《电磁兼容培训教材》PPT课件
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说明:
• B为负值,其作用是减小屏蔽效能 • 当趋肤深度与屏蔽体的厚度相当时,可以忽略 • 对于电场波,可以忽略
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10
怎样屏蔽低频磁场?
低频磁场
低频 磁场
吸收损耗小 反射损耗小
高导电材料
高导电材料
高导磁材料
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11
高导磁率材料的磁旁路效果
H0
H0
R0 Rs
H1
Rs
SE = 1 + R0/RS
R0
H1
A = 8.69 ( t / )
dB
A = 3.34 t f rr
h
dB
5
反射损耗
R = 20 lg ZW 4 Zs
远场:377 近场:取决于源的阻抗
ZS = 3.68 10-7 f r/r
同一种材料的阻 抗随频率变
反射损耗与波阻抗有关,波阻抗越高,则反射损耗 越大。
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6
不同电磁波的反射损耗
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22
电磁密封衬垫的种类
• 金属丝网衬垫(带橡胶芯的和空心的) •导电橡胶(不同导电填充物的) •指形簧片(不同表面涂覆层的) •螺旋管衬垫(不锈钢的和镀锡铍铜的) •导电布
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23
电磁密封衬垫的主要参数
➢ 屏蔽效能 (关系到总体屏蔽效能)
➢ 回弹力(关系到盖板的刚度和螺钉间距)
➢ 最小密封压力(关系到最小压缩量)
3 108 / 2r
h
f
8
综合屏蔽效能 (0.5mm铝板)
屏蔽效能 (dB)
250
150 平面波
高频时 电磁波种类 的影响很小
0
0.1k 1k
10k 100k 1M 10M 频率
h
9
多次反射修正因子的计算
电磁波在屏蔽体内多次反射,会引起附加的电 磁泄漏,因此要对前面的计算进行修正。
B = 20 lg ( 1 - e -2 t / )
穿孔金属板
截止波导通风板
h
31
贯通导体的处理
h
32
B
吸收损耗A
R2
距离
h
3
波阻抗的概念
波 阻 抗
E/H
电场为主 E 1/ r3 H 1 / r2 平面波 E 1/ r H 1/ r
377
磁场为主 H 1/ r3 E 1/ r2
/ 2
h
到观测点距离 r
4
吸收损耗的计算
入射电磁波E0
t
0.37E0
剩余电磁波E1 E1 = E0e-t/
A = 20 lg ( E0 / E1 ) = 20 lg ( e t / ) dB
h
12
磁屏蔽材料的频率特性
r 103
15
坡莫合金
10
5 1
0.01
镍钢 冷轧钢
0.1
金属
1.0
10
100 kHz
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13
磁导率随场强的变化
磁通密度 B
= B / H
饱和 最大磁导率
起始磁导率
磁场强度 H
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14
强磁场的屏蔽
高导磁率材料:饱和
低导磁率材料:屏效不够
低导磁率材料 高导磁率材料
h
15
加工的影响
100 80 60
40
20 10
跌落前 跌落后
100
1k
10k
h
16
良好电磁屏蔽的关键因素
屏蔽体 导电连续
没有穿过屏 蔽体的导体
不要忘记: 选择适当的屏蔽材料
你知道吗: 与屏蔽体接地与否无关
屏蔽效能高的屏蔽体
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17
实际屏蔽体的问题
实际机箱上有许多泄漏源:不同部分结合处的缝隙通风 口、显示窗、按键、指示灯、电缆线、电源线等
➢最大形变量(关系到最大压缩量)
➢ 压缩永久形变(关系到允许盖板开关次数)
➢ 电化学相容性(关系到屏蔽效能的稳定性)
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24
电磁密封衬垫的安装方法
绝缘漆
环境密封
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25
截止波导管
损 耗
截止区
截止频率
fc 频率
频率高的电磁波能通过波导管,频率低的电磁波损耗 很大!工作在截止区的波导管叫截止波导。
h
26
截止波导管的屏效
截止波导管 屏蔽效能
反射损耗:
= + 远场区计算公式 近场区计算公式
吸收损耗 圆形截止波导:
32 t / d
矩形截止波导:
27.2 t / l
孔洞计算屏蔽效能公式
h
27
截止波导管的设计步骤
SE
fc f SE
孔 洞 的 泄 漏 不 能 满 足 屏 蔽 要 求
确 定 截 止 波 导 管 的 截 面 形 状
远场:
R = 20 lg
377 4 Zs
电场:
R = 20 lg
4500 D f Zs
dB
磁场:
R = 20 lg
2Df Zs
Zs = 屏蔽体阻抗, D = 屏蔽体到源的距离(m)
f = 电磁波的频率(MHz)
h
7
来自百度文库
影响反射损耗的因素
R(dB)
靠近辐射源
150
平面波
r = 30 m
靠近辐射源
0.1k 1k 10k 100k 1M 10M 100M
缝隙
电源线
显示窗
调节旋钮
电缆插座
h
通风口
键盘 指示灯
18
远场区孔洞的屏蔽效能
H
L
L
SE = 100 – 20lgL – 20lg f + 20lg(1 + 2.3lg(L/H)) = 0 dB 若 L / 2
h
19
孔洞在近场区的屏蔽效能
若ZC (7.9/Df):(说明是电场源) SE = 48 + 20lg ZC – 20lg L f
确
确
定
定
要
波
屏
导
蔽
管
的 5f 的
最
截
高
止
的
频
频
率
率
计 算 截 止 波 导 管 的 截 面 尺 寸
h
由 确 定 截 止 波 导 管 的 长 度
28
显示窗/器件的处理
屏蔽窗
滤波器
h
隔离舱
滤波器
29
操作器件的处理
屏蔽体上 开小孔
屏蔽体上 栽上截止 波导管
h
用隔离舱 将操作器 件隔离出
30
通风口的处理
第三章 电磁屏蔽技术
• 屏蔽材料的选择 • 实际屏蔽体的设计
h
1
电磁屏蔽
屏蔽前的场强E1
屏蔽后的场强E2
对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽, 电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量:
SE = 20 lg ( E1/ E2 )
h
dB
2
实心材料屏蔽效能的计算
入射波
场强
R1
SE = R1 + R2 + A+B = R+ A+B
+ 20lg ( 1 + 2.3lg (L/H) ) 若ZC (7.9/Df):(说明是磁场源) SE = 20lg ( D/L) + 20lg (1 + 2.3lg (L/H) )
(注意:对于磁场源,屏效与频率无关!)
h
20
缝隙的泄漏
低频起主要作用
h
高频起主要作用
21
缝隙的处理
电磁密封衬垫
缝隙