华工2017模拟电子技术基础作业

合集下载

模拟电子技术基础习题解答

模拟电子技术基础习题解答

模拟电子技术基础(第四版)习题解答(总133页)--本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R大的特点。

( √ )GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( × )二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。

图解:U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, UO6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图34解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。

五、电路如图所示,V CC =15V ,=100,U BE =。

试问:(1)R b =50k 时,U o= (2)若T 临界饱和,则R b =解:(1)26BB BEB bV U I A R μ-==, 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。

《模拟电子技术基础》平时作业-华南理工大学网络教育

《模拟电子技术基础》平时作业-华南理工大学网络教育

2020年下半年度模拟电子技术基础作业1.集成运算放大器的基本组成有哪几个部分?并详细介绍各部功能及主要作用。

答:由输入级、中间级、输出级三部分组成。

作用如下: 输入级:采用差分放大电路以消除零点漂移和抑制干扰。

中间级:一般采用共发射极电路,以获得足够高的电压增益。

输出级:一般采用互补对称功放电路,以输出足够大的电压和电流,其输出电阻小,负载能力强。

2.测得放大电路中两个三极管中的两个电极的电流如图1试求:①另外一个电极电流的大小,并确定各电极的管脚。

②判断是NPN 型管还是PNP 型管。

③估算β值。

解:根据三极管电流关系I E = I C +I B ,I E >I C >>I B I E ≈I C ;确定①脚是基极;②脚是发射极, ③脚是集电极I E= I C +I B=1.86+0.03=1.89mA 发射极电流方向是流出。

根据管脚电流与方向确定NPN 型管Β= I C / I B =1.86/0.03=61图1 三极管管脚示意图3电路如图2所示,参数选择合理,若要满足振荡的相应条件, (1)将其正确连接成RC 桥式振荡电路。

(2)已知电路参数R=7.5K Ω,C 1=C 2=0.02μF,R 2=50 K Ω,估算振荡频率。

(3)已知电路参数R 2=50 K Ω,为保证电路起振,电阻R 1如何选取?解:5与7相连,3与1相连,4与2 相连,可组成RC 桥式振荡电路。

如图所示:(2)f o =2πRC =2×3.14×7.5×103×0.02×10−6=10.942×10−3≈1.06KHz(3)根据RC 桥式振荡电路的起振条件R 2>2R 1 50>2R 1 25KΩ>R 1图2 振荡器电路图。

2017年华南理工大学《电力电子技术》作业随堂联系模拟试题

2017年华南理工大学《电力电子技术》作业随堂联系模拟试题

第2至第8章作业 第2章 电力电子器件1. 使晶闸管导通的条件是什么?答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。

或:uAK>0且uGK>0。

2. 维持晶闸管导通的条件是什么?答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。

3. 怎样才能使晶闸管由导通变为关断?答:要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。

4. 图1中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为I m ,试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 1、I 2、I 3。

π4π4π25π4a)b)c)图1-43图1 晶闸管导电波形解:a) I d1=π21⎰ππωω4)(sin t td I m=π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1=⎰ππωωπ42)()sin (21t d t I m =2m I π2143+≈0.4767 I m b) I d2 =π1⎰ππωω4)(sin t td I m =πm I (122+)≈0.5434 I mI 2 =⎰ππωωπ42)()sin (1t d t I m =2m I π2123+≈0.898 I m c) I d3=π21⎰2)(πωt d I m =0.25I mI 3 =⎰202)(21πωπt d I m =0.5I m7. 晶闸管的触发脉冲需要满足哪些条件?答:A:触发信号应有足够的功率。

B :触发脉冲应有一定的宽度,脉冲前沿尽可能陡,使元件在触发导通后,阳极电流能迅速上升超过掣住电流而维持导通。

C :触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步,脉冲移相范围必须满足电路要求。

第3章 整流电路1. 单相半波可控整流电路对电感负载供电,L =20mH ,U 2=100V ,求当α=0°和60°时的负载电流I d ,并画出u d 与i d 波形。

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。

模拟信号是连续变化的信号,可以表示任意数值;数字信号是离散变化的信号,只能表示有限的数值。

2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。

电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。

模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域;数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。

第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流,并给出它们的单位。

电压(V)是电势差,单位为伏特(V);电流(I)是电荷通过导体的速率,单位为安培(A)。

2.列举常见的电压源和电流源。

常见的电压源有电池、发电机、电源等;常见的电流源有电流表、发电机、电源等。

3.简述欧姆定律的定义和公式。

欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。

根据欧姆定律,电流等于电压与电阻之间的比值,即I=V/R,其中I为电流,V为电压,R为电阻。

第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。

电阻是指导体对电流的阻碍程度,单位为欧姆(Ω)。

2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么?给出示意图。

–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加,即R= R1 + R2 + … + Rn,其中R为总电阻,R1、R2、…、Rn为各个电阻值。

–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加,再取倒数,即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn,其中R为总电阻,R1、R2、…、Rn为各个电阻值。

串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。

电压分压原理指的是当在一个电阻网络中,多个电阻串联,电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。

电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。

电容是指导体上储存电荷的能力,单位为法拉(F)。

2.串联电容和并联电容的计算方法是什么?给出示意图。

–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加,再取倒数,即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn,其中C为总电容,C1、C2、…、Cn为各个电容值。

华南理工大学大二电类专业模拟电子技术考试试卷及答案4

华南理工大学大二电类专业模拟电子技术考试试卷及答案4

华南理工大学期末考试模拟电子技术基础试卷及答案一、填空(25分)1.二极管最主要的特性是 。

2.三极管是 控制型器件,而场效应管是 控制型器件。

3.射极输出器具有______________恒小于1、接近于1,______________ 和__________同相,并具有_____________高和_______________低的特点。

5.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为_______V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为_________V ,经过电容滤波后为________V 二极管所承受的最大反向电压为 V 。

6、在门电路中,最基本的三种门电路是 门 门和 门。

7.时序逻辑电路按照其触发器是否有统一的时钟控制分为 时序电路和 时序电路。

二、单项选择题 (每小题 2分,总共20分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为,则这只三极管是( )。

A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( )。

A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。

A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( )。

A .不用输出变压器B .不用输出端大电容C .效率高D .无交越失真 5.稳压二极管稳压时,其工作在( ),发光二极管发光时,其工作在( )。

A .正向导通区 B .反向截止区 C .反向击穿区 6. 图示逻辑电路的逻辑式为( )。

(a) F =A B +A B(b) F =AB AB +(c) F =AB +A B8. 逻辑代数又称为 代数。

最基本的逻辑关系有 、 、 三种。

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。

当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。

3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。

二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。

( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。

( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。

(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。

( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。

( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。

( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。

(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压; V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=,则)V (2.11594T V T =,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1eTV V>>,于是TV V s eI I ⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V <<,于是s I I -≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。

华工2017模拟电子技术基础作业

华工2017模拟电子技术基础作业

教材 模拟电子技术基础(第四版) 清华大学模拟电子技术课程作业第1章 半导体器件1将PN 结加适当的正向电压,则空间电荷区将( B )。

(a)变宽 (b)变窄 (c)不变2半导体二极管的主要特点是具有( B )。

(a)电流放大作用 (b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( A )。

(a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压4若将PN 结短接,在外电路将( C )。

(a)产生一定量的恒定电流 (b)产生一冲击电流(c)不产生电流5电路如图所示,二极管D 1、D 2为理想元件,则在电路中( B )。

(a)D 1起箝位作用,D 2起隔离作用 (b)D 1起隔离作用,D 2起箝位作用 (c)D 1、D 2均起箝位作用 (d)D 1、D 2均起隔离作用D 1V 2V u O6二极管的反向饱和峰值电流随环境温度的升高而( A )。

(a)增大(b)减小 (c)不变7电路如图所示,二极管型号为2CP11,设电压表内阻为无穷大,电阻R =5k Ω,则电压表V 的读数约为( C )。

(a)0.7V (b)0V (c)10VR8电路如图所示,二极管D 为理想元件,输入信号u i 为如图所示的三角波,则输出电压u O的最大值为( C )。

(a)5V (b)10V (c)7VDu O9电路如图所示,二极管为理想元件,u i =6sin ωt V ,U =3V ,当ωt =π2瞬间,输出电压 u O 等于( B )。

(a)0V (b)6V(c)3VDu O10电路如图所示,二极管D 1,D 2,D 3均为理想元件,则输出电压u O =( A )。

(a)0V (b)-6V (c)-18V0V3--11电路如图所示,设二极管D1,D2为理想元件,试计算电路中电流I1,I2的值。

23k+-答:D1导通、D2截止.所以:I1=(12V+3V)/ 3k=5mAI2=012电路如图1所示,设输入信号u I1,u I2的波形如图2所示,若忽略二极管的正向压降,试画出输出电压uO的波形,并说明t1,t2时间内二极管D1,D2的工作状态。

模拟电子技术基础部分练习题含答案

模拟电子技术基础部分练习题含答案

模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、二极管在电路板上用( )表示。

A、CB、DC、RD、L正确答案:B2、根据作业指导书或样板之要求,不该断开的地方断开叫( )。

A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案:C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了? ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案:D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案:B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案:A6、多级放大电路各级的电压增益分别是:10dB、20 dB、30 dB,则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案:C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

A、变压器的效率越高,各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小,变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案:C8、在三极管放大电路中,三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案:D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案:C10、某三极管,测得其发射结反偏,集电结反偏,则该三极管处于( )。

A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案:B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案:B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为:1、100、-100,则总的电压放大倍数( )。

A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案:B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案:D14、在基本放大电路中,集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案:C15、在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

华工网络教育模拟电子随堂练习和答案

华工网络教育模拟电子随堂练习和答案

第1章常用半导体器件A. B. D.参考答案:CA. B. C. D.参考答案:BA. B. D.参考答案:Cui=10sin tVA. B. C. D.参考答案:CA. B. D.参考答案:D稳定电压与相应电流稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZA. B. C. D.参考答案:BA. B. D.参考答案:BA. B. D.参考答案:AA. B. D. 参考答案:BA. B. C. D. 参考答案:C是指A. B. D. 参考答案:BA. B.C.A. B. C. D.A. B. D.参考答案:BA. B. C. D.参考答案:B约A. B. D. 参考答案:CA. B. C. D. 参考答案:AA. B. D. 参考答案:BA. B. D. 参考答案:C.A. B. D. 参考答案:AA.6VB.0VC.0.6VD.5.3VA. B. C. D. 参考答案:AA. B. D.参考答案:CA. B. C. D.参考答案:A确定电压放大倍数A. B. D.参考答案:C管子的值太小电路电源电压太高偏置电阻太小偏置电阻太大A. B. C. D. 参考答案:CA. B. D. 参考答案:CA. B. C. D. 参考答案:AA. B. D.参考答案:AA. B. D.参考答案:BA. B. D.参考答案:B第二级的基极电流随之而改变(..)第二级的静态电流不改变但要改变A. B. C. D.参考答案:BA. B. C. D. 参考答案:CA. B. D. 参考答案:AA. B. C. D. 参考答案:AA. B. D. 参考答案:BA. B. C. D.参考答案:DA. B. D.参考答案:BA. B. C. D.参考答案:AA. B. D.参考答案:CA. B. C. D.参考答案:D.时的输出电压A. B. D.参考答案:DA. B. D. 参考答案:CA. B. D. 参考答案:AA. B. D. 参考答案:AA. B. D. 参考答案:BA. B. C. D. 参考答案:CA. B. D. 参考答案:BA. B. D. 参考答案:CA. B. D. 参考答案:BA. B. D. 参考答案:CB.A. B. D.参考答案:C若将源极旁路电容去掉A. B. C. D.参考答案:B约几十微法大于 C.小得多A. B. D.参考答案:C等于A. C.A. B. D. 参考答案:AA. B. D. 参考答案:BA. B. C. D. 参考答案:AA. B. D. 参考答案:AA. B. D. 参考答案:CA. B. D. 参考答案:AA. B. C. D. 参考答案:BA. B. D. 参考答案:CA. B. C. D.参考答案:C.A. B. C.A. B. D.参考答案:D一个正弦波振荡器的开环电压放大倍数为.A. B. C.A. B. C. D.参考答案:C反馈电压反馈电压反馈电压A. B. D.参考答案:C一个正弦波振荡器的反馈系数.开环电压放大倍数必须等于A. B. C.A. B. C. D.参考答案:C答题: A. B. C. D.A. B. D.参考答案:BA. B. C. D.参考答案:CA. B. D.参考答案:AA. B. C. D.参考答案:B..消耗的功率为A. D.A. B. D.参考答案:BA. B. C. D.A. B. D. 参考答案:CA. B. C. D. 参考答案:CA. B. D.参考答案:A.弦信号A. B. D.参考答案:AA. B. D.参考答案:CA. B. C. D.参考答案:CA. B. D.参考答案:CA. B. C. D.参考答案:A≤0.2sin出A.12sin V C.A. B. D.参考答案:CA. B. C. D.A. B. C. D.参考答案:B静态时电容两端的电压等于A. B. C. D.A. B. C. D.参考答案:BA. B. D.参考答案:B设变压器副边电压有效值为.输出电流平均值为。

模拟电子技术基础 习题册

模拟电子技术基础  习题册

模拟电子技术基础习题册(总28页)-本页仅作为预览文档封面,使用时请删除本页-专业姓名学号成绩1-1、写出如图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。

1-2、在单相桥式整流电路中,已知输出电压平均值U O(AV)=15V,负载电流平均值I L(AV)=100mA。

(1)变压器副边电压有效值U2≈(2)设电网电压波动范围为±10%。

在选择二极管的参数时,其最大整流平均电流I F和最高反向电压U R的下限值约为多少1-3、电路如图所示,变压器副边电压有效值为2U2。

(1)画出u2、u D1和u O的波形;(2)求出输出电压平均值U O(AV)和输出电流平均值I L(AV)的表达式;(3)二极管的平均电流I D(AV)和所承受的最大反向电压U R m ax的表达式。

1-4、电路如图所示,变压器副边电压有效值U21=50V,U22=20V。

试问:(1)输出电压平均值U O1(AV)和U O2(AV)各为多少(2)各二极管承受的最大反向电压为多少1-5、试在如图所示电路中,标出各电容两端电压的极性和数值,并分析负载电阻上能够获得几倍压的输出。

1-6、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

专业姓名学号成绩1-7、已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z=6V,最小稳定电流I Zmin=5mA,最大稳定电流I Zmax=25mA。

(1)分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值;(2)若U I=35V时负载开路,则会出现什么现象为什么1-8、电路如图所示。

(1)分别标出u O1和u O2对地的极性;(2)u O1、u O2分别是半波整流还是全波整流(3)当U21=U22=20V时,U O1(AV)和U O2(AV)各为多少(4)当U21=18V,U22=22V时,画出u O1、u O2的波形;并求出U O1(AV)和U O2(AV)各为多少1-9、电路如图所示,已知稳压管的稳定电压为6V,最小稳定电流为5mA,允许耗散功率为240mW,动态电阻小于15Ω。

华工模拟电子技术随堂练习

华工模拟电子技术随堂练习

第1章常用半导体器件当前页有8题,你已做8题,已提交8题,其中答对8题。

1. N型半导体的多数载流子是电子,因此它应( )。

A.带负电B.带正电C.不带电参考答案:C2.将PN结加适当的反向电压,则空间电荷区将( )。

A.变窄B.变宽C.不变参考答案:B3.二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。

A.增大B.不变C.减小参考答案:C4.电路如图所示,设全部二极管均为理想元件,当输入电压ui=10sin tV时,输出电压最大值为10V的电路是( )。

参考答案:C5.电路如图所示,D1,D2均为理想二极管,设U1=10V,ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。

A.最大值为40V,最小值为0VB.最大值为40V,最小值为+10VC.最大值为10V,最小值为-40VD.最大值为10V,最小值为0V参考答案:D6.稳压管的动态电阻rZ是指( )。

A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值参考答案:B7. 在放大电路中的晶体管,其电位最高的一个电极是( )。

8. 管的集电极管的发射极9.管的发射极管的基极10.参考答案:B8.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=,VB=,VC=5V,则该管类型为( )。

型锗管型锗管型硅管型硅管参考答案:A第2章基本放大电路当前页有10题,你已做10题,已提交10题,其中答对10题。

3.晶体管的电流放大系数是指( )。

A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数参考答案:B4.低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于( )。

A. B.C.参考答案:B5.某电路如下图所示,晶体管集电极接有电阻RC,根据图中的数据判断该管处在( )。

A.截止状态B.放大状态C.饱和状态参考答案:B6. 某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则该场效应管为( )。

华工模拟电子专业技术随堂练习

华工模拟电子专业技术随堂练习

华工模拟电子技术随堂练习————————————————————————————————作者:————————————————————————————————日期:第1章常用半导体器件当前页有8题,你已做8题,已提交8题,其中答对8题。

1.N型半导体的多数载流子是电子,因此它应( )。

A.带负电B.带正电C.不带电参考答案:C2.将PN结加适当的反向电压,则空间电荷区将( )。

A.变窄B.变宽C.不变参考答案:B3.二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。

A.增大B.不变C.减小参考答案:C4.电路如图所示,设全部二极管均为理想元件,当输入电压ui=10sin tV时,输出电压最大值为10V的电路是()。

参考答案:C5.电路如图所示,D1,D2均为理想二极管,设U1=10V,ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。

A.最大值为40V,最小值为0VB.最大值为40V,最小值为+10VC.最大值为10V,最小值为-40VD.最大值为10V,最小值为0V参考答案:D6.稳压管的动态电阻rZ是指()。

A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值参考答案:B7. 在放大电路中的晶体管,其电位最高的一个电极是( )。

A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极8.参考答案:B8.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V,VB=-1.4V,VC=5V,则该管类型为( )。

A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管参考答案:A第2章基本放大电路当前页有10题,你已做10题,已提交10题,其中答对10题。

1.如果改变晶体管基极电压的极性,使发射结由正偏导通改为反偏,则集电极电流( )。

A.反向B.近似等于零C.不变D.增大参考答案:B2.晶体管处于饱和状态时,集电结和发射结的偏置情况为( )。

模拟电子技术基础试卷及其参考答案

模拟电子技术基础试卷及其参考答案

模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一(总分150分)(成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一)一、选择题(本大题10个小题,每小题4分,共40分。

在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的,把所选项前的字母填在题后的括号内。

)1. 用万用表的R×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω,若改用R×1k档,测量同一二极管,则其正向电阻值()a. 增加b. 不变c. 减小d. 不能确定2. 某三极管各电极对地电位如图2所示,由此可判断该三极管()a. 处于放大区域b. 处于饱和区域c. 处于截止区域d. 已损坏图23. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V,当接入2kΩ负载后,其输出电压降为4V,这表明该放大电路的输出电阻为()a. 10kΩb. 2kΩc. 1kΩd. 0.5kΩ4. 某放大电路图4所示.设VCC>>VBE,LCEO≈0,则在静态时该三极管处于()a.放大区b.饱和区c.截止区d.区域不定图45. 图5所示电路工作在线性放大状态,设R'L=RD//RL,则电路的电压增益为()'gmRL' b.1+gmRs C.-gmRL' d.-RL'/gm a.gmRL-图56. 图5中电路的输入电阻Ri为()a. Rg+(Rg1//Rg2)b. Rg//(Rg1+Rg2)c. Rg//Rg1//Rg2d.[Rg+(Rg1//Rg2)]//(1+gm)RS7. 直流负反馈是指()a. 存在于RC耦合电路中的负反馈b. 放大直流信号时才有的负反馈c. 直流通路中的负反馈d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是()a. 输入信号所包含的干扰和噪声b. 反馈环内的干扰和噪声c. 反馈环外的干扰和噪声d. 输出信号中的干扰和噪声9. 在图9所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为()a. -2.5Vb. -5Vc. -6.5Vd. -7.5V图910. 在图10所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为()a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV图10二、填空题(本大题共7个小题,18个空,每空2分,共36分。

华南理工大学大二电类专业模拟电子技术基础考试试卷及答案4

华南理工大学大二电类专业模拟电子技术基础考试试卷及答案4

,考试作弊将带来严重后果!华南理工大学期末考试《 模拟电子技术 》试卷B (2011.07.04)1. 考前请将密封线内填写清楚;2. 闭卷考试;所有题均直接答在试卷纸上;3. 本试卷共 三 大题,满分100分, 考试时间120分钟。

选择题(在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。

每小题2分,共20分) .电路如图1所示,二极管导通电压D 0.7U =V ,常温下T 26≈mV 。

电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,效值为10mV 。

则流过二极管的交流电流有效值为 )。

A. 0.5mAB. 1mAC. 1.5mAD. 2mA.当晶体管工作在放大区时,发射结和集电结的偏置状况应为( )。

A. 发射结电压反偏、集电结电压也反偏B. 发射结电压正偏、集电结电压反偏C. 发射结电压正偏、集电结电压也正偏D. 发射结电压反偏、集电结电压正偏 .图2所示电路( )。

A. 等效为PNP 管B. 等效为NPN 管C. 为复合管,其等效类型不能确定D. 三极管连接错误,不能构成复合管 .集成运放的输入级采用差分放大电路可以( )。

A .抑制温漂 B. 增大放大倍数 C. 展宽频带 D. 减小输入电阻 .放大电路在高频信号作用时放大倍数下降的原因是( )。

图1A. 半导体管的非线性特性B. 半导体管极间电容和分布电容的存在C. 放大电路的静态工作点不合适D. 耦合电容和旁路电容的存在6.欲将方波电压转换成为三角波电压,应选用( )。

A.电压跟随器B.积分运算电路C.微分运算电路D.乘方运算电路7.在输入量不变的情况下,若引入反馈后( ),则说明引入的反馈是负反馈。

A.输入电阻增大 B.输出量增大C.净输入量增大D.净输入量减小8.差分放大电路公共射极支路静态电流近似等于单管集电极电流CQ1I 的( )倍。

A. 1 B. 2 C. 3 D. 0.59.对于RC 耦合单管共射放大电路,若下限截止频率为L f ,则当L f f =时,下列描述正确的是( )。

【VIP专享】华南理工大学模电试题(附答案)

【VIP专享】华南理工大学模电试题(附答案)

C. 375
D. 基极,
1001.5 1
5 0.7
(C)
)。
ui
7.14
Rc 3kΩ Rb
150
D. 16.25
E. 集电极
VCC (12V)
C2
图2
图1
RL 3kΩ
(D)
uO
为 20 倍,则第二级的电压增益为( )。
A.10dB
B. 20dB
8. 对于单管共射放大电路,若其上、下限频率分别为 fH 、 fL ,当 f fL 时,U o 滞后
(A)
(B)
6. 在设计两级放大电路的过程中,要求输入电阻 Ri 约为150kΩ ,电压放大倍数的数值
Au 约为 100,第一级电和第二级电路应采用(
A. 共集电路;共射电路
C. 共集电路;共基电路
B.
D.
Au
Au
B.共基电路;共射电路
D. 共射电路;共射电路
7. MOS FET 构成的两级放大电路,总电压增益 Au 2000 倍,其中第一级的电压增益
《模拟电子技术》试卷第 1 页 共 12 页
6.培养学生观察、思考、对比及分析综合的能力。过程与方法1.通过观察蚯蚓教的学实难验点,线培形养动观物察和能环力节和动实物验的能主力要;特2征.通。过教对学观方察法到与的教现学象手分段析观与察讨法论、,实对验线法形、动分物组和讨环论节法动教特学征准的备概多括媒,体继课续件培、养活分蚯析蚓、、归硬纳纸、板综、合平的面思玻维璃能、力镊。子情、感烧态杯度、价水值教观1和.通过学理解的蛔1虫.过观适1、察于程3观阅 六蛔寄.内列察读 、虫生出蚯材 让标容生3根常蚓料 学本教活.了 据见身: 生,师的2、解 问的体巩鸟 总看活形作 用蛔 题线的固类 结雌动态业 手虫 自形练与 本雄学、三: 摸对 学动状习人 节蛔生结4、、收 一人 后物和同类 课虫活构请一蚯集 摸体 回并颜步关 重的动、学、蚓鸟 蚯的 答归色学系 点形教生生让在类 蚓危 问纳。习从 并状学理列学平的害 题线蚯四线人 归、意特出四生面体以形蚓、形类 纳大图点常、五观玻存 表及动的鸟请动文 本小引以见引、察璃现 ,预物身类 3学物明 节有言及的、导巩蚯上状 是防的体之生和历 课什根蚯环怎学固蚓和, 干感主是所列环史 学么据蚓节二样生练引牛鸟 燥染要否以举节揭 到不上适动、区回习导皮类 还的特分分蚯动晓 的同节于物让分答。学纸减 是方征节布蚓物起 一,课穴并学蚯课生上少 湿法。?广的教, 些体所居归在生蚓前回运的 润;4泛益学鸟色生纳.靠物完的问答动原 的4蛔,处目类 习和活环.近在成前题蚯的因 ?了虫以。标就 生体的节身其实端并蚓快及 触解寄上知同 物表内特动体结验和总利的慢我 摸蚯生适识人 学有容点物前构并后结用生一国 蚯蚓在于与类 的什,的端中思端线问活样的 蚓人飞技有 基么引进主的的考?形题环吗十 体生行能着 本特出要几变以动,境?大 节活的1密 方征本“特节化下物.让并为珍 近习会形理切 法。课生征有以问的小学引什稀 腹性态解的 。2课物。什游题主.结生出么鸟 面和起结蛔关观题体么戏:要利明蚯?类 处适哪构虫系察:的特的特用确蚓等 ,于些特适。蛔章形殊形征板,这资 是穴疾点于可虫我态结式。书生种料 光居病是寄的们结构,五小物典, 滑生?重生鸟内学构,学、结的型以 还活5要生类部习与.其习巩鸟结的爱 是如原活生结了功颜消固类构线鸟 粗形何因的存构腔能色化练适特形护 糙态预之结的,肠相是系习于点动鸟 ?、防一构现你动适否统。飞都物为结蛔。和状认物应与的行是。主构虫课生却为和”其结的与题、病本理不蛔扁的他构特环以生?8特乐虫形观部特8征境小理三页点观的动位点梳相组等、这;,哪物教相,理适为方引些2鸟,育同师.知应单面导鸟掌类结了;?生识的位学你握日构解2互.。办特生认线益特了通动手征观识形减点它过,抄;察吗动少是们理生报5蛔?物,与的解.参一了虫它和有寄主蛔与份解结们环些生要虫其。蚯构都节已生特对中爱蚓。会动经活征人培鸟与飞物灭相。类养护人吗的绝适这造兴鸟类?主或应节成趣的为要濒的课情关什特临?就危感系么征灭来害教;?;绝学,育,习使。我比学们它生可们理以更解做高养些等成什的良么两好。类卫动生物习。惯根的据重学要生意回义答;的3.情通况过,了给解出蚯课蚓课与题人。类回的答关:系线,形进动行物生和命环科节学动价环值节观动的物教一育、。根教据学蛔重虫点病1.引蛔出虫蛔适虫于这寄种生典生型活的线结形构动和物生。理二特、点设;置2.问蚯题蚓让的学生生活思习考性预和习适。于穴居生活的形态、结构、生理等方面的特征;3.线形动物和环节动物的主要特征。
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
相关文档
最新文档