极管与三极管的命名以及辨别PPT
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三极管工作原理(详解)ppt课件

VBQ
VB EQ Re
VCEQ VCC ICQ Rc IEQ Re VCC ICQ ( Rc Re )
IBQ
ICQ β
32
4.5.1 共集电极放大电路
Av 1 。 Ri Rb //[rbe ( 1
rbe β
共集电极电路特点:
◆ 电压增益小于1但接近于1,vo与vi同相 ◆ 输入电阻大,对电压信号源衰减小 ◆ 输出电阻小,带负载能力强
极电阻有很大关系。适用于低频情况下,作多级放大电路的中间级。 共集电极放大电路:
只有电流放大作用,没有电压放大,有电压跟随作用。在三种组态中, 输入电阻最高,输出电阻最小,频率特性好。可用于输入级、输出级或缓冲 级。 共基极放大电路:
只有电压放大作用,没有电流放大,有电流跟随作用,输入电阻小,输 出电阻与集电极电阻有关。高频特性较好,常用于高频或宽频带低输入阻抗 的场合,模拟集成电路中亦兼有电位移动的功能。
IE = IB +IC
6
三极管的三种放大电路
当晶体管被用作放大器使用时,其中两个电极用作信号 (待放大信号) 的输入端子;两个电极作为信号 (放大后的 信号) 的输出端子。 那么,晶体管三个电极中,必须有一 个电极既是信号的输入端子,又同时是信号的输出端子, 这个电极称为输入信号和输出信号的公共电极。
1
目录
1 三极管的结构
2 三极管的作用
3
三极管的三种放大电路
4 三极管的开关状态
2
三极管的结构简介
三极管的类型:
• 按频率分:高频管、低频管; • 按功率分:小、中、大功率管; • 按半导体材料分:硅、锗管; • 按结构分:NPN和PNP管;
3
三极管的结构简介
(a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管
三极管PPT课件

一、三极管的基本结构
2021/6/24
它是通过一定的制作工艺,将两 个PN结结合在一起的器件,两个PN结 相互作用,使三极管成为一个具有控制 电流作用的半导体器件。
三极管可以用来放大微弱的信号
和作为无触点开关。
4
2.1.1 三极管的结构
2021/6/24
三极管的结构模型和符号
5
2.1.1 三极管的结构
2021/6/24
12
2.1.3 三极管的电流分配关系 和电流放大作用
二、三极管的电流分配关系
(1)IC与IE的关系
α
=
IC IE
α 称为共基极直流电流放大系数 ,是
小于1且接近于1的值,一般为0.9-
0.99。
2021/6/24
13
2.1.3 三极管的电流分配关系 和电流放大作用
(2)IC与IB的关系
2021/6/24
24
2.1.4 三极管的伏安特性曲线
二、输出特性曲线
iCf uCEIB常数
2021/6/24
21 25
2.1.4 三极管的伏安特性曲线
(3)饱和区
工作条件:发射结正偏,集电结正偏。
工作特点:
① iC几乎不随iB变化,uCE略有增加,iC迅速上升。
②UCE很小,称之为饱和电压,用UCES表示。
19
2.1.4 三极管的伏安特性曲线
输入特性曲线的讨论:
(1)当UCE<1V时
三极管的发射结、集电结均正偏,此时的三极 管相当于两个PN结的并联,曲线与二极管相似, 所以增大UCE时,输入曲线明显右移。
(2)当UCE≥1V时
发射结正偏、集电结反偏,此时再继续增大
UCE特性曲线右移不明显,不同的UCE输入曲线
三极管经典教程PPT课件

2021
电流放大系数
共 射 电 流 放 大 系 数
iB b +
c + iC
vCE
vBE - e -
VCC
VBB
共射极放大电路
直流电流放大系数
=IC / IB | vCE =const 交流电流放大系数 =IC/IBvCE=const
2021
电流放大系数
共
基
电
流
直流电流放大系数
放 大
α=IC/IE
vCCEE = 0V vCE
0V
1V
iB b +
c + iC
vCE
vBE - e -
VCC
VBB
共射极放大电路
2021
BJT的特性曲线
2. 输出特性曲线 输出电流与输出电压间的关系曲线
iCv=CfB(vCEvC )EiB=vcBoE nst
输饱出和特区性:曲vCE线<v的BE 三的个区区域域,: 发射结正偏,集电结正 偏。 iC明显受vCE控制 的截区放止域大区,区:但:i不此B=随时0的i,B的输发增出射曲结线正以 加下而偏的增,区大集域。电。在结此饱反时和偏,区。,i发C不射随结 可和近vC集似E变电认化结为,均v但C反E随保偏i持B。的不i增C只大有而很
V C1.3V,V B0.6V
V CV B1.30.60.7V A -集电极
VA6VVB,VC
管子为NPN管
C-基极,B-发射极
另一例题参见P30 2.2.2-1
2021
§2.2.3 三极管的主要参数
三极管的参数是 用来表征管子性 能优劣适应范围 的,是选管的依 据,共有以下三 大类参数。
电流放大系数 极间反向电流 极限参数
三极管PPT教学讲义

收集 载流
基区的少数载流子——ICBO
子
VBB
VCC
电流分配与控制 IE= IEN+ IEP 且有IEN>>IEP IEN=ICN+ IBN 且有ICN>>IBN IC=ICN+ ICBO
IB=IEP+ IBN-ICBO
IE =IC+IB
VBB
VCC
电流分配与控制
• 使晶体管具有电流分配与控制能力的两个重要条件
– ③集电结对非平衡载流子的收集作用漂移为主
4.1.3 三极管各电极的电流关系
集电极电流IC和发射极电流IE之间的关系定义:
ICN/IE
称为共基极直流电流放大系数。
表示集电极收集到的电子电流ICN与总发射极电流IE的比
值。ICN与IE相比,因ICN中没有IEP和IBN,所以 的值小
于1, 但接近1,一般为0.98~0.999 。
BJT 结构
从外表上看两个N区,或两个P区是对称的,实际上: 发射区的掺杂浓度大,发射载流子 集电区掺杂浓度低,且集电结面积大,收集载流子 基区得很薄,控制载流子分配,其厚度一般在几个微米至几十
个微米.
+
BJT的三种组态
CB Common Base :共基极,基 极为公共电极
CE Common Emitter :共发射极, 发射极为公共电极
强,IC增大. JC和JE都正偏, VCES约等于0.3V,
ic VCE=VBE
饱
6和 放
区 4
大
区
2
IC< IB 0
饱和时c、e间电压记为VCES,深 度饱和时VCES约等于0.3V.
截止区
246
优秀实用的三极管精品PPT课件

好。
• 2.三极管实现电流分配的原理
•
上述实验结论可以用载流子在
三极管内部的运动规律来解释。图1.29
为三极管内部载流子的传输与电流分配
示意图。
图1.29 三极管内部载流子的传输与电流分配示意图
•
(1)发射区向基区发射自由电
子,形成发射极电流IE。
•
(2)自由电子在基区与空穴复
合,形成基极电流IB。
极最大电流、最大反向电压等,这些参
数可以通过查半导体手册来得到。三极
管的参数是正确选定三极管的重要依据,
下面介绍三极管的几个主要参数。
• (1)共发射极电流放大系数β和β
•
它是指从基极输入信号,从集
电极输出信号,此种接法(共发射极)
下的电流放大系数。
–(2)极间反向电流
• ① 集电极基极间的反向饱和电流ICBO • ② 集电极发射极间的穿透电流ICEO
(d)三极管的集电极和发射极
近似短接,三极管类似于一个开关导通。
•
三极管作为开关使用时,通常
工作在截止和饱和导通状态;作为放大
元件使用时,一般要工作在放大状态。
SUCCESS
THANK YOU
2020/12/13
可编辑
26
• 2.三极管的主要参数
•
三极管的参数有很多,如电流
放大系数、反向电流、耗散功率、集电
这是三极管实现电流放大的内部条件。
•
三极管可以是由半导体硅材
料制成,称为硅三极管;也可以由锗
材料制成,称为锗三极管。
•
三极管从应用的角度讲,种
类很多。根据工作频率分为高频管、
低频管和开关管;根据工作功率分为
大功率管、中功率管和小功率管。常
• 2.三极管实现电流分配的原理
•
上述实验结论可以用载流子在
三极管内部的运动规律来解释。图1.29
为三极管内部载流子的传输与电流分配
示意图。
图1.29 三极管内部载流子的传输与电流分配示意图
•
(1)发射区向基区发射自由电
子,形成发射极电流IE。
•
(2)自由电子在基区与空穴复
合,形成基极电流IB。
极最大电流、最大反向电压等,这些参
数可以通过查半导体手册来得到。三极
管的参数是正确选定三极管的重要依据,
下面介绍三极管的几个主要参数。
• (1)共发射极电流放大系数β和β
•
它是指从基极输入信号,从集
电极输出信号,此种接法(共发射极)
下的电流放大系数。
–(2)极间反向电流
• ① 集电极基极间的反向饱和电流ICBO • ② 集电极发射极间的穿透电流ICEO
(d)三极管的集电极和发射极
近似短接,三极管类似于一个开关导通。
•
三极管作为开关使用时,通常
工作在截止和饱和导通状态;作为放大
元件使用时,一般要工作在放大状态。
SUCCESS
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2020/12/13
可编辑
26
• 2.三极管的主要参数
•
三极管的参数有很多,如电流
放大系数、反向电流、耗散功率、集电
这是三极管实现电流放大的内部条件。
•
三极管可以是由半导体硅材
料制成,称为硅三极管;也可以由锗
材料制成,称为锗三极管。
•
三极管从应用的角度讲,种
类很多。根据工作频率分为高频管、
低频管和开关管;根据工作功率分为
大功率管、中功率管和小功率管。常
《三极管基本知识》PPT课件

饱和区
4
放
3
2
大
100A
80A 60A 40A
1
区
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
截止区
IC(mA ) 4 3
2
此1区00域A中 :
IB=800,IC=AICEO,U
B称E<为6死0截区A止电区压。,
40A
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
二、输出特性
IC(mA )
此区域满
ICBO A
ICBO是集
电结反偏 由少子的 漂移形成 的反向电 流,受温 度的变化 影响。
3.集电极最大电流ICM
集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降,
当值下降到正常值的三分之二时的集电极电
流即为ICM。
4.集-射极反向击穿电压
当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时,
三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、
注意:β和β数值很接近,通常不将他们严格区分。
四、三极管的特性曲线
IB
A RB
V UBE
RP
EB
IC mA
EC
V UCE
实验线路
一、输入特性
IB(A) 80 60 40
20
死区电压,
0.4
硅管0.5V
工作压降: 硅管 UBE0.6~0.7V
0.8 UBE(V)
一、输入特性
输入特性描述的是三极管基极电流IB和发射结两端电压UBE 之间的关系。
nnp发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极ppn发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极becnnp基极发射极集电极npn型pnp集电极基极发射极bcepnp型becnpn型becpnp型二极管检测用数字万用表测试二极管时是测量二极管的正向压降
4
放
3
2
大
100A
80A 60A 40A
1
区
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
截止区
IC(mA ) 4 3
2
此1区00域A中 :
IB=800,IC=AICEO,U
B称E<为6死0截区A止电区压。,
40A
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
二、输出特性
IC(mA )
此区域满
ICBO A
ICBO是集
电结反偏 由少子的 漂移形成 的反向电 流,受温 度的变化 影响。
3.集电极最大电流ICM
集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降,
当值下降到正常值的三分之二时的集电极电
流即为ICM。
4.集-射极反向击穿电压
当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时,
三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、
注意:β和β数值很接近,通常不将他们严格区分。
四、三极管的特性曲线
IB
A RB
V UBE
RP
EB
IC mA
EC
V UCE
实验线路
一、输入特性
IB(A) 80 60 40
20
死区电压,
0.4
硅管0.5V
工作压降: 硅管 UBE0.6~0.7V
0.8 UBE(V)
一、输入特性
输入特性描述的是三极管基极电流IB和发射结两端电压UBE 之间的关系。
nnp发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极ppn发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极becnnp基极发射极集电极npn型pnp集电极基极发射极bcepnp型becnpn型becpnp型二极管检测用数字万用表测试二极管时是测量二极管的正向压降
《三极管基本知识》PPT课件
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背景
三极管是电子电路中的重要元件,广泛应用于放大、开关、振荡等电路中。随 着电子技术的发展,三极管的应用领域不断扩大,对电子工程师的要求也越来 越高。
课程内容和结构
课程内容
本课程将介绍三极管的基本原理、结构、特性、参数以及应用等方面的知识。
课程结构
本课程将按照“由浅入深、循序渐进”的原则,先介绍三极管的基本概念和原理,然后逐步深入讲解三极管的特 性和应用。具体内容包括:三极管的基本原理、结构和分类;三极管的放大原理和特性;三极管的参数和选型; 三极管的应用电路和实例等。
输入特性曲线
输入特性曲线表示三极管在放 大状态下,基极电流(Ib)与 基极-发射极电压(Vbe)之
间的关系。
输入特性曲线与二极管的伏 安特性曲线类似,呈指数关
系。
当Vbe较小时,Ib几乎为零, 当Vbe超过一定值后,Ib随 Vbe的增大而迅速增大。
输出特性曲线
输出特性曲线表示三极管在放大状态下,集电极电流 (Ic)与集电极-发射极电压(Vce)之间的关系。
工业控制领域
三极管在工业控制电路中也有 着广泛的应用,如电机控制、
温度控制等。
消费电子领域
音响、电视、冰箱等消费电子 产品中也需要使用三极管进行
信号放大或电路控制。
03
三极管结构与工作原理
三极管内部结构
掺杂浓度
发射区掺杂浓度最高,基区很薄且 掺杂浓度最低,集电区掺杂浓度较 高。
PN结
三极管内部包含两个PN结,分别 是发射结和集电结。
三极管主要参数
01
02
03
电流放大系数
表示三极管对电流的放大 能力,是判断三极管放大 性能的重要参数。
极间反向电流
包括集电极-基极反向饱和 电流和集电极-发射极反向 饱和电流,反映了三极管 的截止性能。
三极管是电子电路中的重要元件,广泛应用于放大、开关、振荡等电路中。随 着电子技术的发展,三极管的应用领域不断扩大,对电子工程师的要求也越来 越高。
课程内容和结构
课程内容
本课程将介绍三极管的基本原理、结构、特性、参数以及应用等方面的知识。
课程结构
本课程将按照“由浅入深、循序渐进”的原则,先介绍三极管的基本概念和原理,然后逐步深入讲解三极管的特 性和应用。具体内容包括:三极管的基本原理、结构和分类;三极管的放大原理和特性;三极管的参数和选型; 三极管的应用电路和实例等。
输入特性曲线
输入特性曲线表示三极管在放 大状态下,基极电流(Ib)与 基极-发射极电压(Vbe)之
间的关系。
输入特性曲线与二极管的伏 安特性曲线类似,呈指数关
系。
当Vbe较小时,Ib几乎为零, 当Vbe超过一定值后,Ib随 Vbe的增大而迅速增大。
输出特性曲线
输出特性曲线表示三极管在放大状态下,集电极电流 (Ic)与集电极-发射极电压(Vce)之间的关系。
工业控制领域
三极管在工业控制电路中也有 着广泛的应用,如电机控制、
温度控制等。
消费电子领域
音响、电视、冰箱等消费电子 产品中也需要使用三极管进行
信号放大或电路控制。
03
三极管结构与工作原理
三极管内部结构
掺杂浓度
发射区掺杂浓度最高,基区很薄且 掺杂浓度最低,集电区掺杂浓度较 高。
PN结
三极管内部包含两个PN结,分别 是发射结和集电结。
三极管主要参数
01
02
03
电流放大系数
表示三极管对电流的放大 能力,是判断三极管放大 性能的重要参数。
极间反向电流
包括集电极-基极反向饱和 电流和集电极-发射极反向 饱和电流,反映了三极管 的截止性能。
极管、三极管、电阻等

极管、三极管、电阻等
极管、三极管和电阻是电子元件中常见的三种器件,它们在电
路中扮演着不同的角色和功能。
首先,让我们来谈谈极管。
极管是一种半导体器件,也被称为
二极管。
它具有两个引脚,即阳极和阴极。
极管的主要作用是只允
许电流在一个方向上流动,因此它常被用作整流器,将交流电转换
为直流电。
极管还可以用作电压稳压器、光电二极管等。
接下来是三极管,也称为晶体三极管或晶体管。
三极管是一种
半导体器件,具有三个引脚,分别是发射极、基极和集电极。
它的
主要作用是放大电流和控制电路。
在电子设备中,三极管常用于放
大信号、作为开关以及构建逻辑门电路等。
最后是电阻,电阻是一种 passiv器件,用于限制电流的流动。
电阻的作用是通过阻碍电流的流动来调节电路中的电压和电流。
它
通常用于分压、限流、消耗功率、稳定电压和电流等。
电阻的阻值
可以根据实际需要选择,常见的有固定电阻和可变电阻两种。
总的来说,极管、三极管和电阻都是电子元件中常见的器件,
它们在电路中扮演着不同的角色和功能。
极管用于整流和光电转换,三极管用于放大和控制电路,电阻用于调节电路中的电压和电流。
它们共同构成了电子设备中复杂的电路系统,发挥着重要的作用。
三极管教学ppt课件

为了规范事业单位聘用关系,建立和 完善适 应社会 主义市 场经济 体制的 事业单 位工作 人员聘 用制度 ,保障 用人单 位和职 工的合 法权益
1.3.2 半导体三极管的工作原理
半导体半导体三极管有共有四种工作状态:
为了规范事业单位聘用关系,建立和 完善适 应社会 主义市 场经济 体制的 事业单 位工作 人员聘 用制度 ,保障 用人单 位和职 工的合 法权益
1、发射区的电子大量地扩散注 入到基区,基区空穴的扩散可 忽略。
发射结正偏
集电结反偏
外电场方向
NP
N
++++
e ++++ ++++
+++
c + + +
++++ -
++++
IE
b
+++
UBB RB UCC RC
为了规范事业单位聘用关系,建立和 完善适 应社会 主义市 场经济 体制的 事业单 位工作 人员聘 用制度 ,保障 用人单 位和职 工的合 法权益
很小的IB控制 IC IC = β IB
基极电流和集电极电流除直流分
量外还有交流分量,且iC = β iB。 放大电路是在ui的作用下,改变iB, 并通过iB控制直流电源供给集电极 电流iC,使其产生相应的交流分量, 并在足够大的RC上形成较大的电 压降,就有了可供输出的经放大
的交流电压uo。
2.
一旦外界条件改变到
不4、再因满集电足结这反偏两,个集条电区件和,基 则区形中成以少很上子小公在的结且式电与不场集作电再用结成下的立漂反移偏。,
三极管工作状态的判别ppt课件

(P) E
结论:VPe>NVPb型>V三C 极管与NPNV型c>三Vb极>V管e 的 各工作(状PN态P型各)级的电位关系相(NP反N型)
精品ppt
8
比一比:三极管工作状态
项目 状态
条件
NPN型各级电位关系 PNP型各级电位关系
发射结
饱和状态
正
集电结
Vb>Ve Vb>Vc
Vb<Ve Vb<Vc
发射结 正
放大状态
集电结 反
Vc>Vb>Ve
Ve>Vb>Vc
发射结
截止状态
反
集电结
Vb<Ve
精品ppt
Vb>Ve
9
判别三极管工作状态的步骤
•判断三极管的结构型号
•比较Vb与Ve、Vb与Vc之间的大小
•对照表格确定三极管的工作状态
精品ppt
10
拓展练习
已知三极管三个级的电位如图所示,判别下列三极管所 处的工作状态?
发射结正偏集电结反偏三极管工作状态的判别项目状态条件npn型各级电位关系pnp型各级电位关系饱和状态放大状态反截止状态正反正vbvevbvcvevbvcvbve发射结集电结发射结集电结发射结集电结vbvevbvcvcvbvevbve三极管工作状态的判别?判断三极管的结构型号?比较vb与与vevb与与vc之间的大小?对照表格确定三极管的工作状态态
(N) E
VC>Vb
VC >Vb>Ve
精品ppt
6
想一想
NPN型三极管分析 得出的结论是不是 也适用于PNP型三 极管?
精品ppt
7
试验: PNP型三极管工作在放大状态
C
条件:发射结正偏、集电结反偏
(P)
发射结正偏(P接正,N接负)
三极管的识别PPT课件

3DG12B NPN高频小功率硅三极管
3AD PNP低频大功率锗三极管
20
3DD6 NPN低频大功率硅三极管
3DK NPN硅开关三极管
3AX31 PNP低频小功率锗三极管
3CG PNP高频小功率硅三极管
表示IB控制IC的能力越强, IC/IB的比值我们用表示。
IC IB
值即为电流放大系数也称电流放大倍数,用来表示晶体管
放大能力。
值越大,表示我晶体管的放大能量越强~
2021/3/12
13
2. 穿透电流( ICEO)
穿透电流( ICEO )是指三极管基极(b)开路时集电极(c) 与发射极(e)之间的反向电流(也叫c-e两极间的漏电电流)。
三极管的符号:
文字符号: VT
在电路中的符号:
c
c
b
b
2021/3/12
e
PNP型管
9
e
NPN型管
电源接法
c
iC
iB
VBB
VCC
iE
e
NPN型
b
iB
VBB
c
iC
VCC
iE
e
PNP型
1.电源极性不同 2.电流方向不同
2021/3/12
NPN,VC>VB>VE
PNP,VC<VB<VE NPN型电流从集电极流向发射极 PNP型电10 流从发射极流向集电极
晶体三极管
任务一、认识晶体三极管 任务二、晶体三极管的特性参数 任务三、晶体三极管的分类与命名 任务四、晶体三极管的检测
任务一: 认识晶体三极管
神奇的三极管
如图1所示是一个扩音器的示意图:
声音信号转换为电信号 声音
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再重复上述测试。
14
• 判断基极
对于NPN型三极管,用黑表笔接某一个电极,红表笔分 别接另外两个电极,若测量结果阻值都较小,交换表 笔后测量结果阻值都较大,则可断定第一次测量中黑 表笔所接电极为基极;如果测量结果阻值一大一小, 相差很大,则第一次测量中黑表笔接的不是基极,应 更换其他电极重测。
15
4
பைடு நூலகம்
• 第四部分:序号 • 用数字表示同一类产品序号
• 第五部分:规格 • 用字母表示产品规格
5
1.用万用表欧姆档判别二极管管脚极性
• 1.两次都很小,二极管被击穿损坏 • 2.两次都很大,二极管开路 • 以上是通常需要考虑的,当然还有些特殊情况 • 1.两次都很小,比如某些稳压管的反向击穿电压很
8
第一部分
用字母表示器件使用的材料 • A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗 • B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅 • C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓 • D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟 • E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
9
第二部分
二极管
1.二极管的命名规则 2.测量二极管管脚的正负极性(开路测量)
二极管命名的中国标准
简介
•第一部分:用数字“2”表示主称为二极管 •第二部分:用字母表示二极管的材料与极性 •第三部分:用字母表示二极管的类别 •第四部分:用数字表示序号 •第五部分:用字母表示二极管的规格
2
中国二极管命名的具体标准
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三极管管脚的在路辨别
• 先看型号,判断是NPN,还是PNP, • 在断电状态下,再在路用二极管档判断基极的方法: • 如果是NPN管 • 正反测量三个电极, • 找到这样一个电极红表笔固定在这个脚时用黑表笔去
13
三极管管脚开路辨别
一、判断PNP和NPN型 • 将万用表欧姆挡置 "R × 100" 或"R×lk" 处,先
假设三极管的某极为"基极",并把黑表笔接在假 设的基极上,将红表笔先后接在其余两个极上, 如果两次测得的电阻值都很小(或约为几百欧至 几千欧 ),则假设的基极是正确的,且被测三极管 为 NPN 型管;同上,如果两次测得的电阻值都 很大( 约为几千欧至几十千欧 ), 则假设的基极 是正确的,且被测三极管为 PNP 型管。如果两 次测得的电阻值是一大一小,则原来假设的基极 是错误的,这时必须重新假设另一电极为"基极",
• 第一部分:主称 • 2:二极管 • 第二部分:材料与极性 • A:N型锗材料,B:P型锗材料, • C:N型硅材料,D:P型硅材料 • E:化合物材料
3
• 第三部分:类别 • P:小信号管(普通管), W:电压调整管和电压基准管
(稳压管), • N: 阻尼管,Z:整流管,U:光电管, • K:开关管,B或C:变容管, • V:混频检波管,JP:激光管,S:隧道管, • CM:磁敏管,H:恒流管, • Y:体效应管,EF:发光二级管。
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用万用表hFE档
• 在已知晶体管基极,以及导电类型为NPN或PNP型后 ,将晶体管三个管脚插入相应导电类型对应的管脚插 孔内,基极对准相应的基极(b)孔不变,另外两个管 脚交替对准另两个插孔(c和e),观察hFE的读数。 hFE值较大的一次,对应的插孔标注极性即为晶体管 管脚极性(发射极和集电极)。
低,在测量它们时很可能会处于反向击穿状态(稳 压二极管的正常工作状态),这时的二极管并没有 损坏 • 2.两次都很大,有些万用表电阻档的输出电压无法达 到二极管的导通电压,这时的二极管处于正向死区 并未导通。比如数字表测量发光二极管,正反向都 是开路。当然这时二极管也没有损坏
6
用数字万用表PN结档判断二极管的 好坏、极性
• 数字万用表原始显示:最高位1,代表无穷大,断 • 1、判断好坏 • 红和黑表笔各接一极,如果表滴滴响,则说明管子短路,
坏;如果对换红黑表笔,两次测量时表盘显示都不变,是 管子断路坏 • 2、判断极性 • 红黑表笔各接一极,显示变化为有限几位数字时,红表笔 所接为P,黑表笔所接为N。
7
三极管
• 1、晶体管命名的国际标准 • 2、三极管管脚极性的辨别
判断e,c极
• 用万用表欧姆档 • 三极管基极确定后,通过交换表笔两次测量e、
c极间的电阻,如果两次测量的结果应不相等, 则其中测得电阻值较小的一次为红表笔接的是 e极,黑表笔接的是c极 • 对于PNP型三极管,方法与NPN管类似,只是 红、黑表笔的作用相反。 • 在测量e、c极间电阻时要注意,由于三极管的 V(BR)CEO很小,很容易将发射结击穿。
10
第三部分
• 用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用 半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专 用半导体器件的登记序号。
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第四部分
• 用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、 E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志 。
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名字后缀
• 除四个基本部分外,有时还加后缀,以区别特性或进 一步分类。常见后缀如下:1、稳压二极管型号的后缀。 其后缀的第一部分是一个字母,表示稳定电压值的容 许误差范围,字母A、B、C、D、E分别表示容许误差 为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;其后缀第 二部分是数字,表示标称稳定电压的整数数值;后缀 的第三部分是字母V,代表小数点,字母V之后的数字 为稳压管标称稳定电压的小数值。2、整流二极管后缀 是数字,表示器件的最大反向峰值耐压值,单位是伏 特。3、晶闸管型号的后缀也是数字,通常标出最大反 向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个 电压值。如:BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管, AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。
用字母表示器件的类型及主要特征 A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极 管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三 极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路 中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔 元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功 率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极 管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。
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• 判断基极
对于NPN型三极管,用黑表笔接某一个电极,红表笔分 别接另外两个电极,若测量结果阻值都较小,交换表 笔后测量结果阻值都较大,则可断定第一次测量中黑 表笔所接电极为基极;如果测量结果阻值一大一小, 相差很大,则第一次测量中黑表笔接的不是基极,应 更换其他电极重测。
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4
பைடு நூலகம்
• 第四部分:序号 • 用数字表示同一类产品序号
• 第五部分:规格 • 用字母表示产品规格
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1.用万用表欧姆档判别二极管管脚极性
• 1.两次都很小,二极管被击穿损坏 • 2.两次都很大,二极管开路 • 以上是通常需要考虑的,当然还有些特殊情况 • 1.两次都很小,比如某些稳压管的反向击穿电压很
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第一部分
用字母表示器件使用的材料 • A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗 • B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅 • C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓 • D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟 • E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
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第二部分
二极管
1.二极管的命名规则 2.测量二极管管脚的正负极性(开路测量)
二极管命名的中国标准
简介
•第一部分:用数字“2”表示主称为二极管 •第二部分:用字母表示二极管的材料与极性 •第三部分:用字母表示二极管的类别 •第四部分:用数字表示序号 •第五部分:用字母表示二极管的规格
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中国二极管命名的具体标准
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三极管管脚的在路辨别
• 先看型号,判断是NPN,还是PNP, • 在断电状态下,再在路用二极管档判断基极的方法: • 如果是NPN管 • 正反测量三个电极, • 找到这样一个电极红表笔固定在这个脚时用黑表笔去
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三极管管脚开路辨别
一、判断PNP和NPN型 • 将万用表欧姆挡置 "R × 100" 或"R×lk" 处,先
假设三极管的某极为"基极",并把黑表笔接在假 设的基极上,将红表笔先后接在其余两个极上, 如果两次测得的电阻值都很小(或约为几百欧至 几千欧 ),则假设的基极是正确的,且被测三极管 为 NPN 型管;同上,如果两次测得的电阻值都 很大( 约为几千欧至几十千欧 ), 则假设的基极 是正确的,且被测三极管为 PNP 型管。如果两 次测得的电阻值是一大一小,则原来假设的基极 是错误的,这时必须重新假设另一电极为"基极",
• 第一部分:主称 • 2:二极管 • 第二部分:材料与极性 • A:N型锗材料,B:P型锗材料, • C:N型硅材料,D:P型硅材料 • E:化合物材料
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• 第三部分:类别 • P:小信号管(普通管), W:电压调整管和电压基准管
(稳压管), • N: 阻尼管,Z:整流管,U:光电管, • K:开关管,B或C:变容管, • V:混频检波管,JP:激光管,S:隧道管, • CM:磁敏管,H:恒流管, • Y:体效应管,EF:发光二级管。
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用万用表hFE档
• 在已知晶体管基极,以及导电类型为NPN或PNP型后 ,将晶体管三个管脚插入相应导电类型对应的管脚插 孔内,基极对准相应的基极(b)孔不变,另外两个管 脚交替对准另两个插孔(c和e),观察hFE的读数。 hFE值较大的一次,对应的插孔标注极性即为晶体管 管脚极性(发射极和集电极)。
低,在测量它们时很可能会处于反向击穿状态(稳 压二极管的正常工作状态),这时的二极管并没有 损坏 • 2.两次都很大,有些万用表电阻档的输出电压无法达 到二极管的导通电压,这时的二极管处于正向死区 并未导通。比如数字表测量发光二极管,正反向都 是开路。当然这时二极管也没有损坏
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用数字万用表PN结档判断二极管的 好坏、极性
• 数字万用表原始显示:最高位1,代表无穷大,断 • 1、判断好坏 • 红和黑表笔各接一极,如果表滴滴响,则说明管子短路,
坏;如果对换红黑表笔,两次测量时表盘显示都不变,是 管子断路坏 • 2、判断极性 • 红黑表笔各接一极,显示变化为有限几位数字时,红表笔 所接为P,黑表笔所接为N。
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三极管
• 1、晶体管命名的国际标准 • 2、三极管管脚极性的辨别
判断e,c极
• 用万用表欧姆档 • 三极管基极确定后,通过交换表笔两次测量e、
c极间的电阻,如果两次测量的结果应不相等, 则其中测得电阻值较小的一次为红表笔接的是 e极,黑表笔接的是c极 • 对于PNP型三极管,方法与NPN管类似,只是 红、黑表笔的作用相反。 • 在测量e、c极间电阻时要注意,由于三极管的 V(BR)CEO很小,很容易将发射结击穿。
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第三部分
• 用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用 半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专 用半导体器件的登记序号。
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第四部分
• 用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、 E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志 。
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名字后缀
• 除四个基本部分外,有时还加后缀,以区别特性或进 一步分类。常见后缀如下:1、稳压二极管型号的后缀。 其后缀的第一部分是一个字母,表示稳定电压值的容 许误差范围,字母A、B、C、D、E分别表示容许误差 为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;其后缀第 二部分是数字,表示标称稳定电压的整数数值;后缀 的第三部分是字母V,代表小数点,字母V之后的数字 为稳压管标称稳定电压的小数值。2、整流二极管后缀 是数字,表示器件的最大反向峰值耐压值,单位是伏 特。3、晶闸管型号的后缀也是数字,通常标出最大反 向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个 电压值。如:BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管, AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。
用字母表示器件的类型及主要特征 A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极 管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三 极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路 中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔 元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功 率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极 管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。