模拟电子技术试卷1-6
模拟电子技术试卷五套含答案
模拟试卷一一、填空(16分)1．半导体二极管的主要特性是。
2．三极管工作在放大区时，发射结为偏置，集电结为偏置；工作在饱和区时发射结为偏置，集电结为偏置。
3．当输入信号频率为和时，放大倍数的幅值约下降为中频时的倍，或者是下降了，此时及中频时相比，放大倍数的附加相移约为。
4．为提高放大电路输入电阻应引入反应；为降低放大电路输出电阻，应引入反应。
5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流、静态时的电源功耗。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可到达，但这种功放有失真。
6．在串联型稳压电路中，引入了——负反应；为了正常稳压，调整管必须工作在区域。
二、选择正确答案填空(24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，那么这只三极管是( )。
A．型硅管 B．型锗管 C．型硅管 D．型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。
A．P沟道增强型管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型管D．N沟道耗尽型管3．在图示2差分放大电路中，假设 = 20 ，那么电路的( )。
A．差模输入电压为10 ，共模输入电压为10 。
B．差模输入电压为10 ，共模输入电压为20 。
C．差模输入电压为20 ，共模输入电压为10 。
D．差模输入电压为20 ，共模输入电压为20 。
4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。
A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大5．在图示电路中为其输入电阻，为常数，为使下限频率降低，应( )。
A．减小C，减小 B．减小C，增大C．增大C，减小 D．增大C，增大6．如下图复合管，V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，那么复合后的 b 约为( )。
A．1500 B．80 C．50 D．307．桥式正弦波振荡电路由两局部电路组成,即串并联选频网络和( )。
A．根本共射放大电路 B．根本共集放大电路C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电路8．某电路输入电压和输出电压的波形如下图，该电路可能是( )。
模拟电子技术试卷及答案
《模拟电子技术》试卷一.填空题(每空1分,共30分)1．P型半导体掺入三价元素，多子是自由电子，少子是空穴。
2．PN结主要特性是具有单向导电性，即正导通，反向截止。
3．三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。
4．在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的放大区；在数字电路中三极管一般工作在截止区或饱和区，此时也称它工作在开关状态。
5．幅度失真和相位失真统称为频率失真，它属于线性失真。
6．功率放大电路的主要作用是向负载上提供足够大的输出功率，乙类功率放大电路的效率最高。
7．放大电路中为了稳定静态工作点，应引入a（a.直流负反馈，b.交流负反馈）。
8．三极管串联型稳压电路由取样电路、基准电路、比较电路和调整电路四大环节组成。
9．分压式偏置电路具有稳定静态工作点作用，其原理是构成电压串联负反馈。
10．集成运算放大器是直接耦合放大电路。
集成运算放大器的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端，前者的极性与输出端同相；后者的极性同输出端反相。
11．根据MOS管导电沟道的类型，可分为PMOS和NMOS型。
二、单项选择题（每题2分，共20分，将答案填在下表中）1．常温下，硅二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V；锗二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V。
CA) 0.3，0.5，0.5，0.7 B) 0.5，0.7，0.3，0.5C) 0.5，0.7，0.1，0.2 D) 0.3，0.5，0.1，0.22．下图中的3种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确的说法是（ D ）A) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFETB) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道耗尽型C) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFETD) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；N沟道结型3．在共射基本放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大I E，电压放大倍数将（A）A) 增加B)减小C) 不变D) 不能确定4．如图所示差分放大电路中，为提高抑制零点漂移的能力，试问采用下列（ B ）措施好。
模拟电子技术题库参考答案(1-5章) - 副本
（2） A um
( Rc // Rc )
rbe
30(5 // 15) 75 1
-3-
模拟电子技术试题汇编参考答案
(3)
Ri Rb1 // Rb 2 // rbe rbe 1k R0 Rc 5k
(4) C e 断开， Re 有电流串联负反馈，（ Aum 下降）， Ri 增加， R0 不变；
（1） 画出直流通路和微变等效电路 （6 分）。 （2）设 U BEQ 0.7V ，求静态工作点
I CQ 、 U CEQ （4 分）
（3）求 Ri 、 Ro 、 Au
.
Uo Ui
.
.
，设 =30，
rbb' =19 4 （6 分）
（4） I CEO 、U CES 忽略不计，估算最大 不失真输出电压峰值 U om
rbe
100 (3 // 3) 50 3
Ri 5 // 15 // 3k 1.66k R0 RC 3k
（3） Aus
. . Ri 1.66 Au (50) 31.2 R s Ri 1 1.66
-4-
模拟电子技术试题汇编参考答案
3、如下图， C1 ~ C4 足够大，
Ri R1 // R3 // rbe rbe rbb ' (1 ) 26 26 194 (1 30) 1K 1 I EQ
（3） R R 10 K 0 4
U ( R4 // R L ) 30(10 // 10) 150 Au 0 1 u rbe
B；A (8)C (9)A (10)B(11)C(12) C
(1)A（2）B；A；C（3)B；C；C (4) C，B (5)C(6) A(7) ① B ② C ③B15、C
模拟电子技术考试模拟题+答案
模拟电子技术考试模拟题+答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、在基本放大电路中,影响直流负载线斜率大小的是( )A、RB的值B、Ucc的值C、RC的值D、β值正确答案：C2、电容的单位换算正确的是( )A、1F=1000000μFB、1μF=1000000pFC、1μF=10-6FD、以上都是正确答案：C3、为了提高交流放大电路的带负载能力，应选用( )作为输出级。
A、共发射极放大电路B、功率放大器C、射极输出器D、都可以正确答案：C4、功率放大电路的转换效率是指( )。
A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、输出功率与信号输入功率之比正确答案：B5、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A6、当用万用表不同电阻挡去测量二极管正反向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为( )A、该管已坏B、万用表各挡有差异C、二极管的电阻可变D、以上答案均不正确正确答案：B7、串联谐振是指电路呈纯( )性。
A、电阻B、电感C、电抗D、电容正确答案：A8、电阻47KΩ±1%的色环为( )。
A、黄-紫-橙-金B、黄-紫-红-黑-棕C、黄-紫-黑-橙-棕D、黄-紫-黑-红-棕正确答案：D9、稳压二极管两端电压变化量与通过它的电流空化量之比值称为稳压二极管的动态电阻。
稳压性能好的稳压二极管的动态电阻( )A、较小B、较大C、还与其他因素有关D、大小均一样正确答案：A10、安装桥式整流电路时，若将其中一只二极管虚焊，则通电工作时可能产生的后果是( )。
A、输出电压的极性改变B、输出电压只有原来的一半C、两只二极曾烧坏D、只有应焊的一只二极管烧坏正确答案：B11、在固定偏置放大电路中，如果负载电阻增大，则电压放大倍数( )A、增大B、无法确定C、减小D、不变正确答案：C12、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号，若从示波器显示的输出信号波形发现底部(负半周)削波失真，则该放大电路产生了( )失真。
模拟电子技术基础期末模拟试卷一(答案)(1)
期末模拟试卷一答案课程名称：模拟电子技术基础一、选择题1. 在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____。
A 、增大 ，B 、减小，C 、不变 答案：A2. 在N 型半导体中，空穴浓度____电子浓度。
A 、大于，B 、小于 ，C 、等于 答案：B3. 直接耦合与变压器耦合多级放大电路之间主要不同点是⎽⎽⎽⎽。
A 、所放大的信号不同，B 、交流通路不同，C 、直流通路不同 答案：C4. 在长尾式的差分放大电路中，Re 对＿＿有负反馈作用。
A 、差模信号，B 、共模信号，C 、任意信号 答案：B5. 用直流电压表测出UCE ≈VCC ，可能是因为_____。
A 、CC V 过大 ， B 、c R 开路， C 、b R 开路， D 、β 过大答案：C6. 已知图中二极管的反向击穿电压为100V ，测得I ＝1μA 。
当R 从10Ωk 减小至5Ωk 时，I 将____。
A 、 为2μA 左右，B 、为0.5μA 左右，C 、变化不大，D 、远大于2μA 答案：C7.测得某NPN型晶体管3个电极的电位分别为UB=1V，UE=0.3V，UC=3V，则此晶体管工作在____状态。
A．截止B．饱和C．放大 D. 开关答案：C8. 差动放大电路的主要特点是____。
A. 放大差模信号，抑制共模信号；B. 既放大差模信号，又放大共模信号；C. 放大共模信号，抑制差模信号；D. 既抑制差模信号，又抑制共模信号。
答案：A9．互补输出级采用射极输出方式是为了使____。
A. 电压放大倍数高B. 输出电流小C. 输出电阻增大D. 带负载能力强答案：D10．集成运放电路采用直接耦合方式是因为____。
A. 可获得较高增益B. 可使温漂变小C. 在集成工艺中难于制造大电容D. 可以增大输入电阻答案：C11、利用正反馈产生正弦波振荡的电路，其组成主要是____。
A、放大电路、反馈网络B、放大电路、反馈网络、选频网络C、放大电路、反馈网络、稳频网络答案：B13、分别指出下列传递函数表达式各表示哪一种滤波电路（A、低通，B、高通，C、带通，D、带阻，E、全通）。
模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)
模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。
2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。
3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。
5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。
6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V；若ui1=1500µV, ui2=500µV，则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。
8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。
10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE的变化情况为（）。
A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。
模拟电子技术试题及答案(18套)
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增加），发射结压降（减小）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基极）、（共集电极）、（共射极）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（电流）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数A F=（A/1+AF ），对于深度负反馈放大电路的放大倍数A F=（1/F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BW F=（ 1+AF ）BW，其中BW=（ fH-fL ），（ 1+AF ）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（小于近似等于 1 ），输入电阻（大），输出电阻（小）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（载波信号）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KUxUy），电路符号是（）。
电气及其自动化专升本模拟电子技术试题6
一、单选题 ( 每题 1 分 )1. 放大电路如图所示，已知硅三极管的，则该电路中三极管的工作状态为（）。
A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定2. 为了稳定放大倍数，应引入（）负反馈。
A. 直流B. 交流C. 串联D. 并联3. PN 结形成后，空间电荷区由（）构成。
A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴4. 已知变压器二次电压为V ，负载电阻为 R L ，则半波整流电路流过二极管的平均电流为（）。
A. B. C. D.5. 甲类功率放大电路比乙类功率放大电路（）A ．失真小、效率高B ．失真大、效率低C ．管耗大、效率高D ．失真小，效率低6. 图示电路中，欲增大 U CEQ ，可以（）。
A. 增大 RcB. 增大 R LC. 增大 R B1D. 增大 b7. 引入（）反馈，可稳定电路的增益。
A. 电压B. 电流C. 负D. 正8. 交越失真是（）A ．饱和失真B ．频率失真C ．线性失真D ．非线性失真9. 对于 RC 桥式振荡电路，（）A ．若无稳幅电路，将输出幅值逐渐增大的正弦波B ．只有外接热敏电阻或二极管才能实现稳幅功能C ．利用三极管的非线性不能实现稳幅D ．利用振荡电路中放大器的非线性能实现稳幅10. 欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入深度（）负反馈。
A. 电压串联B. 电压并联C. 电流串联D. 电流并联二、判断题 ( 每题 2 分 )1. 采用单边带调幅是因为这种信号已完整地包含了要传输的信息，而由于抑制了载波和另一边带，因此能提高通信设备的功率利用率。
（）2. 由晶振电路、锁相环路和可变分频器构成的锁相频率合成电路，可以生成频率连续变化的信号。
（）3. 结构完全对称的差分放大电路，空载时单端输出电压放大倍数为双端输出时的一半。
（）4. 直接耦合的多级放大电路，各级之间的静态工作点相互影响；电容耦合的多级放大电路，各级之间的静态工作点相互独立。
模拟电子技术试题(含答案)
模拟电子技术基础试卷及答案一、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。
A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。
A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。
A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。
A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i5.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。
A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路6.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。
A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器7．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。
a ．不用输出变压器b ．不用输出端大电容c ．效率高d ．无交越失真 8．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。
a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区9.理想集成运放具有以下特点：（ B ）。
A. 开环差模增益A u d =∞，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =∞B. 开环差模增益A u d =∞，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =0C. 开环差模增益A u d =0，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =∞D. 开环差模增益A ud =0，差模输入电阻R id =∞，输出电阻R o =010.在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ D ） ，则说明引入的是负反馈。
成人分院模拟电子技术作业
营口职业技术学院成人教育分院平时作业科目：模拟电子技术班级：______________________姓名：______________________任课教师：_秦绪玲_________________ 总成绩：____________________《模拟电子技术》作业一得分：一、单选题（每题2分，共20分）1、P型半导体中的多数载流子是，N型半导体中的多数载流于是。
A.电子B.空穴C.正离子D.负离子2、杂质半导体中少数载流子的浓度本征半导体中载流子浓度。
A.大于B.等于C.小于3、室温附近，当温度升高时，杂质半导体中浓度明显增加。
A.载流子B.多数载流子C.少数载流子4、硅二极管的正向导通压降比锗二极管，反向饱和电流比锗二极管。
A.大B.小C.相等5、温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压，反向电流。
A.增大B.减小C.不变6、工作在放大状态的晶体管，流过发射结的是电流，流过集电结的是电流。
A.扩散B.漂移7、当晶体管工作在放大区时，各极电位关系为：NPN管的u C u B u E，PNP管的u C u B u EA.＞B.＜C.＝A.基极电流B.栅-源电压C.集电极电流D.漏极电流E.电压F.电流8、晶体管电流由形成，而场效应管的电流由形成。
因此晶体管电流受温度的影响比场效应管。
A.一种载流子B.两种载流子C.大D.小9．已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如下图3所示。
分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。
图310．测得放大电路中六只晶体管的直流电位如下图4所示。
在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
图4二、填空题（每题2分，共20分）1、纯净的半导体叫做。
2、PN结正偏时，正向电阻，正向电流，呈状态；PN结反偏时，反向电阻，反向电流，呈状态。
这就是PN结的单向导电性，3. 2AP9其中“2”表示“A”表示“P”表示4.对于指针式万用表，当测得电阻较小时，与黑表笔相接的极为二极管；测得电阻很大时，与红表笔相接的极为二极管。
《模拟电子技术》复习题10套及答案
.《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型.图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
专科《模拟电子技术》模拟题试卷——2024年整理
专科《模拟电子技术》模拟题试卷一.（共60题,共150分）1.理想的功率放大电路应工作于()状态。
（2分）A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补★检查答案标准答案：C2.NPN共射电路的Q点设置在接近于()处将产生顶部失真。
（2分）A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区★检查答案标准答案：A3.双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是()接法。
（2分）A.共基极B.共源极C.共漏极D.共栅极★检查答案标准答案：B4.当有用信号的频率介于2500Hz与3000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是()。
（2分）A.低通B.高通C.带通D.带阻★检查答案标准答案：C5.为了提高电压放大倍数，希望放大电路的()大一些。
（2分）A.输入电流B.输出电流C.输入电阻D.输出电阻★检查答案标准答案：D6.当PN给外加反向电压时，其内部的扩散电流将()漂移电流。
此时，耗尽层的宽度将()。
（2分）A.大于变宽B.大于变窄C.小于变宽D.等于不变★检查答案标准答案：C7.差动放大电路的特点是抑制()信号，放大()信号。
（2分）A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模★检查答案标准答案：B8.共漏极场效应管放大电路的输出电压与输入电压的相位()。
（2分）A.相差0B.相差45C.相差90D.相差180★检查答案标准答案：A9.直流电源滤波的主要目的是：()。
（2分）A.将交流变直流B.将高频变低频C.将正弦波变成方波D.将直、交流混合量中的交流成分去掉★检查答案标准答案：D10.电路如图所示。
若V1管正负极接反了，则输出()。
（2分）A.只有半周波形B.全波整流波形，但V3管承受2倍的电压C.全波整流波形D.无波形且变压器或整流管可能烧毁★检查答案标准答案：D11.双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加偏置，集电结需要加偏置。
场效应管是控制器件。
（2分）★检查答案标准答案：1.电流;2.正向;3.反向;4.电压;12.在有源滤波器中，运算放大器工作在区；在滞回比较器中，运算放大器工作在区。
模拟电子技术试题(一)---答案
模拟电子技术试题一、判断题：（20×2ˊ）1、半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若降低环境温度导电能力会减弱。
（对）2、在P型半导体中，少数载流子是空穴，多数载流子是电子。
（F）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。
（错）4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
（错）5、二极管和三极管都是非线性器件。
（ T ）6、N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。
（对）7、二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不超过某一范围时，二极管的反向电流随反向电压的增加而基本不变。
（对）8、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）9、使用稳压管时应阳极接正，阴极接负（错）10、二极管的核心是一个PN结，所以二极管具有单向导电性。
（T）11、某发光二极管，两引脚一个长，一个短，则长引脚对应发光管的阴极。
（ F ）12、稳压管在正常稳压工作区域里，它的电流变化很大，而电压变化很小（对）13、普通二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿（∨）14、双向二极管两引脚有阳极和阴极之分（ F ）15、整流电路由二极管组成，利用二极管的单向导电性把交流电变为脉动直流电。
（∨）16、放大电路的三种组态，都有功率放大作用。
（ T ）17、晶体三极管的发射结和集电结是同类型的PN结，所以三极管在作放大管使用时，发射极和集电极可相互调换使用。
（ F ）18、在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可以将其改成P型半导体。
（ T ）19、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（F）20、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（对）二、选择题：（15×3ˊ）1、P型半导体的多数载流子是（ B ）。
A. 电子B. 空穴C. 电荷D. 电流2、下列说法正确的是（ C ）。
A.N型半导体带负电B.P型半导体带正电C.PN结型半导体为电中性体D.PN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生3、关于P型．N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（ A ）。
模拟电子技术基础试卷及其参考答案
模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一（总分150分）（成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一）一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。
在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。
）1. 用万用表的R×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R×1k档，测量同一二极管，则其正向电阻值（）a. 增加b. 不变c. 减小d. 不能确定2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（）a. 处于放大区域b. 处于饱和区域c. 处于截止区域d. 已损坏图23. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2kΩ负载后，其输出电压降为4V，这表明该放大电路的输出电阻为（）a. 10kΩb. 2kΩc. 1kΩd. 0.5kΩ4. 某放大电路图4所示.设VCC>>VBE,LCEO≈0，则在静态时该三极管处于（）a.放大区b.饱和区c.截止区d.区域不定图45. 图5所示电路工作在线性放大状态，设R'L=RD//RL,则电路的电压增益为（）'gmRL' b.1+gmRs C.-gmRL' d.-RL'/gm a.gmRL-图56. 图5中电路的输入电阻Ri为（）a. Rg+(Rg1//Rg2)b. Rg//(Rg1+Rg2)c. Rg//Rg1//Rg2d.[Rg+(Rg1//Rg2)]//(1+gm)RS7. 直流负反馈是指（）a. 存在于RC耦合电路中的负反馈b. 放大直流信号时才有的负反馈c. 直流通路中的负反馈d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（）a. 输入信号所包含的干扰和噪声b. 反馈环内的干扰和噪声c. 反馈环外的干扰和噪声d. 输出信号中的干扰和噪声9. 在图9所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为（）a. －2.5Vb. －5Vc. －6.5Vd. －7.5V图910. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为（）a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV图10二、填空题（本大题共7个小题，18个空，每空2分，共36分。
模拟电子技术试卷
模拟电子技术试卷（第2套）一、填空题（除6题外，每空1分，共20分）1．稳压管是一种特殊的二极管，它工作在____________ 状态.2．甲类、乙类和甲乙类放大电路中，_______________电路导通角最大；_______________电路效率较高；_______________电路交越失真最大，为了消除交越失真而又有较高的效率一般电路_______________。
3．直接耦合放大电路存在____________ 现象。
4．图1示电路，要求达到以下效果，应该引人什么反馈？（1）希望提高从b1端看进去的输入电阻，接Rf从_______到________；（2）希望输出端接上负载RL后，Uo（在给定Ui情况下的交流电压有效值）基本不变，接Rf从_______到________；（用A～F的字符表示连接点）。
5．集成运放内部一般包括四个组成部分，它们是______________，_ __________，______________和_______________。
6．在图2示差动放大电路中，假设各三极管均有β=50，U BE=0.7V。
求（1）I CQ1=I CQ2=__________mA；（2分）（2）U CQ1=U CQ2=__________V（对地）；（2分）（3）Ro = __________KΩ。
（2分）二、OCL 电路如图3所示，已知Vcc=12V ，R L = 8Ω ，vi 为正弦电压。
（10分） 1．求在Vces = 0的情况下，电路的最大输出功率Pmax 、效率η和管耗P T 。
2．求每个管子的最大允许管耗P CM 至少应为多少？三、某放大电路的频率响应如图4所示。
（12分） 1．该电路的中频放大倍数|A um | = ？2．该电路的增益频率响应 A U （j ω）表达式如何？3．若已知其输出电压最大不失真动态范围为Uom = 10V ，当输入信号)()10502sin(2)105.12sin(1.032V t t Ui ⨯⨯+⨯⨯=ππ时，试判断输出信号是否会失真？说明理由。
大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(六)
大学《模拟电子技术》试题及答案一、填空题1．对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电路的电压放大倍数大，可选用组态；若希望带负载能力强，应选用组态；若希望从信号源索取的电流小，应选用组态；若希望高频性能好，应选用组态。
2．一个放大电路，空载输出电压为6V，负载电阻为4Ω时输出电压为4V，则其输出电阻为。
3．集成运算放大器是多级放大电路，其第一级通常采用，因为这种电路能有效抑制现象。
4．一个放大电路，为稳定输出电流和减小输入电阻，应引入负反馈。
5．乙类互补推挽功率放大电路会产生失真。
二、选择题1.（）藕合放大电路具有良好的低频特性。
A、阻容B、直接C、变压器2.某场效应管的电路符号如图1所示，该管为（）。
A、P 沟道增强型MOS 管B、P 沟道耗尽型MOS 管C、N 沟道增强型MOS 管D、N 沟道耗尽型MOS 管图1 图23．在如图2所示电路中，电阻R E的主要作用是（）。
A、提高放大倍数B、稳定直流静态工作点C、稳定交流输出D、提高输入电阻4.在串联负反馈电路中，信号源的内阻（），负反馈的效果越好。
A、越大，B、越小，C、越恒定，D、越适当5．用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（）。
A、（B、C 、E）B、（C 、B、E） C 、（E、C 、B）6.PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。
A、变窄B、基本不变C、变宽D、不定7.稳压管的稳压区是其工作在（）。
A、正向导通B、反向截止C、反向击穿D、热击穿8.功率放大电路的效率是指（）。
A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、以上说法均不正确9.单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值U o=（）U z。
A、0.45B、0.9C、1.210. 一个晶体管的极限参数为P CM=100mW，I CM=20mA，U(BR)CEO=15V，则下列( ）是正常工作状态。
模拟电子技术期末试卷5套及答案
《模拟电子技术》期末考试试卷1班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越 多 ，相反，少数载流子应是 空穴 ，掺杂越多，则其数量一定越 少 。
（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。
（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。
（4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。
（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。
（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。
（7）放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变，称为 幅频特性，而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变，称为 相频 特性。
（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数uA ＝ un u u A A A (21)（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。
（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波和稳压电路。
二．选择题（每题2分，共20分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 。
（A ）电流负反馈 （B ） 电压负反馈 （C ） 直流负反馈 （D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。
（A ）感性 （B ） 阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。
（A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ） 差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。
《模拟电子技术》模拟题1-5(含答案)
《模拟电子技术》模拟题1一、判断（10分）1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。
（）2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。
（）3、PN结具有单向导电特性。
（）4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。
（）5、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。
（）6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。
（）7、直流负反馈不能稳定静态工作点。
（）8、晶体二极管击穿后立即烧毁。
（）9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。
（）10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。
（）二、选择（10分）1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。
A、3B、5C、2D、42、稳压管工作于 ( )状态下，可以稳定电压。
A、正偏导通B、反偏截止C、反向击穿3、三极管放大的外部条件 ( )。
A、正偏导通，反偏截止B、正偏截止，反偏导通C、正偏导通，反偏导通D、正偏截止，反偏截止4、既能放大电压，也能放大电流的电路 ( )。
A、共发射极B、共集电极C、共基级D、以上均不能K越大，表明电路（）。
5、共模抑制比CMRA、放大倍数越稳定；B、交流放大倍数越大；C、抑制温漂能力越强；D、输入信号中的差模成分越大。
6、放大电路中为增大输入电阻应引入（）反馈，为稳定输出电压应引入（）反馈，为稳定输出电流应引入（ ）反馈，为减小输出电阻，应引入（ ）反馈。
A 、电压 B 、电流 C 、串联 D 、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是（ ）。
A 、RC 振荡电路B 、LC 振荡电路 C 、石英晶体振荡电路三、在图1所示的电路中，已知输入信号u i =5sin ωt V,试画出输出电压u o1和u o2的波形，设二极管为理想二极管。
（每题10分，共20分）R(a )(b )图1四、简答题（每题5分，共10分）1.简述正弦波发生电路的组成结构、相位条件、幅度条件，以及起振条件。
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《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增加），发射结压降（减小）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共射极）、（共基极）、（共集电极）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（电流）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数A F=（A/1+AF ），对于深度负反馈放大电路的放大倍数A F=（1/F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BW F=（ 1+AF ）BW，其中BW=（fH–fL），（ 1+AF）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（载波信号）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ C ），该管是（ D ）型。
A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、（NPN）E、（PNP）3、对功率放大器的要求主要是（ B ）、（ C ）、（ E ）。
A、U0高B、P0大C、功率大D、Ri大E、波形不失真4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B ），此时应该（ E）偏置电阻。
A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小5、差分放大电路是为了（C）而设置的。
A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移6、共集电极放大电路的负反馈组态是（A ）。
A、压串负B、流串负C、压并负7、差分放大电路RE上的直流电流I EQ近似等于单管集电极电流I CQ（B）倍。
A、1B、2C、38、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A）负反馈。
A、电压B、电流C、串联9、分析运放的两个依据是（A）、（B）。
A、U-≈U+B、I-≈I+≈0C、U0=UiD、Au=1三、分析计算题1、已知电力如下图示：为理想二极管，试分析：①二极管导通还是截止？②U A0=？（4分）解：UR=0-- AO=02、已知电力如图示：Vcc=12V，R B=300KΩ，R E=R L=2KΩ，R s=500Ω，U BE Q≈0，C1=C2=30uF，r be=1.5K，β=100，Us=10sinwt mV 求：①I CQ②U CEQ ③Au（取小数点后2位）④Ri⑤R0（10分）解：3、具有电流源的差分电路如图所示，已知UBEQ=0.7V，β=100，rbb=200Ω，试求：（1）V1、V2静态工作点I CQ、U CQ；（2）差模电压放大倍数Aud；（3）差模输入电阻Rid和输出电阻R O；（6分）4、电路如图所示，设U CES=0试回答下列问题：（6分）（1）ui=0时，流过RL的电流有多大？（2）若V3、V4中有一个接反，会出现什么后果？（3）为保证输出波形不失真，输入信号ui的最大幅度为多少？管耗为多少？5、根据自激振荡的相位条件，判断下图能否产生振荡？如果能振荡，求出F0；（4分）试题一答案一、填空（每空1分共40分）1、导通截止单向2、反向少数温度无关3、零无穷大4、电流电压5、正偏反偏6、增加减小7、共射极共集电极共基极8、直流电流9、A/1+AF 1/F10、1+AF f H–f L 1+AF11、共模差模12、交越甲乙13、双单14、小于近似等于1 大小15、零点温度集成16、调幅载波信号17、KUxUy二、选择题（每空2分共30分）1、B C F2、C D3、B C E4、B E5、C6、A7、B8、A9、A B三、分析与计算题（共30分）4分1、1）二极管V截止2）U A0=-4V10分2、1）I CQ=2.4mA U CEQ=7.2V 2）A U=0.99 3）Ri=122k 4) Ro=20Ω6分3、1）ICQ1=0.5mA UCEQ1=6V6分4、1）u i=0时，R L电流为零2）V3、V4有一个反接电路不能工作3）Uim=12V 4)Pc l=[Vcc2(4-3.14)]/(4*3.14RL)=0.099W4 分5、1）能振荡2）fo=280KHZ《模拟电子技术》模拟试题二一、填空题（每空1分共32分）1、P型半导体中空穴为（）载流子，自由电子为（）载流子。
2、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
3、反向电流是由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。
4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。
5、当温度升高时，三极管的等电极电流I（），发射结压降UBE（）。
6、晶体三极管具有放大作用时，发射结（），集电结（）。
7、三极管放大电路共有三种组态（）、（）、（）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（）负反馈，为了减小输出电阻采用（）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数Af=（），对于深度负反馈Af=（）。
10、共模信号是大小（），极性（）的两个信号。
11、乙类互补功放存在（）失真，可以利用（）类互补功放来克服。
12、用低频信号去改变高频信号的频率称为（），低频信号称为（）信号，高频信号称高频（）。
13、共基极放大电路的高频特性比共射极电路（），fa=（）fβ。
14、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（）网络。
15、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、三端集成稳压器CW7812的输出电压是（）。
A、12VB、5VC、9V2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。
A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、（PNP）E、（NPN）3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真，下半周失真时为（A ）失真。
A、饱和B、截止C、交越D、频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。
A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移5、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。
A、放大差模抑制共模B、输入电阻高C、输出电阻低6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）之间变化。
A、0~20B、20~200C、200~10007、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（）UzA、0.45B、0.9C、1.28、当集成运放线性工作时，有两条分析依据（）（）。
A、U-≈U+B、I-≈I+≈0C、U0=UiD、Au=19、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。
A、U0高，B、P0大C、效率高D、Ri大E、波形不失真10、振荡器的输出信号最初由（）而来的。
A、基本放大器B、选频网络C、干扰或噪声信号三、分析计算题1、（6分）由理想运放构成的小信号交流放大电路如图示：求：①频带内电压放大倍数Auf（取整数）；②截止频率f L；2、（8分）已知：电路如图：t=0时，Uc（0-）=0，Ui=0.1V。
求：①U01②t=10s时的U0？3、（10分）已知：电路如图示：Vcc=12V，R B1=40K，R B2=20K，Rc=R L=2K，R E=1.65K，U BEQ=0.7V，C1=C2=20uf，r be=1.5K，β=100，C E=10uf 求：①I CQ②U CEQ ③Au ④Ri ⑤R0（取小数点后1位）4、（9分）已知：RC振荡电路如下图，R=7.9KΩ，C=0.02uF，RF=10K，求：①fo ②R1冷态电阻值；③指明R1的温度特性；5、（7分）已知：电路如图示：I Q=5mA，R1=500Ω，R2=1KΩ；求：输出电压U0；试题二答案一、填空（每空1分共32分）1、多数少数2、导通截止单向3、少数温度无关4、电流电压5、增加减小6、正偏反偏7、共射极共集电极共基极8、直流电压9、A/1+AF 1/F10、相等相同11、交越甲乙12、调频调制高频载波13、好1+β14、正反馈15、√2U2二、选择题（每空2分共30分）1、A2、C E3、B A4、C5、A6、B7、C8、A B9、B C E 10、C三、分析与计算题（共38分）1、1）-100 2）160Hz2、1）1.1V 2）1.1V3、1）2mA 2 ) 4.7V 3)-66.7 4）1.4KΩ5）2KΩ4、1）1KHz 2）5Ω3）正温度导数5、U O=20V《模拟电子技术》模拟试题三一、填空题（每空1分，共32分）1、空穴为（）载流子。
自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。
2、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（）反之称为（）3、由漂移形成的电流是反向电流，它由（）栽流子形成，其大小决定于（），而与外电场（）。
4、稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。
5、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（）控制元件。
6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（）所以Ic也（) 。
7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（）负反馈。
为稳定交流输出电压，采用（）负反馈，为了提高输入电阻采用（）负反馈.。
8、负反馈使放大电路增益下降，但它可以（）通频带（）失真。
9、反馈导数F=（）。
反馈深度是（）。
10、差分放大电路能够抑制（）信号，放大（）信号。
11、OCL电路是（）电源互补功放，OTL是（）电源互补功放。
12、用低频信号改变高频信号的相位称为（）。