模拟电子技术试卷(含答案)
模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)
《模拟电子技术》复习试题一一、填空(每空1分,共20分)1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。
2. 放大器级间耦合方式有三种:直接耦合;阻容耦合;变压器耦合;在集成电路中通常采用直接耦合。
3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。
4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真,要消除此失真,应改用甲乙类推挽放大器。
5. 图1所示两级放大电路,图中级间采用阻容耦合方式,T接成共基1组态,T接成共集组态,1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。
6. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值增大。
7. 共射-共基组合电路中,由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ,相应的振幅条件是1)(=ωj T ,相位条件是()πωϕ±=T 。
二、简答(共3小题,每小题5分,共15分)1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示(1)判断它们各是NPN 管还是PNP 管,在图中标出e ,b ,c 极; 答:见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分,标出e ,b ,c 极1分, 共3分)(2)估算(b)图晶体管的β和α值。
601.06===B C I I β, 985.01≈+=ββα (各1分,共2分)2.电路如图3所示,试回答下列问题(1)要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻,应接入何种负反馈?R应如何接入?(在图中连接)f答:应接入电压串联负反馈(1分)R接法如图(1分)f(2)根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性(在图中“□”处标出),并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。
答:见图中标识(3分)(共6空,两个1分)3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。
答:直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成,其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压,滤波电路的作用是减小电压的脉动,稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响,从而获得足够高的稳定性。
模拟电子技术基础试题(附答案)
(120)1.纯净的半导体叫()。
掺入3价杂质元素形成的半导体叫(),它主要靠导电()。
A.空穴B.本征半导体C.P型半导体D.自由电子2.PN结正偏时,多子的()运动较强,PN结变薄,结电阻较()。
A.扩散B.漂移C.小D.大3.三极管有()和()两种载流子参与导电,故称作()极型晶体管;而场效应管称作()极型晶体管。
A.双极B.空穴C.单极D.自由电子4.负反馈放大电路的含义是()。
A.输出与输入之间有信号通路B.电路中存在反向传输的信号通路C.除放大电路之外还有信号通路D.电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号5.一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB,当信号频率恰好是上限频率时,实际电压增益为()。
A.43dB B.40dB C.37dB D.3dB6.通常在下面基本组态放大电路中,输入电阻最大的是();输出电阻最小的是();高频特性最好的电路是()。
A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路7.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是()。
A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容8.功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使()。
A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强9.欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入();欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入()。
A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈10.为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用()滤波电路。
A.带阻B.带通C.低通D.有源11.直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、()、稳压。
A.比较B.滤波C.调整(210)1.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
()2.电路只要满足,就一定会产生正弦波振荡。
()3.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
()4.若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。
()5.功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。
模拟电子技术单选考试模拟题(含答案)
模拟电子技术单选考试模拟题(含答案)一、单选题(共100题,每题1分,共100分)1、放大电路中的所有电容器的作用均为通交隔直。
( )A、错误B、正确 ;正确答案:B2、输出端交流短路后仍有反馈信号存在,可断定为电流负反馈。
()A、对 :B、错正确答案:A3、正弦电流经过二极管整流后的波形为( )。
A、仍为正弦波。
B、矩形方波;C、等腰三角波;D、正弦半波;正确答案:D4、三极管超过( )所示极限参数时,必定被损坏。
A、集电极最大允许电流ICMB、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEOC、集电极最大允许耗散功率PCMD、管子的电流放大倍数正确答案:C5、对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是:( )A、ic=βibB、ie=βibC、ie=βic正确答案:A6、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。
()A、错B、对 :正确答案:A7、放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。
( )A、正确 ;B、错误正确答案:B8、N型半导体中的多数载流子是()A、空穴B、负离子C、自由电子D、正离子正确答案:C9、集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用()A、光电耦合B、阻容耦合C、直接耦合D、变压器耦合正确答案:C10、如果两个信号,它们的大小相等,相位相同,则它们是( )信号。
A、共模B、模拟C、差模正确答案:A11、理想集成运放的输出电阻为()。
A、不定。
B、∞;C、0;正确答案:C12、PN结两端加正向偏置电压时,其正向电流是由()而成。
A、少子扩散B、少子漂移C、多子漂移D、多子扩散正确答案:D13、因放大电路对不同频率信号成分的放大能力和相移能力不同而造成输出畸变的现象称为()A、交越失真B、截止失真C、频率失真D、饱和失真正确答案:C14、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在( )。
A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。
模拟电子技术试卷及答案
《模拟电子技术》试卷一.填空题(每空1分,共30分)1.P型半导体掺入三价元素,多子是自由电子,少子是空穴。
2.PN结主要特性是具有单向导电性,即正导通,反向截止。
3.三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置。
4.在模拟放大电路中,三极管一般工作在输出特性的放大区;在数字电路中三极管一般工作在截止区或饱和区,此时也称它工作在开关状态。
5.幅度失真和相位失真统称为频率失真,它属于线性失真。
6.功率放大电路的主要作用是向负载上提供足够大的输出功率,乙类功率放大电路的效率最高。
7.放大电路中为了稳定静态工作点,应引入a(a.直流负反馈,b.交流负反馈)。
8.三极管串联型稳压电路由取样电路、基准电路、比较电路和调整电路四大环节组成。
9.分压式偏置电路具有稳定静态工作点作用,其原理是构成电压串联负反馈。
10.集成运算放大器是直接耦合放大电路。
集成运算放大器的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端,前者的极性与输出端同相;后者的极性同输出端反相。
11.根据MOS管导电沟道的类型,可分为PMOS和NMOS型。
二、单项选择题(每题2分,共20分,将答案填在下表中)1.常温下,硅二极管的开启电压约______V,导通后在较大电流下的正向压降约______V;锗二极管的开启电压约______V,导通后在较大电流下的正向压降约______V。
CA) 0.3,0.5,0.5,0.7 B) 0.5,0.7,0.3,0.5C) 0.5,0.7,0.1,0.2 D) 0.3,0.5,0.1,0.22.下图中的3种特性曲线,依次属于哪种场效应管?正确的说法是( D )A) P沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFETB) P沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET;结型N沟道耗尽型C) N沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFETD) N沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET;N沟道结型3.在共射基本放大电路中,当β一定时,在一定范围内增大I E,电压放大倍数将(A)A) 增加B)减小C) 不变D) 不能确定4.如图所示差分放大电路中,为提高抑制零点漂移的能力,试问采用下列( B )措施好。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电子技术中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是:A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用?A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是:A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中,若要实现电压跟随器,应该使用运算放大器的哪种配置?A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时,其导通电压是:A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型?A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是:A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中,为了减少噪声,通常采用以下哪种方法?A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点?A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案:1-5 D A C B B;6-10 B D D C B二、填空题(每空1分,共10分)1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。
2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。
3. 一个理想的二极管在反向偏置时,其电流是_________。
4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。
5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。
答案:1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题(每题10分,共20分)1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。
模拟电子技术考试模拟题+答案
模拟电子技术考试模拟题+答案一、单选题(共80题,每题1分,共80分)1、在基本放大电路中,影响直流负载线斜率大小的是( )A、RB的值B、Ucc的值C、RC的值D、β值正确答案:C2、电容的单位换算正确的是( )A、1F=1000000μFB、1μF=1000000pFC、1μF=10-6FD、以上都是正确答案:C3、为了提高交流放大电路的带负载能力,应选用( )作为输出级。
A、共发射极放大电路B、功率放大器C、射极输出器D、都可以正确答案:C4、功率放大电路的转换效率是指( )。
A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、输出功率与信号输入功率之比正确答案:B5、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案:A6、当用万用表不同电阻挡去测量二极管正反向电阻时,获得的结果差异较大,这是因为( )A、该管已坏B、万用表各挡有差异C、二极管的电阻可变D、以上答案均不正确正确答案:B7、串联谐振是指电路呈纯( )性。
A、电阻B、电感C、电抗D、电容正确答案:A8、电阻47KΩ±1%的色环为( )。
A、黄-紫-橙-金B、黄-紫-红-黑-棕C、黄-紫-黑-橙-棕D、黄-紫-黑-红-棕正确答案:D9、稳压二极管两端电压变化量与通过它的电流空化量之比值称为稳压二极管的动态电阻。
稳压性能好的稳压二极管的动态电阻( )A、较小B、较大C、还与其他因素有关D、大小均一样正确答案:A10、安装桥式整流电路时,若将其中一只二极管虚焊,则通电工作时可能产生的后果是( )。
A、输出电压的极性改变B、输出电压只有原来的一半C、两只二极曾烧坏D、只有应焊的一只二极管烧坏正确答案:B11、在固定偏置放大电路中,如果负载电阻增大,则电压放大倍数( )A、增大B、无法确定C、减小D、不变正确答案:C12、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现底部(负半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)
模拟综合试卷一一.填充题1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ,b 。
2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a ,b 。
3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真。
5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时,导通角为。
6.甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V;若ui1=1500µV, ui2=500µV,则差模输入电压uid为µV,共模输入信号uic为µV。
8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9.晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为的影响。
10.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最;组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二.选择题1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为()。
A.β增加,ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加,uBE减小C.β和uBE 减小,ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是()A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3.双端输出的差分放大电路主要()来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4.典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数()。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5.差分放大电路的共模抑制比KCMR越大,表明电路()A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6.负反馈放大电路以降低电路的()来提高嗲路的其他性能指标。
模拟电子技术试题及答案(18套)
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增加),发射结压降(减小)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基极)、(共集电极)、(共射极)放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(电流)负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数A F=(A/1+AF ),对于深度负反馈放大电路的放大倍数A F=(1/F )。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BW F=( 1+AF )BW,其中BW=( fH-fL ),( 1+AF )称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。
13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路;OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(小于近似等于 1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调幅),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载波信号)。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy),电路符号是()。
模拟电子技术试卷及答案
模拟电子技术试卷及答案(本题共5小题,每小题4分,共 20 分) 一、填空题1.二极管的伏安特性曲线上共分 个工作区; 二极管正常工作在伏安特性曲线的正向导通区,但导通压降最少需在 1.3V 以上; 二极管正常工作在伏安特性曲线的反向截止区; 二极管正常工作在伏安特性曲线的反向击穿区。
2. 型三极管是用基极小电流控制集电极大电流的 控制型器件; 型三极管是用栅源间电压控制漏极大电流的 控制型器件。
3. 放大电路中的负反馈类型分有 负反馈、 负反馈、 负反馈和 负反馈四种。
4. 由运放的理想化条件导出的两个重要概念是 和 ,是运放线性应用电路分析的重要依据;在运放非线性应用电路的分析中, 的概念不再成立, 的概念仍然适用。
5. 实用技术中,串联型直流稳压电路应用较为广泛,它通常由 环节、基准电压、 环节和 四部分组成。
其中 工作在放大状态。
(本题共12小题,每小题1分,共12分)二、 判断正、误题 1. 雪崩击穿和齐纳击穿都是场效应式的电击穿,不会损坏二极管。
( ) 2. 双极型三极管各种组态的放大电路,输入、输出均为反相关系。
( ) 3. 本征半导体中掺入五价杂质元素,会生成P 型半导体,其多子是空穴载流子。
( ) 4. OTL 甲乙类功放采用了单电源供电方式,其输出大电容起负电源的作用。
( ) 5. 功率放大器中,甲乙类功放的性能最优良,高保真较甲类强,效率较乙类高。
( ) 6. NPN 型三极管工作在放大状态时,其发射极电位最高,集电极电位最低。
( )7. 不同类型的放大电路,其静态分析的目的也各不相同,但动态分析的目的总是相同的。
( ) 8. 频率响应引进的失真属于线性失真,放大电路的饱和失真和截止失真则是非线性失真。
( ) 9. 无论是单门限还是双门限的电压比较器,电路中一定存在正反馈环节。
( ) 10.并联型稳压电路中的整流环节通常采用整流桥,滤波环节大多采用电感元件。
( ) 11.有源负载在放大电路中的作用主要用来消除电路中的交越失真。
模拟电子技术试题(含答案)
模拟电子技术基础试卷及答案一、选择正确答案填空(20分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。
A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。
A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。
A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。
A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i5.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。
A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路6.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。
A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器7.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。
a .不用输出变压器b .不用输出端大电容c .效率高d .无交越失真 8.稳压二极管稳压时,其工作在( C ),发光二极管发光时,其工作在( A )。
a .正向导通区 b .反向截止区 c .反向击穿区9.理想集成运放具有以下特点:( B )。
A. 开环差模增益A u d =∞,差模输入电阻R i d =∞,输出电阻R o =∞B. 开环差模增益A u d =∞,差模输入电阻R i d =∞,输出电阻R o =0C. 开环差模增益A u d =0,差模输入电阻R i d =∞,输出电阻R o =∞D. 开环差模增益A ud =0,差模输入电阻R id =∞,输出电阻R o =010.在输入量不变的情况下,若引入反馈后( D ) ,则说明引入的是负反馈。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,放大器的基本功能是()。
A. 整流B. 滤波C. 放大D. 调制答案:C2. 共发射极放大电路中,输出电压与输入电压相位()。
A. 相同B. 相反C. 不确定D. 无关系答案:B3. 理想运算放大器的输入阻抗是()。
A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案:C4. 在多级放大电路中,级间耦合方式通常采用()。
A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案:B5. 负反馈可以()放大器的放大倍数。
A. 增加B. 减少C. 不影响D. 先增加后减少答案:B6. 场效应管的控制方式是()。
A. 电压控制电流B. 电流控制电压C. 电压控制电压D. 电流控制电流答案:A7. 模拟乘法器的主要功能是()。
A. 放大B. 滤波C. 调制D. 乘法运算答案:D8. 集成电路的电源电压通常为()。
A. 5VB. 12VC. 3.3VD. 以上都可以答案:D9. 差分放大电路可以()。
A. 放大共模信号B. 放大差模信号C. 抑制共模信号D. 抑制差模信号答案:C10. 模拟电路中的“地”通常是指()。
A. 电源正极B. 电源负极C. 信号参考点D. 接地点答案:C二、填空题(每题2分,共20分)11. 放大器的增益通常用表示,单位是。
答案:增益;分贝(dB)12. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗。
答案:高13. 运算放大器的输出电压范围受到限制。
答案:电源电压14. 场效应管的漏极电流与栅极电压之间的关系是。
答案:非线性15. 负反馈可以提高放大器的。
答案:稳定性16. 模拟电路中的耦合方式有直接耦合、耦合和耦合。
答案:阻容;变压器17. 差分放大电路由两个放大电路组成。
答案:对称18. 集成电路中的晶体管通常采用工艺制造。
答案:平面19. 模拟电路中的“地”是信号的点。
答案:参考20. 模拟乘法器可以用于实现调制。
《模拟电子技术》试卷及答案
《模拟电子技术》试卷及答案(本题共5小题,每小题4分,共20 分)一、填空题1.多级放大电路常见的三种耦合方式中,若要求各级静态工作点互不影响,可选用耦合方式;若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号,可选用耦合方式;若要求能实现阻抗变换,使负载与输出级阻抗相匹配,可选用耦合方式。
2. 某放大电路中,晶体管三个电极的电流测出分别为:I1=1.2mA、I2=0.03mA、I1=1.23mA。
由此可知:电极1是极,电极2是极,电极3是极。
若已知I1电流方向流入晶体管,则I2电流方向与I1电流方向、I3电流方向与I1电流方向。
3. 硅二极管导通压降的典型值是V、锗二极管导通压降的典型值是V;NPN型管的集电极电流和基极电流晶体管;PNP型管的集电极电流和基极电流晶体管。
4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同,其中饱和失真和截止失真属于失真;幅频失真和相频失真属于失真。
5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小,称为反馈;若反馈量使放大电路的净输入量增大,称为反馈。
放大电路通常采取反馈。
6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是元件;串联型直流稳压电路的调整管正常工作在状态;开关型直流稳压电路的调整管正常工作在状态。
(本题共10小题,每小题1分,共10分)二、判断正、误题1. 因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
()2. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。
()3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时,才能称为具有放大作用。
()4. 发光二极管正常工作在正向导通区,其导通压降为0.7V。
()5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管,复合管的类型取决于第一个管子的类型。
()6. 单门限电压比较器的抗干扰能力比滞回电压比较器的抗干扰能力强。
()7. 整流的目的就是把交变的电压、电流转换为单向脉动的直流电。
()8. 放大交流信号,只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。
模拟电子技术考试试卷(附答案)
模拟电子技术考试试卷(附答案)一、填空题(除6题外,每空1分,共20分)1.稳压管是一种特殊的二极管,它工作在____________ 状态.2.甲类、乙类和甲乙类放大电路中,_______________电路导通角最大;_______________电路效率较高;_______________电路交越失真最大,为了消除交越失真而又有较高的效率一般采用_______________电路。
3.直接耦合放大电路存在____________ 现象。
4.图1示电路,要求达到以下效果,应该引人什么反馈?(1)希望提高从输入端看进去的输入电阻,接Rf应与_______点和________点相连;(2)希望输出端接上负载RL 后,Uo(在给定Ui情况下的交流电压有效值)基本不变,接Rf与_______点和________点相连;(用A~F的字符表示连接点)。
5.集成运放内部一般包括四个组成部分,它们是______________,_________,______________和_______________。
6.在图2示差动放大电路中,假设各三极管均有β=50,UBE=0.7V。
求(1)ICQ1=ICQ2=__________mA;(2分)(2)UCQ1=UCQ2=__________V(对地);(2分)(3)Ro = __________KΩ。
(2分)二、OCL 电路如图3所示,已知V cc =12V ,R L = 8Ω ,v i 为正弦电压。
(10分) 1.求在U CES = 0的情况下,电路的最大输出功率P max 、效率η和管耗P T 。
2.求每个管子的最大允许管耗P CM 至少应为多少?三、某放大电路的频率响应如图4所示。
(12分) 1.该电路的中频放大倍数|A um | = ?2.该电路的增益频率响应 A U (j ω)表达式如何?3.若已知其输出电压最大不失真动态范围为U om = 10V ,当输入信号时,试判断输出信号是否会失真?说明理由。
专科《模拟电子技术》模拟题试卷
专科《模拟电子技术》模拟题试卷一. (共60题,共150分.1.理想的功率放大电路应工作于.)状态.(2分.A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补★检查答案标准答案: C2.NPN共射电路的Q点设置在接近于.)处将产生顶部失真.(2分.A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区★检查答案标准答案: A3.双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是.)接法.(2分.A.共基极B.共源极C.共漏极D.共栅极★检查答案标准答案: B4.当有用信号的频率介于2500Hz与3000Hz之间时, 应采用的最佳滤波电路是.).(2分.A.低通B.高通C.带通D.带阻★检查答案标准答案: C5.为了提高电压放大倍数, 希望放大电路的.)大一些.(2分.A.输入电流B.输出电流C.输入电阻D.输出电阻★检查答案标准答案: D6.当PN给外加反向电压时, 其内部的扩散电流将.)漂移电流。
此时, 耗尽层的宽度将.).(2分.A.大于变宽B.大于变窄C.小于变宽D.等于不变★检查答案标准答案: C7.差动放大电路的特点是抑制.)信号, 放大.)信号.(2分.A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模★检查答案标准答案: B8.共漏极场效应管放大电路的输出电压与输入电压的相位.).(2分.A.相差0B.相差45C.相差90D.相差180★检查答案标准答案: A9.直流电源滤波的主要目的是: .).(2分.A.将交流变直流B.将高频变低频C.将正弦波变成方波D.将直、交流混合量中的交流成分去掉★检查答案标准答案: D10.电路如图所示。
若V1管正负极接反了, 则输出.). (2分.A.只有半周波形B.全波整流波形, 但V3管承受2倍的电压C.全波整流波形D.无波形且变压器或整流管可能烧毁★检查答案标准答案: D11.双极型三极管是控制器件, 当其工作在放大区时发射结需要加偏置, 集电结需要加偏置。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共10分)1. 模拟电路中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案:D2. 在理想运算放大器中,输入阻抗是:A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案:B3. 晶体管的放大作用主要取决于其:A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案:C4. 以下哪种波形不是周期性波形?A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案:D5. 在运算放大器电路中,虚短是指:A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案:A二、多项选择题(每题3分,共15分)1. 以下哪些是模拟信号的特点?A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案:ACD2. 运算放大器的典型应用包括:A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案:ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括:A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案:ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力?A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案:ABD5. 在模拟电路中,负反馈的作用包括:A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案:ABD三、填空题(每题2分,共10分)1. 在模拟电路中,信号的放大是通过________来实现的。
答案:晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。
答案:零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。
答案:电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流(DC)到________赫兹。
答案:几十兆5. 在模拟电路设计中,________是用来减少信号失真的。
答案:负反馈四、简答题(每题5分,共20分)1. 简述模拟电路与数字电路的区别。
专升本《模拟电子技术》-试卷-答案
专升本《模拟电子技术》一、(共48题,共150分)1. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )。
(2分)A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.晶体管结电容不确定性标准答案:C2. 稳压二极管的有效工作区是( )。
(2分)A.正向导通区B.反向击穿区C.反向截止区D.死区标准答案:B3. 如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结也为正向偏置,则此管的工作状态为( )。
(2分)A.放大状态B.微导通状态C.截止状态D.饱和状态标准答案:D4. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( )。
(2分)A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容D.不易制作大阻值的电阻标准答案:C5. 用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻,将使单端电路的( )。
(2分)A.抑制共模信号能力增强B.差模放大倍数数值增大C.差模输入电阻增大D.差模输出电阻增大标准答案:A6. 半导体中PN结的形成主要是由于()生产的。
(2分)A.N区自由电子向P区的扩散运动B.N区自由电子向P区的漂移运动C.P区自由电子向N区的扩散运动D.P区自由电子向N区的漂移运动标准答案:A7. 理想的功率放大电路应工作于( )状态。
(2分)A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补标准答案:C8. NPN共射电路的Q点设置在接近于( )处将产生顶部失真。
(2分)A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区标准答案:A9. 当有用信号的频率介于1500Hz与2000Hz之间时,应采用的最佳滤波电路是( )。
(2分)A.低通B.高通C.带通D.带阻标准答案:C10. 差动放大电路的特点是抑制( )信号,放大( )信号。
(2分)A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模标准答案:B11. 利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。
(2分) ( ) 标准答案:正确12. 未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区。
模拟电子技术期末试卷5套及答案
《模拟电子技术》期末考试试卷1班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___一.填空(25分)(1)本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,掺杂越多,则其数量一定越 多 ,相反,少数载流子应是 空穴 ,掺杂越多,则其数量一定越 少 。
(2)把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。
(3)当PN 结外加正向电压时,PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。
(4)硅二极管的导通电压值约为 0.6V ,锗二极管的导通电压约为 0.2V 。
(5)晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。
(6)对于由三极管组成的放大电路而言,就其输入回路和输出回路的公共端不同,可以组成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。
(7)放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变,称为 幅频特性,而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变,称为 相频 特性。
(8)假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、,那么多级放大电路的放大倍数uA = un u u A A A (21)(9)要使电路产生稳定的振荡,必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。
(10)小功率直流电源一般由四部分组成,分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波和稳压电路。
二.选择题(每题2分,共20分)(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ; 。
(A )电流负反馈 (B ) 电压负反馈 (C ) 直流负反馈 (D )交流负反馈(2)RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。
(A )感性 (B ) 阻性 (C )容性 (3)通用型集成运放的输入级多采用 。
(A )共基接法 (B )共集接法 (C )共射接法 (D ) 差分接法 (4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。
模拟电子技术试卷五套(含答案)
模拟试卷一一、填空(16分)1.半导体二极管的主要特性是___________ 。
2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。
3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ 。
4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。
5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。
这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真。
6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。
二、选择正确答案填空(24分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是( )。
A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。
A.P沟道增强型MOS管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管3.在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的( )。
A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV。
B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV。
C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV。
D.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV。
4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。
A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应( )。
A.减小C,减小Ri B.减小C,增大RiC.增大C,减小Ri D.增大C,增大 Ri6.如图所示复合管,已知V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,则复合后的 b 约为( )。
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一、填空(30分,每空1分)
1、半导体中存在两种载流子,分别为 电子和 空穴 。
杂质半导体分为两种,分别为 N 型半导体 和 P 型半导体 。
2、三极管实现放大作用的内部结构条件是发射区掺杂浓度 高;基区做得 很薄 ,且掺杂浓度 低 。
实现放大作用的外部条件是外加电源的极性应保证了射结正偏 ;而集电结 反偏 。
3、组成放大电路的基本原则是外加电源的极性应使三极管的 发射结 正向偏置,三极管的 集电结 反向偏置,以保证三极管工作在放大区。
针对放大电路的基本分析方法有两种,分别为 微变等效法 和 图解法 。
4、基本放大电路有三种组态,即 共发射极 、 共基极 和 共集电极 。
多级放大电路常用的耦合方式有三种,分别为 直接耦合、阻容耦合 和变压器耦合。
多级放大电路的电压放大倍数为各级电压放大倍数的 代数乘积 。
13、电压负反馈使输出电压 稳定 ,因而降低了放大电路的 输出电阻;电流负反馈使输出电流 稳定 ,因而提高了电路的 输出电阻 。
串联负反馈增大 放大电路的输入电阻,并联负反馈则减小输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中,有以下四种基本的组态,分别为 电压串联负反馈、电压并联负反馈 、电流串联负反馈、电流并联负反馈。
二、按要求选其中正确的一项填入括号(20分,每小题4分)
1、在某种纯净的半导体中掺入以下杂质可以形成N 型半导体。
(D) A 、含四价元素的杂质 B 、含空穴的杂质 C 、三价元素镓 D 、五价元素磷
2、在三极管的基本组态电路中(B)
A 、共集组态的电压增益最大
B 、共集组态的电压增益最小
C 、共发组态的电压增益最小
D 、共基组态的电压增益最小 3、差分放大器是一种直接耦合放大器,它(D)
A 、只能放大直流信号
B 、只能放大交流信号
C 、不能放大交流信号
D 、可以抑制共模信号 4、在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变(C) A 、发射极电阻 B 、集电极电阻 C 、基极电阻 D 、三极管的值 5、判断负反馈电路可能发生自激振荡的根据有(C )
A 、负反馈深度较大的两级放大电路;
B 、环路增益的幅值 1 AF ;
得分 评卷人
C、环路增益的相位裕度Φm > 0;
D、环路增益的幅值裕度 Gm > 0 dB;
三、电路分析(20分)
得分评卷人
1、判断图3.1.1,图3.2.2电路的反馈极性与组态(10分)
图3.1.1 图3.2.2
(瞬时极性标图1上)(瞬时极性标图2上)
电流并联负反馈电压并联负反馈和电压串联正反馈
2、判断电路工作状况(10分)
(1)图1电路如下图示,请回答问题:
图3.2.1
图1电路无(填有或无)放大作用。
简单说明理由:
因三极管电路基极无偏置电流,晶体管工作在截止区,所以对交流信号无放大作用。
(2)图2电路如下图示,试判断各三极管分别工作在截止区、放大区还是饱和区,并说明理由。
图3.2.2
解:A 图因发射结正偏、集成结反偏而处于放大区;
B 图因发射结反偏而处于截止区;
C 图因发射结正偏、集电结反偏而处于放大区。
四、电路分析和计算(30分)
1、如图4.1所示,设运放为理想运放,而且开环增益10000=A ,设电路满足深负反馈条件,试求:(10分)
1)估算反馈系数和反馈深度; 2)估算闭环放大倍数;
图 4.1
解:该电路为电压并联负反馈,在深度负反馈条件下可得i f I I ≈。
反馈系数为4105.42.21-⨯≈==K U I F O
F iu 西门子
反馈深度为5.5105.410000114=⨯⨯+=+-F A
根据理想运放工作在线性区时“虚断”和“虚短”的特点,可认为其反相输入端的电压等于零,
则由电路分别求得i I 和f
I 为 得分 评卷人
+0.7V +5V
0V
-5.3V
0V
+6V -1.3V
-1V
-10V
+
—
Ui
+
—
Uo
1R U I i i =;F
O f R U I -= 由于i f I I ≈,可得 1
R U R U i F O
≈- 则闭环电压放大倍数为11.0202.21-=-=-≈=R R U U A F i O uuf
2、如图4.2所示电路中,设50=β,V U BEQ 6.0=。
(12分) (1)求静态工作点;
(2)画出放大电路的微变等效电路;
(3)求电压放大倍数u A 、输入电阻i R 和输出阻o
R ;
图4.2 解:(1)静态工作点:
mA K
V
R U I b
BEQ BQ 024.047012==
≈
mA I I BQ CQ 2.1024.050=⨯==β
V R I V U C CQ CC CEQ 3.79.32.112=⨯-=⨯-=
(2)微变等效电路(略) (3)Ω=⨯+≈++=13203
.126
5130026)
1(300EQ be I r β 9.02
5132.19.3//9.350)1(-≈⨯+⨯-=++'-=K
K R r R A e be L u
ββ
Ω≈++=K R r R R e be b i 85])1(//[β
+
—
Ui
+
—
Uo
+Vcc
(+12V)
Ω==K R R C O 9.3
3、试推导图4.3同相输入求和电路的求和表达式。
(8分)
图4.3
解:设过1R 的电流为1I ,过2R 的电流为2I 。
根据“虚断”可以得到同相端的电压为:
R u R u u R u u I I '
-=-+-+++0
2211 整理可得
22
11I I u R R
u R R u ++++=
其中 R R R R '=+////21
根据“虚短”,即-+=U U ,则输出电压为
))(
1()1(22
11I I f f o u R R
u R R R
R u R
R u ++-++
=+
=。