电介质物理课件(2005-4)
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电介质-PPT课件
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导体的静电感应过程
E0
加外电场---电子在电场力作用下运动
导体的 ' 外场 E 0
导体的静电感应过程
E0
感应 E ' 外场 E 0
导体的静电感应过程
q2
+ q1
q1 + q1
q 1+ q 2
三、静电平衡导体的表面场强
. dS = E s
=
. + S d E 内
0 +
. + S d E 表
E表 S +
. S d E 侧
0
E
1
0
q
i i
1
0
S
σ
E 0
S
有导体时静电场的分析方法
导体放入静电场中:
导体的电荷 重新分布
导体上的电荷分 布影响电场分布
b a
a、b在导体内部:
b
a
U0 E 0
a、b在导体表面:
Ed l 0 即 U 0 E d l
----静电平衡的导体是等势体
静电平衡条件:
用场强来描写: 1、导体内部场强处处为零; 2、表面场强垂直于导体表面。 用电势来描写: 1、导体为一等势体; 2、导体表面是一个等势面。
E0
感应 E ' 外场 E 0
导体的静电感应过程
E0
感应 E ' 外场 E 0
导体的静电感应过程
E0 E ' E E E ' 0 0
(大学物理ppt)第 4 章 静电场中的电介质
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第 4 章
静电场中的电介质
一、电介质对电场的影响 二、电介质的极化 三、电极化强度
四、极化电荷
五、D 的高斯定律
六、电容器和它的电容
七、电容器的能量
一、电介质对电场的影响
电介质也即绝缘体
特点是分子中正负电荷束缚得很紧,内
部几乎没有自由电荷,不导电,但在电场中会
受到电场的影响,反过来也会影响原有电场的
P
pi
V
P np
其中 n 表示电介质单位体积内的分子数。
三、电极化强度
2. 电极化强度与电场的关系
对 各向同性 的电介质,当电场不太强时, 试验表明:
P 0 ( r 1) E 0 E
其中 r 1 叫做电介质的电极化率。
四、极化电荷
1. 面束缚电荷
在介质中取一斜柱,长为 l ,则穿过 dS 面 的总正电荷为
dq qndV qnldScos
而 故 p ql, np P dq PcosdS
-q
e n
l
dS +q
面束缚电荷密度 dq P cos P e n dS
E
四、极化电荷
2. 体束缚电荷
穿过 dS面的总正电荷为 PcosdS P dS dqout 穿过整个封闭面 S 向外的 电荷应为 d qout P dS qout
S S
-q
e n
l
S
dS +q
E
留在封闭面 S 内的体束缚电荷应为 q in - q out P dS
二、电介质的极化 在电介质内部的宏观微小的区域内,正负电
静电场中的电介质
一、电介质对电场的影响 二、电介质的极化 三、电极化强度
四、极化电荷
五、D 的高斯定律
六、电容器和它的电容
七、电容器的能量
一、电介质对电场的影响
电介质也即绝缘体
特点是分子中正负电荷束缚得很紧,内
部几乎没有自由电荷,不导电,但在电场中会
受到电场的影响,反过来也会影响原有电场的
P
pi
V
P np
其中 n 表示电介质单位体积内的分子数。
三、电极化强度
2. 电极化强度与电场的关系
对 各向同性 的电介质,当电场不太强时, 试验表明:
P 0 ( r 1) E 0 E
其中 r 1 叫做电介质的电极化率。
四、极化电荷
1. 面束缚电荷
在介质中取一斜柱,长为 l ,则穿过 dS 面 的总正电荷为
dq qndV qnldScos
而 故 p ql, np P dq PcosdS
-q
e n
l
dS +q
面束缚电荷密度 dq P cos P e n dS
E
四、极化电荷
2. 体束缚电荷
穿过 dS面的总正电荷为 PcosdS P dS dqout 穿过整个封闭面 S 向外的 电荷应为 d qout P dS qout
S S
-q
e n
l
S
dS +q
E
留在封闭面 S 内的体束缚电荷应为 q in - q out P dS
二、电介质的极化 在电介质内部的宏观微小的区域内,正负电
大学物理电介质课件讲义
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设在时间 t 内,从 B 板向 A 板迁移了电荷 q(t )
U(t) q(t) C
q(t) q(t)
再将 dq 从 B 板迁移到 A 板,外力需
作功 dA U(t)dq q(t) dq
C
极板上电量从 0 —Q ,外力作的总功为
+
Q q(t)
Q2
A dA 0
C
dq 2C
1、电位 移是为 简化计算引入的辅 助矢量。无物理意义 D ε0E P ε0εr E ε E 各向同性线性电介质
2、式中虽不显含极化电荷,但已考虑极化电荷的影响。
3、有介质时静电场的性质方程。普遍适用于任何电场, 是麦克斯韦方程组中的方程之一。
讨论
E
4、电场线起于任意正电荷而止于
0 0
解:均匀极化 表面出现束缚电荷
r
内部的场 由自由电荷 0
和束缚电荷
E0和E 叠加
共同产生
0
单独产生的场强为
E0
σ0 ε0
0 0
E0
单独产生的场强为 E σ
E
ε0
E
E0
E
σ0 ε0
σ (1)
方法二:由电容器的静电能计算
孤立带电球体的电容为 C 40R
We
1 2
Q2 C
Q2
8 0 R
方法三:根据电场能等于将各电荷元 dq 从无 限远移入过程中,外力克服电场力作功
dWe dq
We
Q
dW
q dq Q2
0 40R
8 0 R
例12.5 半径为R、相对介电常数为εr 的
U(t) q(t) C
q(t) q(t)
再将 dq 从 B 板迁移到 A 板,外力需
作功 dA U(t)dq q(t) dq
C
极板上电量从 0 —Q ,外力作的总功为
+
Q q(t)
Q2
A dA 0
C
dq 2C
1、电位 移是为 简化计算引入的辅 助矢量。无物理意义 D ε0E P ε0εr E ε E 各向同性线性电介质
2、式中虽不显含极化电荷,但已考虑极化电荷的影响。
3、有介质时静电场的性质方程。普遍适用于任何电场, 是麦克斯韦方程组中的方程之一。
讨论
E
4、电场线起于任意正电荷而止于
0 0
解:均匀极化 表面出现束缚电荷
r
内部的场 由自由电荷 0
和束缚电荷
E0和E 叠加
共同产生
0
单独产生的场强为
E0
σ0 ε0
0 0
E0
单独产生的场强为 E σ
E
ε0
E
E0
E
σ0 ε0
σ (1)
方法二:由电容器的静电能计算
孤立带电球体的电容为 C 40R
We
1 2
Q2 C
Q2
8 0 R
方法三:根据电场能等于将各电荷元 dq 从无 限远移入过程中,外力克服电场力作功
dWe dq
We
Q
dW
q dq Q2
0 40R
8 0 R
例12.5 半径为R、相对介电常数为εr 的
《电介质、4电位移》幻灯片
![《电介质、4电位移》幻灯片](https://img.taocdn.com/s3/m/496d2986783e0912a3162a23.png)
S包围的
r0 E • d S q i D •d S q i 自由电荷
S
物理意义:穿过静电场中任一闭合曲面的电位移通量
等于该曲面内包围的自由电荷的代 数和 。
电位移通量用 ΦD 表示: D S D d S q 0 i inside
电位移的计算
先求 E , 得 再 D 场 利 0 r E 求 强 用 出 D .
E0
r
从而 可得:
E4Q 0rr2
导体球的
电势:
u R E •d r R 4 Q 0rr2dr4Q0r R
(下一页)
我们还可以利用场强的叠加原理求得导体球周围 介质表面上的极化电荷量和极化电荷面密度
设极化电荷电量为Q’ E' Q'
,其产生的场强为:
4 0r2
介质内的合场强为 :E=E0+E’ ; 即
也可以先求电位移,再求场强。
(下一页)
例3. 已知:导体球 R Q
介质 r
求:
球外任一点的
E
导体球的电势 V
解: 过P点作高斯面 S 得
D•dSQ
S
D4r2Q
D
Q
4r2
DQ
E 0r
40rr2
r Q
RR
rP
S
导体球的电势:
Q
VRE•drR40rr2dr
Q
40r
R
(下一页)
例4、求电荷分布、场
《电介质、4电位移》幻灯 片
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导体中含有许多可以自由移动的电子或离子。 然而也有另一类物质电子被束缚在自身所属的原子核 周围或夹在原子核中间,这些电子可以相互交换位置, 多少活动一些,但是不能到处移动,这类就是所谓的 非导体或绝缘体。绝缘体不能导电,但电场可以在其 中存在,并且在电学中起着重要的作用。
电介质
![电介质](https://img.taocdn.com/s3/m/935010e919e8b8f67c1cb9dc.png)
r r P ⋅ dS = − ∫∫ χ eε 0
r D
r ⋅ dS
若均匀电介质体内无自由电荷,则不管电场是否 均匀电介质体内无自由电荷, 均匀,电介质体内都无极化电荷. 均匀,电介质体内都无极化电荷.
例: 求相对介电常数为εr 的无限大均匀电介 质中点电荷q的场分布 质中点电荷 的场分布 解:用D-Gauss定理,是球对称场,作球形 r r Gauss面 D ⋅ dS = q
解:设两极板上所带的自由电荷为 ±σ e
σ e' 充介质后,退极化场 E' = ε0 σ e − σ e' 总场强 E = E0 − E ' = ε0
σe 未充介质时 E0 = ε0
σ = P = χ eε 0 E
' e
σ e' = χe E = E ' ε0
E = E0 − χ e E
E = E0 − χ e E
D1
ε1
; E2 =
D2
ε2
E2 ε 1 ε r 1 = = 或 E1 ε 2 ε r 2
A d1 d2 B +σ I II −σ
ε1
作S2如图, 有 D1 = σ = D2 如图,
S2
ε S1 2
σ σ ⇒ E1 = ; E2 = ε1 ε2
U AB
方向: 方向:
d1 d 2 q d1 d 2 = E1d1 + E2 d 2 = σ + = + ε1 ε 2 S ε1 ε 2
电介质极化的微观机制
无极分子: 无极分子:正负电荷中心完全 重合(H 重合 2、N2) 微观:电偶极矩p 微观:电偶极矩 分子=0,(l=0) , 宏观: 宏观:中性不带电 有极分子: 有极分子:正负电荷中心 不重合(H 、 不重合 2O、HCl) 微观:电偶极矩p分子≠0,(l ≠0) 微观:电偶极矩 , 宏观: 宏观:中性不带电
第八章电介质PPT
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第八章
静电场中的导体和电介质
8.1 导体的静电平衡 一、导体的静电感应 无外电场时
1
导体的静电感应过程
E外
加上外电场后
2
导体的静电感应过程
E外
+
加上外电场后
3
导体的静电感应过程
E外
+
+
加上外电场后
4
导体的静电感应过程
E外
+ + +
+ +
加上外电场后
5
导体的静电感应过程
E外
+
+
+
加上外电场后
14
导体达到静平衡
+ + + + + + + + + + 感应电荷
E外
E感
E内 E外 E感 0
感应电荷
15
静电平衡条件: (1)导体内部任何一点处的电场强度为零; (2)导体表面处电场强度的方向,都与性质:
1、导体是等势体,导体表面是等势面。
避雷针的工作原理
24
二、导体壳和静电屏蔽
1、空腔内无带电体的情况
腔体内表面不带电量,
腔体外表面所带的电量为带电体所带总电量。 导体上电荷面密度的大小与该处表面的曲率有关。
q2
25
2、空腔内有带电体
腔体内表面所带的电量和腔内带电体所带的电量等 量异号,腔体外表面所带的电量由电荷守恒定律决定。
未引入q1时
E
E0
32
例2 已知R1 R2 R3 q Q
求 ①电荷及场强分布;球心的电势
q
q
②如用导线连接A、B,再作计算
静电场中的导体和电介质
8.1 导体的静电平衡 一、导体的静电感应 无外电场时
1
导体的静电感应过程
E外
加上外电场后
2
导体的静电感应过程
E外
+
加上外电场后
3
导体的静电感应过程
E外
+
+
加上外电场后
4
导体的静电感应过程
E外
+ + +
+ +
加上外电场后
5
导体的静电感应过程
E外
+
+
+
加上外电场后
14
导体达到静平衡
+ + + + + + + + + + 感应电荷
E外
E感
E内 E外 E感 0
感应电荷
15
静电平衡条件: (1)导体内部任何一点处的电场强度为零; (2)导体表面处电场强度的方向,都与性质:
1、导体是等势体,导体表面是等势面。
避雷针的工作原理
24
二、导体壳和静电屏蔽
1、空腔内无带电体的情况
腔体内表面不带电量,
腔体外表面所带的电量为带电体所带总电量。 导体上电荷面密度的大小与该处表面的曲率有关。
q2
25
2、空腔内有带电体
腔体内表面所带的电量和腔内带电体所带的电量等 量异号,腔体外表面所带的电量由电荷守恒定律决定。
未引入q1时
E
E0
32
例2 已知R1 R2 R3 q Q
求 ①电荷及场强分布;球心的电势
q
q
②如用导线连接A、B,再作计算
物理-IV第8章 导体与电介质new
![物理-IV第8章 导体与电介质new](https://img.taocdn.com/s3/m/26a88de7da38376baf1faef6.png)
q
E2 4π0r2
q
rS 2 q R3 S1 R2 R1
E 10(rR 3)
q
E24π0r2 (R3rR2)
根据静电平衡条件
r E 3 0 (R 1 r R 2 )
S3E3dS i qi00
S4
2q
S
3
q
q
r
R3
R2 R1
r R 1 , S 24 qE 4 d S i q i 0 2 q0
V O4π q0(R 1 3R 1 2R 2 1)2.3 1 130 V
6-2 静电场中的电介质
一 电介质对电容的影响 相对电容率
U0
Q
+++++++
-------
C
0
Q
U
Q
r
+++++++
-------
C
Q
U
1
r
U0
E E0
r
CrC0
相对电容率 r 1
E0 EdS S
0
q
0
++ + +
+ +
S+
+
++
q 0
结论 导体内部无电荷
2 有空腔导体
空腔内无电荷
S E d S0 , q i0
电荷分布在表面上
S
内表面上有电荷吗?
SEdS, qi 0
若内表面带电,正负电荷总 量应为零。。。
矛 (用电场线的 盾 分布来讨
E2 4π0r2
q
rS 2 q R3 S1 R2 R1
E 10(rR 3)
q
E24π0r2 (R3rR2)
根据静电平衡条件
r E 3 0 (R 1 r R 2 )
S3E3dS i qi00
S4
2q
S
3
q
q
r
R3
R2 R1
r R 1 , S 24 qE 4 d S i q i 0 2 q0
V O4π q0(R 1 3R 1 2R 2 1)2.3 1 130 V
6-2 静电场中的电介质
一 电介质对电容的影响 相对电容率
U0
Q
+++++++
-------
C
0
Q
U
Q
r
+++++++
-------
C
Q
U
1
r
U0
E E0
r
CrC0
相对电容率 r 1
E0 EdS S
0
q
0
++ + +
+ +
S+
+
++
q 0
结论 导体内部无电荷
2 有空腔导体
空腔内无电荷
S E d S0 , q i0
电荷分布在表面上
S
内表面上有电荷吗?
SEdS, qi 0
若内表面带电,正负电荷总 量应为零。。。
矛 (用电场线的 盾 分布来讨
电介质物理》课件电介质的击穿
![电介质物理》课件电介质的击穿](https://img.taocdn.com/s3/m/82e253c9cd22bcd126fff705cc17552707225e1f.png)
电介质击穿的物理机制
电击穿机制
电场作用下电介质击穿
在强电场的作用下,电介质内部的自由电子被加速,与晶格原子发生碰撞,导致 电子能量降低并产生新的电子-空穴对,这些新的电子-空穴对进一步与晶格原子 发生碰撞,产生更多的电子-空穴对,最终导致电介质击穿。
隧道效应
在强电场的作用下,电子通过隧道效应穿过势垒,形成导电通道,导致电介质击 穿。
03
影响电介质击穿的因素
电场强度
总结词
电场强度是影响电介质击穿的最主 要因素之一。
详细描述
随着电场强度的增加,电介质中的 电场会变得更强,导致电子更容易 获得足够的能量来克服电介质中的
束缚力,从而引发电介质击穿。
总结词
高电场强度下,电介质更容易发生 击穿。
详细描述
在强电场的作用下,电介质内部的 电子会被加速,获得足够能量后能 够克服电介质中的束缚力,形成导 电通道,导致电介质击穿。
03
热击穿
电击穿
冲击击穿
在强电场的作用下,电介质内部的热量积 累导致温度升高,当温度达到一定程度时 ,发生热击穿。
在强电场的作用下,电子获得足够的能量 ,直接导致电介质分子中的电子跃迁,形 成导电通道。
在雷电或操作过电压的作用下,电介质内 部的电流迅速增加,产生强烈的冲击波, 导致电介质瞬间击穿。
02
电介质物理》课件电介质的 击穿
目录
• 电介质击穿的基本概念 • 电介质击穿的物理机制 • 影响电介质击穿的因素 • 电介质击穿的预防与控制 • 电介质击穿的实验研究方法
01
电介质击穿的基本概念
定义与Байду номын сангаас性
01
02
定义
特性
电介质击穿是指电介质在强电场的作用下,丧失其绝缘性能的现象。
电击穿机制
电场作用下电介质击穿
在强电场的作用下,电介质内部的自由电子被加速,与晶格原子发生碰撞,导致 电子能量降低并产生新的电子-空穴对,这些新的电子-空穴对进一步与晶格原子 发生碰撞,产生更多的电子-空穴对,最终导致电介质击穿。
隧道效应
在强电场的作用下,电子通过隧道效应穿过势垒,形成导电通道,导致电介质击 穿。
03
影响电介质击穿的因素
电场强度
总结词
电场强度是影响电介质击穿的最主 要因素之一。
详细描述
随着电场强度的增加,电介质中的 电场会变得更强,导致电子更容易 获得足够的能量来克服电介质中的
束缚力,从而引发电介质击穿。
总结词
高电场强度下,电介质更容易发生 击穿。
详细描述
在强电场的作用下,电介质内部的 电子会被加速,获得足够能量后能 够克服电介质中的束缚力,形成导 电通道,导致电介质击穿。
03
热击穿
电击穿
冲击击穿
在强电场的作用下,电介质内部的热量积 累导致温度升高,当温度达到一定程度时 ,发生热击穿。
在强电场的作用下,电子获得足够的能量 ,直接导致电介质分子中的电子跃迁,形 成导电通道。
在雷电或操作过电压的作用下,电介质内 部的电流迅速增加,产生强烈的冲击波, 导致电介质瞬间击穿。
02
电介质物理》课件电介质的 击穿
目录
• 电介质击穿的基本概念 • 电介质击穿的物理机制 • 影响电介质击穿的因素 • 电介质击穿的预防与控制 • 电介质击穿的实验研究方法
01
电介质击穿的基本概念
定义与Байду номын сангаас性
01
02
定义
特性
电介质击穿是指电介质在强电场的作用下,丧失其绝缘性能的现象。
电介质物理课件(2005-1)
![电介质物理课件(2005-1)](https://img.taocdn.com/s3/m/f441092a453610661ed9f46d.png)
导体 T (C )
3.电介质的定义
法拉第定义:能被电力线所直通或横贯地作用着的那种物质称 为电介质 苏联科学院定义:电介质是这样一种物质,在电场作用下具有 极化能力,并在其中能长期存在电场为其主要特性的物质 国际电工委员会:电介质是一种物质,它的能级图中基态被占 满,基态与第一激发态之间被这样宽的禁带隔开,以致电子从 正常态激发到相对于导带的态所必需的能量,大到可使电介质 受到破坏. 中国的定义:以在电场作用下具有极化能力,且能在其中长期 地存在电场为其主要性能的物质叫电介质.
2
如果将金属导体放在外电场中,会出现什么情况呢?
+ + +
+ + +
+ + +
+ + +
+ + +
E外
在外电场作用下中,金属导体中的自由电子将沿外电场反向作 定向运动,这样自由电子是必在导体的一端堆积起来,使导体 的一端因多余电子而带负电,而另一端因缺少电子而带正电.
介质: 构成介质的分子在结构方面的特征 是电子与原子核之间有很大的库仑力,这 种库仑力使电子被原子核束缚着,处于 束缚状态的电子(非有自由电子),在外 电场的作用下电子只能相对于核作微小 的位移. 电介质是以感应而非传导的方式来 传递点的作用和影响.
实验发现: 0 > 1 E0>E1 而:V=E·d
f0>f1 由于: f=QE 则: V0>V1.
二、介质的极化
以平板电容器为例 :
0
d
0
S
d
E
E
S
V
形成偶极矩
C0 Q0 /V 0S /V
d
电介质物理学科是在 20世纪 20年代至 30 年代形成的. 标志 性 的事件是 :电气及 电子工 程师学会 (IEEE)在 1920年开始召开国际绝缘介质会议, 以 后 又 建 立 了 相 应 的 分 会 ( IEEE Dielectric and Electrical Insulation Society)。 美国 建立了以 Hippel教授为首的绝缘研究 室。苏联列宁格勒工学院建立了电气绝缘与电 缆技术专业 ,莫斯科工学院建立了电介质与半 导体专业。
高二物理竞赛电介质物理课件
![高二物理竞赛电介质物理课件](https://img.taocdn.com/s3/m/7708e056b207e87101f69e3143323968011cf46d.png)
16
的电位移应相等。于是
E D e0E0 . ee 0 ee 0
结果,两极板间引进相对介电常数为e的电介质后,电场E和电容量C分别改变为
E=E0/ e,
(2.18)
C=ee0S/l=eC0.
(2.19)
即电介质因极化使得电场比真空时减少至1/e倍而电容量增大至e倍。
10
电场使正负电荷q相对位移dl所作的功为
9
图2.1(b)给出一个平板电容器,设电极面积为S,两极距离为l;充电后极板上荷电量
分别为±Q。当两极间为真空时,记其中的电场为E0.此时,电位移之大小为
D=e0E0=Q/S
(2.17)
若以均匀电介质充满此电容器两极板之间的空间而得到图2.1(c)所示之情况,则
由于电介质极化的影响,两极板间电场E不再等于E0。根据Maxwell方程组(2.8), 电位移D只取决于自由电荷±Q而与电介质中束缚电荷无关,故起的传导作用为主时,各向同性物质中之宏观电流
密度
j sE
(2.13)
物质按电导率分类:导体(s>105W-1cm-1); 绝缘体(s<10-10W-1cm-1) ; 半导体(10-10W-1cm-1<s<105W-1cm-1) 。
绝缘体都是电介质,但电介质却不一定是绝缘体。
7
根据电磁学中电位移D之定义,其与极化强度 P之关系为
8
设有片状电介质[图2.1(a)],其厚度为l,面积为S;沿厚度方向均匀极化强度为 P.按式(2.7)的定义,总电矩等于
p SlP.
若沿厚度取一矢量使其模为l, 方向与P相同,并记此矢量为l, 则有
p Q'l, Q' SP.
与式(2.3)相比较可知, Q’就是分布于片状电介质的两个表面的正、负电荷 数值,而P恰好等于表面电荷密度。
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1
2. 电子崩的形成:
粒子从电场中获得的动能: T=mv2/2=q2E2τ2/2m 从公式中看出:在电场作用下,带电粒子的动能正比于电 场强度的平方,反比于粒子的质量。而气体粒子中电子的 质量最小,所以在一定的电场下,自由电子所获得的动能 最大。因此,在气体所有粒子的相互碰撞中,与自由电子 的碰撞最容易引起碰撞电离。 发生碰撞电离的条件是: q Eλ≥Wi (原子、分子电离能) 随着 x的增加,电子数按指数增加。
3. 自持放电条件:
正离子沿电场方向运动 会与中性分子碰撞产生 游离,设
自持放电: 气体介质在阴极电子逸出(游离 剂)的作用下产生放电,当游离剂去除 后,气体介质的放电仍能够维持下去, 这种现象叫做“自持放电”。
游离碰撞系数为 (第二游离系数)。 但,这种游离碰撞的几 率很小, 0。
阴极上出现正离子堆积区 堆积区的厚度=10-10m;电压=10-2V; 堆积区的电场可达:E= 10-2V/ 10-10m=108V/m
气体介质本身,由于原子激励还原及离子复合时所 放出的光子产生了新的游离,以促使游离沿着通道发 展,构成流柱,最后导致击穿。
5. 不均匀电场中的气体放电(击穿) 不均匀电场中气体放电的特点:
• • • • • 在高电场区先产生电晕; U增大,电晕边缘出现树枝状放电:辉光放电或火花放电; U进一步增大,树枝状放电连通第二极 ——最终击穿。 从游离场强开始到击穿,随E增加,电流增大,但较慢。 击穿电场强度与电极的形状、距离有关。
j( A / m
2
)
IEII源自jS1IIIE (V / m )
E
i
E
b
常见的放电形式: •火花放电 瞬时,间断产生 常压附近 •辉光放电 出现均匀的明暗相间的辉光区 •电晕放电 电极的曲率小,电场不均匀,在电场尖端出现 暗蓝色微光 •电弧放电 功率大,连续弧光,温度极高
汤申特(Townsend)碰撞游离理论
从阴极到阳极的间距中产生的电子数为:
d n a nc n( 1) 产生的正离子数 c e
nc0 1 (1 e d) nc0 na e d 1 (1 e d ) nc
j q na
j c 0 e d 1 (1 ed )
f P d
Ub
理论 实测
击穿电压U b E b d
Ub
Ubmin p1 (p·d)
巴申定律
巴申定律的讨论:
在均匀电场中,Ub=f (p ·d),p增加n倍,d下降n倍, Ub不变。 1. 巴申定律的物理意义: • 每种气体的放电电压都存在一最小值Ubmin; • 当d一定,p=p1,有最小放电电压,(电子的运动距离与单位 距离电子的碰撞次数的共同效应最大)。 • p<p1,气体密度小,碰撞次数减小, Ub增加。 • P>p1,气体密度大,碰撞次数增加,但电离碰撞次数下降,Ub 增加。 3. 当p一定时,d=d1,出现Ubmin。 • d>d1,由于d增加,E下降,故Ub增加; • d<d1,由于d减小,碰撞次数减小,故Ub增加;特别是当d< 时,几乎不发生碰撞。
单位时间介质产生热: Q1 AI 2 R A 单位时间介质散发热: Q2
U2 R
当Q1 Q2,介质中热量积聚,Q1 Q2为临界点 U b Q2 R A
电击穿必须满足:电导率小、tan 小、 散热条件好,无气隙、无边缘放电。
电击穿和热击穿的判断:
电击穿
U b 随介质温度 U b 随加压时间 而 而 地方(中部) Q2 2 f C tan A f
设:单位时间、单位面 穿过距阴极 积上由阴极逸出的电子 n; (电离 碰撞游离的次数为 dx 所产生的游离次数 n Ce
x
数为 n C 0;
x 处的电子数为
一个电子单位距离产生 系数或游离系数) 则: dx 一个电子经过 dn n dx ln n x C 当 x 0时, n n C 0
一个电子产生碰撞游离 的必要条件是: U 电子的运动行程 x x i i E 而电子行程大于 x i的几率为玻尔兹曼分布 e 故每单位距离的碰撞次 数为:
1 i e AP e x U i AP E B P E xi
APe
3
带入( * )有: AP e
二.纯液体介质击穿的击穿 1.以碰撞电离开始作为液体介质击穿为条件 2.以电子崩发展到一定大小为液体介质击穿为条件 三. 工程液体介质的击穿 杂质:气相、液相、固相
5
1)气相杂质的影响
2)液相杂质的影响
+ d
- + - + - + - + d
-
3.
固体杂质的影响 油的净化方法对液体介质击穿场强的影响: 处理方法: 击穿场强(kv/cm) 未处理 50 离心过滤 130 纸过滤 160 膜过滤 180 压滤 (一次) 230 压滤 (二次) 330 液体介质提纯法: 真空干燥 过滤、直流电解
4
§4.3 液体介质的击穿
液体介质击穿的分散性: 气体(空气):Eb=3×106V/m; 工程纯变压器油:Eb=2 ×107V/m; 非常纯液体: Eb=1 ×108V/m
一.液体介质的击穿现象的经验规律
1.击穿电压与时间的关系 2.击穿电压与频率的关系
3.击穿电压与电极距离的关系
液体介质击穿机理理论: 碰撞电离理论 小桥理论 纯液体 工程液体
Ub
导体 介质击穿
Ub为击穿电压(击穿电场 Eb=Ub/d, d为介质厚度)
§4.2 气体介质的击穿
击穿的分类: •本征击穿(Intrinsic Breakdown):电击穿; •非本征击穿:热击穿(Thermal Breakdown); •放电击穿(Discharge Breakdown) 介质击穿两种情况: 发生可恢复性变化:介质在电场的作用下被击穿,把外电 场撤除后,介质又恢复其绝缘性能。 “自愈现象 ”(SelfHealing),如气体。 发生永久性变化(或叫不可逆变化):如固体介质击穿。
热击穿 低 高 高频 较长
电压 使用温度 使用频率 加压时间
高 低 低频 很短
击穿发生在散热最少的 Ub
1 , Q1 P U 2 C tan Q 2, Ub f
热击穿电压比击穿电压电较低
击穿机理
电子倍增使介质 产生热大于散热 变成导体 使介质热破坏
三、瓦格纳(Wagner)热击穿理论
d
工程液体介质击穿 “小桥理论”
去除气泡、水份 除去杂质
四、固体介质的击穿
1、固体介质击穿的一般规律: 从击穿的结果上来看: 固体介质的击穿电场大于液体和气体介质 Eb(气体)=3 106V/m Eb(液体)=107~108V/m Eb(固体)=108~109V/m 固体介质击穿是永久性的 从击穿的发展过程看:2个阶段 (1) 介电性能的破坏 绝缘变成导体 (2) 介质本身的破坏 有明显的击穿通道 从击穿电压与实验条件关系看:关系密切 电极形状 媒质 散热条件 电压类型有关
4. 提高气体介质的击穿电压的途径:
A.利用高气压和高真空:可以做成真空电容器,充气电容器 B.利用负电性情的气体,这样气体多为分子量大的卤族元素, 电子亲和力大,负电性强的气体 如:氟利昂六氟化硫。 优点:分子直径大,自由程短,积累能量小; 负电性强,易吸收电子形成负离子,减小了电离能力;
气体放电的流柱理论:
束缚,逸至电极表面;
体积游离:气体分子中电子获得足够的能量脱离分子,形
两次碰撞,粒子在电场方向的速度V为:
成自由电子和正离子,电子也可吸附在其他分子上形成负离 子。 标准状态下,空气,3-4对电离/cm3.s
v
位距离的碰撞次数
0
adt
qE m
λ :两次碰撞间的自由程 τ:粒子的自由程时间=带电粒子走过单
(1)电子碰撞电离是气体放电时电流倍增的过程 (2)要维持自持放电必须从阴极发射电子
表面游离:电极表面原子中的价电子吸收能量,脱离原子
1. 电子碰撞游离:
当外电场作用于气体时,气体中的一切带电粒子受到电 场力的加速作用。设q―粒子的电荷,m―粒子的质量,E―电 场强度,a―粒子受电场力获得的加速度。 a =qE/m
2、固体介质击穿的分类:
电击穿
热击穿
6
电击穿的特点:
a .在击穿前的强电场不满 I I 0 e AU 足欧姆定律,而是符合
U
热击穿的特点:
玻尔定律:
或弗兰凯尔定律: I I 0 e B
b.击穿场强高 ,击穿电场范围较窄:108~109V/m c:在均匀电场中,电击穿发生时的电场强度直到厚度为 0.1u-1u范围都与厚度无关。 d、击穿场强与周围媒质温度无关 e、击穿场强与加压时间无关
B P E
1 d ln 1
BP d f P d AP d ln 1 ln 1
Ub
BPd A P d ln 1 ln 1
n n C0 e x
单位时间、单位面积上 到达阳极的电子数为: na nc 0 e d 电流密度为: j q na q nc 0 e d jc 0 e d jc 0 — 阴极表面初始电流密度
对上式的讨论: 1. j jc0 nc 0 游离剂(光、热等引起 ) 2. 游离剂一定、电极间距 一定,可确定 3. 求的方法 — —(实验法): ln j1 (d 1 d 2) j2 ln j1 ln j2 d1 d 2 j1 jc 0 e d1 j 2 j c 0 e d 2
d d