(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案

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模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电子技术中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是:A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用?A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是:A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中,若要实现电压跟随器,应该使用运算放大器的哪种配置?A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时,其导通电压是:A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型?A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是:A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中,为了减少噪声,通常采用以下哪种方法?A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点?A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案:1-5 D A C B B;6-10 B D D C B二、填空题(每空1分,共10分)1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。

2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。

3. 一个理想的二极管在反向偏置时,其电流是_________。

4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。

5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。

答案:1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题(每题10分,共20分)1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。

【2024版】模拟电子技术试题库及答案

【2024版】模拟电子技术试题库及答案
3、PN结正向偏置时,内、外电场方向相反,PN结反向偏置时,内、外电场方向相同。
4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时,需选用欧姆挡的R×1k档位,检测中若指针偏转较大,可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用?三极管会损坏吗?为什么?
答:集电极和发射极对调使用,三极管不会损坏,但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大,且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同?其导通和阻断的条件有什么不同?
答:普通二极管根据其单向导电性可知,阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通,反之阻断,可用于整流、钳位、限幅和电子开关;普通三极管在放大电路中起放大作用,在数字电子技术中起开关作用,普通三极管用于放大作用时,只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用,当发射极反偏时就会阻断放大信号通过;用作开关元件时,当发射结和集电结都正偏时,它就会饱和导通,当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时,晶体管就截止,阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件,只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构,有阳极,阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通,即:晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的,还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通(晶闸管一旦导通后,门控极即失去作用);当晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受多大电压,晶闸管都处于阻断状态,或者晶闸管在导通情况下,其主回路电压(或电流)减小到接近于零值时,晶闸管也会自动关断。

《模拟电子技术》复习题题库10套及答案

《模拟电子技术》复习题题库10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是自由电子;在P型半导体中,多数载流子是空穴。

2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类,它属于电压控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入共射(共射、共集、共基)组态放大电路。

4、在多级放大器中,中间某一级的输出电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入_____负反馈_______。

6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。

7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的(b)组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入( c )后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( e)场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-104、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( b )。

A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况5、集成运放中间级的作用是( c )。

A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。

A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( a )的值。

A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。

(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案

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《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。

4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的()组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。

A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。

A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。

A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。

A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。

A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。

《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)

《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)

《模拟电子技术》期末考试复习题班级:学号:姓名:成绩:一、填空题1.硅二极管导通时的正向管压降约为____ V,锗二极管导通时的管压降约为____ V。

二极管的两端加正向电压时,有一段死区电压,锗管约为____V,硅管约为____V。

0.70.30.20.52.半导体具有____特性、____特性和____的特性。

掺杂热敏光敏3.电路中流过二极管的正向电流过大,二极管将会____;如果施加在二极管两端的反向电压过高,二极管将会____。

烧坏(开路)击穿(短路)4.使用二极管时,应考虑的主要参数是________和________。

最大整流电流(额定电流)最高反向工作电压(耐压)5.理想二极管的特点是正向导通时管压降为____,反向截止时反向电流为____。

0V0A6.用万用表测量二极管的正反向电阻时,若正、反向电阻均接近于零,则表明该二极管已____;若正、反向电阻均接近于无穷大,则表明二极管已____。

击穿烧坏7.在晶体管中,I E与I B、I C的关系为_________。

I E=I B+I C8.示波器是电子技术中常用的测量仪器,用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。

波形频率大小相位9.硅晶体管发射结的死区电压约为_____V,锗晶体管发射结的死区电压约为____V。

晶体管处在正常放大状态时,硅管发射结的导通电压约为_____V,锗管发射结的导通电压约为____V。

0.50.20.70.310.某晶体管的U CE不变,基极电流I B =30μA时,集电极电流I C =1. 2mA,则发射极电流I E =____ mA,若基极电流I B增大到50μA时,I C增大到2mA,则发射极电流I E =_____mA,晶体管的电流放大系数β=_____。

1.23mA2.05mA4011.用万用表测量晶体管时,应将万用表置于_____挡,并进行_____。

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案一、选择题1. 下列哪种器件是双极型晶体管的三个极(A、B、C)?A.发射极B.基极C.集电极D.以上都是答案:D2. 在放大电路中,为了提高输入阻抗,通常在输入端并联一个(A、B、C、D)?A.电感B.电容C.电阻D.电感耦合答案:C3. 运算放大器在电路中的作用主要是(A、B、C、D)?A.放大信号B.滤波信号C.转换信号D.以上都是答案:D4. 场效应晶体管的输入阻抗与(A、B、C、D)有关?A.栅极电压B.漏极电流C.源极电压D.源极电流答案:A5. 下列哪种电路具有反馈作用(A、B、C、D)?A.串联反馈B.并联反馈C.电压反馈D.电流反馈答案:D二、填空题1. 晶体管的三个极分别是发射极、_______和_______。

答案:基极、集电极2. 运算放大器是一种具有_______的高增益放大器。

答案:差分输入3. 整流电路的主要作用是将交流电信号转换为_______电信号。

答案:直流4. 稳压二极管的最大特点是当其两端电压超过_______时,电流会急剧增加。

答案:额定电压5. 在 RC 滤波器中,截止频率 fc 与电阻 R 和电容 C 的关系为_______。

答案:f c =1/(2πRC)三、判断题1. 晶体管的工作原理是利用电子在半导体中的迁移率来控制电流。

()2. 运算放大器的输出阻抗很高,因此可以直接驱动负载。

()3. 场效应晶体管的输入阻抗与栅极电压有关。

()4. 并联反馈会降低放大器的输入阻抗。

()5. 稳压二极管在电路中主要用于保护电源免受过大电压的影响。

()答案:1.对 2.错 3.对 4.对 5.对四、简答题1. 请简述双极型晶体管的工作原理。

答案:双极型晶体管(BJT)是一种三端半导体器件,具有发射极、基极和集电极。

它的工作原理是利用基极电流来控制发射极和集电极之间的电流。

当在基极施加一个适当的正向偏置电压时,基极-发射极间形成少数载流子注入,这些载流子在电场的作用下向集电极移动,并在集电极形成电流。

模拟电子技术考试模拟题+答案

模拟电子技术考试模拟题+答案

模拟电子技术考试模拟题+答案一、单选题(共80题,每题1分,共80分)1、在基本放大电路中,影响直流负载线斜率大小的是( )A、RB的值B、Ucc的值C、RC的值D、β值正确答案:C2、电容的单位换算正确的是( )A、1F=1000000μFB、1μF=1000000pFC、1μF=10-6FD、以上都是正确答案:C3、为了提高交流放大电路的带负载能力,应选用( )作为输出级。

A、共发射极放大电路B、功率放大器C、射极输出器D、都可以正确答案:C4、功率放大电路的转换效率是指( )。

A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、输出功率与信号输入功率之比正确答案:B5、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案:A6、当用万用表不同电阻挡去测量二极管正反向电阻时,获得的结果差异较大,这是因为( )A、该管已坏B、万用表各挡有差异C、二极管的电阻可变D、以上答案均不正确正确答案:B7、串联谐振是指电路呈纯( )性。

A、电阻B、电感C、电抗D、电容正确答案:A8、电阻47KΩ±1%的色环为( )。

A、黄-紫-橙-金B、黄-紫-红-黑-棕C、黄-紫-黑-橙-棕D、黄-紫-黑-红-棕正确答案:D9、稳压二极管两端电压变化量与通过它的电流空化量之比值称为稳压二极管的动态电阻。

稳压性能好的稳压二极管的动态电阻( )A、较小B、较大C、还与其他因素有关D、大小均一样正确答案:A10、安装桥式整流电路时,若将其中一只二极管虚焊,则通电工作时可能产生的后果是( )。

A、输出电压的极性改变B、输出电压只有原来的一半C、两只二极曾烧坏D、只有应焊的一只二极管烧坏正确答案:B11、在固定偏置放大电路中,如果负载电阻增大,则电压放大倍数( )A、增大B、无法确定C、减小D、不变正确答案:C12、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现底部(负半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。

模拟电子技术基础试题库(附答案)

模拟电子技术基础试题库(附答案)

模拟电子技术基础试题库(附答案)一、选择题1. 下列哪种器件是双极型晶体管的三个电极名称?A. 发射极、基极、集电极B. 发射极、基极、地C. 发射极、基极、输入端D. 发射极、基极、输出端答案:A2. 下列哪种电路是模拟电子技术中最基本的放大电路?A. 差分放大电路B. 积分放大电路C. 微分放大电路D. 互补放大电路答案:A3. 下列哪种元件在放大电路中起到反馈作用?A. 电容B. 电感C. 电阻D. 运算放大器答案:A4. 下列哪种放大电路具有输入阻抗高、输出阻抗低的特点?A. 固定偏置放大电路B. 分压式偏置放大电路C. 串联型放大电路D. 并联型放大电路答案:B5. 下列哪种放大电路可以实现电压放大和倒相?A. common-emitter amplifier(共射放大器)B. common-base amplifier(共基放大器)C. common-collector amplifier(共集放大器)D. emitter-follower(发射极跟随器)答案:A6. 下列哪种放大电路具有电压放大倍数可调的特点?A. 固定偏置放大电路B. 分压式偏置放大电路C. 串联型放大电路D. 并联型放大电路答案:C7. 下列哪种电路可以实现信号的整流?A. 半波整流电路B. 全波整流电路C. 桥式整流电路D. 滤波电路答案:A8. 下列哪种电路可以实现信号的滤波?A. 半波整流电路B. 全波整流电路C. 桥式整流电路D. 滤波电路答案:D9. 下列哪种电路可以实现信号的积分和微分?A. 积分放大电路B. 微分放大电路C. 滤波电路D. 整流电路答案:B10. 下列哪种电路可以实现信号的放大和滤波?A. 放大电路B. 滤波电路C. 积分电路D. 微分电路答案:A二、填空题1. 晶体管的三个电极分别为____、____、____。

答案:发射极、基极、集电极2. 放大电路的目的是____。

答案:放大信号3. 运算放大器是一种具有____、____和____的放大器。

模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)

模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)

模拟综合试卷一一.填充题1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ,b 。

2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a ,b 。

3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。

4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真。

5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时,导通角为。

6.甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。

7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V;若ui1=1500µV, ui2=500µV,则差模输入电压uid为µV,共模输入信号uic为µV。

8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。

9.晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为的影响。

10.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最;组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。

频带最宽的是组态。

二.选择题1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为()。

A.β增加,ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加,uBE减小C.β和uBE 减小,ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是()A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3.双端输出的差分放大电路主要()来抑制零点飘移。

A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4.典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数()。

A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5.差分放大电路的共模抑制比KCMR越大,表明电路()A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6.负反馈放大电路以降低电路的()来提高嗲路的其他性能指标。

模拟电子技术复习试题+答案

模拟电子技术复习试题+答案
4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增加),发射结压降(减小)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共射极)、(共基极)、(共集电极)放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(电流)负反馈。
三、计算(20分)
电路如图所示,β=50,RB1=15KΩ,RB2=5KΩ,RL=5.1KΩ,RE=2.3KΩ, VCC=12V ,信号源的内阻RS=1KΩ,RC=5.1KΩ
28、甲类功放的最大缺点是(效率较低);
29、多级放大电路的耦合方式有(直接耦合)、(阻容耦合)、(变压器耦合)。
30、如果想要改善电路的性能,使电路的输出电压稳定而且对信号源的影响减小,应该在电路中引入(电
压串联负)反馈。
31、有源滤波器的功能是(用于小信号处理),按电路的幅频特性可分为低通滤波、高通滤波、(带通滤波)、
没有输入信号的不带选频网络的正反馈放大器。
10)两级放大电路,Au1=-40,Au2=-50,若输入电压U1=5mv,则输出电压Uo为C
-200mv; -250mV; 10V; 100V。
3.电路如图所示,已知VCC=12V,RC=3k,β=40 且忽略VBE,若要使静态时VCE=9V,则RB应取多少?输入电阻为多少?输出电阻为多少?放大倍数为多少?(14分)
六、在图示电路中,已知晶体管静态时UBEQ=0.7RB2=15 kΩ,RE=2.3 kΩ,RC=RL=3 kΩ,VCC=12V。
(1)估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

模拟电子技术综合复习题(有答案)

模拟电子技术综合复习题(有答案)

《模拟电子技术》复习题综合(第1、2章)一、 选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。

A.二B.三C.四D.五2、在N 型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素,变成为P 型半导体。

A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中,自由电子浓度 B 空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于4、在P 型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后, C 。

A.自由电子增多,空穴数基本不变B.空穴数增多,自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多,且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变6、空间电荷区是由 C 构成的。

A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定 8、设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 C 。

UT U U I e C. )1e (S -T U U I D. I S 。

C.反向击穿、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏11、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。

A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为 C 。

A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将 A 。

A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流 15、实践中,判别晶体管是否饱和,最简单的方法是测量 D 。

A.I BB.I CC.U BED.U CE16、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。

模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术习题及答案一、单选题(共103题,每题1分,共103分)1.正弦电流经过二极管整流后的波形为( )。

A、等腰三角波;B、仍为正弦波。

C、矩形方波;D、正弦半波;正确答案:D2.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在( )。

A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。

正确答案:A3.基本放大电路中的主要放大对象是( )。

A、交流信号B、交直流信号均有C、直流信号正确答案:A4.“虚短”和“虚断”两个重要概念,无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。

()A、对 :B、错正确答案:B5.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现顶削波时的失真为()失真。

B、交越C、截止D、频率正确答案:C6.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.6mA和3.66mA,该晶体管的β等于( )A、50B、60C、61D、100正确答案:B7.微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。

()A、对 :B、错正确答案:B8.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是A、克服交越失真B、稳定放大倍数C、提高输入电阻D、抑制零漂正确答案:D9.当信号频率等于放大电路的上限频率或下限频率时,放大倍数的值约下降到中频时的()A、0.9B、0.5C、0.4正确答案:D10.在本征半导体中加入_____元素可形成P型半导体。

A、四价B、三价C、五价正确答案:B11.晶体三极管的极是它的( )。

A、基极B、集电极C、栅极D、发射极正确答案:D12.共射组态的放大电路,如果输出波形出现下削波,一定发生了截止失真。

()A、对 :B、错正确答案:B13.理想集成运放的两个重要结论是( )。

A、虚断与虚短;B、虚短与虚地;C、断路与短路。

正确答案:A14.晶体三极管的输出特性曲线上可分为 ( )A、恒流区、放大区和截止区三个分区B、放大区、饱和区和截止区三个分区C、恒流区、饱和区、截止区和击穿区四个分区D、死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个分区正确答案:B15.NPN型三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于 ( )。

大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(一)

大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(一)

大学《模拟电子技术》复习题及答案一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。

4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的()组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-104、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。

A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。

A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。

A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。

A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。

A 正常工作情况B R L 开路C C 开路D 一个二极管和C 开路E 一个二极管开路F 其它情况9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。

大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(十)

大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(十)

大学《模拟电子技术》试题及答案一、填空题1.模拟信号的特点是在时间上和()上均连续。

2.由漂移形成的电流是反向电流,其大小决定于(),而与外电场()。

3.三极管放大电路共有三种组态分别是()、()、()放大电路。

4.FET是()控制电流的器件,只依靠一种载流子导电,因而属于单极型器件。

5.差分放大电路常用于集成电路的()级,功率放大电路常用于集成电路的()级。

6.为稳定交流输出电压,采用()负反馈,为了提高输入电阻采用()负反馈。

7.按结构来分,正弦波振荡电路主要有()型和()型两大类。

8.构成串联反馈式稳压电路的基本单元,除了调整管、基准电压产生电路外,还有()电路和()环节。

二、选择题1.图1所示为MOSFET转移特性曲线,该场效应管属于()。

A.P沟道增强型B.N沟道耗尽型C.N沟道增强型D.P沟道耗尽型2.图2所示电路中二极管为理想二极管,判断它是否导通()。

A、导通B、截止C、不能判断图1 图23.测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是(),该管是()型。

A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)4.差分放大电路是为了()而设置的。

A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移5.整流的目的是( )。

A.将交流变为直流B.将高频变为低频C.将正弦波变为方波6.对功率放大电路与电流放大电路的区别的描述错误的是()。

A前者比后者电流放大倍数大;B前者比后者效率高;C在电源电压相同的情况下,前者比后者的输出功率大。

7.LC并联网络在谐振时呈( )。

A.容性B.阻性C.感性8.分析运放的两个依据是()、()。

A、U-≈U+B、I-≈I+≈0C、U0=UiD、Au=1三、判断题1.( )电容滤波电路适用于小负载电流,而电感滤波电路适用于大负载电流。

2.( )在功率放大电路中,输出功率越大,功放管的功耗越大。

3.( )使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共10分)1. 模拟电路中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案:D2. 在理想运算放大器中,输入阻抗是:A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案:B3. 晶体管的放大作用主要取决于其:A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案:C4. 以下哪种波形不是周期性波形?A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案:D5. 在运算放大器电路中,虚短是指:A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案:A二、多项选择题(每题3分,共15分)1. 以下哪些是模拟信号的特点?A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案:ACD2. 运算放大器的典型应用包括:A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案:ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括:A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案:ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力?A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案:ABD5. 在模拟电路中,负反馈的作用包括:A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案:ABD三、填空题(每题2分,共10分)1. 在模拟电路中,信号的放大是通过________来实现的。

答案:晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。

答案:零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。

答案:电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流(DC)到________赫兹。

答案:几十兆5. 在模拟电路设计中,________是用来减少信号失真的。

答案:负反馈四、简答题(每题5分,共20分)1. 简述模拟电路与数字电路的区别。

《模电试题及答案》word版

《模电试题及答案》word版

《模拟电子技术》复习题综合(第1、2章)一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。

A.二 B.三 C.四 D 五2、在P 型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。

A.大于 B.等于 C.小于3、本征半导体温度升高以后, C 。

A.自由电子增多,空穴数基本不变B.空穴数增多,自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多,且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。

A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子5、PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。

A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为 C 。

A. 83 B. 91 C. 100 D. 1010、晶体管是 A 器件。

A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流11、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。

图1为 D ;图2为 A 。

[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中,基极电阻R b 的作用是 A 。

A.限制基极电流,使晶体管工作在放大区,并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中,集电极电阻R c 的作用是 B 。

模拟电子技术练习题库(附参考答案)

模拟电子技术练习题库(附参考答案)

模拟电子技术练习题库(附参考答案)一、单选题(共103题,每题1分,共103分)1.PNP型三极管工作在放大状态时,其发射极电位最高,集电极电位最低。

()A、对 :B、错正确答案:A2.集成运放的非线性应用存在()现象。

A、虚地;B、虚断;C、虚断和虚短。

正确答案:B3.设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。

( )A、错误B、正确 ;正确答案:B4.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是A、提高输入电阻B、抑制零漂C、稳定放大倍数D、克服交越失真正确答案:B5.理想集成运放的开环放大倍数Au0为( )。

A、∞;B、0;C、不定。

正确答案:A6.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现( )。

A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。

正确答案:B7.射极输出器的特点是()A、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻小、输入电阻大B、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻大、输入电阻小C、只有电压放大而没有电流放大,输出电阻小、输入电阻大D、既有电流放大也有电压放大,输出电阻小、输入电阻大正确答案:A8.分析集成运放的非线性应用电路时,不能使用的概念是( )。

A、虚短;B、虚地;C、虚断。

正确答案:A9.基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近( )。

A、饱和区B、死区C、截止区正确答案:A10.正弦电流经过二极管整流后的波形为()。

A、正弦半波;B、矩形方波;C、等腰三角波;D、仍为正弦波。

正确答案:A11.晶体三极管的集电极和发射极类型相同,因此可以互换使用。

()A、对 :B、错正确答案:B12.对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是:A、I=βIbB、Ic=βIbC、Ie=βIb正确答案:B13.集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用 ( )A、直接耦合B、变压器耦合C、光电耦合D、阻容耦合正确答案:A14.具有输入、输出反相关系的小信号放大电路是 ( )A、共集电放大电路B、射极输出器C、共射放大电路D、共基放大电路正确答案:C15.共集电极放大电路的输入信号与输出信号,相位差为180°的反相关系。

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《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。

4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的()组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。

A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。

A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。

A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。

A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。

A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。

A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管,判断它们是导通还是截止?( )A D1导通,D2导通B D1导通,D2截止C D1截止,D2导通D D1截止,D2截止 三、判断题( )1、温度升高后,本征半导体中自由电子和空穴数目都增多,且增量相同。

( )2、结型场效应管通常采用两种偏置方式,即(源极)自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。

( )3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。

( )4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。

( )5、集成运放内部第一级是差分放大电路,因此它有两个输入端。

( )6、只有两个晶体管的类型相同(都为NPN 管或都为PNP 管时)才能组成复合管。

( )7、RC 桥式振荡电路只要R f≤2R 1就能产生自激振荡。

( )8、一个理想的差分放大电路,只能放大差模信号,不能放大共模信号。

( )9、电压负反馈可以稳定输出电压。

( )10、直流电源是一种电能形式转换电路,将交流电变为直流电。

四、分析题电路如图所示:++++++------Rb1Rb2Re1Re2Rc RL C1CeC1C2L15V 8VRe1Re2UccUcc C2Ugs+10-1-2idUbsusRsR R R R R R R R2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3A4图2-1图2-2图2-3图2-6图2-4图2-5图3-1++++++------D2R Rb1Rb2Re1Re2Rc RL C1CeC1C2L15V 8VB=50Ui RfRe1Re2UccUcc C2Ugs+10-1-2idUbsusRsR RRR RR R R 2R2R2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3A4图2-1图2-2图2-3图2-6图2-4图2-5图3-1(1)写出输入级、中间级、输出级的电路名称。

(2)电阻R 3和二级管D 1、D 2 的作用是什么? (3)静态时T 4 管射级电位U E4 =?负载电流 I L =? (4)动态时,若输出V O 出现正负半周衔接不上的现象,为何失真?应调哪个元件?怎样调才能消除失真?(5)判断级间反馈为何种组态?深度负反馈时,电路的闭环增益应为多少? (6)求负载R L 上最大输出幅度V om 和最大输出功率Pom 。

(设V CES =0V ,R L =24Ω) (7)若R f =100kΩ,R b2=2kΩ,求R L 上输出幅度最大时,输入V I 的有效值为多少?五、计算题1、电路如图所示,晶体管的β=60,'100bb r =Ω。

(1)求电路的Q 点。

(2)画出微变等效电路,并计算u i o A R R g、、。

(3)设U s =10mV (有效值),问U i =?U o =?若C 3开路,则U i =?U o =?2、如图所示电路参数理想对称,晶体管的β均为50,'100bb r =Ω,U BEQ ≈0.7。

试计算R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流I EQ ,以及动态参数A d 和R i 。

3、电路如图所示,设集成运放均有理想的特性,写出输出电压uo与输入电压u I1、u I2的关系式。

《模拟电子技术》复习题一参考答案一、填空题1、自由电子, 空穴 。

2、绝缘栅型, 电压3、共射4、输入5、负反馈6、饱和, 放大, 截止7、放大电路, 选频网络 , 正反馈网络 ,稳幅环节 二、选择题1、B2、B3、D4、B5、C6、A7、A8、C9、C 10、B 三、判断题1、√2、√3、×4、×5、√6、×7、×8、√9、√ 10、√ 四、分析题 答:(1)输入级为差分放大电路,中间级为共射放大电路,输出级为无输出电容的功率放大电路。

(2)消除交越失真。

(3) U E4 =0, I L =0。

(4)为交越失真。

应调Rc3 ,应将阻值调大。

(5)电压串联负反馈。

221b fb I O uf R R R F V V A +===(6)V V M om 9.=(幅值)或V V om 29=(有效值)W R V P L om om 69.12429222=⨯==(7) 5121002=+=uf A V A V V uf om I 125.05129===五、计算题 1、解:(1)Q 点:(2)画出微变等效电路i iu LR动态分析:(3)设U s =10mV (有效值),则若C 3开路,则2、解:R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流分析如下:A d 和Ri 分析如下:3、解:由图可知,运放A1、A2组成电压跟随器,运放A4组成反相输入比例运算电路运放A3组成差分比例运算电路以上各式联立求解得:《模拟电子技术》复习题二一、填空题1、当PN 结外加正向电压时,P 区接电源极,N 区接电源 极,此时,扩散电流 漂移电流。

2、二极管最主要的特性是 。

3、一个放大电路的对数幅频特性如图所示。

由图1-3可知,中频放大倍数|A vm |=__ __。

图1-3 图1-74、乙类放大器中每个晶体管的导通角是_ __,该放大器的理想效率为__ __,每个管子所承受的最大电压为__ _____。

5、差动放大电路的基本功能是对差模信号的_ _作用和对共模信号的_ _作用。

6、小功率直流稳压电源由变压、 、__ __、 四部分组成。

7、图1-8 (a)和(b)是两个放大管的不完整的符号,根据图中所给数据和电流方向,判断它们的导电类型分别为___________ 型和___________型,用半导体材料___________和___________制成,电流放大系数β分别为___________和___________。

二、选择题图2-3 图2-8 图2-9 图2-10 1、图2-3所示复合管中,下列答案正确的是( )。

A NPN 型 B PNP 型 C 不正确2、N 型半导体是在本征半导体中加入( )后形成的杂质半导体。

图2-1图2-2图2-4R2R L1L2C UccUgsid 0RLRb Rc RbRb1Rb2Re1Rc RLC1C1C2L50K2.5KB=50UoUi+5VRf Re1Re2Ucc Ucc UccC2Rs图2-2图2-5A 空穴B 三价元素C五价元素3、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V1=2V,V2=2.7V,V3=6V,试判别管子的三个管脚分别是()。

A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况4、用万用表直流电压档测得电路中PNP型晶体管各极的对地电位分别是:V b=-12.3V,V e=-12V,V c=-18V。

则三极管的工作状态为()。

A 放大B 饱和C 截止5、判断图2-5电路中的反馈组态为()。

A 电压并联负反馈B 电压串联负反馈C 电流串联负反馈D 电流并联负反馈6、已知降压变压器次级绕组电压为12V,负载两端的输出电压为10.8V,则这是一个单相( )电路.A 桥式整流B 半波整流C 桥式整流电容滤波D 半波整流电容滤波7、直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式(或变压器耦合式)多级放大电路相比,低频响应()。

A 差B 好C 差不多8、某场效应管的转移特性如图2-8所示,该管为( )。

A P沟道增强型MOS管B P沟道结型场效应管C N沟道增强型MOS管D N沟道耗尽型MOS管9、设图2-9所示电路中二极管D1、D2为理想二极管,判断它们是导通还是截止?()A D1导通,D2导通B D1导通,D2截止C D1截止,D2导通D D1截止,D2截止10、图2-10所示电路是( ) 。

A差分放大电路B镜像电流源电路C微电流源电路三、判断题( )1、耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式。

( )2、放大的实质不是对能量的控制作用。

( )3、功率的放大电路有功率放大作用,电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。

( )4、共模信号都是直流信号,差模信号都是交流信号。

( )5、集成运放是直接耦合的多级放大电路。

( )6、电压串联负反馈有稳定输出电压和降低输入电阻的作用。

( )7、复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积。

( )8、反相比例运算电路属于电压串联负反馈,同相比例运算电路属于电压并联负反馈。

( )9、只要满足正弦波振荡的相位平衡条件,电路就一定振荡。

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