三极管课件
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三极管工作原理(详解)ppt课件
VBQ
VB EQ Re
VCEQ VCC ICQ Rc IEQ Re VCC ICQ ( Rc Re )
IBQ
ICQ β
32
4.5.1 共集电极放大电路
Av 1 。 Ri Rb //[rbe ( 1
rbe β
共集电极电路特点：
◆ 电压增益小于1但接近于1，vo与vi同相 ◆ 输入电阻大，对电压信号源衰减小 ◆ 输出电阻小，带负载能力强
极电阻有很大关系。适用于低频情况下，作多级放大电路的中间级。 共集电极放大电路：
只有电流放大作用，没有电压放大，有电压跟随作用。在三种组态中， 输入电阻最高，输出电阻最小，频率特性好。可用于输入级、输出级或缓冲 级。 共基极放大电路：
只有电压放大作用，没有电流放大，有电流跟随作用，输入电阻小，输 出电阻与集电极电阻有关。高频特性较好，常用于高频或宽频带低输入阻抗 的场合，模拟集成电路中亦兼有电位移动的功能。
IE ＝ IB ＋IC
6
三极管的三种放大电路
当晶体管被用作放大器使用时，其中两个电极用作信号 (待放大信号) 的输入端子；两个电极作为信号 (放大后的 信号) 的输出端子。 那么，晶体管三个电极中，必须有一 个电极既是信号的输入端子，又同时是信号的输出端子， 这个电极称为输入信号和输出信号的公共电极。
1
目录
1 三极管的结构
2 三极管的作用
3
三极管的三种放大电路
4 三极管的开关状态
2
三极管的结构简介
三极管的类型：
• 按频率分：高频管、低频管； • 按功率分：小、中、大功率管； • 按半导体材料分：硅、锗管； • 按结构分：NPN和PNP管；
3
三极管的结构简介
(a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管
三极管经典教程PPT课件
2021
电流放大系数
共 射 电 流 放 大 系 数
iB b +
c + iC
vCE
vBE - e -
VCC
VBB
共射极放大电路
直流电流放大系数
=IC / IB | vCE =const 交流电流放大系数 =IC/IBvCE=const
2021
电流放大系数
共
基
电
流
直流电流放大系数
放 大
α=IC/IE
vCCEE = 0V vCE
0V
1V
iB b +
c + iC
vCE
vBE - e -
VCC
VBB
共射极放大电路
2021
BJT的特性曲线
2. 输出特性曲线 输出电流与输出电压间的关系曲线
iCv=CfB(vCEvC )EiB=vcBoE nst
输饱出和特区性：曲vCE线<v的BE 三的个区区域域，: 发射结正偏，集电结正 偏。 iC明显受vCE控制 的截区放止域大区，区：但：i不此B=随时0的i，B的输发增出射曲结线正以 加下而偏的增，区大集域。电。在结此饱反时和偏，区。，i发C不射随结 可和近vC集似E变电认化结为，均v但C反E随保偏i持B。的不i增C只大有而很
V C1.3V,V B0.6V
V CV B1.30.60.7V A －集电极
VA6VVB,VC
管子为NPN管
C－基极，B－发射极
另一例题参见P30 2.2.2-1
2021
§2.2.3 三极管的主要参数
三极管的参数是 用来表征管子性 能优劣适应范围 的，是选管的依 据，共有以下三 大类参数。
电流放大系数 极间反向电流 极限参数
优秀实用的三极管精品PPT课件
好。
• 2.三极管实现电流分配的原理
•
上述实验结论可以用载流子在
三极管内部的运动规律来解释。图1.29
为三极管内部载流子的传输与电流分配
示意图。
图1.29 三极管内部载流子的传输与电流分配示意图
•
（1）发射区向基区发射自由电
子，形成发射极电流IE。
•
（2）自由电子在基区与空穴复
合，形成基极电流IB。
极最大电流、最大反向电压等，这些参
数可以通过查半导体手册来得到。三极
管的参数是正确选定三极管的重要依据，
下面介绍三极管的几个主要参数。
• （1）共发射极电流放大系数β和β
•
它是指从基极输入信号，从集
电极输出信号，此种接法（共发射极）
下的电流放大系数。
–（2）极间反向电流
• ① 集电极基极间的反向饱和电流ICBO • ② 集电极发射极间的穿透电流ICEO
（d）三极管的集电极和发射极
近似短接，三极管类似于一个开关导通。
•
三极管作为开关使用时，通常
工作在截止和饱和导通状态；作为放大
元件使用时，一般要工作在放大状态。
SUCCESS
THANK YOU
2020/12/13
可编辑
26
• 2.三极管的主要参数
•
三极管的参数有很多，如电流
放大系数、反向电流、耗散功率、集电
这是三极管实现电流放大的内部条件。
•
三极管可以是由半导体硅材
料制成，称为硅三极管；也可以由锗
材料制成，称为锗三极管。
•
三极管从应用的角度讲，种
类很多。根据工作频率分为高频管、
低频管和开关管；根据工作功率分为
大功率管、中功率管和小功率管。常
• 2.三极管实现电流分配的原理
•
上述实验结论可以用载流子在
三极管内部的运动规律来解释。图1.29
为三极管内部载流子的传输与电流分配
示意图。
图1.29 三极管内部载流子的传输与电流分配示意图
•
（1）发射区向基区发射自由电
子，形成发射极电流IE。
•
（2）自由电子在基区与空穴复
合，形成基极电流IB。
极最大电流、最大反向电压等，这些参
数可以通过查半导体手册来得到。三极
管的参数是正确选定三极管的重要依据，
下面介绍三极管的几个主要参数。
• （1）共发射极电流放大系数β和β
•
它是指从基极输入信号，从集
电极输出信号，此种接法（共发射极）
下的电流放大系数。
–（2）极间反向电流
• ① 集电极基极间的反向饱和电流ICBO • ② 集电极发射极间的穿透电流ICEO
（d）三极管的集电极和发射极
近似短接，三极管类似于一个开关导通。
•
三极管作为开关使用时，通常
工作在截止和饱和导通状态；作为放大
元件使用时，一般要工作在放大状态。
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• 2.三极管的主要参数
•
三极管的参数有很多，如电流
放大系数、反向电流、耗散功率、集电
这是三极管实现电流放大的内部条件。
•
三极管可以是由半导体硅材
料制成，称为硅三极管；也可以由锗
材料制成，称为锗三极管。
•
三极管从应用的角度讲，种
类很多。根据工作频率分为高频管、
低频管和开关管；根据工作功率分为
大功率管、中功率管和小功率管。常
《三极管基本知识》PPT课件
饱和区
4
放
3
2
大
100A
80A 60A 40A
1
区
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
截止区
IC(mA ) 4 3
2
此1区00域A中 :
IB=800,IC=AICEO,U
B称E<为6死0截区A止电区压。，
40A
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
二、输出特性
IC(mA )
此区域满
ICBO A
ICBO是集
电结反偏 由少子的 漂移形成 的反向电 流，受温 度的变化 影响。
3.集电极最大电流ICM
集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，
当值下降到正常值的三分之二时的集电极电
流即为ICM。
4.集-射极反向击穿电压
当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，
三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、
注意：β和β数值很接近，通常不将他们严格区分。
四、三极管的特性曲线
IB
A RB
V UBE
RP
EB
IC mA
EC
V UCE
实验线路
一、输入特性
IB(A) 80 60 40
20
死区电压，
0.4
硅管0.5V
工作压降： 硅管 UBE0.6~0.7V
0.8 UBE(V)
一、输入特性
输入特性描述的是三极管基极电流IB和发射结两端电压UBE 之间的关系。
nnp发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极ppn发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极becnnp基极发射极集电极npn型pnp集电极基极发射极bcepnp型becnpn型becpnp型二极管检测用数字万用表测试二极管时是测量二极管的正向压降
4
放
3
2
大
100A
80A 60A 40A
1
区
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
截止区
IC(mA ) 4 3
2
此1区00域A中 :
IB=800,IC=AICEO,U
B称E<为6死0截区A止电区压。，
40A
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
二、输出特性
IC(mA )
此区域满
ICBO A
ICBO是集
电结反偏 由少子的 漂移形成 的反向电 流，受温 度的变化 影响。
3.集电极最大电流ICM
集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，
当值下降到正常值的三分之二时的集电极电
流即为ICM。
4.集-射极反向击穿电压
当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，
三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、
注意：β和β数值很接近，通常不将他们严格区分。
四、三极管的特性曲线
IB
A RB
V UBE
RP
EB
IC mA
EC
V UCE
实验线路
一、输入特性
IB(A) 80 60 40
20
死区电压，
0.4
硅管0.5V
工作压降： 硅管 UBE0.6~0.7V
0.8 UBE(V)
一、输入特性
输入特性描述的是三极管基极电流IB和发射结两端电压UBE 之间的关系。
nnp发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极ppn发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极becnnp基极发射极集电极npn型pnp集电极基极发射极bcepnp型becnpn型becpnp型二极管检测用数字万用表测试二极管时是测量二极管的正向压降
三极管ppt课件完整版
常见故障现象及诊断方法
诊断方法
测量三极管的耐压值是否降低，观察电路是否有过载现象，若确认 损坏则更换三极管。
故障现象3
三极管漏电流过大。
诊断方法
测量三极管的漏电流是否超过规定值，若过大则检查电路是否存在漏 电现象，并更换三极管。
常见故障现象及诊断方法
故障现象4
三极管热稳定性差。
诊断方法
检查三极管的散热条件是否良好，测量其热稳定性参数是否在规定范围内，若异常则改善散热条件或 更换适合的三极管型号。
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源。
工作原理
共基放大电路的特点是输入回路与输出回路共用一个电极，即基极。输入信号加在三极管的发射极和基极之间， 输出信号从集电极取出。由于共基放大电路的输入阻抗低，输出阻抗高，因此具有电压放大倍数大、频带宽等优 点。
共集放大电路组成及工作原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源 。
真加剧。而截止频率则限制了三极管能够放大的信号频率范围。
03
三极管基本放大电路分析
共射放大电路组成及工作原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源。
工作原理
利用三极管的电流放大作用，将输入信号放大并输出。输入信号加在三极管的基 极和发射极之间，输出信号从集电极取出，经过耦合电容与负载相连。
共基放大电路组成及工作原理
偏置电路类型及其作用
固定偏置电路
01
提供稳定的基极电流，使三极管工作在放大区。
分压式偏置电路
02
通过电阻分压为基极提供合适的偏置电压，使三极管具有稳定
的静态工作点。
集电极-基极偏置电路
03
利用集电极电阻的压降为基极提供偏置电压，适用于某些特殊
三极管课件
选型注意事项
工作频率与功率
根据电路需求选择合适 的工作频率和功率等级
的三极管。
材料与极性
考虑三极管的材料和极 性，如硅管或锗管， NPN型或PNP型。
封装与散热
根据实际应用场景选择 合适的封装形式，并考
虑散热问题。
可靠性与品牌
优先选择可靠性高、品 牌知名度大的产品。
测试方法介绍
外观检查
检查三极管的外观是否完好，引脚是 否氧化或变形。
动态性能
共射极放大电路具有电压放大和电流放大作用，其电压放大倍数Au和电流放大倍数Ai均 大于1。
共集电极放大电路
1 2 3
放大原理
输入信号加在基极与发射极之间，输出信号从发 射极取出。由于集电极是共同输出端，故称共集 电极放大电路。
静态工作点
与共射极放大电路相同，为了使三极管工作在放 大区，必须给三极管的发射结加正向偏置电压， 集电结加反向偏置电压。
保护电路
设计过流、过压和过热保护电路，确保电源和负载的安全。
其他模拟电路应用
模拟开关
利用三极管的开关特性，实现模拟信号的通断控 制。
模拟运算放大器
将三极管作为运算放大器的核心元件，实现加、 减、乘、除等模拟运算。
信号发生器
利用三极管的振荡特性，构建信号发生器，产生 所需频率和幅度的正弦波、方波等信号。
三极管结构特点
01
02
03
三个区域
发射区、基区和集电区， 分别对应三极管的三个电 极。
两个PN结
发射结和集电结，是三极 管实现放大和控制功能的 关键。
电流放大原理
利用发射结正向偏置时， 基区载流子的扩散和漂移 运动，实现电流的放大。
三个引脚名称与功能
三极管ppt课件
(4) 集电极的反向电流
ICN
因可集见电：结反偏，故基区本
身I的B=少IBN数-I载CB流O 子-电子和集
电区本身的少数载流子-空 穴I也C=要IC发N+生IC漂BO移运动形成
IBN ICBO
电I流B+IICCB=OIBN+ICN=IEN
最新版整理ppt
IE=IEN+IEP
32- 11
4 双极结型三极管及放大电路基础
4.发射结反偏且，: V集CC电>结VB正B 偏
倒置状态
倒置状态是一种非工作状态。 最新版整理ppt
7
7
4 双极结型三极管及放大电路基础
4.1 半导体三极管(BJT)
4.1.2 放大状态下BJT的工作原理
2.处于放大状态的BJT内部载流子的运动
（1）形成发射极电流IE
c
ba.基发区射向区发向射基区扩注散入空电穴子 形成发射极电流IEEPN：：
因基因可发区发见射的射：结多区正数I外E=偏载接IE,流电空N+子源间IE空的P电穴荷 b 因区向负发变发极射薄射,所区,区扩以杂扩散电质散运源浓。动负度扩加极远散强不远到, Rb 大漂发断于移射向基运区发区动后射的减被区杂弱电提质.源供浓负电度极子故拉, : 发子走 I从I故EE射向PN，而:。。I区基形形EI=E的区成成NIE>多扩N发发>+>数散I射射IEE载。P极极P≈流I电电EN子流流电最新版整理ppVt BB
基极(b)
集电极(c)
集电结(Jc)
箭头代表发射结正偏时
流过发射结电流的实际方向。
最新版整理ppt
32- 4
4 双极结型三极管及放大电路基础
4.1 半导体三极管(BJT)
三极管ppt课件
生变化。
晶体管截止频率影响
晶体管的截止频率限制了其放大高频信号 的能力，当输入信号频率接近或超过截止 频率时，晶体管放大倍数急剧下降。
负载效应影响
在高频段，负载效应对信号产生较大的影 响，使得输出信号的幅度和相位发生变化 。
05
三极管功率放大电路设计 与应用
功率放大电路类型及特点
甲类功率放大电路
采用单电源供电，输出端通过大容量电容与负载耦合，具 有电路简单、成本低等优点，但电源功率利用率较低且存 在较大的非线性失真。
集成功率放大器简介与应用
集成功率放大器概述
将功率放大电路与必要的辅助电路集成在同一芯片上，具 有体积小、重量轻、可靠性高等优点。
集成功率放大器的应用
广泛应用于音响设备、电视机、计算机等电子设备中，用 于驱动扬声器、耳机等负载，提供足够的输出功率和良好 的音质效果。
工作点设置在截止区，主要用于高频功率放大，效率很高但非线性失 真严重。
OCL和OTL功率放大电路设计实例
要点一
OCL（Output Capacitor Less ）功…
采用双电源供电，输出端与负载直接耦合，具有低失真、 高效率等优点，但需要较大的电源功率和输出电容。
要点二
OTL（Output Transformer Less…
02
三极管基本放大电路
共射放大电路组成及原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直 流电源
特点
电压放大倍数大，输出电阻较大，输 入电阻适中
原理
利用三极管的电流放大作用，将输入 信号放大并
共基放大电路组成及原理
01
02
03
组成
输入回路、输出回路、耦 合电容、直流电源
晶体管截止频率影响
晶体管的截止频率限制了其放大高频信号 的能力，当输入信号频率接近或超过截止 频率时，晶体管放大倍数急剧下降。
负载效应影响
在高频段，负载效应对信号产生较大的影 响，使得输出信号的幅度和相位发生变化 。
05
三极管功率放大电路设计 与应用
功率放大电路类型及特点
甲类功率放大电路
采用单电源供电，输出端通过大容量电容与负载耦合，具 有电路简单、成本低等优点，但电源功率利用率较低且存 在较大的非线性失真。
集成功率放大器简介与应用
集成功率放大器概述
将功率放大电路与必要的辅助电路集成在同一芯片上，具 有体积小、重量轻、可靠性高等优点。
集成功率放大器的应用
广泛应用于音响设备、电视机、计算机等电子设备中，用 于驱动扬声器、耳机等负载，提供足够的输出功率和良好 的音质效果。
工作点设置在截止区，主要用于高频功率放大，效率很高但非线性失 真严重。
OCL和OTL功率放大电路设计实例
要点一
OCL（Output Capacitor Less ）功…
采用双电源供电，输出端与负载直接耦合，具有低失真、 高效率等优点，但需要较大的电源功率和输出电容。
要点二
OTL（Output Transformer Less…
02
三极管基本放大电路
共射放大电路组成及原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直 流电源
特点
电压放大倍数大，输出电阻较大，输 入电阻适中
原理
利用三极管的电流放大作用，将输入 信号放大并
共基放大电路组成及原理
01
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03
组成
输入回路、输出回路、耦 合电容、直流电源
《三极管基本知识》PPT课件
背景
三极管是电子电路中的重要元件，广泛应用于放大、开关、振荡等电路中。随 着电子技术的发展，三极管的应用领域不断扩大，对电子工程师的要求也越来 越高。
课程内容和结构
课程内容
本课程将介绍三极管的基本原理、结构、特性、参数以及应用等方面的知识。
课程结构
本课程将按照“由浅入深、循序渐进”的原则，先介绍三极管的基本概念和原理，然后逐步深入讲解三极管的特 性和应用。具体内容包括：三极管的基本原理、结构和分类；三极管的放大原理和特性；三极管的参数和选型； 三极管的应用电路和实例等。
输入特性曲线
输入特性曲线表示三极管在放 大状态下，基极电流（Ib）与 基极-发射极电压（Vbe）之
间的关系。
输入特性曲线与二极管的伏 安特性曲线类似，呈指数关
系。
当Vbe较小时，Ib几乎为零， 当Vbe超过一定值后，Ib随 Vbe的增大而迅速增大。
输出特性曲线
输出特性曲线表示三极管在放大状态下，集电极电流 （Ic）与集电极-发射极电压（Vce）之间的关系。
工业控制领域
三极管在工业控制电路中也有 着广泛的应用，如电机控制、
温度控制等。
消费电子领域
音响、电视、冰箱等消费电子 产品中也需要使用三极管进行
信号放大或电路控制。
03
三极管结构与工作原理
三极管内部结构
掺杂浓度
发射区掺杂浓度最高，基区很薄且 掺杂浓度最低，集电区掺杂浓度较 高。
PN结
三极管内部包含两个PN结，分别 是发射结和集电结。
三极管主要参数
01
02
03
电流放大系数
表示三极管对电流的放大 能力，是判断三极管放大 性能的重要参数。
极间反向电流
包括集电极-基极反向饱和 电流和集电极-发射极反向 饱和电流，反映了三极管 的截止性能。
三极管是电子电路中的重要元件，广泛应用于放大、开关、振荡等电路中。随 着电子技术的发展，三极管的应用领域不断扩大，对电子工程师的要求也越来 越高。
课程内容和结构
课程内容
本课程将介绍三极管的基本原理、结构、特性、参数以及应用等方面的知识。
课程结构
本课程将按照“由浅入深、循序渐进”的原则，先介绍三极管的基本概念和原理，然后逐步深入讲解三极管的特 性和应用。具体内容包括：三极管的基本原理、结构和分类；三极管的放大原理和特性；三极管的参数和选型； 三极管的应用电路和实例等。
输入特性曲线
输入特性曲线表示三极管在放 大状态下，基极电流（Ib）与 基极-发射极电压（Vbe）之
间的关系。
输入特性曲线与二极管的伏 安特性曲线类似，呈指数关
系。
当Vbe较小时，Ib几乎为零， 当Vbe超过一定值后，Ib随 Vbe的增大而迅速增大。
输出特性曲线
输出特性曲线表示三极管在放大状态下，集电极电流 （Ic）与集电极-发射极电压（Vce）之间的关系。
工业控制领域
三极管在工业控制电路中也有 着广泛的应用，如电机控制、
温度控制等。
消费电子领域
音响、电视、冰箱等消费电子 产品中也需要使用三极管进行
信号放大或电路控制。
03
三极管结构与工作原理
三极管内部结构
掺杂浓度
发射区掺杂浓度最高，基区很薄且 掺杂浓度最低，集电区掺杂浓度较 高。
PN结
三极管内部包含两个PN结，分别 是发射结和集电结。
三极管主要参数
01
02
03
电流放大系数
表示三极管对电流的放大 能力，是判断三极管放大 性能的重要参数。
极间反向电流
包括集电极-基极反向饱和 电流和集电极-发射极反向 饱和电流，反映了三极管 的截止性能。
《三极管教学》课件
《三极管教学》ppt课件
三极管概述三极管工作原理三极管基本应用三极管特性参数三极管的选择与使用
三极管概述
01
总结词
三极管是一种电子元件，由三个半导体区域组成，具有放大和开关电流的功能。
详细描述
三极管是电子学中非常重要的基本元件之一，由三个半导体区域组成，分别是基极（base）、集电极（collector）和发射极（emitter）。这三个区域在结构上有所不同，从而使得三极管具有了放大和开关电流的功能。
详细描述
பைடு நூலகம்
总结词
三极管的符号通常由三个电极的图形和字母组成，用于表示三极管的类型和功能。
要点一
要点二
详细描述
在电路图中，三极管的符号通常由三个电极的图形和字母组成。其中，字母B表示基极，E表示发射极，C表示集电极。根据三极管的类型和功能，这些符号会有所不同。例如，NPN型硅三极管的电路符号中，基极是箭头朝里的三角形，集电极是箭头朝外的三角形，发射极是竖线；PNP型硅三极管的电路符号中，基极是箭头朝外的三角形，集电极是箭头朝里的三角形，发射极是竖线。这些符号能够帮助我们理解和分析电路的工作原理。
根据结构和材料的不同，三极管可以分为双极型和场效应型两大类。
总结词
双极型三极管是由半导体材料制成的，其工作原理基于电子和空穴两种载流子的运动。常见的双极型三极管有硅三极管和锗三极管。场效应型三极管则是由金属-氧化物-半导体结构制成的，其工作原理基于电场对载流子的调控。常见的场效应型三极管有NMOS和PMOS两种。
考虑三极管工作时产生的热量，合理设计散热措施，保证管子工作在安全温度范围内。
散热设计
在某些应用中，需要将多个三极管配对使用，以获得更好的性能。
配对使用
三极管概述三极管工作原理三极管基本应用三极管特性参数三极管的选择与使用
三极管概述
01
总结词
三极管是一种电子元件，由三个半导体区域组成，具有放大和开关电流的功能。
详细描述
三极管是电子学中非常重要的基本元件之一，由三个半导体区域组成，分别是基极（base）、集电极（collector）和发射极（emitter）。这三个区域在结构上有所不同，从而使得三极管具有了放大和开关电流的功能。
详细描述
பைடு நூலகம்
总结词
三极管的符号通常由三个电极的图形和字母组成，用于表示三极管的类型和功能。
要点一
要点二
详细描述
在电路图中，三极管的符号通常由三个电极的图形和字母组成。其中，字母B表示基极，E表示发射极，C表示集电极。根据三极管的类型和功能，这些符号会有所不同。例如，NPN型硅三极管的电路符号中，基极是箭头朝里的三角形，集电极是箭头朝外的三角形，发射极是竖线；PNP型硅三极管的电路符号中，基极是箭头朝外的三角形，集电极是箭头朝里的三角形，发射极是竖线。这些符号能够帮助我们理解和分析电路的工作原理。
根据结构和材料的不同，三极管可以分为双极型和场效应型两大类。
总结词
双极型三极管是由半导体材料制成的，其工作原理基于电子和空穴两种载流子的运动。常见的双极型三极管有硅三极管和锗三极管。场效应型三极管则是由金属-氧化物-半导体结构制成的，其工作原理基于电场对载流子的调控。常见的场效应型三极管有NMOS和PMOS两种。
考虑三极管工作时产生的热量，合理设计散热措施，保证管子工作在安全温度范围内。
散热设计
在某些应用中，需要将多个三极管配对使用，以获得更好的性能。
配对使用
模电课件：第三章三极管
动态：输入信号不为零时，放大电路的工作
状态，也称交流工作状态。
电路处于静态时，三极管个电极的电压、电
流在特性曲线上确定为一点，称为静态工作点，
常称为Q点。一般用IB、 IC、和VCE （或IBQ、ICQ、 和VCEQ ）表示。
# 放大电路为什么要建立正确的静态？
3.2 共 射极放 大电路
5. 直流通路和交流通路 （思考题）
Rc CCbb22
TTT Cb2
VVCCCC
Rb
VBB
(d) ((bf))
3.3 图解分析法
3.3.1 静态工作情况分析
用近似估算法求静态工作点 用图解分析法确定静态工作点
3.3.2 动态工作情况分析
交流通路及交流负载线 输入交流信号时的图解分析 BJT的三个工作区 输出功率和功率三角形
BJT的三种组态
共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;
4. 共射放大
若 vI = 20mV 使 iB = 20 uA 设 = 0.98
则 iC iB
1 iB
1. 输入特性曲线
（以共射极放大电路为例）
iB=f(vBE) vCE=const
(1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收
集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。
vCE = 0V vCE 1V
得到
且
IE= (1+ ) IB
IC
IB
三极管教学ppt课件
为了规范事业单位聘用关系，建立和 完善适 应社会 主义市 场经济 体制的 事业单 位工作 人员聘 用制度 ，保障 用人单 位和职 工的合 法权益
1.3.2 半导体三极管的工作原理
半导体半导体三极管有共有四种工作状态：
为了规范事业单位聘用关系，建立和 完善适 应社会 主义市 场经济 体制的 事业单 位工作 人员聘 用制度 ，保障 用人单 位和职 工的合 法权益
1、发射区的电子大量地扩散注 入到基区，基区空穴的扩散可 忽略。
发射结正偏
集电结反偏
外电场方向
NP
N
++++
e ++++ ++++
+++
c + + +
++++ -
++++
IE
b
+++
UBB RB UCC RC
为了规范事业单位聘用关系，建立和 完善适 应社会 主义市 场经济 体制的 事业单 位工作 人员聘 用制度 ，保障 用人单 位和职 工的合 法权益
很小的IB控制 IC IC = β IB
基极电流和集电极电流除直流分
量外还有交流分量，且iC = β iB。 放大电路是在ui的作用下，改变iB， 并通过iB控制直流电源供给集电极 电流iC，使其产生相应的交流分量， 并在足够大的RC上形成较大的电 压降，就有了可供输出的经放大
的交流电压uo。
2.
一旦外界条件改变到
不4、再因满集电足结这反偏两，个集条电区件和，基 则区形中成以少很上子小公在的结且式电与不场集作电再用结成下的立漂反移偏。，
三极管经典教程PPT课件
静态工作点
为了使三极管工作在放大区，需要设置合适的静态工作点，即合适的基极电流和集电极电压。静态工作点的设置对放大电 路的性能有很大影响。
动态性能 共射放大电路具有较高的电压放大倍数和较好的频率响应特性。但由于三极管的非线性特性，输出信号 会产生失真。
共基放大电路
原理分析
共基放大电路中，信号源与三极管的发射极和基极相连， 集电极作为输出端。与共射放大电路相比，共基放大电路 具有更高的电流放大倍数和更宽的频带宽度。
放大状态：当加在三极管发射结的电 压大于PN结的导通电压，并处于某一 恰当的值时，三极管的发射结正向偏 置，集电结反向偏置，这时基极电流 对集电极电流起着控制作用，使三极 管具有电流放大作用，其电流放大倍 数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。
饱和导通状态：当加在三极管发射结 的电压大于PN结的导通电压，并当基 极电流增大到一定程度时，集电极电 流不再随着基极电流的增大而增大， 而是处于某一定值附近不怎么变化， 这时三极管失去电流放大作用，集电 极与发射极之间的电压很小，集电极 和发射极之间相当于开关的导通状态。 三极管的这种状态我们称之为饱和导 通状态。
电极电流IC与基极电流IB之比。
极间反向电流 包括集电结反向饱和电流ICBO和发 射极反向电流IEBO，用于衡量三极管
的稳定性。
截止频率fT 表示三极管的高频性能，定义为当β 下降到低频时β值的0.707倍时所对应 的频率。
动态特性参数的意义 用于全面评价三极管的性能，为电路 设计提供重要依据。
03
解调概念
从已调信号中提取出低频信号的过程。
解调方式
对应不同的调制方式，有相应的解调方法，如包络检波、鉴频和鉴相等。
07
三极管应用实例与选型指南
为了使三极管工作在放大区，需要设置合适的静态工作点，即合适的基极电流和集电极电压。静态工作点的设置对放大电 路的性能有很大影响。
动态性能 共射放大电路具有较高的电压放大倍数和较好的频率响应特性。但由于三极管的非线性特性，输出信号 会产生失真。
共基放大电路
原理分析
共基放大电路中，信号源与三极管的发射极和基极相连， 集电极作为输出端。与共射放大电路相比，共基放大电路 具有更高的电流放大倍数和更宽的频带宽度。
放大状态：当加在三极管发射结的电 压大于PN结的导通电压，并处于某一 恰当的值时，三极管的发射结正向偏 置，集电结反向偏置，这时基极电流 对集电极电流起着控制作用，使三极 管具有电流放大作用，其电流放大倍 数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。
饱和导通状态：当加在三极管发射结 的电压大于PN结的导通电压，并当基 极电流增大到一定程度时，集电极电 流不再随着基极电流的增大而增大， 而是处于某一定值附近不怎么变化， 这时三极管失去电流放大作用，集电 极与发射极之间的电压很小，集电极 和发射极之间相当于开关的导通状态。 三极管的这种状态我们称之为饱和导 通状态。
电极电流IC与基极电流IB之比。
极间反向电流 包括集电结反向饱和电流ICBO和发 射极反向电流IEBO，用于衡量三极管
的稳定性。
截止频率fT 表示三极管的高频性能，定义为当β 下降到低频时β值的0.707倍时所对应 的频率。
动态特性参数的意义 用于全面评价三极管的性能，为电路 设计提供重要依据。
03
解调概念
从已调信号中提取出低频信号的过程。
解调方式
对应不同的调制方式，有相应的解调方法，如包络检波、鉴频和鉴相等。
07
三极管应用实例与选型指南
《任务3三极管》课件
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汇报人：
共集电极放大电路 的应用：常用于信 号放大、功率放大 等场合。
共集电极放大电路 的组成：输入信号 、三极管、输出信 号、电源等。
共集电极放大电路的 工作原理：输入信号 通过三极管放大后， 输出信号与输入信号 同相位，但幅度增大 。
任务3三极管的应 用
开关作用：三 极管在数字电 路中常用作开 关，控制电流
输入特性曲线可 以用来分析三极 管的工作状态、 性能和稳定性等 参数。
输入特性曲线：描述三极管在不同 输曲线：描述三极管在 不同输入电压和电流以及输出电压 和电流下的输出特性
添加标题
添加标题
添加标题
添加标题
输出特性曲线：描述三极管在不同 输出电压和电流下的输出特性
特性曲线的应用：在电路设计中， 通过特性曲线可以了解三极管的工 作状态和性能指标
转移特性 曲线是三 极管最重 要的特性 曲线之一
描述了三 极管在不 同工作状 态下的电 流、电压 关系
包括线性 区、饱和 区和截止 区
线性区： 三极管工 作在放大 状态，电 流、电压 关系近似 线性
饱和区： 三极管工 作在开关 状态，电 流、电压 关系近似 饱和
任务3三极管PPT课件
汇报人：
目录
添加目录标题
任务3三极管简介
任务3三极管特性
任务3三极管放大电 路
任务3三极管的应用
任务3三极管的选择 与使用注意事项
添加章节标题
任务3三极管简介
三极管是一种半 导体器件，由两 个PN结组成
三极管有三个电 极：发射极、基 极和集电极
三极管具有电流 放大作用，可以 用于放大信号
的通断
放大作用：三 极管在数字电 路中可以放大 信号，提高信
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三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
发射结加正向电压(也叫正偏置)； Vb>Ve （2）外部条件： 集电结加反向电压(也叫反偏置)。 Vc>Vb
作者： 符庆
△ IC ＝ β △ IB
IC ＝ β IB
——直流电流放大系数 ——交流电流放大系数
IE=IC+IB
IC＝ β IB IE ＝ IB + IC
硅管 三极管 锗管 NPN管 PNP管 NPN管 PNP管 PNP
NPN
三极管是组成各种电子电路的核心器件。
三极管的发明，使PN结的应用发生了质的飞跃。
2018/11/10
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4
作者： 符庆
7.2.1 双极型晶体管
BJT---双极 结型晶体管 一、基本结构（集电结、发射结）
面积大， 掺杂浓度适度 区域薄， 掺杂浓度低
b
80
60 40 20 0 0.2 0.8
UCE1V
ICM 20
C
100A 80A 60A
饱和区 15
IC＝ β IB
UBE(V)
硅 Si：0.5~0.7V 锗Ge：0.2~0.3V
10 5 3
放大区
40A 20A IB=0
阀值电压VBE
2018/11/10
三极管的三种工作状态： 1.截止 2.放大 3.饱和
β ) IB IE ＝ ( 1 +
2018/11/10
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9
7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
作者： 符庆
四、特性曲线（输入曲线、输出曲线） IB 1.输入曲线： IB(A)
Rb
c b
IC
UCE
Rc
UBE
U BB
e
80
60
UCE1V
IE
I B ( A)
UCC
2
下页
作者： 符庆
第7章 常用半导体器件 7.2 双极型晶体管和场效应晶体管
双极型晶体管 BJT
三极管
Bipolar Junction Transistor
场效应晶体管 FET
Field Effect Transistor
2018/11/10
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3
作者： 符庆
第7章 常用半导体器件 7.2 双极型晶体管和场效应晶体管
2018/11/10
海南科技职业学院
1
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电工电子技术
作者： 符庆
第7章 常用半导体器件 1. 2. 3. 4. 5. 6. 半导体 PN结 二极管 双极型晶体管BJT 场效应晶体管FET 晶闸管(可控硅)
结构 检测 放大原理 特性曲线 主要参数 三种状态 三大作用
2018/11/10
海南科技职业学院
c e
Rb
IB
b
Rc
P
工作过程：
（3）C区收集B区扩散过来的电子 （2）电子在B区复合、扩散 （1）E区向B区扩散电子
N
e
U CE
U BE
IE
微小的基极电流 IB，可以控制较大的集电极电流 IC， 所以三极管是电流控制元件。 IE=IC+IB 8 2018/11/10 下页
7.2.1 双极型晶体管
掺杂浓度高
三极管的结构并不是对称的，所以发射极和集电极不能对调使用。
2018/11/10
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5
作者： 符庆
二、三极管的检测
NPN型三极管的直流测量等效电路如图3-5， PNP型三极管的直流测量等效电路如图3-6。 将数字多用表置于 档，按图3-3、图3-4的接法测量 三极管（接B极的表笔不变换，而另一支表笔分别接三极管 的另外两脚），表头会有读数（一般为700～900Ω左右）；
40
20 0 0.2 0.8 UBE(V)
UCE 0
U CE 1V
阀值电压VBE
硅 Si：0.5~0.7V 锗Ge：0.2~0.3V
0
U BE (V )
10
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7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
作者： 符庆
四、特性曲线（输入曲线、输出曲线） IB
电工电子技术
作者： 符庆
第7章 常用半导体器件
7.1 PN结和半导体二极管………………143 7.2 双极型晶体管和场效应晶体管……147 7.2.1 双极型晶体管………………147 7.2.2 场效应晶体管………………151 7.3 晶闸管和单结晶体管………………156 7.3.1 晶闸管………………………156 7.3.2 单结晶体管…………………158
基极b(base) 发射极e(emitter)
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7
7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集） （2）外部条件： I c b e
发射结加正向电压(也叫正偏置)；Vb>Ve 集电结加反向电压(也叫反偏置)。Vc>Vb
c
ICBO
作者： 符庆
C
N
NPN管：Vc>Vb>Ve PNP管：Vc<Vb<Ve b
3.饱和状态
VBE≥ 0.7V UCE= 0.2V～0.3V
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作者： 符庆
三极管的三种工作状态：
(PNP 锗管)
1.截止状态 VBE＞- 0.2V IB= 0 VEB＜ 0.2V UCE= -VCC VBE≤- 0.3V VEB≥ 0.3V UCE= -几 V VBE≤- 0.3V VEB≥ 0.3V UCE= - 0.2V～ -
9
12 UCE(V)
12
截止区
下页
作者： 符庆
三极管的三种工作状态：
(NPN 硅管)
c IC UCE e
IB
RB
b VBE
RC
UCC
1.截止状态
VBE＜ 0.5V IB= 0 UCE= VCC VBE≥ 0.7V
1 ≈ UCE= 几 V 2 VCC
UBB
IE
2.放大状态
ebc ec b c be b ce
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7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
作者： 符庆
三极管的放大作用
电流放大
（1）内部条件（结构特点）： 发射区掺杂浓度高——以便有足够的载流子供“发 射”。 基区很薄，掺杂浓度低 ——控制由发射区运动到集电 区的载流子，减少载流子在基区复合的机会。 集电区面积比发射区大——便于收集由发射区来的 载流子和散热。 集电极c(collector)
c b
IC
UCE
Rc
2.输出曲线：
IC IB 一定 UCE
Rb
UBE
U BB
I B ( A)
e
IE
UCC
0
U CE 1V
饱和 压降
0
U BE (V )
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7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
作者： 符庆
IC β I
四、特性曲线（输入曲线、输出曲线） 1.输入曲线： 2.输出曲线： IB(A) I (mA )
发射结加正向电压(也叫正偏置)； Vb>Ve （2）外部条件： 集电结加反向电压(也叫反偏置)。 Vc>Vb
作者： 符庆
△ IC ＝ β △ IB
IC ＝ β IB
——直流电流放大系数 ——交流电流放大系数
IE=IC+IB
IC＝ β IB IE ＝ IB + IC
硅管 三极管 锗管 NPN管 PNP管 NPN管 PNP管 PNP
NPN
三极管是组成各种电子电路的核心器件。
三极管的发明，使PN结的应用发生了质的飞跃。
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作者： 符庆
7.2.1 双极型晶体管
BJT---双极 结型晶体管 一、基本结构（集电结、发射结）
面积大， 掺杂浓度适度 区域薄， 掺杂浓度低
b
80
60 40 20 0 0.2 0.8
UCE1V
ICM 20
C
100A 80A 60A
饱和区 15
IC＝ β IB
UBE(V)
硅 Si：0.5~0.7V 锗Ge：0.2~0.3V
10 5 3
放大区
40A 20A IB=0
阀值电压VBE
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三极管的三种工作状态： 1.截止 2.放大 3.饱和
β ) IB IE ＝ ( 1 +
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7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
作者： 符庆
四、特性曲线（输入曲线、输出曲线） IB 1.输入曲线： IB(A)
Rb
c b
IC
UCE
Rc
UBE
U BB
e
80
60
UCE1V
IE
I B ( A)
UCC
2
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作者： 符庆
第7章 常用半导体器件 7.2 双极型晶体管和场效应晶体管
双极型晶体管 BJT
三极管
Bipolar Junction Transistor
场效应晶体管 FET
Field Effect Transistor
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作者： 符庆
第7章 常用半导体器件 7.2 双极型晶体管和场效应晶体管
2018/11/10
海南科技职业学院
1
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电工电子技术
作者： 符庆
第7章 常用半导体器件 1. 2. 3. 4. 5. 6. 半导体 PN结 二极管 双极型晶体管BJT 场效应晶体管FET 晶闸管(可控硅)
结构 检测 放大原理 特性曲线 主要参数 三种状态 三大作用
2018/11/10
海南科技职业学院
c e
Rb
IB
b
Rc
P
工作过程：
（3）C区收集B区扩散过来的电子 （2）电子在B区复合、扩散 （1）E区向B区扩散电子
N
e
U CE
U BE
IE
微小的基极电流 IB，可以控制较大的集电极电流 IC， 所以三极管是电流控制元件。 IE=IC+IB 8 2018/11/10 下页
7.2.1 双极型晶体管
掺杂浓度高
三极管的结构并不是对称的，所以发射极和集电极不能对调使用。
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5
作者： 符庆
二、三极管的检测
NPN型三极管的直流测量等效电路如图3-5， PNP型三极管的直流测量等效电路如图3-6。 将数字多用表置于 档，按图3-3、图3-4的接法测量 三极管（接B极的表笔不变换，而另一支表笔分别接三极管 的另外两脚），表头会有读数（一般为700～900Ω左右）；
40
20 0 0.2 0.8 UBE(V)
UCE 0
U CE 1V
阀值电压VBE
硅 Si：0.5~0.7V 锗Ge：0.2~0.3V
0
U BE (V )
10
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7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
作者： 符庆
四、特性曲线（输入曲线、输出曲线） IB
电工电子技术
作者： 符庆
第7章 常用半导体器件
7.1 PN结和半导体二极管………………143 7.2 双极型晶体管和场效应晶体管……147 7.2.1 双极型晶体管………………147 7.2.2 场效应晶体管………………151 7.3 晶闸管和单结晶体管………………156 7.3.1 晶闸管………………………156 7.3.2 单结晶体管…………………158
基极b(base) 发射极e(emitter)
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7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集） （2）外部条件： I c b e
发射结加正向电压(也叫正偏置)；Vb>Ve 集电结加反向电压(也叫反偏置)。Vc>Vb
c
ICBO
作者： 符庆
C
N
NPN管：Vc>Vb>Ve PNP管：Vc<Vb<Ve b
3.饱和状态
VBE≥ 0.7V UCE= 0.2V～0.3V
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作者： 符庆
三极管的三种工作状态：
(PNP 锗管)
1.截止状态 VBE＞- 0.2V IB= 0 VEB＜ 0.2V UCE= -VCC VBE≤- 0.3V VEB≥ 0.3V UCE= -几 V VBE≤- 0.3V VEB≥ 0.3V UCE= - 0.2V～ -
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12 UCE(V)
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截止区
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作者： 符庆
三极管的三种工作状态：
(NPN 硅管)
c IC UCE e
IB
RB
b VBE
RC
UCC
1.截止状态
VBE＜ 0.5V IB= 0 UCE= VCC VBE≥ 0.7V
1 ≈ UCE= 几 V 2 VCC
UBB
IE
2.放大状态
ebc ec b c be b ce
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7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
作者： 符庆
三极管的放大作用
电流放大
（1）内部条件（结构特点）： 发射区掺杂浓度高——以便有足够的载流子供“发 射”。 基区很薄，掺杂浓度低 ——控制由发射区运动到集电 区的载流子，减少载流子在基区复合的机会。 集电区面积比发射区大——便于收集由发射区来的 载流子和散热。 集电极c(collector)
c b
IC
UCE
Rc
2.输出曲线：
IC IB 一定 UCE
Rb
UBE
U BB
I B ( A)
e
IE
UCC
0
U CE 1V
饱和 压降
0
U BE (V )
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7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
作者： 符庆
IC β I
四、特性曲线（输入曲线、输出曲线） 1.输入曲线： 2.输出曲线： IB(A) I (mA )