《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》模拟试题【文后附答案】
《模拟电子技术》模拟试题【文后附答案】1.晶体三极管处于放大状态时,集电结和发射结的偏置情况为( )。
A 发射结反偏,集电结正偏 B 发射结、集电结均正偏 C 发射结正偏,集电结反偏2.电压跟随器是( )的特例。
A 反相比例运算B 同相比例运算C 加法运算 3.反相比例运算放大电路引入的是( )负反馈。
A 串联电压 B 并联电压 C 串联电流 4.三极管作放大管时一般工作在( )。
A 放大区 B 截止区 C 饱和区5.温度影响了放大电路中的( ),从而使静态工作点不稳定。
A 三极管 B 电容 C 电阻 6.场效应管是( )器件。
A 电流控制B 电压控制C 光电控制 7.差分放大电路是为了( )而设置的。
A 稳定AuB 放大信号C 抑制零点漂移 8.场效应管按性能分为耗尽型和( )。
A 绝缘栅型B 耗尽型C 增强型 9.单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均在Uo=( )U2。
A 0.45 B 0.9 C 1.2 10.整流的目是( )。
A 将交流变为直流B 将高频变为低频C 将正弦波变为方波。
11.射极输出器的输出电压与输入电压( )。
A 反相B 同相C 不确定一、单项选择题(共 20 题,每题 2 分,共 40 分)12.直接耦合放大电路存在两个问题是前后级静态工作点相互影响和( )。
A 温度升高 B 零点漂移 C 功率输出增大 13.理想运放同相输入和反相输入的虚短指的是( )这种现象。
A U+ =U- B U+=0 C I+=I- 14.利用二极管的( )可以交流电将变成直流电。
A 放大特性 B 稳压特性 C 单向导电性 15.滤波电路的作用是( )。
A 减小直流电的脉动 B 输出稳定电压 C 整流16.三极管是电流控制器件,三极电流关系为( )和IC=βIB 。
A IC =IB+IE B IE =IB+IC C IB =IE+IC17.根据三极管结构的不同有NPN 和PNP 两种,而根据材料的不同分为( )两种。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电子技术中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是:A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用?A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是:A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中,若要实现电压跟随器,应该使用运算放大器的哪种配置?A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时,其导通电压是:A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型?A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是:A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中,为了减少噪声,通常采用以下哪种方法?A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点?A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案:1-5 D A C B B;6-10 B D D C B二、填空题(每空1分,共10分)1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。
2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。
3. 一个理想的二极管在反向偏置时,其电流是_________。
4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。
5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。
答案:1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题(每题10分,共20分)1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。
【2024版】模拟电子技术试题库及答案
4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时,需选用欧姆挡的R×1k档位,检测中若指针偏转较大,可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用?三极管会损坏吗?为什么?
答:集电极和发射极对调使用,三极管不会损坏,但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大,且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同?其导通和阻断的条件有什么不同?
答:普通二极管根据其单向导电性可知,阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通,反之阻断,可用于整流、钳位、限幅和电子开关;普通三极管在放大电路中起放大作用,在数字电子技术中起开关作用,普通三极管用于放大作用时,只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用,当发射极反偏时就会阻断放大信号通过;用作开关元件时,当发射结和集电结都正偏时,它就会饱和导通,当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时,晶体管就截止,阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件,只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构,有阳极,阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通,即:晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的,还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通(晶闸管一旦导通后,门控极即失去作用);当晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受多大电压,晶闸管都处于阻断状态,或者晶闸管在导通情况下,其主回路电压(或电流)减小到接近于零值时,晶闸管也会自动关断。
模拟电子技术期末复习试题及答案
《模拟电子技术》期末复习试题及参考答案一、填空题(每空1分,共32分)1、自由电子为()载流子,空穴为()载流子的杂质半导体称为()半导体。
2、PN结的单向导电性,就是PN结正偏时(),反偏时()。
3、扩展运动形成的电流是()电流,漂移运动形成的电流是()。
4、所谓理想二极管就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成开断。
5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是()控制文件。
6、当温度升高时三极管的集电极电流IC(),电流放大系数β()。
7、为了提高三极管放大电路的输入电阻,采用()负反馈。
为了稳定输出电流,采用()负反馈。
8、负反馈使放大电路增益(),但()增益稳定性。
9、()称为负反馈深度,其中F=( ),称为()。
10、差模信号是大小(),极性(),差分电路不抑制()漂移。
11、甲乙类互补功率放大器,可以消除()类互补功率()失真。
12、用低频信号去改变高频信号的()称为调幅,高频信号称为()信号。
13、当频率升高时,晶体管电流放大系数()共基极电路比共射极电路的高频特性(),fδ=()fβ14、振荡电路的平衡条件是(),正反馈才能保证振荡电路的()。
15半波整流电路电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是()。
二、选择题(每空2分,共30分)1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是()A -6VB -9vC -12v2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是(),该管是()型。
A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为()失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为()失真。
A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了()而设置的。
A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路()能力。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的()组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。
A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。
模拟电子技术考试模拟题+答案
模拟电子技术考试模拟题+答案一、单选题(共80题,每题1分,共80分)1、在基本放大电路中,影响直流负载线斜率大小的是( )A、RB的值B、Ucc的值C、RC的值D、β值正确答案:C2、电容的单位换算正确的是( )A、1F=1000000μFB、1μF=1000000pFC、1μF=10-6FD、以上都是正确答案:C3、为了提高交流放大电路的带负载能力,应选用( )作为输出级。
A、共发射极放大电路B、功率放大器C、射极输出器D、都可以正确答案:C4、功率放大电路的转换效率是指( )。
A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、输出功率与信号输入功率之比正确答案:B5、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案:A6、当用万用表不同电阻挡去测量二极管正反向电阻时,获得的结果差异较大,这是因为( )A、该管已坏B、万用表各挡有差异C、二极管的电阻可变D、以上答案均不正确正确答案:B7、串联谐振是指电路呈纯( )性。
A、电阻B、电感C、电抗D、电容正确答案:A8、电阻47KΩ±1%的色环为( )。
A、黄-紫-橙-金B、黄-紫-红-黑-棕C、黄-紫-黑-橙-棕D、黄-紫-黑-红-棕正确答案:D9、稳压二极管两端电压变化量与通过它的电流空化量之比值称为稳压二极管的动态电阻。
稳压性能好的稳压二极管的动态电阻( )A、较小B、较大C、还与其他因素有关D、大小均一样正确答案:A10、安装桥式整流电路时,若将其中一只二极管虚焊,则通电工作时可能产生的后果是( )。
A、输出电压的极性改变B、输出电压只有原来的一半C、两只二极曾烧坏D、只有应焊的一只二极管烧坏正确答案:B11、在固定偏置放大电路中,如果负载电阻增大,则电压放大倍数( )A、增大B、无法确定C、减小D、不变正确答案:C12、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现底部(负半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
大学_模拟电子技术模拟试题及参考答案
模拟电子技术模拟试题及参考答案模拟电子技术模拟试题一、填空题(每小题1分,共10分)1、PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的,因而它的电阻率很高。
( )2、集电结处于正偏的BJT,它一定工作在饱和区。
( )3、BJT的.值越大,放大能力越强,但在选用BJT时,并不是值越大越好。
( )4、集电极电阻RC的作用是将集电极电流的变化转换成电压的变化,实现电压放大。
因此, RC的值越大,输出电压越高。
( )5、只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的线性放大区,则不论输入什么信号,都不会产生非线性失真。
( )6、分压偏置电路的发射极电阻Re越大,工作点稳定性越好。
但Re过大,会使BJT的VCE减小,影响放大器的正常工作。
( )7、射极输出器的输入电流是IB,输出电流是IE,因此,具有较高的电流放大倍数。
( )8、在OTL 功放电路中,输出耦合电容的主要作用是“隔直”,防止直流经负载短路。
( )9、在运放电路中,闭环增益AF是指电流放大倍数。
( )10、只要满足AF=1,a+f=2n这两个条件,就可以产生正弦波振荡。
模拟电子技术模拟试题二、判断题(每小题1分,共10分)1、PN结在外加正向电压的作用下,扩散电流( )漂移电流。
a.大于b. 小于c. 等于2、当环境温度降低时,二极管的反向电流( )a.不变b. 增大c.减小3、测得BJT各极对地电压为VB=4V,VC=3.6V,VE=3.4V,则该BJT工作在( )状态。
a.截止 b.饱和 c.放大4、NPN管工作在放大区时,三个极的电位特征是( )。
a.VCVBVEb.VCVC d.VEVB5、为了减小输出电阻,集成运放的输出级多采用( )电路。
a.共射或共源b.差分放大c.互补对称6、运放的共模抑制比越大越好,因为它越大,表明运放的( )a.放大倍数越稳定b.交流放大倍数越大c.抑制温漂能力越强7、希望接上负载RL后,VO基本不变,应引入( )负反馈。
《模拟电子技术基础》复习资料及答案.doc
《模拟电子技术》复习资料答案一、填空题1.半导体不同于导体利绝缘体的三大独特件质为掺杂性、热敏性、光敏性;其电阻率分別受佳质、温度、光照的增加而下降。
2.用于制造半导体器件的材料通常是_硅、错和帥化稼。
3.当外界温度、光照等变化时,半导体材料的导电能力会发生很大的变化。
4.纯净的、不含杂质的半导体,称为本征半导体。
5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
6.本征半导体中掺入III族元素,例如B、A1 ,得到P型半导体。
7.木征硅中若掺入五价元素的原了,则多数载流了应是一电子,掺杂越多,则其数量一定越一多,而少数载流子应是—空穴,掺杂越多,则其数量一定越一少。
8.半导体中存在着两种载流子:带正电的空穴和带负电的.电子。
9.N型半导体小的多数载流子是_电子,少数载流子是一空穴。
10.杂质半导体分N型(电子)和P型(空穴)两大类。
11.N型半导体多数载流了是一电了,少数载流了是_空穴。
P型半导体多数载流了是一空穴,少数载流子是_电子。
12.朵质半导体中,多数载流子浓度主要取决于掺杂浓度,而少数载流子则与温度有很大关系。
13.PN结的主要特性是一单向导电性。
14.PN结是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动处于动态平衡而形成的,有时又把它称为空间电荷区(势垒区)或耗尽区(阻挡层)。
15.PN结加正向电压时,空间电荷区变窄;PN结加反向电压时,空间电荷区变宽。
16.PN结在无光照、无外加电压吋,结电流为零°17.PN结两端电压变化时,会引起PN结内电荷的变化,这说明PN结存在电容效应。
18.二极管是由—个PN结构成,因而它同样具有PN结的单向导电特件。
19.二极管的伏安特性可川数学式和Illi线來描述,其数学式是上去屋佟LL,其曲线又口J分三部分:1I-:向特性、反向特性、击穿特性。
20.品体二极管的正向电阻比其反向电阻小,稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的止,击穿区的交流电阻乂比正向区的小o21.有两个晶体三极管A管的[3二200, /CEO=200M A; B管的卩二50, /CEO=10M A,其他参数人致相同,相比之下旦管的性能较好。
《模拟电子技术》复习题
《模拟电子技术》复习一、选择题:1. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是2V、6V、2.7V,则该BJT三个电极分别是 C 。
(A)B、C、E (B).C、B、E (C)E、C、B2. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是-9V、-6V、-6.2V,则该BJT三个电极分别是 B 。
(A)B、C、E (B).C、E、B (C)E、C、B3. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为V C=6V,V B=0.7V,V E=0V,则该管子工作在A 。
(A)放大区(B)截止区(C)饱和区4. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为V C=6V,V B=4V,V E=3.6V,则该管子工作在B 。
(A)放大区(B)截止区(C)饱和区5. 稳压管的稳压区是其工作在 C 。
(A)正向导通(B)反向截止(C)反向击穿6. 当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。
(A)增大(B)减小(C)不变7. 工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β值约为 C 。
(A)83 (B)91 (C)1008. 三极管放大电路的三种组态中, B 组态的电压放大倍数总是略小于1。
(A)共射(B)共集(C)共基9. 共射极放大电路的交流输出波形正半周失真时为 B 。
(A)饱和失真(B)截止失真(C)交越失真10.共射极放大电路的交流输出波形负半周失真时为 A 。
(A)饱和失真(B)截止失真(C)交越失真11.差分式放大电路是为了 C 而设置的。
(A)稳定电压增益(B)放大信号(C)抑制零点漂移12.共模抑制比是差分式放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路 A 能力。
(A)放大差模抑制共模(B)输入电阻高(C)输出电阻低13.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re,将使电路的 B 。
(A)差模电压增益增大(B)抑制共模信号的能力增强(C)差模输入电阻增大14.差分式放大电路的共模信号是两个输入端信号的 C 。
模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)
模拟综合试卷一一.填充题1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ,b 。
2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a ,b 。
3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真。
5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时,导通角为。
6.甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V;若ui1=1500µV, ui2=500µV,则差模输入电压uid为µV,共模输入信号uic为µV。
8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9.晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为的影响。
10.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最;组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二.选择题1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为()。
A.β增加,ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加,uBE减小C.β和uBE 减小,ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是()A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3.双端输出的差分放大电路主要()来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4.典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数()。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5.差分放大电路的共模抑制比KCMR越大,表明电路()A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6.负反馈放大电路以降低电路的()来提高嗲路的其他性能指标。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,放大器的基本功能是()。
A. 整流B. 滤波C. 放大D. 调制答案:C2. 共发射极放大电路中,输出电压与输入电压相位()。
A. 相同B. 相反C. 不确定D. 无关系答案:B3. 理想运算放大器的输入阻抗是()。
A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案:C4. 在多级放大电路中,级间耦合方式通常采用()。
A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案:B5. 负反馈可以()放大器的放大倍数。
A. 增加B. 减少C. 不影响D. 先增加后减少答案:B6. 场效应管的控制方式是()。
A. 电压控制电流B. 电流控制电压C. 电压控制电压D. 电流控制电流答案:A7. 模拟乘法器的主要功能是()。
A. 放大B. 滤波C. 调制D. 乘法运算答案:D8. 集成电路的电源电压通常为()。
A. 5VB. 12VC. 3.3VD. 以上都可以答案:D9. 差分放大电路可以()。
A. 放大共模信号B. 放大差模信号C. 抑制共模信号D. 抑制差模信号答案:C10. 模拟电路中的“地”通常是指()。
A. 电源正极B. 电源负极C. 信号参考点D. 接地点答案:C二、填空题(每题2分,共20分)11. 放大器的增益通常用表示,单位是。
答案:增益;分贝(dB)12. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗。
答案:高13. 运算放大器的输出电压范围受到限制。
答案:电源电压14. 场效应管的漏极电流与栅极电压之间的关系是。
答案:非线性15. 负反馈可以提高放大器的。
答案:稳定性16. 模拟电路中的耦合方式有直接耦合、耦合和耦合。
答案:阻容;变压器17. 差分放大电路由两个放大电路组成。
答案:对称18. 集成电路中的晶体管通常采用工艺制造。
答案:平面19. 模拟电路中的“地”是信号的点。
答案:参考20. 模拟乘法器可以用于实现调制。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题1. 在模拟电子技术中,以下哪种元件不是基本的模拟电路元件?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案:D2. 运算放大器的主要作用是什么?A. 信号放大B. 信号整形C. 信号转换D. 信号滤波答案:A3. 以下哪种滤波器能够通过高频信号而阻止低频信号?A. 高通滤波器B. 低通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案:A4. 在模拟电路设计中,为了减小温度对电路性能的影响,通常采用哪种方法?A. 温度补偿B. 自动增益控制C. 负反馈D. 电源滤波答案:A5. 哪种类型的半导体材料具有P型半导体的特性?A. 锗(Ge)B. 硅(Si)C. 氮化镓(GaN)D. 氧化锌(ZnO)答案:B二、填空题1. 在模拟电子技术中,______和______是构成振荡器的基本元件。
答案:电阻、电容2. 为了实现信号的放大,通常需要在电路中引入______。
答案:负反馈3. 在模拟信号处理中,______是用来描述信号频率内容的工具。
答案:傅里叶变换4. 电流放大器的主要功能是放大______信号。
答案:低频5. 在模拟电路中,为了提高电路的稳定性和可靠性,常常使用______电源。
答案:稳压三、简答题1. 请简述晶体管的主要工作原理及其在模拟电路中的应用。
晶体管是一种半导体器件,主要通过控制基极电流来调节集电极与发射极之间的电流。
在模拟电路中,晶体管可以作为放大器使用,通过小信号控制大信号的放大过程,实现信号的增益。
同时,晶体管还可以用作开关,控制电路的导通与截止。
2. 描述运算放大器的基本特性及其在模拟电路设计中的重要性。
运算放大器是一种高增益、高输入阻抗、低输出阻抗的放大器。
其基本特性包括开环增益高、输入阻抗大、输出阻抗小、频率响应宽等。
在模拟电路设计中,运算放大器因其优良的放大性能和灵活性,被广泛应用于信号放大、滤波、积分、微分等电路中,是模拟电路设计中不可或缺的核心组件。
《模拟电子技术》试卷及答案
《模拟电子技术》试卷及答案(本题共5小题,每小题4分,共20 分)一、填空题1.多级放大电路常见的三种耦合方式中,若要求各级静态工作点互不影响,可选用耦合方式;若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号,可选用耦合方式;若要求能实现阻抗变换,使负载与输出级阻抗相匹配,可选用耦合方式。
2. 某放大电路中,晶体管三个电极的电流测出分别为:I1=1.2mA、I2=0.03mA、I1=1.23mA。
由此可知:电极1是极,电极2是极,电极3是极。
若已知I1电流方向流入晶体管,则I2电流方向与I1电流方向、I3电流方向与I1电流方向。
3. 硅二极管导通压降的典型值是V、锗二极管导通压降的典型值是V;NPN型管的集电极电流和基极电流晶体管;PNP型管的集电极电流和基极电流晶体管。
4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同,其中饱和失真和截止失真属于失真;幅频失真和相频失真属于失真。
5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小,称为反馈;若反馈量使放大电路的净输入量增大,称为反馈。
放大电路通常采取反馈。
6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是元件;串联型直流稳压电路的调整管正常工作在状态;开关型直流稳压电路的调整管正常工作在状态。
(本题共10小题,每小题1分,共10分)二、判断正、误题1. 因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
()2. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。
()3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时,才能称为具有放大作用。
()4. 发光二极管正常工作在正向导通区,其导通压降为0.7V。
()5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管,复合管的类型取决于第一个管子的类型。
()6. 单门限电压比较器的抗干扰能力比滞回电压比较器的抗干扰能力强。
()7. 整流的目的就是把交变的电压、电流转换为单向脉动的直流电。
()8. 放大交流信号,只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。
模拟电子技术综合复习题(有答案)
《模拟电子技术》复习题综合(第1、2章)一、 选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在N 型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素,变成为P 型半导体。
A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中,自由电子浓度 B 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于4、在P 型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后, C 。
A.自由电子增多,空穴数基本不变B.空穴数增多,自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多,且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变6、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定 8、设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 C 。
UT U U I e C. )1e (S -T U U I D. I S 。
C.反向击穿、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏11、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将 A 。
A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流 15、实践中,判别晶体管是否饱和,最简单的方法是测量 D 。
A.I BB.I CC.U BED.U CE16、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。
模拟电子技术考试题及答案
模拟电子技术考试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电子电路中,放大器的基本功能是()。
A. 整流B. 滤波C. 放大信号D. 调制2. 负反馈在放大器中的作用是()。
A. 增加增益B. 减小增益C. 稳定放大器D. 提高频率响应3. 理想运算放大器的开环增益是()。
A. 有限的B. 无限的C. 零D. 负数4. 一个放大器的输入电阻是1kΩ,输出电阻是50Ω,那么它的电压增益是()。
A. 20B. 20kC. 不确定D. 0.055. 一个二极管的正向压降是0.7V,当通过它的电流为20mA时,消耗的功率是()。
A. 14mWB. 0.014WC. 0.014mWD. 1.4mW6. 一个电路的频率响应曲线是一条直线,说明这个电路是()。
A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 全通滤波器7. 一个共射放大器的电流增益是-10,电压增益是-100,那么它的输出电阻是()。
A. 10ΩB. 100ΩC. 1kΩD. 10kΩ8. 晶体管的三种基本放大电路分别是()。
A. 共射、共基、共集B. 共射、共基、共漏C. 共射、共集、共漏D. 共基、共集、共漏9. 在模拟电子技术中,什么是“饱和区”?A. 信号失真区域B. 信号放大区域C. 信号衰减区域D. 信号调制区域10. 一个放大器的输入信号是正弦波,输出信号是方波,这个放大器可能应用在()。
A. 音频放大B. 视频放大C. 脉冲放大D. 信号调制答案:1-5 CCBDD 6-10 DCDCC二、填空题(每题2分,共10分)1. 在模拟电子电路中,________是用来测量电路输出电压的仪器。
2. 一个理想的电压源具有________和________的特性。
3. 运算放大器的输入端通常具有________和________的特性。
4. 一个放大器的增益可以通过改变________来实现。
5. 负反馈可以提高放大器的________和________。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共10分)1. 模拟电路中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案:D2. 在理想运算放大器中,输入阻抗是:A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案:B3. 晶体管的放大作用主要取决于其:A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案:C4. 以下哪种波形不是周期性波形?A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案:D5. 在运算放大器电路中,虚短是指:A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案:A二、多项选择题(每题3分,共15分)1. 以下哪些是模拟信号的特点?A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案:ACD2. 运算放大器的典型应用包括:A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案:ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括:A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案:ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力?A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案:ABD5. 在模拟电路中,负反馈的作用包括:A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案:ABD三、填空题(每题2分,共10分)1. 在模拟电路中,信号的放大是通过________来实现的。
答案:晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。
答案:零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。
答案:电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流(DC)到________赫兹。
答案:几十兆5. 在模拟电路设计中,________是用来减少信号失真的。
答案:负反馈四、简答题(每题5分,共20分)1. 简述模拟电路与数字电路的区别。
模拟电子技术复习试题+答案
《模拟电子期末练习题》填空题:1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增加),发射结压降(减小)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共射极)、(共基极)、(共集电极)放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(电流)负反馈。
9、负反馈放大电路的放大倍数A F=(A/(1+AF)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数A F=(1/F)。
10、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。
13、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
14、共集电极电路电压放大倍数(小于近似等于1),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。
16、晶体三极管具有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。
17、为了稳定三极管放大电路和静态工作点,采用(直流)负反馈,为了减小输出电阻采用(电压)负反馈。
18、共模信号是大小(相等),极性(相同)的两个信号。
19、乙类互补功放存在(交越)失真,可以利用(甲乙)类互补功放来克服。
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《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是自由电子;在P型半导体中,多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类,它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入共射(共射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的(b)组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入( c )后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-104、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( b )。
A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况5、集成运放中间级的作用是( c )。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( a )的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。
A 正常工作情况B R L 开路C C 开路D 一个二极管和C 开路E 一个二极管开路F 其它情况9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( a )负反馈。
A 电压串联B 电压并联C 电流串联D 电流并联10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管,判断它们是导通还是截止?( b )A D1导通,D2导通B D1导通,D2截止C D1截止,D2导通D D1截止,D2截止三、判断题( √ )1、温度升高后,本征半导体中自由电子和空穴数目都增多,且增量相同。
( )2、结型场效应管通常采用两种偏置方式,即(源极)自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。
(❎ )3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。
( ❎ )4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。
( √ )5、集成运放内部第一级是差分放大电路,因此它有两个输入端。
( ❎)6、只有两个晶体管的类型相同(都为NPN 管或都为PNP 管时)才能组成复合管。
( )7、RC 桥式振荡电路只要R f≤2R 1就能产生自激振荡。
( √ )8、一个理想的差分放大电路,只能放大差模信号,不能放大共模信号。
( √ )9、电压负反馈可以稳定输出电压。
(❎ )10、直流电源是一种电能形式转换电路,将交流电变为直流电。
Ugs+1-1-2id Ubs 0图2-3C1C2L Ucc图2-6四、分析题电路如图所示:(1)写出输入级、中间级、输出级的电路名称。
(2)电阻R 3和二级管D 1、D 2 的作用是什么?(3)静态时T 4 管射级电位U E4 =?负载电流 I L =?(4)动态时,若输出V O 出现正负半周衔接不上的现象,为何失真?应调哪个元件?怎样调才能消除失真?(5)判断级间反馈为何种组态?深度负反馈时,电路的闭环增益应为多少?(6)求负载R L 上最大输出幅度V om 和最大输出功率Pom 。
(设V CES =0V ,R L =24Ω)(7)若R f =100kΩ,R b2=2kΩ,求R L 上输出幅度最大时,输入V I 的有效值为多少?五、计算题1、电路如图所示,晶体管的β=60,。
(1)求电路的Q 点。
(2)画出微变等效电路,并计算。
(3)设U s =10mV (有效值),问U i =?U o =?若C 3开路,则U i =?U o =?'100bb r =Ωu i o A R R、、2、如图所示电路参数理想对称,晶体管的β均为50,,U BEQ ≈0.7。
试计算R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流I EQ ,以及动态参数A d 和R i 。
3、电路如图所示,设集成运放均有理想的特性,写出输出电压uo 与输入电压u I1、u I2的关系式。
'100bb r =Ω《模拟电子技术》复习题一参考答案一、填空题1、自由电子, 空穴 。
2、绝缘栅型, 电压3、共射4、输入5、负反馈6、饱和, 放大, 截止7、放大电路, 选频网络 , 正反馈网络 ,稳幅环节二、选择题1、B2、B3、D4、B5、C6、A7、A8、C9、C 10、B三、判断题1、√2、√3、×4、×5、√6、×7、×8、√9、√ 10、√四、分析题答:(1)输入级为差分放大电路,中间级为共射放大电路,输出级为无输出电容的功率放大电路。
(2)消除交越失真。
(3) U E4 =0, I L =0。
(4)为交越失真。
应调Rc3 ,应将阻值调大。
(5)电压串联负反馈。
(6)(幅值)或(有效值)(7) 五、计算题1、解:(1)Q 点:221b f b I O uf R R R F V V A +===V V M om 9.=V V om 29=W R V P L om om 69.12429222=⨯==5121002=+=uf A V A V V uf om I 125.05129===(2)画出微变等效电路动态分析:(3)设U s =10mV (有效值),则若C 3开路,则2、解:R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流分析如下:A d 和R i 分析如下:i i u LR3、解:由图可知,运放A1、A2组成电压跟随器,运放A4组成反相输入比例运算电路运放A3组成差分比例运算电路以上各式联立求解得:《模拟电子技术》复习题二一、填空题1、当PN 结外加正向电压时,P 区接电源 极,N 区接电源极,此时,扩散电流 漂移电流。
2、二极管最主要的特性是 。
3、一个放大电路的对数幅频特性如图所示。
由图1-3可知,中频放大倍数|A vm |=__ __。
图1-3图1-7 4、乙类放大器中每个晶体管的导通角是_ __,该放大器的理想效率为__ __,每个管子所承受的最大电压为__ _____。
5、差动放大电路的基本功能是对差模信号的_ _作用和对共模信号的_ _作用。
6、小功率直流稳压电源由变压、 、__ __、 四部分组成。
7、图1-8 (a)和(b)是两个放大管的不完整的符号,根据图中所给数据和电流方向,判断它们的导电类型分别为___________ 型和___________型,用半导体材料___________和___________制成,电流放大系数β分别为___________和___________。
二、选择题图2-3 图2-8 图2-9 图2-101、图2-3所示复合管中,下列答案正确的是( )。
A NPN 型B PNP 型C 不正确2、N 型半导体是在本征半导体中加入( )后形成的杂质半导体。
RbRfRe1Re2Ucc图2-5A 空穴B 三价元素C五价元素3、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V1=2V,V2=2.7V,V3=6V,试判别管子的三个管脚分别是()。
A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况4、用万用表直流电压档测得电路中PNP型晶体管各极的对地电位分别是:V b=-12.3V,V e=-12V,V c=-18V。
则三极管的工作状态为()。
A 放大B 饱和C 截止5、判断图2-5电路中的反馈组态为()。
A 电压并联负反馈B 电压串联负反馈C 电流串联负反馈D 电流并联负反馈6、已知降压变压器次级绕组电压为12V,负载两端的输出电压为10.8V,则这是一个单相( )电路.A 桥式整流B 半波整流C 桥式整流电容滤波D 半波整流电容滤波7、直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式(或变压器耦合式)多级放大电路相比,低频响应()。
A 差B 好C 差不多8、某场效应管的转移特性如图2-8所示,该管为( )。
A P沟道增强型MOS管B P沟道结型场效应管C N沟道增强型MOS管D N沟道耗尽型MOS管9、设图2-9所示电路中二极管D1、D2为理想二极管,判断它们是导通还是截止?()A D1导通,D2导通B D1导通,D2截止C D1截止,D2导通D D1截止,D2截止10、图2-10所示电路是( ) 。
A差分放大电路B镜像电流源电路C微电流源电路三、判断题( )1、耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式。
( )2、放大的实质不是对能量的控制作用。
( )3、功率的放大电路有功率放大作用,电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。
( )4、共模信号都是直流信号,差模信号都是交流信号。
( )5、集成运放是直接耦合的多级放大电路。
( )6、电压串联负反馈有稳定输出电压和降低输入电阻的作用。
( )7、复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积。
( )8、反相比例运算电路属于电压串联负反馈,同相比例运算电路属于电压并联负反馈。
( )9、只要满足正弦波振荡的相位平衡条件,电路就一定振荡。
( )10、滤波是将交流变为直流。
四、分析题图示电路是没有画完的功率放大电路,已知输入电压u i为正弦波,运算放大电路为理想运放。
(1)在图上标出三极管VT1和VT2的发射极箭头,并合理连接输入信号u i和反馈电阻R f,使电路具有输入电阻大、输出电压稳定的特点。
在题图上完成。
(2)设三极管VT1和VT2的饱和管压降可忽略不计,计算VT1和VT2的极限参数I CM 、U (BR)CEO 、P CM 大体应满足什么条件?(3)电路最大的输出功率有多大?(P omax =?)五、计算题1、电路如下图所示,晶体管的β=100,。
(1)求电路的Q 点。
(2)画出微变等效电路,并计算。
(3)若电容C e 开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?(15分)2、 电路如下图所示,晶体管的β=50,。
(1)计算静态时T 1管和T 2管的集电极电流和集电极电位;(2)用直流表测得u O =2V ,u I =?若u I =10mV ,则u O =?'100bb r =Ωu i o A R R、、'100bb r =Ω3、电压-电流转换电路如图所示,已知集成运放为理想运放,R2=R3=R4=R7=R,R5=2R。