半导体封装企业名单

半导体封装企业名单半导体封装企业名单

中电科技集团公司第58研究所

南通富士通微电子有限公司

江苏长电科技股份有限公司

江苏中电华威电子股份有限公司

天水华天科技股份有限公司（749厂）

铜陵三佳山田科技有限公司

无锡华润安盛封装公司（华润微电子封装总厂）中国电子科技集团第13研究所

乐山无线电股份公司

上海柏斯高模具有限公司

浙江华越芯装电子股份有限公司

航天771所

新科-金朋（上海）有限公司

江苏宜兴电子器件总厂

浙江东盛集成电路元件有限公司

北京科化新材料科技有限公司

上海华旭微电子公司

电子第24所

上海纪元微科电子有限公司

电子第47所

成都亚红电子公司

汕头华汕电子器件有限公司上海长丰智能卡公司

江门市华凯科技有限公司

广州半导体器件厂

北京宇翔电子有限公司

北京飞宇微电子有限责任公司深圳市商岳电子有限公司

绍兴力响微电子有限公司

上海永华电子有限公司

上海松下半导体有限公司

深圳深爱半导体有限公司

广东粤晶高科股份有限公司江苏泰兴市晶体管厂

无锡KEC半导体有限公司

捷敏电子（上海）有限公司星球电子有限公司

强茂电子(无锡)有限公司

万立电子(无锡)有限公司

江苏扬州晶来半导体集团

晶辉电子有限公司

济南晶恒有限责任公司（济南半导体总厂）无锡市无线电元件四厂

北京半导体器件五厂

吴江巨丰电子有限公司

苏州半导体总厂有限公司

快捷半导体(苏州)有限公司

无锡红光微电子有限公司

福建闽航电子公司

电子第55所

山东诸城电子封装厂

武汉钧陵微电子封装

外壳有限责任公司

山东海阳无线电元件厂

北京京东方半导体有限公司

电子第44所

电子第40所

宁波康强电子有限公司

浙江华科电子有限公司

无锡市东川电子配件厂

厦门永红电子公司

浙江华锦微电子有限公司

昆明贵研铂业股份有限公司

洛阳铜加工集团有限责任公司

无锡市化工研究设计院

河南新乡华丹电子有限责任公司

安徽精通科技有限公司

无锡华晶利达电子有限公司

电子第43所

中国电子科技集团2所

长沙韶光微电子总公司

上海新阳电子化学有限公司

无锡华友微电子有限公司

均强机械(苏州)有限公司

东和半导体设备（上海）有限公司

复旦大学高分子科学系

清华大学材料科学与工程研究院

哈尔滨工业大学微电子中心

清华大学微电子所电子技术标准化所（4所）信息产业部

电子5所

中科院电子研究所

先进晶园集成电路（上海）有限公司

东辉电子工业（深圳）有限公司半导体工艺设备技术系列讲座清洗技术

半导体工艺设备技术系列讲座清洗技术

控制LSI良率和可靠性关键在于芯片的地损伤化和适应新材料需求。

由于新应用的问世，在以往的批处理的方式的清洗工艺基础上正在加速引入单个圆片清洗方式。

LSI制造工艺里的微粒，金属和有机物构成的器件污染危害非常严重，可使LSI电路产品的良率和可靠性下降，因此，在每一工艺流程环节里多要清除掉付着在硅圆片上的污染物。防止把污染代到下一到工序。由于清除硅圆片污染物的工艺。正是本文将要介绍的半导体清洗工艺。半导体清洗工艺是LSI制造工艺全部过程成中不可缺少的工艺流程，该道工序利用次数约占全部工序利用次数的20%- 25%，使用频度相当高，下图

图1*清洗是大规模集成电路制造过程里不可缺少的工艺环节

清洗工艺是与大规模集成电路制造工艺精密相关的必要工艺，清洗工序利用率在全部制造工序里很高，清晰工序的利用次数约占全部工序利用次数的20%-50%

随着LSI工艺技术向精细化方向迈进，硅圆片清洗工艺的重要性比以往更为突出。虽然在设计线LSI电路是允许少许的污染物存在，但是还是会直接影响电路的良率和可靠性，于是如何清洗这些轻微的污染物也是越来越高的技术要求，详细情况如图2所示

开始批量生产日期

（年）2013

工艺技术时代

DRAM半间距（纳

米）32硅圆片直径（毫米

允许的微粒最大直径（纳

米）

403532.528.

522.52017.516

允许的微粒数量.

每平方厘米基板表面允许的金属原子数量（10的10次方）个0.50.

50.50.

50.50.

50.50.5

0.5

背面的微粒直径（微

米）

0.20.

160.160.

160.160.

140.14

0.140.14

硅氧化膜和硅氧化膜削减（纳

米）

0.80.

70.50.

40.40.

40.40.4

0.4

图2在半导体精细化的过程里对清洗技术要求很高。

随着半导体工艺技术向精细化方向迈进，轻微的污染多影响大规模集成电路的良率和可靠性。图2的内容根据国际半导体技术指南的(ITRS)数据

本文将先说明硅圆片清洗的基本原理，然后介绍LSI精细化带来的新技术课题，最后介绍的技术开发现状。

以不同的药水清洗4种不同的污染物

附着在硅圆片上成为LSI电路污染源的物质，大体上有以下4中：

微粒，自然氧化物，金属和有机物。用于清楚这些污染物的标准方法是“RCA清洗”方法，他是利用高纯度的纯净（去离子）水和药水。把附着在硅圆片上的污染物分离开来或溶解之后实现清楚的方法。半导体清洗的基本概念从1970年开始有美国无限电公司(RCA)的W.Kern先生倡导.

RCA清洗工艺技术的特点在于按照应该被清除的污染物种类选用相应的清洗药水，按照顺序进行不同的药水的清洗工艺，就可以清除掉所有附着在硅圆片上的各种污染物。根据对应的污染物种类，在清洗工艺里(图3)大体上使用以下4种药水1氨水和过氧化氢以及纯水的混合液简称AOM (ammonia peroxide mixture), 2氟酸和纯水的混合液，也叫做稀释的氢氟酸DHF(dilutedHF) 3硫酸和过氧化氢的混合液简称4盐酸和过氧化氢以及纯水的混合液简称SPM (sulfuricperoxide mixture); 4 HPM (hydrochloric peroxide mixture ).

用药水清洗之所以能提高LSI。电路的良率，关键在于正确地运用干燥方法处理清洗后的硅圆片。若没有从清洗后的硅圆片上完全把残余的药水除掉，则它容易成为新的污染，因此，结合清洗方式和清洗对对象，选取最佳的干燥方式是十分重要的。

药水名称分子结构清洗温度（°c）清除的对象