0
ICEO IEBO HFE(1)
= VCB= 20V , I E 0 = VEB= 5V , IC 0 VCE= 1V, I C= 50mA
HFE(2) VCE(sat) VBE(sat)
fT
VCE= 1V, I C= 500mA
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Transition frequency
Symbol
Test conditions
V(BR)CBO
IC= 100μA, IE=0
V(BR)CEO = IC=1mA, IB 0
C
a
10
20
COLLECTOR POWER DISSIPATION PC (mW)
TRANSITION FREQUENCY fT (MHz)
100
200
100
10
10
30
100
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
0
0
25
50
75
100
125
150
AMBIENT TEMPERATURE Ta (℃)
1 100 30
10 3 1 0.1 400 300
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
S8050
h —— I
FE
C
COMMON EMITTER VCE=1V
Ta=100℃
Ta=25℃
3
10
30
100
500
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
C,Mar,2013
【 南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
Symbol
A A1 A2 b c D E E1 e e1 L L1 θ
Dimensions In Millimeters
Min.
Max.
0.900
1.150
0.000
0.100
0.900
1.050
Symbol
Parameter
VCBO
Collector-Base Voltage
VCEO
Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage
IC
Collector Current -Continuous
PC
Collector Dissipation
Tj
Junction Temperature
Tstg
Storage Temperature
Value
Unit
40
V
25
V
5
V
0.5
A
0.3
W
150
℃
-55-150
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current
I=500 mA, IB= 50mA
IC=500 mA, IB= 50mA VCE= 6V, I C= 20mA
f=30MHz
Min
Typ
40
25
5
120 50
150
Max
0.1 0.1 0.1 400
Unit V V V μA μA μA
0.6
V
1.2
V
MHz
CLASSIFICATION OF hFE(1) Rank
V
—— I
BEsat
C
Ta=25℃ Ta=100℃
3
1T IC (mA)
β=10
500
C / C —— V / V
ob ib
CB EB
Cib
f=1MHz IE=0/ IC=0 Ta=25℃
Cob
0.3
1
3
REVERSE VOLTAGE V (V)
P —— T
Seal the box with the tape
The top gasket
Stamp “EMPTY” on the empty box
Seal the box with the tape
QA Label
Label on the Inner Box Inner Box: 210 mm× 208 mm×203 mm
SOT-23
FEATURES z Complimentary to S8550 z Collector Current: IC=0.5A
1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR
MARKING: J3Y
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
BASE-EMMITER VOLTAGE VBE (V)
f —— I
T
C
1.0
VCE=6V Ta=25℃
CAPACITANCE C (pF)
BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VBEsat (V)
DC CURRENT GAIN hFE
1000
100
10 1
1.2 0.8 0.4 0.0
100 80 60 40 20 0 0
500 300
Static Characteristic
400uA 350uA 300uA
COMMON EMITTER Ta=25℃
250uA
200uA 150uA
100uA
4
8
12
16
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
IB=50uA
Range
L 120-200
H 200-350
J 300-400
C,Mar,2013
【 南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】
Typical Characterisitics
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VCEsat (mV)
0.300
0.500
0.080
0.150
2.800
3.000
1.200
1.400
2.250
2.550
0.950 TYP.
1.800
2.000
0.550 REF.
0.300
0.500
0°
8°
Dimensions In Inches
Min.
Max.
0.035
0.045
0.000
0.004
0.035
0.041
0.012
0.020
0.003
0.006
0.110
0.118
0.047
0.055
0.089
0.100
0.037 TYP.
0.071
0.079
0.022 REF.
0.012
0.020
0°
8°
The bottom gasket
3000×15 PCS
Label on the Reel 3000×1 PCS