模拟电子技术基础试卷及其参考答案

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《模拟电子技术基础》习题参考答案

《模拟电子技术基础》习题参考答案

《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题:1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。

2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流,它由少数载流子形成,其大小决定于温度,而与外电场无关。

3.PN结的P型侧接高电位,N型侧接低电位称为正向偏置(正偏),反之称为反向偏置(反偏)。

4.PN结最重要的特性是单向导电性,它是一切半导体器件的基础。

在NPN型三极管中,掺杂浓度最大的是发射区。

5.晶体三极管因偏置条件不同,有放大、截止、饱和三种工作状态。

6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。

7.工作在放大区的晶体管,当IB 从10μA增大到20μA,IC从1mA增大到2mA,它的β为100,α为1。

8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时,就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区,而使输出信号的波形产生失真。

9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏,则可判断出x、y、z分别为三极管的集电(C)极、基(B)极、发射(E)极。

10.一只晶体管在放大电路中,用万用表测出管脚对地电压分别是:A脚为12伏,B脚为11.7伏,C脚为6伏,则该管为PNP型锗管,A为发射(E)极,B为基(B)极,C为集电(C)极。

11.稳压二极管工作在反向击穿区,主要用途是稳压。

12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态,而二极管导通时是处于正向偏置状态。

13.晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而下降。

共基极电路比共射极电路高频特性好。

14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区:分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。

15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。

16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级,与负载相连接的末级放大电路称为输出级,它们之间的放大电路称为中间级。

17.某放大电路空载输出电压为4V,接入3KΩ负载后,输出电压变为3V,该放大电路的输出电阻为1KΩ。

模拟电子技术基础试题及答案

模拟电子技术基础试题及答案

一、在括号内用“√"或“×”表明下列说法是否正确.(1I)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( )(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;( )(3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的;( )(4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的;( )(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;( )(6)由于放大的对象象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都豪无变化;( )(7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。

()【解答】 (1)×。

放大的特征是功率的放大,电压电流其中一个或两个都放大都可称放大,但放大的前提条件是不能失真。

(2)√。

放大的特征就是功率的放大。

(3)×.应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的,而不是直接提供。

(4)×。

.(5)√。

设置合适的静态工作点.(6)×。

任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。

(7)×。

二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由.设图中所有电对交流信号均可视为短路。

,【解答1 (a)不能。

因为输人信号被VBB所影响.(a)例1—-3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极?【解答】所谓增强型,即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道, P沟道的场效应管,必须在UGs<0的情况下才有导电沟道,在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流,它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点,而且会造成管子损坏。

‘而对于绝缘栅型效应管,由于宦容易积累电荷形成高电压,以致造成击穿现象,所以不能用测晶体管的办法来检测.对于结型场效应管,则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极,但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极.自测题分析与解答一、判断下列说法是否正确,用“√’’和“×’’表示判断结果填人空内。

模拟电子技术基础试卷及答案(期末) 3

模拟电子技术基础试卷及答案(期末) 3

模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三(本科)及其参考答案试卷三一、选择题(这是四选一的选择题,选择一个正确的答案填在括号内)(共16分)1.有两个增益相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的()a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2.共模抑制比K CMR越大,表明电路()。

a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3.多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带()。

a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4.一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。

当信号频率恰好为上限频率或下限频率时,实际的电压增益为()。

a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55.LC正弦波振荡电路如图1-5所示,该电路()。

a. 满足振荡条件,能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络,不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件,不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡6.双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。

已知静态时,V o=V c1-V c2=0,设差模电压增益100vd =A ,共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ,则输出电压o V 为( )。

a. 125mVb. 1000 mVc. 250 mVd. 500 mV图1-6 图1-77.对于图1-7所示的复合管,假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流,则复合管的穿透电流CEO I 为( )。

a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8.某仪表放大电路,要求R i 大,输出电流稳定,应选( )。

模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案:A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多,其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案:D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成,已知每级电压放大倍数为Au,则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案:B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案:B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案:B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案:B7、元件引脚的剪脚高度为( )。

A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓,没关系正确答案:B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案:A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。

A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案:C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案:C11、多级放大电路各级的电压增益分别是:10dB、20 dB、30 dB,则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案:C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案:A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案:A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案:D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势,增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高,损耗越大正确答案:D16、当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案:C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

(完整版)模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二(1)

(完整版)模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二(1)

(完整版)模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二(1)模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二(本科)及其参考答案试卷二一、选择题(这是四选一选择题,选择一个正确的答案填在括号内)(共22分)1.某放大电路在负载开路时的输出电压4V ,接入Ωk 12的负载电阻后,输出电压降为3V ,这说明放大电路的输出电阻为()a. 10Ωkb. 2Ωkc. 4Ωkd. 3Ωk2.某共射放大电路如图1-2所示,其中Ω=Ω=k 2,k 470c b R R ,若已知I C =1mA,V CE =7V ,V BE =0.7V ,r be =1.6Ωk ,50=β,则说明()a. 107.07BE CE i o ====V V V V A V &&&b. 37.021BE c C i o -=?-=-==V R I V V A V &&&c. 5.62//be b c i c i b c C i o -≈-=-=-==r R R R R R I R I V V A V ββ&&&d. 5.626.1250be c i o -=?-=-==r R V V A V β&&&图1-23.为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与低阻负载间接入()。

a. 共射电路b. 共基电路c. 共集电路d. 共集-共基串联电路4. 在考虑放大电路的频率失真时,若i v 为正弦波,则o v ()a. 有可能产生相位失真b. 有可能产生幅度失真和相位失真c. 一定会产生非线性失真d. 不会产生线性失真5. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,前者的运放通常工作在()。

a. 开环或正反馈状态b. 深度负反馈状态c. 放大状态d. 线性工作状态6. 多级负反馈放大电路在()情况下容易引起自激。

a. 回路增益F A &&大b. 反馈系数太小c. 闭环放大倍数很大d. 放大器的级数少7. 某电路有用信号频率为2kHz ,可选用()。

模拟电子技术考试试题汇总及答案

模拟电子技术考试试题汇总及答案
5.设运放A是理想的,试分析图5-5所示正弦波振荡电路,其中 , , , :⑴为能起振, 和 两个电阻之和应大于何值?⑵此电路的振荡频率 。
参考答案
一、1.C 2.D 3.B 4.A 5.图1(C) B 6.C 7.C 8.A
二、1.-Rf/R12.虚短和虚断 3.反馈网络、选频网络 4.方波
5.单向导电性。6. 石英晶体
如何调整?⑶若 , 和 的 , ,
,假设 、 、 中任意一个开路,将会产生什么后果?
⒋在图5-3桥式整流、电容滤波电路中,U2=12V(有效值),RL=20Ω, C=2000µF。试问:①正常时 ?②如果电路中有一个二极管开路, 是否为正常值的一半?③如果 为下列数值,可能出了什么故障?
(a) (b) (c)
(5)假设图a放大电路的输入电阻和输出电阻均为4k ,图d的输入电阻为60k ,输出电阻为50 ,当用图a和d构成两级放大电路,其输入信号取自内阻为200 的电压源信号,输出端带4k 负载时,试问:由图a作为第一级、图d为第二级时电压增益的值大,还是图d为第一级、图a为第二级时电压增益的值大?
图3
三、(1)(a) CE (b) CB (c) CS (d) CC
(2)c
(3)d
(4)b
(5)a—d
四、(10分)
电路如图4所示。
(1)R5、R6和T4构成的电路有什么作用?
(2)希望在不增加其它任何元器件情况下,通过图中反馈电阻Rf引入负反馈,以稳定输出电压 。试画出反馈通路的连线,并说明该反馈是什么组态;
(3)假设引入的负反馈为深度负反馈,可忽略T2、T3的饱和管压降。当电路输入幅值为300mV的正弦波信号时,若要求负载电阻RL上得到最大不失真输出电压,反馈电阻Rf应取多大?此时负载获得的功率有多大?

模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)

模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)

模拟综合试卷一一.填充题1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ,b 。

2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a ,b 。

3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。

4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真。

5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时,导通角为。

6.甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。

7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V;若ui1=1500µV, ui2=500µV,则差模输入电压uid为µV,共模输入信号uic为µV。

8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。

9.晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为的影响。

10.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最;组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。

频带最宽的是组态。

二.选择题1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为()。

A.β增加,ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加,uBE减小C.β和uBE 减小,ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是()A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3.双端输出的差分放大电路主要()来抑制零点飘移。

A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4.典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数()。

A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5.差分放大电路的共模抑制比KCMR越大,表明电路()A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6.负反馈放大电路以降低电路的()来提高嗲路的其他性能指标。

模拟电子基础考试题及答案

模拟电子基础考试题及答案

模拟电子基础考试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,放大器的基本功能是什么?A. 信号调制B. 信号解调C. 信号放大D. 信号滤波答案:C2. 运算放大器的开环增益通常在什么范围内?A. 10^2B. 10^3C. 10^4D. 10^5 至 10^6答案:D3. 负反馈在放大器中的作用是什么?A. 增加增益B. 降低增益C. 改善稳定性D. 减小失真答案:B、C、D4. 什么是共模抑制比(CMRR)?A. 差模增益与共模增益的比值B. 差模增益与共模抑制的比值C. 共模增益与差模增益的比值D. 共模抑制与差模增益的比值答案:B5. 以下哪个不是模拟信号的特点?A. 连续性B. 可量化性C. 可模拟性D. 可存储性答案:B6. 在模拟电路设计中,电源去耦电容的主要作用是什么?A. 提供额外的电流B. 过滤高频噪声C. 增加电路的增益D. 改变电路的工作频率答案:B7. 什么是理想运算放大器?A. 具有无限增益的放大器B. 具有零输入偏置电流的放大器C. 具有无限带宽的放大器D. 所有选项都是答案:D8. 什么是非线性失真?A. 信号幅度的变化B. 信号频率的变化C. 信号波形的变化D. 信号相位的变化答案:C9. 在模拟电路中,带宽是指什么?A. 电路可以处理的最大信号频率B. 电路可以处理的最小信号频率C. 电路可以处理的信号频率范围D. 电路的增益答案:C10. 什么是积分器?A. 一个放大器,其输出是输入的积分B. 一个放大器,其输出是输入的微分C. 一个滤波器,通过高频信号D. 一个滤波器,阻止高频信号答案:A二、简答题(每题10分,共30分)1. 简述理想运算放大器的基本特性。

答:理想运算放大器具有以下特性:无限增益、无限输入阻抗、零输出阻抗、零输入偏置电流和电压、无限带宽以及无饱和。

2. 解释什么是负反馈,并说明其在放大器设计中的作用。

答:负反馈是指将放大器的输出信号的一部分或全部反馈到输入端,形成闭合回路。

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

模拟电子技术基础期末考试试题及答案一、选择题1. 下列选项中,哪种元器件可以将一个信号的幅度提高到较高水平?A. 电感B. 二极管C. 发射管D. 收音机答案:C. 发射管2. 以下哪个不是模拟电子技术中常见的电子元器件?A. 电阻B. 电容C. 电子管D. 电池答案:D. 电池3. 在模拟电子技术中,下面哪个元器件常用于放大电压信号?A. 开关B. 反射器C. 放大器D. 混频器答案:C. 放大器4. 下面哪个元器件可以将直流电信号转换成交流电信号?A. 容器B. 反射器C. 变压器D. 调制器答案:D. 调制器5. 在模拟电子技术中,以下哪个元器件常用于对电流进行控制?A. 电流计B. 混频器C. 电容D. 二极管答案:D. 二极管二、填空题6. 电阻的单位是________。

答案:欧姆(Ω)7. 二极管有两个基本电极,分别是阳极(A)和________。

答案:阴极(K)8. 在放大器中,输入信号的强度被放大器增大到预期的输出水平,这个功能叫做________。

答案:放大9. 电容存储的电荷量与其电压的关系是________。

答案:线性关系10. 以下哪个元器件可以将交流信号转换成相同频率的直流信号?答案:整流器三、解答题11. 请简要阐述电子管的工作原理及其在模拟电子技术中的应用。

答案:电子管是一种由真空或带有特殊气体的封闭空间中的电子流控制器件。

电子管工作原理基于热电子发射和电子聚焦的原理,通过在电子管中加入电场和磁场,可以控制电子流的流动和放大信号。

在模拟电子技术中,电子管经常用于放大电压信号。

它具有高放大系数和低噪声的特点,因此在音频放大器、射频放大器等方面得到广泛应用。

同时,电子管还常用于整流、调制和混频等电路中。

12. 请列举并简要介绍两种常见的放大器类型。

答案:两种常见的放大器类型分别是:a. 甲类放大器:甲类放大器是一种线性放大器,输出信号的整个周期都以较小的偏置电流进行放大,即电流在整个传输特性曲线上运行。

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模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三及其参考答案试卷三一、选择题(这是四选一的选择题,选择一个正确的答案填在括号内)(共16分)1.有两个增益相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的()a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2.共模抑制比K CMR越大,表明电路()。

a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3.多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带()。

a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4.一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。

当信号频率恰好为上限频率或下限频率时,实际的电压增益为()。

a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55.LC正弦波振荡电路如图1-5所示,该电路()。

a. 满足振荡条件,能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络,不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件,不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡6.双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。

已知静态时,V o=V c1-V c2=0,设差模电压增益100vd =A &,共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ,则输出电压o V 为( )。

a. 125mVb. 1000 mVc. 250 mVd. 500 mV图1-6 图1-77.对于图1-7所示的复合管,假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流,则复合管的穿透电流CEO I 为( )。

a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8.某仪表放大电路,要求R i 大,输出电流稳定,应选( )。

模拟电子技术试卷五套(含答案)

模拟电子技术试卷五套(含答案)

模拟试卷一一、填空(16分)1.半导体二极管的主要特性是___________ 。

2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。

3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ 。

4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。

5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。

这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真。

6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。

二、选择正确答案填空(24分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是( )。

A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。

A.P沟道增强型MOS管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管3.在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的( )。

A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV。

B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV。

C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV。

D.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV。

4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。

A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应( )。

A.减小C,减小Ri B.减小C,增大RiC.增大C,减小Ri D.增大C,增大 Ri6.如图所示复合管,已知V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,则复合后的 b 约为( )。

模拟电子技术基础试题及答案

模拟电子技术基础试题及答案

模拟电子技术基础试题及答案一、选择题1. 以下哪个元器件用于将交流信号转换为直流信号?A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电阻2. 以下哪个元器件用于放大电流或电压?A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电容器3. 以下哪个元器件用于储存电荷并释放电荷?A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电容器4. 以下哪个元器件用于控制电流的流动?A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电感5. 以下哪个元器件用于将直流信号转换为交流信号?A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 变压器二、填空题1. NPN晶体管有_三层_和_两个PN结_。

2. 集成电路是将多个_电子元器件_集成到一块_半导体_芯片上。

3. 交流信号的频率是指单位时间内信号_周期_的个数。

三、判断题1. 电压是指电流通过导体时导体两端的电势差。

(正确/错误)2. 电容器可以储存电荷并释放电荷。

(正确/错误)3. 二极管可以放大电流或电压。

(正确/错误)4. 集成电路是将多个电子元器件集成到一块半导体芯片上。

(正确/错误)5. 交流信号是指电流方向和大小都随时间变化的信号。

(正确/错误)四、简答题1. 请简要解释PN结和作用。

PN结是一种由P型半导体和N型半导体结合而成的二极管结构。

它的作用是可以实现单向导电性,即只允许电流在一个方向上通过。

在正向偏置时,电流可以流过PN结;而在反向偏置时,电流基本上无法流过PN结。

2. 请简要介绍晶体管的工作原理。

晶体管由三个区域(发射区、基区和集电区)的半导体材料组成。

当在基区加上一小电流时(基电流),可以控制从发射区到集电区的大电流(集电电流)的流动。

晶体管的工作原理是通过控制基区的电流来控制集电区的电流,实现信号的放大。

五、综合题请根据以下电路图,回答问题。

电路图:[图片未提供]1. 请标注图中所示电子元器件的名称和性质。

- 元件1: 二极管,用于将交流信号转换为直流信号。

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空〔18分〕1.二极管最要紧的特性是 单向导电性 。

2.假如变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,通过电容滤波后为 12 V ,二极管所承担的最大反向电压为 14 V 。

3.差分放大电路,假设两个输入信号u I1u I2,那么输出电压,u O0 ;假设u I1=100μV ,u I2=80μV 那么差模输入电压u Id =20μV ;共模输入电压u Ic =90 μV 。

4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;期望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。

5.假设三级放大电路中A u 1A u 230dB ,A u 320dB ,那么其总电压增益为 80 dB ,折合为 104倍。

6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。

这类功放的能量转换效率在理想情形下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。

7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。

二、选择正确答案填空〔20分〕1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,那么这只三极管是〔 A 〕。

A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如下图,该管为〔 D 〕。

A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采纳差动放大电路,这是因为它的〔 C 〕。

A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应〔 D 〕。

电子技术基础模拟练习题及参考答案

电子技术基础模拟练习题及参考答案

电子技术基础模拟练习题及参考答案一、单选题(共70题,每题1分,共70分)1.一只四输入端或非门,使其输出为1的输入变量取值组合有()种A、8B、15C、1正确答案:C2.组合逻辑电路有若干个输入端,只有一个输出端。

A、×B、✔正确答案:A3.用三极管构成的门电路称为()门电路。

A、MOC型B、TTL型C、CMOS型正确答案:B4.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时,应该()偏置电阻。

A、减小。

B、增大C、保持。

正确答案:A5.共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是()A、相位差90°。

B、同相位。

C、相位差180°。

正确答案:C6.设计一个同步十进制加法计数器需要三个触发器就可以。

A、✔B、×正确答案:B7.理想运算放大器的输出电阻为()A、无穷B、不定正确答案:B8.下列逻辑代数运算法则中,错误的是()A、A(B+C)=AB+ACB、A+(B+C)=(A+B)+CC、A+BC=(A+B)C正确答案:C9.半导体导电能力()导体。

A、等于B、小于C、大于正确答案:B10.与非门的逻辑功能是。

A、全高为高。

B、全低为高。

C、部分高为高。

正确答案:B11.逻辑代数运算中1+1=()A、3B、2C、1正确答案:C12.从射极输出器的交流通路看他是一个共()电路。

A、集电极。

B、基极C、发射极。

正确答案:A13.RS出发去具有()种逻辑功能。

A、3B、1C、2正确答案:A14.逻辑代数运算于普通代数运算结果()A、不想同B、有的相同,有的不相同。

C、相同正确答案:B15.测得在放大状态的三极管的三个关脚电压分别是,-0.7,-1,-6责-0.7对应的是()A、基极B、发射极。

C、集电极。

正确答案:B16.一个平衡PN结用导线将p区和n区连起来而导线中()A、有瞬间微弱电流。

B、有微弱电流。

C、无电流。

正确答案:C17.半导体材料有()种A、2B、1C、3正确答案:A18.三端集成稳压器w7805的输出电压是()A、5VB、9VC、12V正确答案:A19.在截止区三极管()电流放大作用。

模拟电子技术基础期末考试试题18套及答案

模拟电子技术基础期末考试试题18套及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、结正偏时(),反偏时(,所以结具有()导电性。

2、(反向饱和电流)漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管()是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。

6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流(变小),发射结压降(不变)。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用()负反馈,为了稳定交流输出电流采用()负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数(),对于深度负反馈放大电路的放大倍数()。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度(),其中(),()称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。

13、电路是()电源互补功率放大电路;电路是()电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。

二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在(反偏)状态,但其两端电压必须(大于)它的稳压值才有导通电流,否则处于(截止)状态。

模拟电子技术基础试卷及其参考答案.

模拟电子技术基础试卷及其参考答案.

模拟电子技术基础试卷及其参考答案.模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一(总分150分)(成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一)一、选择题(本大题10个小题,每小题4分,共40分。

在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的,把所选项前的字母填在题后的括号内。

)1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω,若改用R ×1k 档,测量同一二极管,则其正向电阻值()a. 增加b. 不变c. 减小d. 不能确定 2. 某三极管各电极对地电位如图2所示,由此可判断该三极管()a. 处于放大区域b. 处于饱和区域c. 处于截止区域d. 已损坏图23. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ,当接入2k Ω负载后,其输出电压降为4V ,这表明该放大电路的输出电阻为()a. 10k Ωb. 2k Ωc. 1k Ωd. 0.5k Ω 4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0,则在静态时该三极管处于() a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定图45. 图5所示电路工作在线性放大状态,设L R '=R D //R L ,则电路的电压增益为()a.Lm R g ' b.s m Lm 1R g R g +'-C.L m R g '- d.m L /g R '-图56. 图5中电路的输入电阻R i 为()a. R g +(R g1//R g2)b. R g //(R g1+R g2)c. R g //R g1//R g2d.[R g +(R g1//R g2)]//(1+g m )R S7. 直流负反馈是指() a. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 b. 放大直流信号时才有的负反馈 c. 直流通路中的负反馈 d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是() a. 输入信号所包含的干扰和噪声 b. 反馈环内的干扰和噪声 c. 反馈环外的干扰和噪声d. 输出信号中的干扰和噪声9. 在图9所示电路中,A 为理想运放,则电路的输出电压约为()a. -2.5V b. -5V c. -6.5V d. -7.5V图910. 在图10所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为()a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV图10二、填空题(本大题共7个小题,18个空,每空2分,共36分。

模拟电子技术基础模拟综合试卷(附答案)

模拟电子技术基础模拟综合试卷(附答案)

模拟综合试卷12答案一、填空(24分,每空1分)1 .半导体中存在两种载流子,分别为电子和空穴—。

杂质半导体分为两种,分别为N型半导体和P型半导体。

2. 双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏,集电结反偏。

3. 从信号的传输途径看,集成运放由输入级、中间级、输出级、偏置电路这几个部分组成。

4. 某放大器的下限角频率L,上限角频率H,则带宽为(H- L) /2 n Hz。

5. 共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其交流电阻大的特点以获得较高增益。

6. 在RC桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大倍数要略大于_3_才能起振。

7. 电压比较器工作时,在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中,单限比较器的输出状态发生次跃变,迟滞比较器的输出状态发生_J—次跃变。

8. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真,要消除此失真,应改用甲乙类推挽放大器。

9. 负反馈系统产生自激的条件是「-- _,相应的振幅条件是____________________________________________ ,相位条件是410、若三级放大电路中A ui=Aj2=30dB, A u3=20dB,则其总电压增益为80 dB,折合为10 倍。

11、差分放大电路,若两个输入信号un=u i2,则输出电压,u o= 0 V;若un=100 V, u i 2=80 V 则差模输入电压u id= 20 V;共模输入电压u ic= 90 Vo二、按要求选其中正确的一项填入括号(26分,每小题2分)1、当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流I s将增大,是因为此时PN结内部的。

(B)A多数载流子浓度增大 B 少数载流子浓度增大C多数载流子浓度减小 D 少数载流子浓度减小2、晶体三极管的各极电流是由(C )形成的。

A、多数载流子B、少数载流子C、两种载流子D、热运动3、若要提高某放大器的输入电阻且使输出电压稳定,可以加入下列负反馈:(B )A、电流串联B、电压串联C、电流并联D、电压并联4、在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为12V, 3.7V,3V,贝尼是(A )A. NPN型硅管B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管5. RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和(D )。

模拟电子技术基础试卷及答案(期末)

模拟电子技术基础试卷及答案(期末)

模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三(本科)及其参考答案试卷三一、选择题(这是四选一的选择题,选择一个正确的答案填在括号内)(共16分)1.有两个增益相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的()a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2.共模抑制比K CMR越大,表明电路()。

a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3.多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带()。

a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4.一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。

当信号频率恰好为上限频率或下限频率时,实际的电压增益为()。

a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55.LC正弦波振荡电路如图1-5所示,该电路()。

a. 满足振荡条件,能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络,不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件,不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡6.双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。

已知静态时,V o=V c1-V c2=0,设差模电压增益100vd=A ,共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ,则输出电压o V 为( )。

a. 125mV b. 1000 mV c. 250 mV d. 500 mV图1-6 图1-77.对于图1-7所示的复合管,假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流,则复合管的穿透电流CEO I 为( )。

a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8.某仪表放大电路,要求R i 大,输出电流稳定,应选( )。

模拟电子技术基础试题含答案

模拟电子技术基础试题含答案

1、工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为。

【】A. 83B. 91C. 1002、已知图所示电路中VCC=12V,RC=3kΩ,静态管压降UCEQ=6V;并在输出端加负载电阻RL,其阻值为3kΩ。

选择一个合适的答案填入空内。

(1)该电路的最大不失真输出电压有效值Uom≈;【】A.2VB.3VC.6VU =1mV时,若在不失真的条件下,减小RW,(2)当i则输出电压的幅值将;【】A.减小B.不变C.增大U =1mV时,将Rw调到输出电压最大且刚好不失真,若此时增(3)在i大输入电压,则输出电压波形将;【】A.顶部失真B.底部失真C.为正弦波(4)若发现电路出现饱和失真,则为消除失真,可将。

【】A.RW减小B.Rc减小C.VCC减小3、互补输出级采用共集形式是为了使。

【】A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强4、选用差分放大电路的原因是。

【】A.克服温漂B. 提高输入电阻C.稳定放入倍数5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时,放大倍数的值约下降到中频【】A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍即增益下降。

【】A.3dBB.4dBC.5dB6、在输入量不变的情况下,若引入反馈后,则说明引入的反馈是负反馈。

【】A.输入电阻增大B.输出量增大C.净输入量增大D.净输入量减小7、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。

【】A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定8、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。

【】A. 基准电压 B 取样电压C基准电压与取样电压之差9、为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用。

【】A.共射放大电路 B. 共集放大电路C.共基放大电路10、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re,将使电路的【】A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大11、在输入量不变的情况下,若引入反馈后,则说明引入的反馈是负反馈。

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模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一(总分150分)(成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一)一、选择题(本大题10个小题,每小题4分,共40分。

在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的,把所选项前的字母填在题后的括号内。

)1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω,若改用R ×1k 档,测量同一二极管,则其正向电阻值( )a. 增加b. 不变c. 减小d. 不能确定 2. 某三极管各电极对地电位如图2所示,由此可判断该三极管( )a. 处于放大区域b. 处于饱和区域c. 处于截止区域d. 已损坏图23. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ,当接入2k Ω负载后,其输出电压降为4V ,这表明该放大电路的输出电阻为( )a. 10k Ωb. 2k Ωc. 1k Ωd. 0.5k Ω 4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0,则在静态时该三极管处于( ) a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定图45. 图5所示电路工作在线性放大状态,设L R '=R D //R L ,则电路的电压增益为( )a.Lm R g ' b.s m Lm 1R g R g +'-C.L m R g '- d.m L /g R '-图56. 图5中电路的输入电阻R i 为( )a. R g +(R g1//R g2)b. R g //(R g1+R g2)c. R g //R g1//R g2d.[R g +(R g1//R g2)]//(1+g m )R S7. 直流负反馈是指( ) a. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 b. 放大直流信号时才有的负反馈 c. 直流通路中的负反馈 d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) a. 输入信号所包含的干扰和噪声 b. 反馈环内的干扰和噪声 c. 反馈环外的干扰和噪声 d. 输出信号中的干扰和噪声 9. 在图9所示电路中,A 为理想运放,则电路的输出电压约为( ) a. -2.5V b. -5V c. -6.5V d. -7.5V图910. 在图10所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为( )a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV图10二、填空题(本大题共7个小题,18个空,每空2分,共36分。

把答案填在题中横线上。

) 11.当温度升高时,三极管的下列参数变化趋势为:电流放大系数β ,反向饱和电流I CBO ,I B 不变时,发射结正向电压V BE 。

12.某放大电路的对数幅频特性如图12所示。

由图可知,该电路的中频电压增益Vm A = 倍。

上限截止频率f H = Hz ,下限截止频率f L = Hz 。

图1213.在图12中,当信号频率恰好为f H 或f L 时,实际电压增益为 dB 。

14.串联负反馈只有在信号源内阻 时,其反馈效果才显著,并联负反馈只有在信号源内阻 时,其反馈效果才显著。

15.设输入信号为I v ,在反相比例运算电路中,运放两个输入端的共模信号≈IC v 与同相比例运算电路相比,反相输入例运算电路的输入电阻 。

16.图16中各电路的交流反馈类型和极性(反馈组态)分别为:图(a )为 反馈,图(b )为 反馈,图(c )为 反馈。

图1617.试决定下列情况应选用的滤波器类型。

当有用信号频率低于500Hz 时,宜选用 滤波器;当希望抑制50Hz 交流电源的干扰时,宜选用 滤波器;当希望抑制1kHz 以下的信号时,宜选用 滤波器。

三、分析计算题(本大题共9个小题,共74分) 18.(本题满分10分) 图18所示电路中,100=β,V BE =0.6V ,r bb’=100Ω,试求:(1)静态工作点;(2)中频段的i o /V V A V &&&=;(3)输入电阻R i 及输出电阻R o ;(4)中频段的s o /V V A VS &&&=图1819.(本题满分9分)两级放大电路如图19所示.设两个三极管的。

、r 、r 、be be 已知2121ββ (1)指出T 1和T 2各属何种组态 (2)画出中频区h 参数小信号等效电路图; (3)写出输入电阻R i 和输出电阻R o 的计算公式;(4)写出电压增益i o /V V A V &&&=和s o /V V A VS &&&=的表达式。

图1920.(本题满分8分) 电路如图20所示 (1)指出电路中级间交流反馈的类型和极性(反馈组态);(2)设满足深度负反馈条件,试估算电压增益s o /V V A VS &&&=。

图2021.(本题满分7分)电路如图21所示.设A 1~A 3为理想运放,υi 为正弦波,其周期T =lms,当t =0时,υo3为0V ,试定性画出υ01. υ02. υ03的波形(只需画一个周期)图2122.(本题满分9分)设图22所示电路中,A 1、A 2、A 3均为理想运放。

(1) A 1、A 2、A 3分别组成何种基本运算电路; (2)列出υo1、υo2、υo3的表达式.图2223.(本题满分8分)图23所示电路中,T 1、T 2特性对称,A 为理想运放。

(1) 判断级间反馈类型和极性(反馈组态);(2)设满足深度负反馈条件,已知△υ1=500mV,近似估算A V F =△0υ/△1υ和△0υ的值。

图2324.(本题满分6分)OCL 功放电路如图24所示,输入电压为正弦波,T 1、T 2的特性完全对称。

(1) 动态时,若出现交越失真,应调整哪个电阻,如何调整? (2) 设三极管饱和压降约为0V 。

若希望在负载Ω=8L R 的喇叭上得到9W 的信号功率输出,则电源电压V CC 值至少应取多少?图2425.(本题满分9分)串联型稳压电路如图25所示,设A 为理想运放,求: (1)流过稳压管的电流I Z =? (2)输出电压V o =?(3)若将R 3改为Ωk 5.2~0可变电阻,则最小输出电压V omin 及最大输出电压V omax 的值各为多少?图25 图2626.(本题满分8分)正弦波振荡电路如图26所示,A 为理想运放, (1) 请标出A 的同相端“+”和反本端“-”; (2) 若电路起振,估算振荡频率?0=f(3) 为稳幅的需要,非线性电阻R t ,应具有正温度系数还是负温度系数?试卷—参考答案一、选择题1.a2.d3.c4.b5.c6.a7.c8.b9.a 10.b二、填空题11.增大,增大,减小 12.100,2×106,2013.3714.很小,很大 15.0,I v ,较小16.电流串联负,电流并联负,电压并联负 17.低通,带阻,高通 三、分析计算题18. (1) V48.2100333310b2b1b2CC B =+⨯=+⋅≈R R R V VmA94.08.12.06.048.2e F BE B E C =+-=+-=≈R R V V I IμA94CB ≈=βI IV 3.5594.010)(e R c C CC CE =⨯--=++-≈R R R I V V(2) Ω≈⨯+=++='k 9.294.02610110026)1(E b b be I r r β F be L C F be Lio )(1r )//()(1r R R R R R V V A V ββββ++-=++'-==&&& 5.62.01019.25.1100-≈⨯+⨯-=(3) Ω≈++=k 12])1(//[//F be b2b1i R r R R R βΩ=≈k 3c o R R (4) 9.4s i i s o VS -≈+⋅==R R R A V V A V &&&& 19.(1) T 1——共集(射集输出器) T 2——共射(2) 画出中频区h 参数小信号等效电路如图A19所示。

图A19(3) )]//////)(1(//[be2b22b211e 1be1b1i r R R R r R R β++=c2o R R ≈ (4) 21i o V V V A A V V A&&&&&⋅== 1)1()1(e11be1e11i o11≈'++'+==R r R V V A V ββ&&&,be2b22b21e1e1//////r R R R R ='be2L c22o1o 2)//(r R R V V A V β-==&&&i s i so R R R A V V A V Vs +==&&&&20.(1) 电压串联负反馈(2) 20e1e1f i o F =+≈=R R R V V A V &&&21. 定性画出o1υ、o2υ、及o3υ的波形如图A21所示。

图A2122. (1) A 1——同相比例运算电路A 2——反相求和电路 A 3——差分运算电路(或减法电路) (2) 11o13υυ=)(1312o2υυυ+-=)23(2)(50100131211o1o2o3υυυυυυ++-=-=23. (1) 电压并联负反馈(2) V510F 1o bf 1o F -≈∆=∆-=-≈∆∆=V V A R RA v v v v 24. (1) 增大R 2。

(2) 由L 2cc2R V p o =,得V 12V 9822O L CC =⨯⨯==P R V ,即V CC 至少取12V 。

25. (1)流过稳压管的电流mA 111028303Z =⨯-=I(2)输出电压 V16V 828232o =⨯=⋅+=R R R V (3)当R 3=0时,V omin =8V当,k 5.23时Ω=RV 288232omax =⋅+=R R R V即V o 的最小值为8V ,最大值为28V 26. (1) 图11.1.16中运放的上端为“+”,下端为“-”。

(2) 电路的振荡频率 HZ995210≈=RC f π (3) R t 应具有负温度系数。

试卷二(本科)一、选择题(这是四选一选择题,选择一个正确的答案填在括号内)(共22分) 1.某放大电路在负载开路时的输出电压4V ,接入Ωk 12的负载电阻后,输出电压降为3V ,这说明放大电路的输出电阻为( )a. 10Ωkb. 2Ωkc. 4Ωkd. 3Ωk2.某共射放大电路如图1-2所示,其中Ω=Ω=k 2,k 470c b R R ,若已知I C =1mA,V CE =7V ,V BE =0.7V ,r be =1.6Ωk ,50=β,则说明( )a. 107.07BE CE i o ====V V V V A V &&& b. 37.021BE c C i o -=⨯-=-==V R I V V A V &&&c. 5.62//be b c i c i b c C i o -≈-=-=-==r R R R R R I R I V V A V ββ&&&d. 5.626.1250be c i o -=⨯-=-==r R V V A V β&&&图1-23.为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与低阻负载间接入( )。

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