模电周考试题(二)讲课稿
模拟电路课件PPT-第2章作业解答
C2
RL
Re1
+
C3
Uo
U Rb22
Re2
o1
-
-
RL1=Ri2
Au1
(1 1)(Re1 / / Ri2 ) rbe1 (1 1)(Re1 / / Ri2 )
共集组态的输入电阻和负载有关
Aus1
uo1 us
ui
uo1 Ri1 Rs
Ri1
Rs Ri1 Rs
Au1
需计算第二级电路的输入电阻Ri2
解: (1) 求静态工作点:
IBQ Rb U BEQ (1 )IBQ Re Vcc
IBQ
Vcc UBEQ
Rb (1 )Re
IEQ (1 )IBQ ICQ
UCEQ Vcc I EQ RE
Vcc
Rb
C1 +
Ui
-
C2 +
Re
RL
Uo
-
第二章,习题2-16(P106)
解: (2) 做出微变等效电路:
纵轴交点IC=1mA
iC /mA
6
直流负载线与IBQ的
5
交点为Q点
4
Q点横坐标为UCEQ=1V
3
Q点纵坐标为ICQ=1mA
2
1
0
Q点 24
120 µA
100 µA
调整后Q’点
80 µA
60 µA
直流负载线 6 8 10
40 µA
20 µA
M iB = 0 µA
12
uCE /V
第二章,习题2-8(P104)
-
Ui2C2 -
Re2
C4 + Uo
RL
-
Au 2
模电试题及答案1-2
《模拟电子技术》复习题综合(第1、2章)一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在P型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后, C 。
A.自由电子增多,空穴数基本不变B.空穴数增多,自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多,且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压 D.电压控制电流11、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。
图1为D ;图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压①图1 ① 图2C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中,基极电阻R b的作用是 A 。
A.限制基极电流,使晶体管工作在放大区,并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中,集电极电阻R c 的作用是B。
模拟电子技术模拟考题二及参考答案.doc
模拟电子技术基础模拟考试题二及参考答案一、填空(每题2,共2分)1.硅稳压二极管在稳压电路中稳压时,通常工作于()。
(a) 正向导通状态 (b) 反向电击穿状态(c) 反向截止状态 (d) 热击穿状态2、整流的目的是()。
(a) 将交流变为直流 (b) 将高频变为低频(c) 将正弦波变为方波 (d) 将方波变为正弦波3、当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时,石英晶体呈()。
(a) 容性 (b) 阻性 (c) 感性 (d) 无法判断4、为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用的滤波电路是()。
(a) 带阻 (b) 带通 (c) 低通 (d) 高通5、能实现函数Y=aX1+bX2+cX3,a、b和c均大于零的运算电路是()。
(a) 加法 (b) 减法 (c) 微分 (d) 积分6、欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入()。
(a) 电压串联负反馈 (b) 电压并联负反馈(c) 电流串联负反馈 (d) 电流并联负反馈7、集成运放电路采用直接耦合方式是因为()。
(a) 可获得很大的放大倍数 (b) 可使温漂小(c) 集成工艺难于制造大容量电容 (d) 放大交流信号8、要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用,第二级应采用。
()(a) 共射电路, 共集电路 (b) 共集电路, 共射电路(c) 共基电路, 共集电路 (d) 共射电路, 共基电路9、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是()。
(a) 电阻阻值有误差 (b) 晶体管参数的分散性(c) 电源电压不稳定 (d) 晶体管参数受温度影响10、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为()。
(a) 83 (b) 91 (c) 100 (d) 120【解】1 、(b) 2 、(a) 3 、(c) 4 、(b) 5 、(a) 6 、(d) 7 、(c) 8 、(b) 9 、(d) 10 、(c)二、填空(共10题,每题2分,共20分)1、在室温(27℃)时,锗二极管的死区电压约 V,导通后在较大电流下的正向压降约 V,硅二极管的死区电压约 V;导通后在较大电流下的正向压降约 V。
模拟电子技术模拟考题二及参考答案.doc
模拟电子技术基础模拟考试题二及参考答案一、填空(每题2,共2分)1.硅稳压二极管在稳压电路中稳压时,通常工作于()。
(a) 正向导通状态 (b) 反向电击穿状态(c) 反向截止状态 (d) 热击穿状态2、整流的目的是()。
(a) 将交流变为直流 (b) 将高频变为低频(c) 将正弦波变为方波 (d) 将方波变为正弦波3、当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时,石英晶体呈()。
(a) 容性 (b) 阻性 (c) 感性 (d) 无法判断4、为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用的滤波电路是()。
(a) 带阻 (b) 带通 (c) 低通 (d) 高通5、能实现函数Y=aX1+bX2+cX3,a、b和c均大于零的运算电路是()。
(a) 加法 (b) 减法 (c) 微分 (d) 积分6、欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入()。
(a) 电压串联负反馈 (b) 电压并联负反馈(c) 电流串联负反馈 (d) 电流并联负反馈7、集成运放电路采用直接耦合方式是因为()。
(a) 可获得很大的放大倍数 (b) 可使温漂小(c) 集成工艺难于制造大容量电容 (d) 放大交流信号8、要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用,第二级应采用。
()(a) 共射电路, 共集电路 (b) 共集电路, 共射电路(c) 共基电路, 共集电路 (d) 共射电路, 共基电路9、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是()。
(a) 电阻阻值有误差 (b) 晶体管参数的分散性(c) 电源电压不稳定 (d) 晶体管参数受温度影响10、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为()。
(a) 83 (b) 91 (c) 100 (d) 120【解】1 、(b) 2 、(a) 3 、(c) 4 、(b) 5 、(a) 6 、(d) 7 、(c) 8 、(b) 9 、(d) 10 、(c)二、填空(共10题,每题2分,共20分)1、在室温(27℃)时,锗二极管的死区电压约 V,导通后在较大电流下的正向压降约 V,硅二极管的死区电压约 V;导通后在较大电流下的正向压降约 V。
模电试题及答案
模电试题及答案Title: 模电试题及答案详解Introduction:在学习电子工程方向的学生中,模拟电路课程一直被认为是较为重要且有挑战性的课程之一。
为了帮助大家更好地掌握和理解模拟电路,本文提供了一系列常见的模拟电路试题,并附带详细的答案解析,希望能够对读者有所帮助。
1. 试题一:题目描述:根据以下电路图,计算并求解输出电压Vo。
[电路图]解析:根据电路图,我们可以使用基本的电路分析方法来计算输出电压Vo。
首先,根据电压分压原理,我们可以得到:Vo = Vin * (R2 / (R1 + R2))其中,Vin为输入电压,R1和R2分别为电阻1和电阻2的阻值。
2. 试题二:题目描述:在以下示意图中,根据给定的电路参数和输入信号波形,计算并绘制输出电压波形。
[示意图]解析:根据示意图,我们可以得到输入电压Vin的波形如下:[输入信号波形图]根据电路参数和输入信号波形,我们可以进行电路分析,计算并绘制输出电压Vo的波形。
具体的计算和绘图步骤如下:1) [计算步骤1]2) [计算步骤2]3) [计算步骤3]4) [输出电压波形图]3. 试题三:题目描述:根据给定的操作放大电路图,计算并分析输入信号和输出信号之间的增益。
[操作放大电路图]解析:操作放大器是一种常见的电路组件,用于放大输入信号。
我们可以根据给定的操作放大电路图,进行电路分析来计算增益。
具体步骤如下:1) [计算步骤1]2) [计算步骤2]3) [计算步骤3]4) [计算结果,即输入输出信号之间的增益]4. 试题四:题目描述:根据电路图,计算并绘制输出电流随时间的变化曲线。
[电路图]解析:根据电路图,我们可以使用基本的电路分析方法来计算输出电流随时间的变化曲线。
具体步骤如下:1) [计算步骤1]2) [计算步骤2]3) [计算步骤3]4) [输出电流随时间的变化曲线图]5. 试题五:题目描述:根据给定的振荡器电路图,计算并分析输出信号的频率。
模拟电路考试题及答案,推荐文档
、判断题1因为P 型半导体的多数载流子是空穴,所以它带正电。
(F )2•在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为 3•处于放大状态的三极管,集电极电流是多数载流子漂移所形成的。
(F )、单选题1半导体中的少数载流子产生的原因是( D )。
A. 外电场 B .内电场 C .掺杂 D.热激发2•用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏,好的管子应为( C )。
A .正、反向电阻相等B .正向电阻大,反向电阻小C .反向电阻比正向电阻大很多倍D .正、反向电阻都等于无穷大3.二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将(B )。
(X 轴为电压)A .右移B .左移C .上移D .下移4.当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将(A )。
A .增大B .减小C .不变D .不确定5 .三极管B 值是反映( B )能力的参数。
(三极管可改为电流控制电流源) A .电压控制电压 B .电流控制电流C .电压控制电流D .电流控制电压6. 温度升高时,三极管的 值将(A )。
A .增大 B .减少C .不变D .不能确定7.下列选项中,不属三极管的参数是( B )。
A .电流放大系数 B .最大整流电流C .集电极最大允许电流D .集电极最大允许耗散功率&某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为 U 1 6V , U 2 5.4V , U 3 12V , 次是(B )。
A . e, b, c B . b, e, cC . b, c, eD . c, b, e9.晶体三极管的反向电流是由( B )运动形成的。
A .多数载流子B .少数载流子C .扩散D .少数载流子和多数载流子共同10.三极管工作在放大区,三个电极的电位分别是6V 、12V 和6.7V ,则此三极管是( A . PNP 型硅管 B . PNP 型锗管 C . NPN 型锗管D . NPN 型硅管11. 场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的(B )。
模电试卷带答案2
B.共集共射共基
C.共射共基共集
4.单级共射放大电路频率特性处于单一下限截止频率f 时,其电压放大倍数为中频区电压放大倍数的;而产生的附加相位差 为。( )
A. -45 ;B. +45 、C. -90
5.差分放大电路是为了而设置的,它主要通过来实现。( )
A.稳定放大倍数增加一级放大
3.(12分)【评分标准】①4分
②4分
③4分
4.(12分)
【评分标准】①2分;
②6分;
③4分。
1.(12分)电路如图所示,已知:EC=12V,RS=10k,RB1=120k,RB2=30k,RC=3.3k,RE=1.7k,RL=3.9k,UBE=0.7V,电流放大系数=50,电路中电容容量足够大,试求:
(1)静态工作点IB、IC、UCE
(2)晶体管的输入电阻rbe
(3)放大器的电压放大倍数Au、输入电阻ri
4.一个理想的差分放大电路,只能放大差模信号,不能放大共模信号。( )
5.差分放大电路中的公共发射极电阻R 对共模信号和差模信号都存在影响,因此,这种电路是靠牺牲差模电压放大倍数来换取对共模信号的抑制作用的。( )
6.若放大电路的负载固定,为使其电压放大倍数稳定,可以引入电压负反馈,也可以引入电流负反馈。( )
A.正向特性正向导通
B.单向导电性反向击穿
C.反向击穿特性反向截止2.万用表判别放大电路中处于正常工作的某个BJT的类型(指NPN型还是PNP型)与三个电极时,以测出最为方便。()
A.各极间电阻
B.各极对地电位
C.各极电流
3.既能放大电压,也能放大电流的是组态放大电路;可以放大电压,但不能放大电流的是组态放大电路;只能放大电流,但不能放大电压的是组态放大电路。( )
(电子行业企业管理)模拟电子技术模拟考题二及参考答案
模拟电子技术基础模拟考试题二及参考答案一、填空(每题2,共2分)1.硅稳压二极管在稳压电路中稳压时,通常工作于()。
(a) 正向导通状态 (b) 反向电击穿状态(c) 反向截止状态 (d) 热击穿状态2、整流的目的是()。
(a) 将交流变为直流 (b) 将高频变为低频(c) 将正弦波变为方波 (d) 将方波变为正弦波3、当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时,石英晶体呈()。
(a) 容性 (b) 阻性 (c) 感性 (d) 无法判断4、为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用的滤波电路是()。
(a) 带阻 (b) 带通 (c) 低通 (d) 高通5、能实现函数Y=aX1+bX2+cX3,a、b和c均大于零的运算电路是()。
(a) 加法 (b) 减法 (c) 微分 (d) 积分6、欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入()。
(a) 电压串联负反馈 (b) 电压并联负反馈(c) 电流串联负反馈 (d) 电流并联负反馈7、集成运放电路采用直接耦合方式是因为()。
(a) 可获得很大的放大倍数 (b) 可使温漂小(c) 集成工艺难于制造大容量电容 (d) 放大交流信号8、要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用,第二级应采用。
()(a) 共射电路, 共集电路 (b) 共集电路, 共射电路(c) 共基电路, 共集电路 (d) 共射电路, 共基电路9、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是()。
(a) 电阻阻值有误差 (b) 晶体管参数的分散性(c) 电源电压不稳定 (d) 晶体管参数受温度影响10、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为()。
(a) 83 (b) 91 (c) 100 (d) 120【解】1 、(b) 2 、(a) 3 、(c) 4 、(b) 5 、(a) 6 、(d) 7 、(c) 8 、(b) 9 、(d) 10 、(c)二、填空(共10题,每题2分,共20分)1、在室温(27℃)时,锗二极管的死区电压约 V,导通后在较大电流下的正向压降约 V,硅二极管的死区电压约 V;导通后在较大电流下的正向压降约 V。
模拟电子技术应用(二)复习题及答案.
模拟电子技术应用(二)复习题及答案1. 设图中VD 为普通硅二极管,正向压降为 0.7V ,试判断VD 是否导通,并计算U O 的值。
5V5V( a )( b )(a )设VD 断开,求得U O ≈-0.45V ,小于硅二极管的死区电压,所以VD 截止,U O ≈-0.45V(b )VD 导通,U O =2.3V2. 计算下图电路中二极管上流过的电流I D 。
设二极管的正向导通压降为0.7V ,反向电流等于零。
( a )( b )(a )V 1D -=U ,VD 截止,0D =I(b ) 2.75mA m A 37.0527.010D =⎪⎭⎫⎝⎛--+-=I3. 电路如图所示,VD 为理想二极管,画出各电路的电压传输特性()(I O u f u =曲线),并标明转折点坐标值。
( a )( b )( a )( b )4. 已知电路中,)V ( Sin 5i t u ω=,二极管正向压降为0.7V ,画出各电路中u O1、u O2波形,并注明其电压幅值。
uu ( a )( b )-0-5. 在如图所示电路中,已知稳压管VD Z1的稳定电压 U Z1=6.3V , VD Z2的稳定电压U Z2=7.7V ,它们的正向导通电压U D 均为0.7V ,U I 和R 的取值合理,U I 的实际极性和U O1~U O4的假设极性如图中所标注。
填空: U O1= V ,U O2= V ,U O3= V ,U O4= V 。
U IU IU U O1U O2U O3U O414 , 7, -0.7, -6.36. 从括号中选择正确的答案,用A 、B 、C 、D 填空。
用直流电压表测得各晶体管各电极的对地静态电位如图所示,试判断这些晶体管处于什么状态。
(A .放大, B .饱和 , C .截止 , D .损坏)⑴ ; ⑵ ; ⑶ ; ⑷ ; ⑸ 。
( 1 )( 3 )( 2 )( 5 )+9V +12V--12V0V+2.3V( 4 )(1)C (2)A (3)C (4)B (5)D7. 从括号中选择正确的答案,用A 、B 、C 、D 填空。
模拟电路考试题和答案
模拟电路考试题和答案第一部分:选择题1.运放放大电路的基本组成部分是: A. 正反馈网络、直流电源 B. 输入电阻、输出电阻 C. 输入电路、放大电路、输出电路 D. 比较器、反相器2.当仔细观察一个使用负反馈的运放电路时,可以发现输出电压始终在变化,这是因为: A. 负反馈增加了运放输入端的电压 B. 运放本身导致了基本反馈 C. 运放放大级没有理想的开环增益 D. 输入信号的变化引起运放放大电路的响应3.在理想运放中,输入端的电流为: A. 零 B. 正无穷大 C. 负无穷大 D. 任意值4.当使用运放作为比较器时,输出电压为: A. 输入端电压的比值 B. 输入端电压的积分 C. 输入端电压的差值 D. 输入端电压的平均值5.放大电路与比较电路的区别在于: A. 放大电路的输出是输入信号的放大 B. 比较电路的输出是两个输入信号的差值 C. 放大电路的输出是输入信号和反馈信号的加权和 D. 比较电路的输出是输入信号的积分第二部分:填空题1.当运放工作在不同的输入信号倍数时,输出电压也会按照输入信号倍数的 _______ 倍进行放大。
2.当电路有一个虚拟地点时,该点的电压等于 ___________。
3.在一个电流放大器中,如果输入电流为2mA,放大倍数为1000,则输出电流为 ___________。
4.当使用负反馈电路时,可以有效地降低电路输出的_______。
第三部分:解答题1.请解释什么是运放的本振?答:运放的本振是指输入端没有任何输入信号时,输出端产生的固定的偏移电压。
这个固定的偏移电压可以导致电路的不稳定性,并且会引入误差。
2.请描述运放的开环增益和闭环增益之间的关系。
答:运放的开环增益是指在没有任何反馈的情况下,运放输出端电压与输入端电压之间的比值。
闭环增益是指运放在负反馈条件下的输出电压与输入电压之间的比值。
闭环增益是通过在运放输入和输出之间添加反馈电路来控制的。
开环增益大,说明运放具有较大的放大能力,但同时也会引入较大的误差。
模电测试题与答案 (2)
IE=(UB-UBE)/RE = (2.4-0.7)/(1.7×103)A =0.001A=1Ma
IE≈IC= 1mA IB=IC/β =1/50mA
UCE=7V (2)rbe=300+(1+β )×26/IE=300+(1+50)×26/1=1.6K (3)Au=-β ×(RC//RL)/(ib×rbe) =-50×(3.3×1.7)/(3.3+1.7)/(0.02×10-3×1.6×103) =-1750 ri=1.5k ro≈Rc=3.3k
四、分析判断题(8 分)
1.判断下图的反馈类型(4 分,每小题 2 分)
(1 )
电流并联负反馈 (2)
电流串联负反馈 2.判断下图各电路能否振荡(4 分,每小题 2 分) (1)
(2)
五、计算题(44 分) 1.(12 分) 解: (1)直流通路如下图 UB=RB2/( RB1 +RB2)EC =30/(120+30)×12V =2.4V
A F 2n (n 0,1,2)
极限 整流电路 滤波电路 稳压电路
二、选择题(20 分,每小题 2 分) 1.B 6.A 2.A 7.A 3.C 8.C 4.B 9.C 5.C 10.B
三、判断题(8 分,每小题 1 分) 1.√ 5.× 2.× 6.√ 3.× 7.× 4.√ 8.×
3.(12 分) 【评分标准】①4 分
②4 分 ③4 分
【评分标准】①过程 4 分,图 2 分;②2 分;③Au(2 分) ,ri、r。各 1 分。
2.(8 分) 解:由图可知,A1 是同向比例运算电路,所以 u01= (1 R1 )ui1 =(1+1)×2V=4V(3 分)
模拟电路实验讲稿
•2020/7/18
•卢庆莉 编写
•(3)当其它参数保持不变, 增大集电极电阻RC 时,直流负载线与横轴的交点(EC)不变,但与 纵轴的交点(EC/RC)下降,因此直流负载线比原 来平坦,即斜率变小。而IBQ不变,所以Q点移近 饱和区[见图(c)中Q2点]。
•2020/7/18
•卢庆莉 编写
(1)Ri 对实际应用有何影响? (2)哪些电路元件对Ri有影响
? (3)Au偏小应调整哪些元件? (4)R3对哪些电路参数有影响
? (5)输出阻抗Ro与哪些元件
参数有关?
•2020/7/18
•卢庆莉 编写
•二、单级放大电路的设计指导
•1、明确模拟电路的分析估算与电路设计的区别
大电路的非线性失真,而非线性失真包括两种: 饱和失真 和 截止失真。
•2020/7/18
•卢庆莉 编写
•(5)为什么要考虑放大器的输出信号动态范围 •主要是指:工作点的选择不可偏高或者偏低。 •工作点偏高:会出现饱和失真; •工作点偏低:会出现截止失真。
•2020/7/18
•卢庆莉 编写
4、明确所有电路参数的物理含义
• ①实现放大的形式有两种:
•
电流放大 和 电压放大。
•2020/7/18
•卢庆莉 编写
•②根据不同要求,放大的电路有三种(可进行电 流放大或电压放大)即:共射、共基、共集。
•具有电流和电压放大 •具有电压放大,无电流放大
•无电压放大,具有电流放大
•2020/7/18
•卢庆莉 编写
•③三种基本的放大电路各有什么特点,在 什么场合下用什么电路?
模拟电子技术第5版课件第2章
模拟电子技术(第2版)第2章自我检测题习题详解自我检测题参考答案一、填空题1.三极管用来放大时,应使发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。
2.温度升高时,三极管的电流放大系数β增大,反向饱和电流I CBO增大,正向结电压U BE下降。
3. 有两只三极管:A管β=200,I CEO=200μA;B管β=80,I CEO=10μA,其他参数大致相同,一般应选B管。
4.共射基本放大电路的电压放大倍数为负值,说明输出信号与输入信号相位相差180o。
5.放大电路未输入信号时的状态称为静态,其在特性曲线上对应的点为静态工作点;有信号输入时的状态称为动态,动态工作点移动的轨迹为交流负载线。
6.在放大电路的下限截止频率处,放大倍数的幅度为中频处的0.707倍,这主要是由电路的频率特性引起的。
7.场效应管是通过改变栅源电压来改变漏极电流(输出电流)的,所以它是一个电压控制电流源(或电压控制)器件。
二、是非题1.由于放大的是变化量,所以在输入直流信号时,任何放大电路的输出量都没有变化。
(×)提示:直接耦合放大电路就有变化。
2.用无源元件组成电路(如LC谐振电路)也能将电压或电流幅度变大,因此也能组成放大电路。
(×)3.放大电路中各电量的交流成分是由交流信号源提供的。
(×)提示:增加的幅度所需能量是由直流电源提供的。
4.通常的JFET在漏极与源极互换时,仍有正常的放大作用。
(√)三、选择题1.在共射基本电路中,集电极电阻R C的作用是(C)。
A.放大电流B.调节I BQC.防止输出交流信号对地短,把放大了的电流转换成电压。
2. 在共射基本电路中,当用直流电压表测得U CE≈V CC时,有可能是因为(A);当测得U CE≈0,有可能是因为(B)A. R b开路B. R b过小C. R c开路3.当输入电压为正弦信号时,如果PNP管共发射极放大电路发生饱和失真,则输出电压波形将(A)。
A.正半周削波B.负半周削波C.不削波4.为了使高阻输出的放大电路与低阻输入的放大负载很好地配合,可以在放大电路与负载之间插入(B)。
模拟电子技术例题习题ppt课件
ICQ=βIBQ=5060μA=3mA。
uo=VCC-ICQRC=9V 所以T处于放大状态
. 第10页
模拟电子技术B
1.10 电路如图P1.10所示,晶体管导通时 UBE=0.7V,β=50。试分析VBB为0V、1V、 3V三种情况下T的工作状态及输出电压uO 的值。 【解】
Q3Q4: Q3和Q4负载线平行,说明RC无变化,由于负载线变陡, Q3Q4 的原因是VCC增大。
.
第17页
模拟电子技术B
讨论
例题习题
1. 在什么参数、如何变化时Q1→ Q2 → Q3 → Q4? 2. 从输出电压上看,哪个Q点下最易产生截止失真?哪 个Q点下最易产生饱和失真?哪个Q点下Uom最大? 3. 设计放大电路时,应根据什么选择VCC?
静 态工作点Q(直流值):UBEQ、IBQ、 ICQ 和UCEQ
IBQVBBUBEQ Rb
ICQ= IBQ
T
U VI R
CQ E
CC C Q C
基本共射放大电路
. 第12页
模拟电子技术B
2. 常见的两种共射放大电路 (1) 直接耦合放大电路 ( RL=∞ )
Ib2 IBQ
Ube
Ib1例题习题源自已知Ib2=Ib1+IBQ
Q3Q4: Q3和Q4负载线平行,说明RC无变化,由于负载线变陡, Q3Q4 的原因是VCC增大。
.
第19页
模拟电子技术B
基本共射放大电路的直流通路和交流通路
例题习题
I
BQ
=
V
BB
-U Rb
BEQ
I CQ I BQ
模电实验二教案
教案2007~ 2008 学年第 1 学期课程名称电工电子实验(模拟电子部分)授课对象本、专科授课教师林金忠莆田学院教案授课日期:2007-09 教案编号:2实验原理图2-1为电阻分压式工作点稳定单管放大器实验电路图。
它的偏置电路采用R B1和R B2组成的分压电路,并在发射极中接有电阻R E ,以稳定放大器的静态工作点。
当在放大器的输入端加入输入信号u i 后,在放大器的输出端便可得到一个与u i 相位相反,幅值被放大了的输出信号u 0,从而实现了电压放大。
图2-1 共射极单管放大器实验电路在左图所示中,s u 为函数信号发生器产生的交流信号,s u 的交流信号经过5.1K 和51的电阻分压后,取51电阻两端的电压作为放大器的输入信号i u 。
所以5151115100515151101100i s s s s u u u u u ===≈+在图2-1电路中,当流过偏置电阻R B1和R B2 的电流远大于晶体管T 的基极电流I B 时(一般5~10倍),则它的静态工作点可用下式估算CCB2B1B1B U R R R U +≈CEBEB E I R U U I ≈-≈U CE =U CC -I C (R C +R E ) 电压放大倍数be LC V r R R βA // -=输入电阻R i =R B1 // R B2 // r be 输出电阻 R O ≈R C由于电子器件性能的分散性比较大,因此在设计和制作晶体管放大电路时,离不开测量和调试技术。
在设计前应测量所用元器件的参数,为电路设计提供必要的依据,在完成设计和装配以后,还必须测量和调试放大器的静态工作点和各项性能指标。
一个优质放大器,必定是理论设计与实验调整相结合的产物。
因此,除了学习放大器的理论知识和设计方法外,还必须掌握必要的测量和调试技术。
放大器的测量和调试一般包括:放大器静态工作点的测量与调试,消除干扰与自激振荡及放大器各项动态参数的测量与调试等。
模拟电子考试试卷
《模拟电子技术》考试试卷(01)一、填空题(本大题共4小题,每空1分,共10分)1.PN结正向偏置时导通,反向偏置时截止,所以PN结具有单向导电性。
2.有三个单管BJT放大电路,已知其电压增益分别为A v1=20,A v2=-10,A v3=1,则可知它们分别为共基极放大电路、共发射极放大电路、共集电极放大电路。
3.乙类互补功率放大电路存在交越失真,可以利用甲乙类互补功率放大电路来克服。
4.电压负反馈将使输出电阻减小,电流负反馈将使输出电阻增加。
二、单项选择题(本大题共5小题,每小题2分,共10分)1.对BJT下列说法正确的是 C 。
A.发射极和集电极可以调换使用,因为BJT发射区和集电区的结构对称B.发射极和集电极可以调换使用,因为BJT发射极和集电极的电流基本相同C.发射极和集电极不能调换使用,因为BJT发射区和集电区的结构不对称,发射区掺杂浓度比集电区高D.发射极和集电极不能调换使用,因为BJT发射区和集电区的结构不对称,发射区掺杂浓度比集电区低2.测得某电路中PNP型晶体管的三个管脚的电位分别为V B=5V、V C=2V、V E=5.7V,则该管工作在A 状态。
A.放大B.截止C.饱和D.不能确定3.互补对称功率放大电路中的两个功放管应采用 A 。
A.一个NPN型管和一个PNP型管B.两个NPN型管C.两个PNP型管D.任意组合4.理想运算放大器的两个输入端的输入电流近似等于零的现象称为 D 。
A.断路B.虚短C.虚地D.虚断5.正弦波振荡电路的输出信号最初由 C 产生的。
A.基本放大器B.选频网络C.干扰或噪声信号D.稳幅环节三、判断题(本大题共5小题,每小题2分,共10分)FFTFT1.影响放大电路高频特性的主要因素是耦合电容和旁路电容的存在。
×2.在功率放大电路中,输出功率愈大,功放管的功耗愈大。
×3.集成运放是一种高增益的、直接耦合的多级放大电路。
√4.P型半导体带正电,N型半导体带负电。
模电周考试题二及答案
模电周考试题二及答案一、选择题(每题5分,共20分)1. 在模拟电路中,理想运算放大器的输入阻抗是:A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案:C2. 下列哪种元件不是模拟电路中常用的基本元件?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案:D3. 运算放大器的开环增益是指:A. 闭环增益B. 理想运算放大器的增益C. 运算放大器的内部增益D. 运算放大器的外部增益答案:C4. 在模拟电路中,电压跟随器的输出阻抗是:A. 很高B. 很低C. 等于输入阻抗D. 等于零答案:B二、填空题(每题5分,共20分)1. 理想运算放大器的两个输入端分别是______和______。
答案:反相输入端,同相输入端2. 在模拟电路中,为了减小电路的噪声,通常采用______和______。
答案:滤波器,屏蔽3. 运算放大器的输出电压与输入电压之间的关系可以用______来描述。
答案:传递函数4. 模拟电路中的信号放大器通常由______、______和______组成。
答案:输入级,中间级,输出级三、简答题(每题10分,共40分)1. 请简述运算放大器的基本组成及其工作原理。
答案:运算放大器通常由输入级、中间级和输出级组成。
工作原理是利用输入级的差分放大器放大输入信号的差值,中间级提供高增益,输出级则将放大后的信号输出。
2. 说明模拟电路中负反馈的概念及其作用。
答案:负反馈是指将输出信号的一部分反馈到输入端,与输入信号相减,从而减小输入信号的幅度。
其作用是提高电路的稳定性和线性度,减小非线性失真。
3. 描述理想运算放大器的两个重要特性。
答案:理想运算放大器的两个重要特性是:1) 无限大的输入阻抗和2) 零输出阻抗。
4. 简述模拟电路中电源去耦的作用及其实现方法。
答案:电源去耦的作用是减少电源线上的噪声对电路的影响,提高电路的稳定性。
实现方法通常包括在电源线上并联电容,以及使用滤波器等。
四、计算题(每题20分,共20分)1. 假设有一个运算放大器电路,其开环增益为100000,反馈电阻Rf 为1kΩ,输入电阻Ri为10kΩ,求闭环增益。
模电作业讲课文档
(a)VC=6V VB=0.7V VE=0V (b)VC=6V VB=2V VE=1.3V (c)VC=6V VB=6V VE=5.4V (d)VC=6V VB=4V VE=3.6V (e)VC=3.6V VB=4V VE=3.4V
第三十页,共58页。
第三十一页,共58页。
第三十二页,共58页。
第二十八页,共58页。
电路如图所示,设BJT的=80,VBE=0.6V,ICEO、VCES可忽略不 计,试分析当开关S分别接通A、B、C三位置时,BJT各工作在其输 出特性曲线的哪个区域,并求出相应的集电极电流IC。
第二十九页,共58页。
5.测量某硅BJT各电极对地的电压值如下,试判别管子工作在什么
第二十六页,共58页。
试分析图示各电路对正弦交流信号有无放大作用,并简述理由(设 各电容的容抗可忽略)。
第二十七页,共58页。
电路如图所示,设BJT的=80,VBE=0.6V,ICEO、VCES可忽略不计 ,试分析当开关S分别接通A、B、C三位置时,BJT各工作在其输出特 性曲线的哪个区域,并求出相应的集电极电流IC。
第四十三页,共58页。
.电路如图所示,已知BJT的=100,VBEQ=-0.7V。(1) 试估算该电 路的Q点;(2) 画出简化的H参数小信号等效电路;(3) 求该电路的电 压增益Av、输入电阻Ri、输出电阻Ro;(4) 若 中的交流成分出现 图 b所示的失真现象,问是截止失真还是饱和失真?为消除此失 真,应调整电路中的哪个元件?如何调整?
电路如图 a所示,该电路的交、直流负载线绘于图 b中,试求: (1) 电源电压VCC,静态电流IBQ、ICQ和管压降VCEQ的值;(2) 电阻Rb 、Rc的值;(3) 输出电压的最大不失真幅度;(4) 要使该电路能不失真
模电02
277附录1 西安交通大学模拟电子技术基础考试题(2001年12月)(a ) (b )图2二、(20分)电路如图3所示,设F 10321μ===C C C ,F 474μ=C ,F 20L p C = ,10021==ββ,Ω='300b b r 。
试求:1.各级电路的静态工作点(包括I CQ1和U CEQ1,I CQ2和U CEQ2); 2.画出电路的微变等效电路;3.电路总的电压增益io /U U A u =; 4.电路的输入电阻i R 和输出电阻o R ;5.近似估算电路的下限截止频率L f 和上限截止频率H f ;6.现有一个μF 100的电容器,你将替换C 1~C 4中哪个电容,就能明显改善电路的低频特性。
图3三、(6分)电路如图4所示,如果电路需要引入反馈来稳定输出的电压,则反馈支路应加在电路的什么位置(指A 、B 、C 、D 、E 、F 、G 点)哪两个点之间,回答在答题纸上。
u +-278图4四、(5分)电路如图5所示,设运放A 1和A 2都是理想运放,试分析:1.电路的反馈极性和类型;(电压、电流、串联、并联、正、负); 2.若电路是负反馈,写出电路电压增益的表达式。
五、(15分)电路如图6(a )所示,运放A 1和A 2都是理想运放,Ω==k 1031R R ,Ω=k 202R ,Ω=k 14R ,Ω=k 100R ,μF 1=C ,V 6Z =U 。
设0=t 时加入输入信号i u ,波形如图6(b )所示,电容初始电压为0V ,试分析:1.电路由哪两部分单元电路构成; 2.画出输出电压u o1~u i 的传递特性图;3.画出输出电压u o1和u o2的波形,要有分析的过程。
图5(a )-4-6-279(b )图6六、(15分)电路如图7所示,运放为理想运放,电阻Ω=k 100R ,C =0.01μF ,Ω===k 10431R R R ,Ω=8L R ,V CC =18V ,U CES =3V 。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
模电周考试题(二)模电周考试题(二)一、填空题1、当半导体三极管的正向偏置,反向偏置偏置时,三极管具有放大作用,即极电流能控制极电流。
2、根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同,可将三极管放大电路分为,,三种。
3、三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。
4、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时,与之间的关系。
5、为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。
6、为了保证不失真放大,放大电路必须设置静态工作点。
对NPN 管组成的基本共射放大电路,如果静态工作点太低,将会产生失真,应调R B,使其,则I B,这样可克服失真。
7、共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。
8、三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。
9、共射组态既有放大作用,又有放大作用。
10、共基组态中,三极管的基极为公共端,极为输入端,极为输出端。
11、某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。
可判定该三极管是工作于区的型的三极管。
12、已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①2.8V,②2.1 V,③5V,试判断:a.①脚是,②脚是,③脚是(e, b,c);b.管型是(NPN,PNP);c.材料是(硅,锗)。
13、晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是,电流分配关系是。
14、温度升高对三极管各种参数的影响,最终将导致I C,静态工作点。
15、一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而,发射结的导通压降V BE则随温度的增加而。
16、画放大器交流通路时,和应作短路处理。
17、在多级放大器里。
前级是后级的,后级是前级的。
18、多级放大器中每两个单级放大器之间的连接称为耦合。
常用的耦合方式有:,,。
19、输出端的零漂电压电压主要来自放大器静态电位的干扰变动,因此要抑制零漂,首先要抑制的零漂。
目前抑制零漂比较有效的方法是采用。
20、在多级放大电路的耦合方式中,只能放大交流信号,不能放大直流信号的是放大电路,既能放大直流信号,又能放大交流信号的是放大电路,放大电路各级静态工作点是互不影响的。
22、串联负反馈电路能够输入阻抗,电流负反馈能够使输出阻抗。
22、放大电路中引入电压并联负反馈,可输入电阻,输出电阻。
23、在放大电路中,为了稳定静态工作点,宜引入________反馈;要展宽频、稳定增益,宜引入_______反馈;为了提高输入阻抗,宜引入_________反馈。
二、选择题1、下列数据中,对NPN型三极管属于放大状态的是。
A、V BE>0,V BE<V CE时B、V BE<0,V BE<V CE时C、V BE>0,V BE>V CE时D、V BE<0,V BE>V CE时2、工作在放大区域的某三极管,当I B从20μA增大到40μA时,I C 从1mA变为2mA则它的β值约为。
A、10B、50C、80D、1003、NPN型和PNP型晶体管的区别是。
A、由两种不同的材料硅和锗制成的B、掺入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同D、管脚排列方式不同4、三极管各极对公共端电位如图所示,则处于放大状态的硅三极管是A、 B、C、 D、5、当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时,则晶体三极管的集电极电流将A、增大B、减少C、反向D、几乎为零6、为了使三极管可靠地截止,电路必须满足A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结反偏,集电结正偏C、发射结和集电结都正偏D、发射结和集电结都反偏7、检查放大电路中的晶体管在静态的工作状态(工作区),最简便的方法是测量A、I BQB、U BEC、I CQD、U CEQ8、对放大电路中的三极管进行测量,各极对地电压分别为U B=2.7V,U E=2V,U C=6V,则该管工作在。
A、放大区B、饱和区C、截止区D、无法确定9、某单管共射放大电路在处于放大状态时,三个电极A、B、C对地的电位分别是U A=2.3V,U B=3V,U C=0V,则此三极管一定是A、PNP硅管B、NPN硅管C、PNP锗管D、NPN锗管10、电路如图所示,该管工作在。
A、放大区B、饱和区C、截止区D、无法确定11、测得三极管I B=30μA时,I C = 2.4mA ;I B=40μA时,I C = 1mA,则该管的交流电流放大系数为。
A、80B、140C、75D、10012、当温度升高时,半导体三极管的β、穿透电流、U BE的变化为A、大,大,基本不变B、小,小,基本不变C、大,小,大D、小,大,大13、三极管的I CEO大,说明该三极管的。
A、工作电流大B、击穿电压高C、寿命长D、热稳定性差14、用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V,V2=6V,V3=2.7V,则。
A、1为e 2为b 3为cB、1为e 3为b 2为cC、2为e 1为b 3为cD、3为e 1为b 2为c15、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示,其中每一条曲线对应一个特定的。
A、i CB、u CEC、i BD、i E16、某晶体管的发射极电流等于1 mA,基极电流等于20μA,则它的集电极电流等于A、0.98 mAB、1.02 mAC、0.8 mAD、1.2 mA17、下列各种基本放大器中可作为电流跟随器的是。
A、共射接法B、共基接法C、共集接法D、任何接法18、下图所示为三极管的输出特性。
该管在U CE=6V,I C=3mA处电流放大倍数β为。
A、60B、80C、100D、10U CE/V19、放大电路的三种组态。
A、都有电压放大作用B、都有电流放大作用C、都有功率放大作用D、只有共射极电路有功率放大作用21、晶体管构成的三种放大电路中,没有电压放大作用但有电流放大作用的是A、共集电极接法B、共基极接法C、共发射极接法D、以上都不是22、三极管各个极的电位如下,处于放大状态的三极管是。
A、V B = 0.7 V,V E = 0 V,V C = 0.3 VB、V B = - 6.7 V,V E = - 7.4 V,V C = - 4 VC、V B = -3 V,V E = 0 V,V C = 6 VD、V B = 2.7 V,V E = 2 V,V C = 2 V24、晶体管放大电路如图所示。
若要减小该电路的静态基极电流I BQ,应使A、Rb减小B、Rb增大C、Rc减小D、Rc增大26、放大电路中,微变等效电路分析法。
A、能分析静态,也能分析动态B、只能分析静态C、只能分析动态D、只能分析动态小信号27、温度影响了放大电路中的,从而使静态工作点不稳定。
A、电阻B、电容C、三极管D、电源29、某放大器由三级组成,已知每级电压放大倍数为KV,则总放大倍数为。
A、3KVB、(KV)3C、(KV)3/3D、KV30、在多级放大电路中,经常采用电压放大电路作为。
A、输入级B、中间级C、输出级D、输入级和输出级31、一个三级放大器,各级放大电路的输入阻抗分别为Ri1=1MΩ,Ri2=100KΩ,Ri3=200KΩ,则此多级放大电路的输出阻抗为。
A、1MΩB、100KΩC、200KΩD、1.3KΩ32、放大器的基本性能是放大信号的能力,这里的信号指的是。
A、电压B、电流C、电阻D、功率33、在放大交流信号的多级放大器中,放大级之间主要采用哪两种方法。
A、阻容耦合和变压器耦合B、阻容耦合和直接耦合C、变压器耦合和直接耦合D、以上都不是30、为了放大变化缓慢的微弱信号,放大电路应采用的耦合方式是A、光电B、变压器C、阻容D、直接36、选用差分放大电路的原因是。
A、克服温漂B、提高输入电阻C、稳定放大倍数D、提高放大倍数37、差动放大器抑制零点漂移的效果取决于。
A、两个晶体管的静态工作点B、两个晶体管的对称程度C、各个晶体管的零点漂移D、两个晶体管的放大倍数38、差动放大电路的作用是。
A、放大差模B、放大共模C、抑制共模D、抑制共模,又放大差模40、差动放大电路中当U I1=300mV,U I2=-200mV,分解为共模输入信号U IC= mV,差模输入信号U ID= mV。
A、500B、100C、250D、5041、在相同条件下,阻容耦合放大电路的零点漂移。
A、比直接耦合电路大B、比直接耦合电路小C、与直接耦合电路相同D、无法比较43、互补输出级采用共集形式是为了使。
A、电压放大倍数大B、不失真输出电压大C、带负载能力强D、电压放大倍数大44、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为。
A、10KΩB、2KΩC、1KΩD、0.5KΩ45、多级放大器前级输出电阻,可看成后级的。
A、信号源内阻B、输入电阻C、电压负载D、电流负载46、用"↑"表示增大,用"↓"表示减少,"→"表示引起的变化,图中稳定I C的过程分析正确的是。
A、T↑→β↑→I E↑→U f↑→U BE↑→I B↑→I C↓B、B、T↑→β↑→I E↑→U f↑→U BE↓→I B↓→I C↓C、T↑→β↑→I E↓→U f↑→U BE↓→I B↓→I C↓D、T↑→β↓→I E↓→U f↓→U BE↓→I B↓→I C↓47、在输入量不变的情况下,若引入的是负反馈,则以下说法正确的是。
A、输入电阻增大B、输出量增大C、净输入量增大D、净输入量减小48、为了实现稳定静态工作点的目的,应采用。
A、交流正反馈B、交流负反馈C、直流正反馈D、直流负反馈三、判断题1、若Ue>Ub>Uc,则电路处于放大状态,该三极管必为NPN管。
()2、可利用三极管的一个PN结代替同材料的二极管。
()3、晶体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而下降。
()4、发射结处于正向偏置的晶体三极管,其一定是工作在放大状态。
5、晶体三极管为电压控制型器件。
()6、用万用表测得三极管的任意二极间的电阻均很小,说明该管的二个PN结均开路。
()7、在基本放大电路中,如果静态工作点过低,出现饱和失真。
()11、NPN型和PNP型晶体管的区别是不但其结构不同,而且它们的工作原理也不同。
()12、晶体管具有放大作用。
()13、三极管并不是两个PN结的简单组合,它不能用两个二极管代替,但发射极和集电极可以对调使用。
()14、在三极管的输出特性曲线中,I B=0时的I C即为I CEO。
()15、只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;()16、可以说任何放大电路都有功率放大作用;()17、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;()18、电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;()19、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;()20、由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;()21、只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。