半导体试卷经典考题
半导体招聘考试题及答案
半导体招聘考试题及答案一、单项选择题（每题2分，共10题，满分20分）1. 半导体材料中，电子的迁移率通常比空穴的迁移率高，这是因为电子具有较小的：A. 质量B. 电荷C. 动量D. 能量答案：A2. 在半导体中，P型半导体是通过以下哪种方式掺杂形成的？A. 引入三价元素B. 引入五价元素C. 引入四价元素D. 引入二价元素答案：A3. 下列哪种材料不适合作为半导体材料？A. 硅B. 锗C. 铜D. 砷化镓答案：C4. 半导体器件中的PN结在正向偏置时，其导电性能如何变化？A. 显著增加B. 显著减少C. 保持不变D. 完全断开答案：A5. 下列哪种效应不是半导体二极管的特性？A. 整流效应B. 光敏效应C. 发光效应D. 热电效应答案：D二、多项选择题（每题3分，共5题，满分15分）1. 半导体材料的能带结构包括：A. 导带B. 价带C. 禁带D. 能隙答案：A, B, C2. 半导体器件中的PN结具有以下哪些特性？A. 单向导电性B. 高频响应性C. 温度敏感性D. 光敏性答案：A, C3. 以下哪些因素会影响半导体材料的电子迁移率？A. 材料纯度B. 掺杂浓度C. 温度D. 光照强度答案：A, B, C4. 半导体器件中的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）具有以下哪些特点？A. 高输入阻抗B. 低噪声C. 高功率损耗D. 良好的隔离性答案：A, B, D5. 下列哪些是半导体器件的常见应用领域？A. 计算机B. 通信设备C. 医疗设备D. 家用电器答案：A, B, C, D三、简答题（每题5分，共2题，满分10分）1. 简述半导体材料的主要特性。
答案：半导体材料的主要特性包括介于导体和绝缘体之间的电导率，具有能带结构，可以通过掺杂改变其电学性质，以及对温度、光照等外界条件敏感。
2. 描述PN结的形成过程及其工作原理。
答案：PN结是通过将P型半导体和N型半导体紧密接触形成的一种结构。
半导体或芯片岗位招聘笔试题与参考答案2025年
2025年招聘半导体或芯片岗位笔试题与参考答案(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、在半导体工艺中，使用多种类型的光刻胶，其中最常用于大规模集成电路生产的是（）。
A. GRI-45B. GRI-25C. GRI-46D. GRI-422、MOS（金属-氧化物-半导体）制作技术中，晶体管结构所采用的材料中不包括（）。
A. 金属B. 绝缘体C. 导电材料D. 电阻体3.在半导体制造工艺中，以下哪个步骤不属于典型的半导体制造流程？A. 氧化B.光刻C. 薄膜沉积D. 清洗4.下列哪种材料是用于制作半导体器件的理想材料？A. 铜B. 锌C. 石墨D. 硅5、以下哪个半导体工艺技术能够实现更小的晶体管尺寸？A、传统CMOS工艺B、FinFET工艺C、GAAFET工艺D、平面晶体管工艺6、在半导体制造过程中，以下哪个步骤是为了提高硅片的纯度？A、扩散B、蚀刻C、清洗D、热处理7、半导体材料中最常用的材料是什么？（）A. 硅（Si）B. 铜（Cu）C. 金（Au）D. 镁（Mg）8、在芯片制造过程中，光刻技术的主要作用是什么？（）A. 去除不需要的材料B. 增加材料的功能性C. 将电路设计图案转移到硅片上D. 加热固化硅片结构9.在半导体制造工艺中，以下哪个步骤不属于典型的CMOS工艺流程？A. 氧化硅膜沉积B. 光刻C. 切割D. 离子注入 10.在半导体器件中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的主要组成部分包括：A. 沟道区B. 源极C. 栅极D. 上述全部二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪个物理现象通常用于提高晶体管开关速度？（）A、短沟道效应B、量子隧道效应C、沟道极化D、多晶硅栅极2、在数字电路中，一种常见的数字缓冲器是 _ 。
（）A、反馈触发器B、D触发器C、三态缓冲器D、差分放大器3.以下关于半导体材料的说法正确的是（）：A. SiC的禁带宽度比 Si 更宽B. GaN的发光效率比 Si 更高C. InGaAs 的电子迁移率比 Si 更快D. ZnSe可以用于制造红光 LED4.在半导体器件制造中，对于离子注入工艺，正确的工作原则包括（）：A. 离子注入可以形成三维空间中的杂质分布B. 注入离子可以改变晶格特性，增强材料强度C. 注入离子能量过高，可能导致晶体缺陷D. 离子注入温度应当尽可能高，以提高注入效率5.半导体芯片制造过程中，哪些步骤通常需要使用光刻技术？A. 芯片设计B. 光刻C. 薄膜沉积D. 金属化6.在半导体器件中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的主要组成部分包括：A. 沟道区B. 源极C. 次沟道区D. 栅极7、在半导体的制造过程中，以下哪个工艺步骤不用于清洗晶圆？A. 刻蚀B. 化学机械抛光C. 清洁去毛刺D.湿法沉积8、在半导体制造过程中，以下哪种类型的晶圆对齐是用来确保图案精确地转移到光罩上的？A. 接触式对准B. 深亚微米对准C. 缩放对准D. 光学对准9.在半导体行业中，晶体管通常分为两种类型：双极型晶体管（BJTs）和场效应晶体管（FETs）。
半导体物理与器件考核试卷
B.硅化
C.硼化
D.镍化
17.在半导体工艺中，以下哪些步骤属于前道工艺？（）
A.光刻
B.蚀刻
C.离子注入
D.镀膜
18.以下哪些材料常用于半导体器件的互连？（）
A.铝
B.铜导线
C.镓
D.硅
19.在半导体物理中，以下哪些现象与载流子的复合有关？（）
A.发射
B.复合
C.陷阱
D.所有上述现象
20.以下哪些因素会影响半导体激光器的阈值电流？（）
半导体物理与器件考核试卷
考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________
一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）
1.半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间，主要因为其（）
C. Nitrogen（氮的）
D. Excess electrons（过剩电子）
5. P-N结在反向偏置时，其内部的电场强度（）
A.减小
B.增大
C.消失
D.不变
6.以下哪个不是太阳能电池的工作原理？（）
A.光电效应
B.热电效应
C.光生伏特效应
D.量子效应
7.在MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）中，MOS电容的C-V特性曲线中，积累区对应于（）
18. A, B
19. D
20. D
三、填空题
1.禁带
2.电子
3.降低
4.金属-氧化物-半导体
5.温度
6.栅氧化层质量
7.紫外光
8.能级
9.玻尔兹曼分布
10.温度
半导体物理试题及答案
半导体物理试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间，这是由于（）。
A. 半导体的原子结构B. 半导体的电子结构C. 半导体的能带结构D. 半导体的晶格结构答案：C2. 在半导体中，电子从价带跃迁到导带需要（）。
A. 吸收能量B. 释放能量C. 吸收光子D. 释放光子答案：A3. PN结形成的基础是（）。
A. 杂质掺杂B. 温度变化C. 压力变化D. 磁场变化答案：A4. 半导体器件中的载流子主要是指（）。
A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 光子答案：C5. 半导体的掺杂浓度越高，其导电性能（）。
A. 越好B. 越差C. 不变D. 先变好再变差答案：A二、填空题（每题2分，共20分）1. 半导体的导电性能可以通过改变其________来调节。
答案：掺杂浓度2. 半导体的能带结构中，价带和导带之间的能量差称为________。
答案：带隙3. 在半导体中，电子和空穴的复合现象称为________。
答案：复合4. 半导体器件中的二极管具有单向导电性，其导通方向是从________到________。
答案：阳极阴极5. 半导体的PN结在外加正向电压时，其内部电场会________。
答案：减弱三、简答题（每题10分，共30分）1. 简述半导体的掺杂原理。
答案：半导体的掺杂原理是指通过向半导体材料中掺入少量的杂质元素，改变其电子结构，从而调节其导电性能。
掺入的杂质元素可以是施主杂质（如磷、砷等），它们会向半导体中引入额外的电子，形成N型半导体；也可以是受主杂质（如硼、铝等），它们会在半导体中形成空穴，形成P型半导体。
2. 描述PN结的工作原理。
答案：PN结是由P型半导体和N型半导体结合而成的结构。
在PN结中，P型半导体的空穴会向N型半导体扩散，而N型半导体的电子会向P型半导体扩散。
由于扩散作用，会在PN结的交界面形成一个内建电场，该电场会阻止更多的载流子通过PN结。
半导体试卷(经典考题)
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零一零至二零一一学年第一学期期末考试1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D ）A. 平衡载流子浓度成正比B. 非平衡载流子浓度成正比C. 平衡载流子浓度成反比D. 非平衡载流子浓度成反比2．有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲．含铝1×10-15cm-3乙.含硼和磷各1×10-17cm-3丙.含镓1×10-17cm-3室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是（C ）A.甲乙丙B. 甲丙乙C. 乙甲丙D. 丙甲乙3．题2中样品的电子迁移率由高到低的顺序是（ B ）4．题2中费米能级由高到低的顺序是（ C ）5. 欧姆接触是指（ D ）的金属一半导体接触A. Wms = 0 B. Wms< 0C. Wms> 0 D. 阻值较小且具有对称而线性的伏安特性6．有效复合中心的能级必靠近( A )A.禁带中部B.导带C.价带D.费米能级7．当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（C ）A.1/n0B.1/△nC.1/p0D.1/△p8．半导体中载流子的扩散系数决定于其中的( A )A.散射机构B. 复合机构C.杂质浓变梯度D.表面复合速度9．MOS 器件绝缘层中的可动电荷是（ C ）A. 电子B. 空穴C. 钠离子D. 硅离子10．以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是（ D ）A. SiB. GeC. GaAsD. GaN二、解释并区别下列术语的物理意义（30 分，7+7+8+8，共4 题）1. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量（7 分）答：有效质量：由于半导体中载流子既受到外场力作用，又受到半导体内部周期性势场作用。
有效概括了半导体内部周期性势场的作用，使外场力和载流子加速度直接联系起来。
在直接由实验测得的有效质量后，可以很方便的解决电子的运动规律。
高级半导体试题及答案
高级半导体试题及答案一、选择题（每题2分，共10分）1. 下列哪种材料通常被用来制作半导体器件？A. 石英B. 玻璃C. 硅D. 木材答案：C2. 半导体的导电性介于哪种两种材料之间？A. 金属和绝缘体B. 金属和超导体C. 绝缘体和超导体D. 金属和塑料答案：A3. 下列哪个效应是半导体特有的？A. 光电效应B. 霍尔效应C. 热电效应D. 所有选项答案：D4. PN结的正向偏置是指：A. P区接正电，N区接负电B. P区接负电，N区接正电C. P区和N区都接正电D. P区和N区都接负电答案：A5. 下列哪种器件不是半导体器件？A. 二极管B. 三极管C. 电容器D. 场效应管答案：C二、填空题（每题2分，共10分）1. 半导体材料的导电性可以通过改变其________来控制。
答案：掺杂2. 半导体器件中的PN结在正向偏置时，其导电性会________。
答案：增加3. 在半导体中，电子的流动被称为________。
答案：电子电流4. 半导体器件的制造过程中，通常需要进行________工艺。
答案：光刻5. 半导体材料的能带结构中，价带和导带之间的能量差称为________。
答案：能隙三、简答题（每题5分，共20分）1. 简述半导体材料的掺杂过程及其对导电性的影响。
答案：半导体材料的掺杂过程是指在纯净的半导体材料中有意地掺入少量的杂质原子，这些杂质原子可以是五价元素（如磷、砷）或三价元素（如硼、铝）。
掺入五价元素时，会形成n型半导体，因为每个杂质原子会提供一个额外的自由电子，从而增加材料的电子浓度；掺入三价元素时，会形成p型半导体，因为每个杂质原子会缺少一个电子，形成空穴，从而增加材料的空穴浓度。
掺杂过程显著提高了半导体的导电性。
2. 解释什么是PN结，并说明其在电子器件中的作用。
答案：PN结是由P型半导体和N型半导体紧密接触形成的结构。
在PN结中，P区的空穴和N区的电子会相互扩散，形成一个耗尽区，该区域的载流子浓度非常低，因此具有很高的电阻。
半导体入厂考试题及答案
半导体入厂考试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料中，硅（Si）和锗（Ge）属于哪一类半导体？A. 本征半导体B. 元素半导体C. 复合半导体D. 绝缘体答案：B2. 在半导体工艺中，光刻技术主要用于实现以下哪个步骤？A. 氧化B. 扩散C. 刻蚀D. 离子注入答案：C3. 下列哪个参数是衡量半导体材料导电能力的重要指标？A. 载流子浓度B. 禁带宽度C. 电子亲和力D. 晶格常数答案：A4. PN结在正向偏置时，下列哪个现象会发生？A. 耗尽区变宽B. 耗尽区变窄C. 电流增加D. 电流减少答案：B5. 半导体器件中的MOSFET是哪种类型的晶体管？A. 双极型晶体管B. 金属氧化物半导体场效应晶体管C. 结型场效应晶体管D. 绝缘栅双极晶体管答案：B6. 在半导体制造过程中，CMP（化学机械抛光）技术的主要作用是什么？A. 提高表面平整度B. 增加材料的导电性C. 减少材料的电阻率D. 提高材料的机械强度答案：A7. 半导体器件中的二极管在反向偏置时，其导电特性如何？A. 导电性增强B. 导电性减弱C. 几乎不导电D. 导电性不变答案：C8. 下列哪个因素会影响半导体器件的热稳定性？A. 材料的热导率B. 器件的封装C. 环境温度D. 所有以上选项答案：D9. 在半导体工艺中，湿法刻蚀和干法刻蚀的主要区别是什么？A. 刻蚀速率B. 刻蚀方向性C. 使用的刻蚀介质D. 刻蚀后的表面粗糙度答案：C10. 半导体器件中的晶体管在饱和区工作时，其漏电流如何变化？A. 随栅极电压变化B. 随漏极电压变化C. 几乎不变D. 随源极电压变化答案：C二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 半导体材料的掺杂可以是以下哪些类型的杂质？A. N型掺杂B. P型掺杂C. 同质掺杂D. 异质掺杂答案：A, B2. 半导体器件中的MOSFET在以下哪些区域工作时，其漏电流会显著增加？A. 饱和区B. 线性区C. 截止区D. 亚阈值区答案：A, B3. 下列哪些因素会影响半导体器件的电学特性？A. 掺杂浓度B. 温度C. 光照D. 湿度答案：A, B, C, D4. 半导体工艺中的氧化过程可以产生以下哪些类型的氧化物？A. 二氧化硅B. 三氧化二铝C. 氧化铟D. 氧化锌答案：A5. 在半导体器件设计中，以下哪些参数需要考虑以优化器件性能？A. 阈值电压B. 载流子迁移率C. 漏电流D. 击穿电压答案：A, B, C, D三、判断题（每题1分，共10分）1. 半导体材料的禁带宽度越小，其导电性越好。
半导体应聘考试题库及答案
半导体应聘考试题库及答案1. 半导体材料的基本特性是什么？答案：半导体材料的基本特性是其电导率介于导体和绝缘体之间，并且可以通过掺杂、温度变化等手段调节其电导率。
2. 什么是PN结？答案：PN结是半导体中的一种结构，由P型半导体和N型半导体接触形成。
在PN结中，由于P型和N型半导体的电子和空穴浓度不同，会在接触面形成内建电场，阻止载流子的进一步扩散。
3. 请解释MOSFET的工作原理。
答案：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的工作原理是通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的导电沟道。
当栅极电压达到一定阈值时，沟道形成，电流可以在源极和漏极之间流动。
4. 半导体制造中光刻技术的作用是什么？答案：光刻技术在半导体制造中用于将电路图案精确地转移到硅片上。
通过光刻技术，可以制造出具有微米甚至纳米级精度的电路结构。
5. 什么是半导体的能带结构？答案：半导体的能带结构是指半导体中电子能量的分布情况，包括价带、禁带和导带。
电子在价带中是束缚态，在导带中是自由态，而禁带则是电子不能占据的能量区域。
6. 请简述半导体的掺杂过程。
答案：半导体的掺杂过程是指在纯净的半导体材料中掺入少量的杂质元素，以改变其电学性质。
掺杂可以是P型（掺入三价元素）或N型（掺入五价元素），从而形成P型或N型半导体。
7. 什么是CMOS技术？答案：CMOS（互补金属氧化物半导体）技术是一种集成电路制造技术，它结合了N型和P型MOSFET，利用两者的互补特性来实现低功耗、高速度的数字电路。
8. 半导体器件中的击穿现象是什么？答案：半导体器件中的击穿现象是指当器件两端的电压超过其最大耐受电压时，器件内部的电场强度急剧增加，导致电流急剧上升，器件损坏的现象。
9. 请解释半导体的霍尔效应。
答案：半导体的霍尔效应是指当半导体材料置于垂直于电流方向的磁场中时，由于洛伦兹力的作用，载流子会发生偏移，从而在半导体的横向产生电压差的现象。
10. 什么是半导体的热电效应？答案：半导体的热电效应是指半导体材料在温度梯度作用下，由于载流子的扩散和漂移，会在材料中产生电动势的现象。
半导体器件期末考试试题
半导体器件期末考试试题# 半导体器件期末考试试题## 一、选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间，这是因为： - A. 温度影响- B. 掺杂效应- C. 晶格结构- D. 电子空穴对2. PN结形成后，其两侧的电势差是：- A. 正值- B. 负值- C. 零- D. 无法确定3. 下列哪个不是半导体器件的特性参数：- A. 载流子浓度- B. 迁移率- C. 击穿电压- D. 频率响应4. MOSFET的全称是：- A. 金属-氧化物-半导体场效应晶体管- B. 金属-半导体-氧化物场效应晶体管- C. 金属-氧化物-半导体二极管- D. 金属-氧化物-半导体变容二极管5. 以下哪个是半导体器件的制造工艺：- A. 光刻- B. 焊接- C. 铸造- D. 热处理## 二、简答题（每题10分，共30分）1. 简述PN结的工作原理及其在半导体器件中的应用。
2. 描述MOSFET的工作原理，并说明其在集成电路设计中的重要性。
3. 解释半导体材料的掺杂过程，并举例说明掺杂对半导体器件性能的影响。
## 三、计算题（每题25分，共50分）1. 假设一个N型半导体的掺杂浓度为\[10^{15}\] cm\[^{-3}\]，计算其在室温下的电子浓度。
假设电子的亲和力为0.7eV。
2. 给定一个PN结，其正向偏置电压为0.7V，反向击穿电压为100V。
若PN结处于反向偏置状态，计算其反向偏置电压为50V时的耗尽区宽度。
假设耗尽区宽度与电压的关系为线性。
## 四、论述题（共30分）1. 论述半导体器件在现代电子技术中的重要性，并展望其在未来技术发展中的潜在应用。
请注意，以上试题仅为示例，实际考试内容可能根据教学大纲和课程内容有所不同。
考生应根据所学知识和理解，认真作答。
半导体工厂试题及答案
半导体工厂试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料中，硅（Si）的导电性介于以下哪种材料之间？A. 金属B. 绝缘体C. 导体D. 超导体答案：A2. 下列哪种掺杂方式可以增加半导体的导电性？A. N型掺杂B. P型掺杂C. 无掺杂D. 以上都不是答案：A3. 在半导体制造过程中，光刻技术主要用于以下哪个步骤？A. 氧化B. 扩散C. 离子注入D. 抛光答案：C4. 下列哪种材料通常用于半导体器件的绝缘层？A. 硅B. 硅酸盐C. 硅氧化合物D. 硅化物答案：C5. 半导体器件的PN结在正向偏置时，其导电性如何变化？A. 增加B. 减少C. 不变D. 无法确定答案：A6. 下列哪种现象不是半导体器件的特性？A. 光敏效应B. 热敏效应C. 磁敏效应D. 超导效应答案：D7. 在半导体工艺中，CMOS技术指的是什么？A. 互补金属氧化物半导体B. 共面金属氧化物半导体C. 互补金属半导体D. 共面金属半导体答案：A8. 下列哪种材料不适用于制造半导体器件？A. 硅B. 锗C. 铜D. 砷化镓答案：C9. 在半导体器件中，晶体管的放大作用是通过改变哪个参数来实现的？A. 电流B. 电压C. 电阻D. 电容答案：B10. 下列哪种技术不是用于提高半导体器件性能的？A. 减小特征尺寸B. 增加掺杂浓度C. 增加工作温度D. 使用多门器件答案：C二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 下列哪些因素会影响半导体器件的性能？A. 温度B. 光照C. 湿度D. 电压答案：A、B、D2. 在半导体制造过程中，下列哪些步骤需要精确控制？A. 光刻B. 扩散C. 抛光D. 封装答案：A、B、D3. 下列哪些材料可以作为半导体的掺杂剂？A. 硼B. 磷C. 铜D. 砷答案：A、B、D4. 下列哪些技术是用于提高半导体器件集成度的？A. 减小特征尺寸B. 使用多层互连C. 增加工作电压D. 采用3D集成答案：A、B、D5. 下列哪些因素会影响半导体器件的可靠性？A. 材料纯度B. 工艺控制C. 工作温度D. 环境湿度答案：A、B、C、D三、填空题（每题2分，共10分）1. 半导体材料的导电性介于______和______之间。
半导体应聘考试题库及答案
半导体应聘考试题库及答案1. 半导体材料的基本特性是什么？答案：半导体材料的基本特性包括介于导体和绝缘体之间的电导率，对温度、光照、杂质等外界条件敏感，具有P型和N型半导体，以及能带结构中的价带和导带。
2. 什么是PN结？答案：PN结是由P型半导体和N型半导体相互接触形成的结构，其特点是在接触面附近形成一个耗尽区，具有单向导电性。
3. 描述MOSFET的工作原理。
答案：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的工作原理基于在栅极上施加电压来控制源极和漏极之间的导电沟道的形成与消失，从而实现对电流的控制。
4. 半导体制造过程中的光刻技术是什么？答案：光刻技术是半导体制造过程中用于将电路图案从掩模转移到硅片上的一种技术，主要通过紫外光照射使光刻胶曝光，然后通过显影过程形成所需的图案。
5. 简述半导体器件中的欧姆接触。
答案：欧姆接触是指在金属和半导体之间形成的低阻抗接触，允许电流在两者之间自由流动，无明显的电压降。
6. 什么是半导体的掺杂？答案：掺杂是在纯净半导体中有意加入微量的杂质元素，以改变半导体的电学性质，制造P型或N型半导体材料。
7. 描述半导体中的能带结构。
答案：半导体的能带结构包括价带和导带，价带中的电子满带不导电，导带中的电子为空带可导电，两者之间的区域称为禁带，电子需要吸收能量才能从价带跃迁到导带。
8. 半导体器件中的PNP和NPN双极型晶体管有何不同？答案：PNP双极型晶体管由P型、N型、P型半导体材料组成，而NPN双极型晶体管由N型、P型、N型半导体材料组成。
两者的主要区别在于载流子类型和电流流动方向。
9. 半导体中的载流子有哪些？答案：半导体中的载流子包括电子和空穴，电子是负电荷载流子，空穴是正电荷载流子。
10. 什么是半导体的热电效应？答案：半导体的热电效应是指在半导体中由于温度梯度引起的电荷载流子浓度梯度，进而产生电压的现象，常见的应用有热电偶和热电发电机。
半导体物理试题库及答案
半导体物理试题库及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在半导体中，电子从价带跃迁到导带所需能量的最小值称为：A. 禁带宽度B. 费米能级C. 载流子浓度D. 电子亲和能答案：A2. 下列哪种半导体材料的禁带宽度大于硅？A. 锗B. 砷化镓C. 硅D. 碳化硅答案：D3. PN结在正向偏置时，其导电性能主要取决于：A. 电子B. 空穴C. 杂质D. 复合答案：B4. 半导体器件中，二极管的导通电压通常为：A. 0.2VB. 0.7VC. 1.5VD. 3.3V答案：B5. 在半导体物理学中，霍尔效应可以用来测量：A. 载流子浓度B. 载流子迁移率C. 载流子类型D. 所有以上答案：D二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 下列哪些因素会影响半导体的载流子浓度？（多选）A. 温度B. 光照C. 杂质浓度D. 材料类型答案：ABCD2. 半导体器件的能带结构包括：A. 价带B. 导带C. 禁带D. 费米能级答案：ABC3. 下列哪些是半导体材料的特性？（多选）A. 导电性介于导体和绝缘体之间B. 导电性随温度升高而增加C. 导电性随光照强度增加而增加D. 导电性随杂质浓度增加而增加答案：ABCD三、填空题（每空1分，共20分）1. 半导体材料的导电性可以通过掺杂来改变，其中掺入____类型的杂质可以增加载流子浓度。
答案：施主2. 在PN结中，当外加电压的方向与PN结内电场方向相反时，称为______偏置。
答案：反向3. 半导体材料的导电性随温度升高而______。
答案：增加4. 半导体器件的能带结构中，价带和导带之间的区域称为______。
答案：禁带5. 霍尔效应测量中，当载流子受到垂直于电流方向的磁场作用时，会在垂直于电流和磁场的方向上产生______。
答案：霍尔电压四、简答题（每题5分，共10分）1. 简述半导体材料的导电机制。
答案：半导体材料的导电机制主要涉及价带中的电子获得足够能量跃迁到导带，从而成为自由电子，同时在价带中留下空穴。
半导体物理基础与器件原理考核试卷
4. 二极管的主要参数包括正向电压和________。
答案：
5. 晶体管的工作状态包括________、饱和和截止。
答案：
6. 场效应晶体管（FET）的输入阻抗比双极型晶体管（BJT）的输入阻抗________。
答案：
7. LED的发光颜色取决于其材料的________。
答案：
8. 太阳能电池的转换效率受到________、材料类型和环境温度等因素的影响。
3. BJT基于电子和空穴的复合与扩散，FET基于电场控制载流子流动。BJT适用于模拟放大，FET适用于数字开关和模拟放大，FET输入阻抗高，开关速度快。
4. 太阳能电池通过光生伏特效应将光能转换为电能。效率受材料类型、表面纹理、环境温度影响。提高效率可通过优化材料、设计表面纹理、使用太阳能跟踪系统等。
11. BD
12. ABCD
13. ABC
14. ABC
15. ABCD
16. ABCD
17. ABC
18. ABCD
19. ABC
20. ABCD
三、填空题
1. 本征
2. 掺杂浓度、温度
3. 反向；正向
4. 反向饱和电流
5. 放大
6. 高
7. 禁带宽度
8. 材料类型、结构设计
9. 光刻胶
10. 与
A. FET有一个栅极，BJT没有
B. BJT有一个基极，FET没有
C. FET的源极和漏极可以互换，BJT不行
D. BJT使用PN结，FET使用金属-半导体结
13. 在MOSFET中，当栅极电压低于阈值电压时，器件处于（ ）状态。
A. 导通
B. 截止
C. 饱和
D. 反向导通
半导体期末试题及答案
半导体期末试题及答案[第一部分：选择题]1. 西格玛公司的闸流体是一种常见的半导体器件，其特点是：A. 具有较大的工作电压和电流B. 可以在高频率下工作C. 具有较大的输入电阻和输出电流D. 可以作为开关来控制电流答案：D2. 对于半导体材料来说，硅的能隙是：A. 0.7eVB. 1.1eVC. 1.4eVD. 1.7eV答案：C3. 在PN结的空间电荷区，以下哪个说法是正确的？A. N区内由于施主杂质的存在，有较多的自由电子B. P区内由于受主杂质的存在，有较多的空穴C. 空间电荷区中，有较多的固定正、负离子D. 空间电荷区中，能级呈谷布尔分布答案：C4. 当PN结处于正向偏置时，以下说法正确的是：A. P区电子进入N区B. N区电子进入P区C. P区空穴进入N区D. N区空穴进入P区答案：B5. 以下关于晶体管的说法，错误的是：A. 晶体管由三个电极组成，分别是基极、发射极和集电极B. PNP型晶体管的发射区域是N区C. PNP型晶体管的集电区域是P区D. 晶体管是一种电流放大器件答案：A[第二部分：填空题]1. 临界击穿电压是指______。
答案：PN结电容器击穿时所需要的最小电压。
2. 在增强型N沟道MOSFET中，当栅极电压大于门槽压的时候，沟道位置______。
答案：低电位区（Depletion Region）3. 理想二极管的伏安特性曲线是一条______。
答案：指数函数曲线。
4. 晶体管的三个工作区分别是______。
答案：截止区、放大区、饱和区。
5. TTL门电路是由______和______两种类型的晶体管构成。
答案：NPN型晶体管和PNP型晶体管。
[第三部分：计算题]1. 一台功率为500W的LED照明灯需要工作电压为3.5V、工作电流为100mA的LED作为光源。
计算此照明灯所需的串并联关系和所需电阻值。
设LED的工作电压为Vf，工作电流为If。
串联LED的总电压为Us，并联LED的总电流为Ip。
半导体试题及答案
半导体试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电性介于金属和绝缘体之间，这是因为：A. 半导体材料内部存在大量的自由电子B. 半导体材料内部存在大量的空穴C. 半导体材料的能带结构D. 半导体材料的晶格结构答案：C2. 下列哪种掺杂方式可以增加半导体的导电性？A. N型掺杂B. P型掺杂C. 同时进行N型和P型掺杂D. 不进行任何掺杂答案：A3. 半导体的PN结在正向偏置时，其导通的原因是：A. 电子从P区注入N区B. 空穴从N区注入P区C. 电子和空穴的复合D. 电子和空穴的注入答案：D4. 半导体器件中，晶体管的放大作用主要依赖于：A. 基极电流B. 发射极电流C. 集电极电流D. 所有电流的总和5. 下列哪种材料不适合作为半导体材料？A. 硅B. 锗C. 铜D. 砷化镓答案：C6. 半导体器件的最小特征尺寸缩小，可以带来以下哪些好处？A. 降低成本B. 提高速度C. 减少功耗D. 所有以上答案：D7. 在半导体工艺中，光刻技术主要用于：A. 制造晶体管B. 制造集成电路C. 制造绝缘体D. 制造导线答案：B8. 半导体的能带理论中，价带和导带之间的区域被称为：A. 能隙B. 能级C. 能带D. 能区答案：A9. 下列哪种半导体器件具有记忆功能？B. 晶体管C. 存储器D. 逻辑门答案：C10. 半导体器件的热稳定性主要取决于：A. 材料的热导率B. 器件的散热设计C. 器件的制造工艺D. 所有以上答案：D二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 半导体材料的特性包括：A. 导电性B. 绝缘性C. 半导体性D. 磁性答案：AC2. 下列哪些因素会影响半导体器件的性能？A. 温度B. 湿度C. 光照D. 电压答案：ABC3. 半导体器件的类型包括：A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电阻答案：ABC4. 下列哪些是半导体材料的掺杂元素？A. 硼B. 磷C. 铜D. 锗答案：AB5. 在半导体工艺中，下列哪些步骤是必要的？A. 清洗B. 氧化C. 蒸发D. 抛光答案：ABC三、填空题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电性主要依赖于______。
半导体考研试卷真题
半导体考研试卷真题一、选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料中，电子和空穴的浓度主要取决于（）A. 温度B. 掺杂元素C. 晶格结构D. 电子的迁移率2. PN结在正向偏置时，其导电机制是（）A. 电子和空穴的扩散B. 电子的漂移C. 空穴的漂移D. 电子和空穴的复合3. 下列哪个参数是描述半导体材料导电性能的指标？（）A. 载流子浓度B. 晶格常数C. 晶格缺陷D. 晶格振动4. 半导体器件中，MOSFET的工作原理是基于（）A. 电子的漂移B. 电子的扩散C. 量子隧穿效应D. 载流子的迁移率5. 在半导体器件设计中，通常采用什么方法来减小PN结的电容效应？（）A. 增加掺杂浓度B. 减少掺杂浓度C. 增加PN结的面积D. 减小PN结的面积6. 半导体的能带结构中，价带和导带之间的能量差称为（）A. 费米能级B. 禁带宽度C. 载流子浓度D. 电子亲和能7. 半导体激光器的工作原理是基于（）A. 电子的漂移B. 电子的扩散C. 电子和空穴的复合D. 电子的量子隧穿8. 在半导体器件中，温度升高时，PN结的正向偏置电压将（）A. 增大B. 减小C. 保持不变D. 先增大后减小9. 下列哪个因素会影响半导体材料的载流子寿命？（）A. 温度B. 掺杂浓度C. 晶格缺陷D. 所有上述因素10. 半导体器件的可靠性测试中，通常采用哪种方法来加速器件老化？（）A. 增加工作电压B. 增加工作温度C. 增加工作频率D. 增加工作电流二、简答题（每题10分，共30分）1. 简述半导体材料的导电机制，并解释为什么半导体的导电性能可以通过掺杂来调控。
2. 解释什么是PN结，并描述PN结在正向偏置和反向偏置时的物理现象。
3. 说明MOSFET的工作原理，并简述其在集成电路设计中的应用。
三、计算题（每题25分，共50分）1. 假设一个PN结的正向偏置电压为0.7V，求在室温下（T=300K）的扩散电流和漂移电流。
半导体材料检测考核试卷
B.四点探针测试
C. CV测试
D.光谱分析
5.半导体材料的光电特性包括以下哪些？（）
A.光生伏特效应
B.光电导效应
C.量子效率
D.介电常数
6.以下哪些材料可以作为半导体器件的绝缘层？（）
A.硅氧化物
B.硅氮化物
C.聚酰亚胺
D.金
7.下列哪些因素会影响PN结的正向电流？（）
A.温度
B.掺杂浓度
C.热电子发射
D.磁阻效应
17.以下哪种技术常用于半导体材料的薄膜制备？（）
A.磁控溅射
B.化学气相沉积
C.热蒸发
D.以上都是
18.下列哪种材料不适合用于高频、高速半导体器件？（）
A.硅
B.砷化镓
C.硅锗合金
D.碳纳米管
19.以下哪种现象是半导体材料的光电导效应？（）
A.光照条件下，电阻率降低
B.光照条件下，电阻率增大
4.讨论半导体材料在光电子器件中的应用，并举例说明半导体材料在光电子技术中的重要作用。
标准答案
一、单项选择题
1. C
2. C
3. C
4. D
5. B
6. D
7. A
8. A
9. D
10. A
11. D
12. B
13. A
14. D
15. C
16. D
17. A
18. C
19. A
20. A
二、多选题
B.电流减小，电压增大
C.电流减小，电压降低
D.电流增大，电压增大
11.下列哪种材料具有最高的热导率？（）
A.硅
B.锗
C.碳纳米管
D.金
半导体物理学试题及答案
半导体物理学试题及答案(总6页) --本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--半导体物理学试题及答案半导体物理学试题及答案(一) 一、选择题1、如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以( A )导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以( E )导电为主;如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以( C )导电为主。
A、本征B、受主C、空穴D、施主E、电子2、受主杂质电离后向半导体提供( B )，施主杂质电离后向半导体提供( C )，本征激发向半导体提供( A )。
A、电子和空穴B、空穴C、电子3、电子是带( B )电的( E );空穴是带( A )电的( D )粒子。
A、正B、负C、零D、准粒子E、粒子4、当Au掺入Si中时，它是( B )能级，在半导体中起的是( D )的作用;当B掺入Si中时，它是( C )能级，在半导体中起的是( A )的作用。
A、受主B、深C、浅D、复合中心E、陷阱5、 MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型( A )。
A、相同B、不同C、无关6、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是( B )。
A、变大，变小 ;B、变小，变大;C、变小，变小;D、变大，变大。
7、砷有效的陷阱中心位置(B )A、靠近禁带中央B、靠近费米能级8、在热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( D )，当温度大于热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( A )。
A、大于1/2B、小于1/2C、等于1/2D、等于1E、等于09、如图所示的P型半导体MIS结构的C-V特性图中，AB段代表( A)，CD段代表( B )。
A、多子积累B、多子耗尽C、少子反型D、平带状态10、金属和半导体接触分为：( B )。
A、整流的肖特基接触和整流的欧姆接触B、整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触C、非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触D、非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触11、一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t?后，其中非平衡载流子将衰减为原来的( A )。
半导体复习题(带答案)
半导体物理复习题一、选择题1. 硅晶体结构是金刚石结构，每个晶胞中含原子个数为（ D ）P1 A. 1 B. 2 C. 4 D. 82．关于本征半导体，下列说法中错误的是（ C ）P65A. 本征半导体的费米能级E F =E i 基本位于禁带中线处B. 本征半导体不含有任何杂质和缺陷C. 本征半导体的费米能级与温度无关，只决定于材料本身D. 本征半导体的电中性条件是qn 0=qp 03．非平衡载流子的复合率定义为单位时间单位体积净复合消失的电子-空穴对数。
下面表达式中不等于复合率的是（ D ）P130 A.p τΔp B. ()[]dt t Δp d - C. n τΔn D. τ1 4．下面pn 结中不属于突变结的是（ D ）P158、159 A.合金结 B.高表面浓度的浅扩散p +n 结C.高表面浓度的浅扩散n +p 结D. 低表面浓度的深扩散结 5.关于pn 结，下列说法中不正确的是（ C ）P158、160 A. pn 结是结型半导体器件的心脏。
B. pn 结空间电荷区中的内建电场起着阻碍电子和空穴继续扩散的作用。
C.平衡时，pn 结空间电荷区中正电荷区和负电荷区的宽度一定相等。
。
6. 对于小注入下的N 型半导体材料，下列说法中不正确的是（ B ）P128 A. 0n n <<∆ B. 0p p <<∆ C. =∆n p ∆ D. 0n p <<∆7.关于空穴，下列说法不正确的是（ C ）P15A. 空穴带正电荷 B ．空穴具有正的有效质量 C ．空穴同电子一样都是物质世界中的实物粒子 D ．半导体中电子空穴共同参与导电8. 关于公式2i np n =，下列说法正确的是（ D ）P66、67A.此公式仅适用于本征半导体材料B. 此公式仅适用于杂质半导体材料C. 此公式不仅适用于本征半导体材料，也适用于杂质半导体材料D.对于非简并条件下的所有半导体材料，此公式都适用9. 对于突变结中势垒区宽度D X ，下面说法中错误的是（C ）P177 A. p +n 结中n D x X ≈ B. n +p 结中p D x X ≈ C. D X 与势垒区上总电压D V V -成正比D. D X 与势垒区上总电压D V V -的平方根成正比10. 关于有效质量，下面说法错误的是（D ）P13、14 A. 有效质量概括了半导体内部势场的作用B. 原子中内层电子的有效质量大，外层电子的有效质量小C. 有效质量可正可负D. 电子有效质量就是电子的惯性质量。
物理学：半导体材料考试试题
物理学：半导体材料考试试题1、问答题什么是CMOS技术？什么是ASIC？正确答案：CMOS（互补型金属氧化物半导体）技术：将成对的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）集成在一块硅片上。
使集成电路有功耗（江南博哥）低，工作电压范围宽，逻辑摆幅大，使电路抗干扰能力强，隔离栅结构使CMOS器件的输入电阻极大，从而使CMOS期间驱动同类逻辑门的能力比其他系列强得多。
ASIC：（Application Specific Integrated Circuits）专用集成电路，是指应特定用户要求或特定电子系统的需要而设计、制造的集成电路。
优点是：体积小，重量轻，功耗低，可靠性好，易于获得高性能，保密性好，大批量应用时显著降低成本。
2、单选下列不属于工业吸附要求的是（）。
A.具有较大的内表面，吸附容量大B.具有一定的机械强度，耐热冲击，耐腐蚀C.不易得，昂贵D.容易再生正确答案：C3、问答题解释水的去离子化。
在什么电阻率级别下水被认为已经去离子化？正确答案：用以制造去离子水的去离子化过程是指，用特制的离子交换树脂去除电活性盐类的离子。
18MΩ-cm电阻率级别下水被认为已经去离子化。
4、填空题数字探伤仪测距应使被检部位的最远反射波能够显示在屏幕（）之间。
正确答案：6～9格5、问答题给出投影掩模板的定义。
投影掩模板和光掩模板的区别是什么？正确答案：投影掩膜版是一种透明的平板，在它上面有要转印到硅片上光刻胶层的图形。
投影掩膜版只包括硅片上一部分图形，而光掩膜版包含了整个硅片的芯片阵列并且通过单一曝光转印图形。
6、问答题什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？正确答案：外延层是指在硅的外延中以硅基片为籽晶生长一薄膜层，新的外延层会复制硅片的晶体结构，并且结构比原硅片更加规则。
外延为器件设计者在优化器件性能方面提供了很大的灵活性，例如可以控制外延层掺杂厚度、浓度、轮廓，而这些因素与硅片衬底无关的，这种控制可以通过外延生长过程中的掺杂来实现。
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A.散射机构
B. 复合机构
C.杂质浓变梯度
D.表面复合速度
9．MOS 器件绝缘层中的可动电荷是（ C ）
A.电子
B. 空穴
C. 钠离子
D. 硅离子
10．以下 4 种半导体中最适合于制作高温器件的是（ D ）
A. Si
B. Ge
C. GaAs
D. GaN
得分
二、解释并区别下列术语的物理意义（30 分，7+7+8+8，共 4 题）
2. 扩散长度、牵引长度与德拜长度（7 分） 答：扩散长度：指的是非平衡载流子在复合前所能扩散深入样品的平均距离。由扩散系数
和材料非平衡载流子的寿命决定，即 L = 。(2 分)
牵引长度：指的是非平衡载流子在电场ε作用下，在寿命 时间内所漂移的距离，即
L(ε) = εμ (2 分)
德拜长度：它是徳拜在研究电解质表面极化层时提出的理论上的长度，用来描写正离 子的电场所能影响到电子的最远距离。对于半导体，表面空间电荷层厚度随衬底掺杂浓度 介电常数、表面电势等多种因素而改变，但其厚度的数量级用一个特称长度——德拜长度 LD 表示。(3 分)
1、有一金属 与 n 型 Si 单晶接触 形成 肖特基二极管 ，已 知 Wm=4.7eV，Xs=4.0eV， Nc=1×1019cm-3,ND=1×1015cm-3，半导体的相对介电常数εr=12。若忽略表面态的影响，试计 算在室温下：（ε0=8.85×10-14，q=1.6×10-19C） ① 半导体 Si 的费米能级的位置；(3 分) ② 在零偏压时势垒高度与接触电势差；(4 分) ③ 势垒宽度；(4 分)
电子科技大学二零一零至二零一一学年第一学期期末 考试
1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D ）
A.平衡载流子浓度成正比
B. 非平衡载流子浓度成正比
C. 平衡载流子浓度成反比
D. 非平衡载流子浓度成反比
2．有 3 个硅样品，其掺杂情况分别是：
甲． 含铝 1×10-15cm-3 乙.含硼和磷各 1×10-17cm-3 丙.含镓 1×10-17cm-3
等电子复合中心：在III- V族化合物半导体中掺入一定量与主原子等价的某种杂质原 子，取代格点上的原子。由于杂质原子与主原子之间电性上的差别，中性杂质原子可以束 缚电子或空穴而成为带电中心。带电中心吸引与被束缚载流子符号相反的载流子，形成一 个激子束缚态。这种激子束缚态叫做等电子复合中心。(4 分)
得分
三、 问答题（共 20 分，10＋10，共二题）
1. 如金属和一 p 型半导体形成金属－半导体接触，请简述在什么条件下，形成的哪两种不 同电学特性的接触，说明半导体表面的能带情况，并画出对应的 I-V 曲线。（忽略表面态的 影响）（10 分） 答：在金属和 p 型半导体接触时，如金属的功函数为 Wm, 半导体的功函数为 Ws。 当 Wm＜Ws 时，在半导体表面形成阻挡层接触，是个高阻区，能带向下弯曲；（3 分） 当 Wm＞Ws 时，在半导体表面形成反阻挡层接触，是个高电导区，能带向上弯曲；（3 分） 对应的 I-V 曲线分别为：
D. 阻值较小且具有对称而线性的伏安特性
6．有效复合中心的能级必靠近( A )
A. 禁带中部
B.导带
C.价带
D.费米能级
7．当一种 n 型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（C ）
A.1/n0
B.1/△n
C.1/p0
D.1/△p
8．半导体中载流子的扩散系数决定于其中的( A )
3. 费米能级、化学势与电子亲和能（8 分） 答：费米能级与化学势：费米能级表示等系统处于热平衡状态，也不对外做功的情况下， 系统中增加一个电子所引起系统自由能的变化，等于系统的化学势。处于热平衡的系统有 统一的化学势。这时的化学势等于系统的费米能级。费米能级和温度、材料的导电类型杂 质含量、能级零点选取有关。费米能级标志了电子填充能级水平。费米能级位置越高，说 明较多的能量较高的量子态上有电子。随之温度升高，电子占据能量小于费米能级的量子 态的几率下降，而电子占据能量大于费米能级的量子态的几率增大。(6 分)
室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是（C ）
A. 甲乙丙
B. 甲丙乙
C. 乙甲丙
D. 丙甲乙
3．题 2 中样品的电子迁移率由高到低的顺序是（ B ） 4． 题 2 中费米能级由高到低的顺序是（ C ） 5. 欧姆接触是指（ D ）的金属一半导体接触
A. Wms = 0
B. Wms < 0
C. Wms > 0
I
I
V
V
（2 分）（2 分）
2. 在一维情况下，描写非平衡态半导体中载流子（空穴）运动规律的连续方程为：
p t
Dp
2 p x2p源自Ep xE p p x
p p
g p ，请说明上述等式两边各个单项所代表的物理意
义。（10 分） 答： p ――在 x 处，t 时刻单位时间、单位体积中空穴的增加数；（2 分）
t
Dp
2 p x2
――由于扩散，单位时间、单位体积中空穴的积累数；（2
分）
p
E
p x
p
p
E x
――由于漂移，单位时间、单位体积中空穴的积累数；（2 分）
p ――由于复合，单位时间、单位体积中空穴的消失数；（2 分） p
g p ――由于其他原因，单位时间、单位体积中空穴的产生数。（2 分）
得分
四、 计算题（共 30 分，15＋15，共 2 题）
电子亲和能：表示要使半导体导带底的电子逸出体外所需的的最小能量。(2 分)
4. 复合中心、陷阱中心与等电子复合中心（8 分） 答：复合中心：半导体中的杂质和缺陷可以在禁带中形成一定的能级，这些能级具有收容 部分非平衡载流子的作用，杂质能级的这种积累非平衡载流子的作用称为陷阱效应。把产 生显著陷阱效应的杂质和缺陷称为陷阱中心。(4 分)
1. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量（7 分） 答：有效质量：由于半导体中载流子既受到外场力作用，又受到半导体内部周期性势场作 用。有效概括了半导体内部周期性势场的作用，使外场力和载流子加速度直接联系起来。 在直接由实验测得的有效质量后，可以很方便的解决电子的运动规律。(3 分)
纵向有效质量、横向有效质量：由于 k 空间等能面是椭球面，有效质量各向异性，在 回旋共振实验中，当磁感应强度相对晶轴有不同取向时，可以得到为数不等的吸收峰。我 们引入纵向有效质量跟横向有效质量表示旋转椭球等能面纵向有效质量和横向有效质量。 (4 分)