ian第四章硅太阳能电池的设计课件
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晶体硅太阳能电池结构及原理通用课件
行业政策与市场趋势的挑战与机遇
环保政策
随着全球对环境保护意识的增强,各国政府出台了一 系列的环保政策,对晶体硅太阳能电池的生产和应用 提出了更高的要求,但同时也为环保型、高效能的晶 体硅太阳能电池提供了市场机遇。
市场竞争
晶体硅太阳能电池市场竞争激烈,各国企业都在加大 研发和生产力度,提高产品质量和降低成本,以争取 更大市场份额,企业需要保持技术创新和市场敏锐度, 才能立于不败之地。
分类
太阳能电池主要分为硅基太阳能电池、 薄膜太阳能电池、染料敏化太阳能电 池等几大类,其中晶体硅太阳能电池 是硅基太阳能电池的一种。
晶体硅太阳能电池的应用与优势
应用
晶体硅太阳能电池广泛应用于光伏电站、太阳能热水器、太阳能灯具、太阳能 船、太阳能车等方面。
优势
晶体硅太阳能电池具有稳定性好、寿命长、转换效率高等优点,同时,由于其 在制造过程中技术成熟、成本逐渐降低,因此大规模应用较为广泛。
太阳能光伏电站案例分析
光伏电站类型
根据电站规模和应用场景,太阳能光伏电站可分为集中式光伏电站和分布式光伏电站。集中式光伏电 站通常建设在荒漠、戈壁等土地资源丰富地区,而分布式光伏电站则主要建设在建筑屋顶、墙面等闲 置空间。
案例分析
以某大型集中式光伏电站为例,介绍晶体硅太阳能电池在其中的应用,包括电池组件选型、电站布局 设计、发电效率分析等方面。
太阳能交通工具概述
简要介绍太阳能汽车、太阳能船舶、太阳能 飞机等太阳能交通工具的发展现状及趋势。
晶体硅太阳能电池在太阳 能交通工具中的应用
阐述晶体硅太阳能电池在太阳能交通工具中 的关键技术,如高效能量存储系统、轻量化 设计等,并分析其在提高交通工具续航里程、 降低能耗等方面的作用。同时,探讨晶体硅 太阳能电池在未来太阳能交通工具领域的潜
硅太阳能电池
影响因素
• 材料性能:硅材料的能带结构、载流子浓度、光吸收系数等影响太阳能电池的光电转换效 率 • 结构设计:太阳能电池的结构设计、PN结深度、反射膜和导电膜的性能等影响太阳能电池 的光电转换效率 • 制备工艺:扩散工艺、沉积工艺、光刻工艺等制备工艺的影响太阳能电池的光电转换效率
硅太阳能电池性能优化的研究进展
扩散工艺
• 工艺原理:通过高温扩散工艺将掺杂剂引入硅片表面,形成N型半导 体层 • 技术进步:近年来,扩散工艺不断优化,如改进扩散源、优化扩散温 度和时间等,以提高硅太阳能电池的性能
沉积工艺
• 工艺原理:通过化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)等 方法在硅片表面形成薄膜硅层 • 技术进步:近年来,沉积工艺不断发展,如改进沉积设备、优化沉积 参数等,以提高薄膜硅太阳能电池的性能
硅太阳能电池商业化发展的现状与挑战
商业化发展现状
• 硅太阳能电池市场需求持续增长,市场规模不断扩大 • 硅太阳能电池技术不断进步,光电转换效率逐步提高 • 硅太阳能电池成本逐渐降低,市场竞争力不断增强
挑战
• 硅太阳能电池制备过程中存在能量消耗大、设备成本高、生产效率低等问题 • 硅太阳能电池市场竞争激烈,需要不断提高性能和降低成本 • 硅太阳能电池在建筑一体化、交通工具等领域应用受限,需要开发新型应用产品
硅太阳能电池商业化发展的前景与机遇
前景
• 随着全球能源危机的加剧和环保意识的提高,硅太阳能电池市场需求将持续增长 • 技术创新和成本降低将推动硅太阳能电池市场的发展,提高其市场竞争力 • 硅太阳能电池在建筑一体化、交通工具等领域应用将得到拓展,市场空间将进一 步扩大
机遇
• 政府对可再生能源的支持政策,将为硅太阳能电池商业化发展提供有力支持 • 硅太阳能电池在新兴领域的应用,将为产业发展带来新的增长点 • 全球化和智能制造技术的发展,将为硅太阳能电池商业化发展提供新的机遇
• 材料性能:硅材料的能带结构、载流子浓度、光吸收系数等影响太阳能电池的光电转换效 率 • 结构设计:太阳能电池的结构设计、PN结深度、反射膜和导电膜的性能等影响太阳能电池 的光电转换效率 • 制备工艺:扩散工艺、沉积工艺、光刻工艺等制备工艺的影响太阳能电池的光电转换效率
硅太阳能电池性能优化的研究进展
扩散工艺
• 工艺原理:通过高温扩散工艺将掺杂剂引入硅片表面,形成N型半导 体层 • 技术进步:近年来,扩散工艺不断优化,如改进扩散源、优化扩散温 度和时间等,以提高硅太阳能电池的性能
沉积工艺
• 工艺原理:通过化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)等 方法在硅片表面形成薄膜硅层 • 技术进步:近年来,沉积工艺不断发展,如改进沉积设备、优化沉积 参数等,以提高薄膜硅太阳能电池的性能
硅太阳能电池商业化发展的现状与挑战
商业化发展现状
• 硅太阳能电池市场需求持续增长,市场规模不断扩大 • 硅太阳能电池技术不断进步,光电转换效率逐步提高 • 硅太阳能电池成本逐渐降低,市场竞争力不断增强
挑战
• 硅太阳能电池制备过程中存在能量消耗大、设备成本高、生产效率低等问题 • 硅太阳能电池市场竞争激烈,需要不断提高性能和降低成本 • 硅太阳能电池在建筑一体化、交通工具等领域应用受限,需要开发新型应用产品
硅太阳能电池商业化发展的前景与机遇
前景
• 随着全球能源危机的加剧和环保意识的提高,硅太阳能电池市场需求将持续增长 • 技术创新和成本降低将推动硅太阳能电池市场的发展,提高其市场竞争力 • 硅太阳能电池在建筑一体化、交通工具等领域应用将得到拓展,市场空间将进一 步扩大
机遇
• 政府对可再生能源的支持政策,将为硅太阳能电池商业化发展提供有力支持 • 硅太阳能电池在新兴领域的应用,将为产业发展带来新的增长点 • 全球化和智能制造技术的发展,将为硅太阳能电池商业化发展提供新的机遇
晶体硅太阳能电池的基本原理PPT共43页
晶体硅太阳能电池的基本原理
21、静念园林好,人间良可辞。 22、步步寻往迹,有处特依依。 23、望云惭高鸟,临木愧游鱼。ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ24、结庐在人境,而无车马喧;问君 何能尔 ?心远 地自偏 。 25、人生归有道,衣食固其端。
21、要知道对好事的称颂过于夸大,也会招来人们的反感轻蔑和嫉妒。——培根 22、业精于勤,荒于嬉;行成于思,毁于随。——韩愈
23、一切节省,归根到底都归结为时间的节省。——马克思 24、意志命运往往背道而驰,决心到最后会全部推倒。——莎士比亚
25、学习是劳动,是充满思想的劳动。——乌申斯基
谢谢!
21、静念园林好,人间良可辞。 22、步步寻往迹,有处特依依。 23、望云惭高鸟,临木愧游鱼。ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ24、结庐在人境,而无车马喧;问君 何能尔 ?心远 地自偏 。 25、人生归有道,衣食固其端。
21、要知道对好事的称颂过于夸大,也会招来人们的反感轻蔑和嫉妒。——培根 22、业精于勤,荒于嬉;行成于思,毁于随。——韩愈
23、一切节省,归根到底都归结为时间的节省。——马克思 24、意志命运往往背道而驰,决心到最后会全部推倒。——莎士比亚
25、学习是劳动,是充满思想的劳动。——乌申斯基
谢谢!
晶体硅太阳能电池基本原理.45页PPT
42、只有在人群中间,才能认识自 己。——德国
43、重复别人所说的话,只需要教育; 而要挑战别人所说的话,则需要头脑。—— 玛丽·佩蒂博恩·普尔
44、卓越的人一大优点是:在不利与艰 难的遭遇体硅太阳能电池基本原理.
56、死去何所道,托体同山阿。 57、春秋多佳日,登高赋新诗。 58、种豆南山下,草盛豆苗稀。晨兴 理荒秽 ,带月 荷锄归 。道狭 草木长 ,夕露 沾我衣 。衣沾 不足惜 ,但使 愿无违 。 59、相见无杂言,但道桑麻长。 60、迢迢新秋夕,亭亭月将圆。
41、学问是异常珍贵的东西,从任何源泉吸 收都不可耻。——阿卜·日·法拉兹
43、重复别人所说的话,只需要教育; 而要挑战别人所说的话,则需要头脑。—— 玛丽·佩蒂博恩·普尔
44、卓越的人一大优点是:在不利与艰 难的遭遇体硅太阳能电池基本原理.
56、死去何所道,托体同山阿。 57、春秋多佳日,登高赋新诗。 58、种豆南山下,草盛豆苗稀。晨兴 理荒秽 ,带月 荷锄归 。道狭 草木长 ,夕露 沾我衣 。衣沾 不足惜 ,但使 愿无违 。 59、相见无杂言,但道桑麻长。 60、迢迢新秋夕,亭亭月将圆。
41、学问是异常珍贵的东西,从任何源泉吸 收都不可耻。——阿卜·日·法拉兹
晶体硅太阳能电池基本原理课件
05 晶体硅太阳能电池的制造 工艺
硅片的制备
硅片是晶体硅太阳能电池的基础材料,其质量对电池性能有着至关重要的影响。
硅片的制备通常采用多晶硅作为原料,通过一系列的物理或化学方法,如机械切割、研磨、 抛光等,得到具有特定厚度和表面质量的硅片。
硅片的厚度和表面粗糙度对太阳能电池的光吸收和电性能具有重要影响,因此制备过程中需 严格控制相关参数。
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03 晶体硅太阳能电池的材料 与结构
单晶硅太阳能电池
单晶硅太阳能电池是以高纯度的单晶硅棒为原料,经过切割 、研磨、腐蚀、抛光、清洗、烘烤等工序后制成。其结构通 常包括导电电极、P型硅片、N型硅片、PN结等部分。
单晶硅太阳能电池的效率较高,技术成熟,是目前应用最广 泛的太阳能电池之一。
多晶硅太阳能电池
多晶硅太阳能电池是以多晶硅材料为原料,经过铸锭、切片、清洗、制绒、扩散 、减反射膜制备、金属化等工序后制成。其结构与单晶硅太阳能电池类似,但多 晶硅材料内部晶粒大小和分布不均匀,导致其光电转换效率相对较低。
多晶硅太阳能电池成本较低,适合大规模生产,因此在光伏发电领域应用广泛。
薄膜硅太阳能电池
薄膜硅太阳能电池具有成本低、重量轻、可弯曲等特 点,因此在便携式设备、建筑一体化等领域具有广阔 的应用前景。
02 晶体硅太阳能电池的工作 原理
光吸收原理
晶体硅太阳能电池通过光吸收原理将太阳光转化为电能。当太阳光照射到电池表面 时,光子能量激发硅原子中的电子,产生光生载流子。
光吸收系数与入射光的波长有关,不同波长的光子具有不同的能量,能够激发不同 能级的电子。
光吸收系数随着硅材料中掺杂浓度的增加而减小,因此高掺杂浓度的硅材料具有更 好的光吸收性能。
硅太阳能电池工艺[1]
这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀。
硅太阳能电池工艺[1]
•等离子体刻蚀反应
首先,母体分子CF4在高能量的电子的碰撞 作用下分解成多种中性基团或离子。
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其次,这些活性粒子由于扩散或者在电场作 用下到达SiO2表面,并在表面上发生化学反 应。
生产过程中,CF4中掺入O2,这样有利于提 高Si和SiO2的刻蚀速率。
丝网印刷与烧结
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硅太阳能电池工艺[1]
PPT文档演模板
•电池片丝网印刷的三步 骤
❖ 背电极印刷及烘干 浆料:Ag /Al浆 如Ferro 3398
❖ 背电场印刷及烘干 浆料:Al浆 如Analog pase-12
❖ 正面电极印刷 浆料:Ag浆 如Dupont PV147
硅太阳能电池工艺[1]
硅太阳能电池工艺[1]
•扩散层薄层电阻及其测量
在太阳电池扩散工艺中,扩散层薄层电 阻(方块电阻)是反映扩散层质量是否 符合设计要求的重要工艺指标之一。
方块电阻也是标志进入半导体中的杂质 总量的一个重要参数。
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硅太阳能电池工艺[1]
•方块电阻的定义
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考虑一块长为l、宽 为a、厚为t的薄层 如右图。如果该薄 层材料的电阻率为ρ, 则该整个薄层的电 阻为
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硅太阳能电池工艺[1]
•等离子体刻蚀原理
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等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应,使 反应气体激活成活性粒子,如原子或游离基, 这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位,在那里 与被刻蚀材料进行反应,形成挥发性生成物 而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同 时可获得良好的物理形貌 。(这是各向同性 反应)
本公司目前采用的是第一种方法。
硅太阳能电池工艺[1]
•等离子体刻蚀反应
首先,母体分子CF4在高能量的电子的碰撞 作用下分解成多种中性基团或离子。
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其次,这些活性粒子由于扩散或者在电场作 用下到达SiO2表面,并在表面上发生化学反 应。
生产过程中,CF4中掺入O2,这样有利于提 高Si和SiO2的刻蚀速率。
丝网印刷与烧结
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硅太阳能电池工艺[1]
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•电池片丝网印刷的三步 骤
❖ 背电极印刷及烘干 浆料:Ag /Al浆 如Ferro 3398
❖ 背电场印刷及烘干 浆料:Al浆 如Analog pase-12
❖ 正面电极印刷 浆料:Ag浆 如Dupont PV147
硅太阳能电池工艺[1]
硅太阳能电池工艺[1]
•扩散层薄层电阻及其测量
在太阳电池扩散工艺中,扩散层薄层电 阻(方块电阻)是反映扩散层质量是否 符合设计要求的重要工艺指标之一。
方块电阻也是标志进入半导体中的杂质 总量的一个重要参数。
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硅太阳能电池工艺[1]
•方块电阻的定义
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考虑一块长为l、宽 为a、厚为t的薄层 如右图。如果该薄 层材料的电阻率为ρ, 则该整个薄层的电 阻为
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硅太阳能电池工艺[1]
•等离子体刻蚀原理
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等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应,使 反应气体激活成活性粒子,如原子或游离基, 这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位,在那里 与被刻蚀材料进行反应,形成挥发性生成物 而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同 时可获得良好的物理形貌 。(这是各向同性 反应)
本公司目前采用的是第一种方法。
晶体硅太阳能电池结构及原理 ppt课件
13
3.1.2 结晶硅太阳能电池的结构
• PN结结构
N+/P结的作用是形成一个最简单的半导体器件。在光照条件下,电 子/空穴的形成与移动与该N+/P结的特性有极大关系。
N+与P层的掺杂量是很重要的器件设计参数,因为 ① N+与P层的掺杂量会决定耗尽层的大小及其电场强度 ② 若N+与P层的掺杂量小,则表面再结合速率可以减小,但与电极的接
7
3.1.1 结晶硅太阳能电池的种类
单晶硅太阳能电池特点: ① 完整的结晶,易得到高效率 ② 不容易产生光致衰退 ③ 发电特性稳定,约有20年的耐久性 ④ 硅原料丰富 ⑤ 承受应力强
8
3.1.1 结晶硅太阳能电池的种类
• 多晶硅太阳能电池
• 多晶硅太阳能电池的效率为13~ 16%,是目前市场上最主流的产 品
在上表面,光照面的电极多由数条主要的主栅所组成。设计电极有 两个考虑是互相冲突的:
① 为了让移动至表面的电子/空穴容易到达 电极端,以减少电子/空穴在表面再复合的 几率,理论上电极面积需较大
② 为了避免典型金属电极阻挡光的入射并造成 光的反射,电极所占面积应越小越好
22
3.1.2 结晶硅太阳能电池的结构
首先要对粮食有明确的定位对其特点加以新的诠释49341高效率单晶硅太阳能电池20世纪90年代后新南威尔士大学持续对钝化反射极背部局部扩散太阳能电池进行了一下的研究和改良氢原子钝化以避免移动载流子在硅表面边界复合采用铝与二氧化硅中的氢原子进行370度的热退火处理改变线宽以提供低的遮光比例也减少了接触所造成的复合情形并且提供高的开路电压使用pbr3进行射极端的扩散以减少侧面电阻当今国内外粮食安全形势发生了新变化必须重新认识粮食安全问题
• 电极图形设计:设计原则是使电池的输出最大。要兼顾两个方面: 使电池的串联电阻尽可能小,电池的光照作用面积尽可能大。
3.1.2 结晶硅太阳能电池的结构
• PN结结构
N+/P结的作用是形成一个最简单的半导体器件。在光照条件下,电 子/空穴的形成与移动与该N+/P结的特性有极大关系。
N+与P层的掺杂量是很重要的器件设计参数,因为 ① N+与P层的掺杂量会决定耗尽层的大小及其电场强度 ② 若N+与P层的掺杂量小,则表面再结合速率可以减小,但与电极的接
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3.1.1 结晶硅太阳能电池的种类
单晶硅太阳能电池特点: ① 完整的结晶,易得到高效率 ② 不容易产生光致衰退 ③ 发电特性稳定,约有20年的耐久性 ④ 硅原料丰富 ⑤ 承受应力强
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3.1.1 结晶硅太阳能电池的种类
• 多晶硅太阳能电池
• 多晶硅太阳能电池的效率为13~ 16%,是目前市场上最主流的产 品
在上表面,光照面的电极多由数条主要的主栅所组成。设计电极有 两个考虑是互相冲突的:
① 为了让移动至表面的电子/空穴容易到达 电极端,以减少电子/空穴在表面再复合的 几率,理论上电极面积需较大
② 为了避免典型金属电极阻挡光的入射并造成 光的反射,电极所占面积应越小越好
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3.1.2 结晶硅太阳能电池的结构
首先要对粮食有明确的定位对其特点加以新的诠释49341高效率单晶硅太阳能电池20世纪90年代后新南威尔士大学持续对钝化反射极背部局部扩散太阳能电池进行了一下的研究和改良氢原子钝化以避免移动载流子在硅表面边界复合采用铝与二氧化硅中的氢原子进行370度的热退火处理改变线宽以提供低的遮光比例也减少了接触所造成的复合情形并且提供高的开路电压使用pbr3进行射极端的扩散以减少侧面电阻当今国内外粮食安全形势发生了新变化必须重新认识粮食安全问题
• 电极图形设计:设计原则是使电池的输出最大。要兼顾两个方面: 使电池的串联电阻尽可能小,电池的光照作用面积尽可能大。
《太阳能电池制造工艺工艺流程以及工序简介》PPT模板课件
(b). 多晶制绒---RENA InTex
3 S i 2 H N O 3 1 8 H F 3 H 2 S i F 6 0 . 4 5 N O 1 . 3 5 N O 2 0 . 1 N 2 O 4 . 2 5 H 2 2 . 7 5 H 2 O
目的与作用:
(1)去除单晶硅片表面的机械损 伤层和氧化层。 (2)有效增加硅片对入射太阳光的 吸收,从而提高光生电流密度,提高单 晶硅太阳能电池的光电转换效率。
去除磷硅玻璃的目的、作用:
1. 磷硅玻璃的厚度在扩散中工艺难控制,且其工艺窗口太小,不稳 定。
2. 磷硅玻璃的折射率在1.5左右,比氮化硅折射率(2.07左右)小, 若磷硅玻璃较厚会降低减反射效果。
3. 磷硅玻璃中含有高浓度的磷杂质,会增加少子表面复合,使电池 效率下降。
2. 扩散(POCl3液态扩散)
(c). 去磷硅玻璃---PSG
在扩散过程中发生如下反应:
4 P C l3 5 O 2 2 P 2 O 5 6 C l2
POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面, P2O5与Si反应生成SiO2和 磷原子:
2 P O 5 S i5 Si 4 O P
25
2
这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2,称之为磷硅玻璃。
2 P 2 O 5 5 S 9 i 0 C 以 0 5 上 S2 i 4 O P
4 P5 C 5 O 2 l 2 P 2 O 5 1C 0 2 l
3.沉积减反射膜(PECVD)工 序
❖ 沉积减反射膜的作用、目的:
1. 沉积减反射膜实际上就是对电池进行 钝化。钝化可以去掉硅电池表面的悬 空键和降低表面态,从而降低表面复 合损失,提高太阳电池的光电转换效 率。
晶体硅太阳电池制造工艺课件PPT
不能与硅 片和片盒 接触
垫海绵
插片
三、单晶硅片的制绒
(三)单晶制绒工艺流程
2、上料
(1)硅片插完后,取出片盒
底部的海绵,扣好压条。化学
药剂称重上料
(2)将已插好硅片的片盒整
齐、有序的装入包塑的不锈钢
花篮中,片盒之间有适当的间 隔。
上料
三、单晶硅片的制绒
(三)单晶制绒工艺流程
3、参数设置 加热制绒液体到设定温度以后,根
三、单晶硅片的制绒
(四)影响单晶制绒的因素
(1)印背电极:用银-铝浆,起导通作用,进行组件组装时方便焊接 3、硅片清洗完未及时甩干,会有水纹印产生。 SiO2+4HF=SiF4↑+2H2O (易挥发的四氟化硅气体 ) 任务四 减反射膜的制备
3、掌握材料的光2学、特性腐。 蚀速率快慢影响因子
制绒与减反射膜是两个不同的工艺,都是高效电池工艺的一部分。 任务一 硅片的清洗制绒
项目一 晶体硅太阳电池制造工艺 项目导入 知识目标 技能目标
项目导入
通过前面的学习,我们掌握了半导体的一 些理论知识,了解了由石英砂到硅片的加工过 程。但是,硅片的制备目的是什么呢?主要是 为了下一步晶体硅电池片的制备。晶体硅太阳 电池的制备工艺有哪些呢?从今天开始我们就 进行这些方面的学习。
知识目标
盐酸 HCl
三、单晶硅片的制绒
(三)单晶制绒工艺流程
一共有10个槽,5、6、8、10槽中是去离子水 异丙醇(Isopropanol IPA)(CH3)2CHOH 表面湿润作用 Na2SiO3·9 H2O作用:表面活性剂,以加快硅的腐蚀。 氢氟酸作用:去除硅表面的硅酸钠以及氧化物。主要反应 方程式为:
1、掌握所用硫酸、硝酸、氢氟酸、氢氧 化钠、三氯氧磷等药液的特性,所发生的 化学方程式。 2、掌握晶体缺陷的类型。 3、掌握材料的光学特性。 4、了解半导体的欧姆接触特性。
太阳能电池制造工艺---工艺流程以及工序简介ppt课件
2.高温扩散(液态扩散) 3.去磷硅玻璃(去PSG) 4.沉积减反射膜(PECVD)
5.丝网印刷背电极 6.烘 干
7.丝网印刷背电场
8
2)、工序简介
目前硅太阳能电池制造工序主要有:
制绒清洗工序 扩散工序 PECVD工序 丝网印刷工序 烧结工序 Laser刻蚀工序 测试分选工序
扩散的目的:制造太阳能电池的PN结。
PN结是太阳能电池的“心脏” 。 制造PN结,实质上就是想办法使受主杂质在半导体晶体内的一个
区域中占优势(P型),而使施主杂质在半导体内的另外一个区域 中占优势(N型),这样就在一块完整的半导体晶体中实现了P型 和N型半导体的接触。
5POCl 3 600 C以上 3PCl 5 P2O5
17
ser刻蚀工序
Laser刻蚀的目的、作用: 用激光切出绝缘沟道,可以使电池短路,减少电流泄漏。
硅片经Laser刻蚀后的示意图
18
7. 测试分选工序
主要是测量电池片的短路电流(JSC)、开路电压(VOC)、 填充因子(FF),经计算得出电池的光电转换效率(η) 。
根据电池的光电转换效率(η)对电池片进行分类。
2
单晶硅太阳电池
3
多晶硅太阳电池
4
非晶硅太阳电池
5
2. 硅太阳电池的制造工艺流程
下面我们就硅太阳电池的制造工艺流程以及各工序进行简 单的介绍。
晶体硅太阳能电池制造的常规工艺流程主要包括:硅片清 洗、绒面制备、扩散制结、(等离子周边刻蚀)、去 PSG(磷硅玻璃) 、PECVD 减反射膜制备、电极(背面电极、 铝背场和正电极) 印刷及烘干、烧结、Laser和分选测试等。 同时,在各工序之间还有检测项目,主要有抽样检测制绒效 果、抽样 测方块电阻、抽样测氮化硅减反射膜厚度和折射 率等项目。
相关主题
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ian第四章硅太阳能电池的设计 课件
§ 4.1.1 基础太阳能电池设计
理论上,光伏电池的最高转换效率能达到90%以上。然而,
这一数字的获得是以几个假设为前提的,这些假设在实际上很
难或根本不可能达到,至少在现今人类的科技水平和对器件物
理的理解上很难达到。对于硅太阳能电池来说,其在一个太阳
照射下,比较实际的理论最高效率值大约为26%-28%。现今实
2020/11/1
应用光伏学
8
§ 4.2.2 光学特性 减反射膜
(a)破坏性 干涉导致 反射光为 零
(b)建设性 干涉导致 所有的光 都被反射
所有光 传入半 导体
没有光 传入半 导体
使用厚度为四分之一波长的减反射膜来减少表面反射。
2020/11/1
应用光伏学
9
§ 4.2.2 光学特性 减反射膜
减反射膜的厚度经过特殊设计,刚好为入射光波
如果镀上多层减反射膜,能减少反射率的光谱范 围将非常宽。但是,对于多数商业太阳能电池来讲, 这样的成本通常太高。
2020/11/1
应用光伏学
11
§ 4.2.2 光学特性 减反射膜
裸硅 (仅)覆盖玻璃的硅
覆盖有折射率为2.3的最优化抗反射膜玻璃的硅
Comparison of surface reflection from a silicon solar cell, with and without a typical anti-reflection coating.
每一层都只吸收能量与其禁带宽度相等的光子。
2020/11/1
应用光伏学
4
§ 4.1.1 基础太阳能电池设计
第二个因素是假设入射光有高聚光比。并假设温度和电阻
效应对聚光太阳能电池的影响很小,而光强的增加能适当增加
短路电流。因为开路电压VOC受短路电流的影响,VOC随着光 强呈对数上升。再者,因为填充因子也随着VOC的提高而提高, 所以填充因子同样随着光强的增加而提高。因光强的增加而额
验室测得的硅太阳能电池的最高效率为24.7%。
理论值与实际测量值之间的差距主要来自两个方面因素。
首先,在计算理论最大效率时,人们假设所有入射光子的能量
都被充分利用了,即所有光子都被吸收,并且是被禁带宽度与
其能量相等的材料吸收了。为了获得这种理论效果,人们想出
一种由无限多层材料禁带宽度不同的电池叠加在一起的模型,
长的四分之一。计算过程如下,对于折射率为n1的薄 膜材料,入射光真空中的波长为λ0,则使反射最小 化的薄膜厚度为
d1=λ0/(4n1) 如果减反射膜的折射率为膜两边的材料的折射率
的几何平均数,反射将被进一步降低。即
n1 n0n2
2020/11/1
应用光伏学
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§ 4.2.2 光学特性 减反射膜
尽管,通过上面的公式,选用相应厚度、折射率 的膜和相应波长的光,能使反射的光减少到零,但是 每一种厚度和折射率只能对应一种波长的光。在光伏 应用中,人们设计薄膜的厚度和反射率,以使波长为 0.6μm的光的反射率达到最小。因为这个波长的能量 最接近太阳光谱能量的峰值。
表面制绒有几种方法。一块单晶硅衬底可以沿着晶体表面 刻蚀便能达到制绒效果。如果表面能恰当符合内部原子结构的 话,硅表面的晶体结构将变成由金字塔构成的表面。下图画出 了一个这样的金字塔结构,用电子显微镜拍摄的硅表面制绒。 这种制绒方式叫“随机型金字塔”制绒,通常在单晶硅电池制 造上使用。
右图便是组成单晶 硅太阳能电池制绒表面 的金字塔结构。
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§ 4.2.2 光学特性 减反射膜
加在太阳能电池上表面的减反射膜与在其他 光学器件(如相机镜头)上的膜相似。它们包含 了一层很薄的介电材料层,膜的厚度经过特殊设 计,光在膜间发生干涉效应,避免了像在半导体 表面那样被反射出去。这些避免被反射出去的光 与其它光发生破坏性干扰,导致被反射出电池的 光强为零。除了减反射膜,干涉效应还能在水面 上的油膜上看到,它能产生彩虹般的彩色带。
光的损耗主要以降低短
路电流的方式影响太阳能电 被顶端
池的功率。被损耗的光包括
电极所 阻挡
本来有能力在电池中产生电
子空穴对,但是被电池表面
反射走的光线。对于大多数
太阳能电池来说,所有的可
见光都能产生电子空穴对,
因此它们都能被很好地吸收。
表面反射 被电池的背面反射
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§ 4.2.1 光学特性 光的损耗
外上升的VOC和FF使聚光太阳能电池获得更高的效率。
为获得最高效率,在设计单节太阳能电池时,应注意几项 原则:
1. 提高能被电池吸收并生产载流子的光的数量。
2. 提高pn结收集光生载流子的能力。
3. 尽量减小黑暗前置电流。
4. 提取不受电阻损耗的电流。
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ห้องสมุดไป่ตู้
§ 4.2.1 光学特性 光的损耗
有很多减少光损失的方法:
尽量使电池顶端电极覆盖的面积达到最小(尽管这样可能 导致串联电阻的增加)。这一点在串联电阻一节中有详细 讨论 。
在电池上表面加减反射膜 表面制绒 增加电池的厚度以提高吸收(尽管任何在与pn结的距离大
于扩散长度的区域被吸收的光,都因载流子的复合而对短 路电流没有贡献) 通过表面制绒与光陷阱的结合来增加电池中光的路径长度
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§ 4.2.3 光学特性 表面制绒
在硅表面制绒,可以与减反射膜相结合,也可以单独使 用,都能达到减小反射的效果。因为任何表面的缺陷都能增 加光反弹回表面而不是离开表面的概率,所以都能起到减小 反射的效果。
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§ 4.2.3 光学特性 表面制绒
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单晶硅制绒表面的电子显微镜扫描照片
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§ 4.2.3 光学特性 表面制绒
另一种表面制绒方式叫“倒金字塔型”制绒。这种制绒 方法是往硅表面下面刻蚀,而不是从表面往上刻蚀,如图所 示。
单晶硅制绒表面的电子显微镜扫描照片
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§ 4.2.3 光学特性 表面制绒
刻蚀多晶硅表面时,上面讲到的两种方法都不能使用, 因为只有在由<111>晶体表面构成的表面才能完成有效的形 态。而多晶硅表面上,只有一小部分面积才有<111>方向。 但是多晶硅制绒可以使用光刻技术和机械雕刻技术,即使用 切割锯或激光把表面切割成相应的形状。
§ 4.1.1 基础太阳能电池设计
理论上,光伏电池的最高转换效率能达到90%以上。然而,
这一数字的获得是以几个假设为前提的,这些假设在实际上很
难或根本不可能达到,至少在现今人类的科技水平和对器件物
理的理解上很难达到。对于硅太阳能电池来说,其在一个太阳
照射下,比较实际的理论最高效率值大约为26%-28%。现今实
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§ 4.2.2 光学特性 减反射膜
(a)破坏性 干涉导致 反射光为 零
(b)建设性 干涉导致 所有的光 都被反射
所有光 传入半 导体
没有光 传入半 导体
使用厚度为四分之一波长的减反射膜来减少表面反射。
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§ 4.2.2 光学特性 减反射膜
减反射膜的厚度经过特殊设计,刚好为入射光波
如果镀上多层减反射膜,能减少反射率的光谱范 围将非常宽。但是,对于多数商业太阳能电池来讲, 这样的成本通常太高。
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§ 4.2.2 光学特性 减反射膜
裸硅 (仅)覆盖玻璃的硅
覆盖有折射率为2.3的最优化抗反射膜玻璃的硅
Comparison of surface reflection from a silicon solar cell, with and without a typical anti-reflection coating.
每一层都只吸收能量与其禁带宽度相等的光子。
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§ 4.1.1 基础太阳能电池设计
第二个因素是假设入射光有高聚光比。并假设温度和电阻
效应对聚光太阳能电池的影响很小,而光强的增加能适当增加
短路电流。因为开路电压VOC受短路电流的影响,VOC随着光 强呈对数上升。再者,因为填充因子也随着VOC的提高而提高, 所以填充因子同样随着光强的增加而提高。因光强的增加而额
验室测得的硅太阳能电池的最高效率为24.7%。
理论值与实际测量值之间的差距主要来自两个方面因素。
首先,在计算理论最大效率时,人们假设所有入射光子的能量
都被充分利用了,即所有光子都被吸收,并且是被禁带宽度与
其能量相等的材料吸收了。为了获得这种理论效果,人们想出
一种由无限多层材料禁带宽度不同的电池叠加在一起的模型,
长的四分之一。计算过程如下,对于折射率为n1的薄 膜材料,入射光真空中的波长为λ0,则使反射最小 化的薄膜厚度为
d1=λ0/(4n1) 如果减反射膜的折射率为膜两边的材料的折射率
的几何平均数,反射将被进一步降低。即
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§ 4.2.2 光学特性 减反射膜
尽管,通过上面的公式,选用相应厚度、折射率 的膜和相应波长的光,能使反射的光减少到零,但是 每一种厚度和折射率只能对应一种波长的光。在光伏 应用中,人们设计薄膜的厚度和反射率,以使波长为 0.6μm的光的反射率达到最小。因为这个波长的能量 最接近太阳光谱能量的峰值。
表面制绒有几种方法。一块单晶硅衬底可以沿着晶体表面 刻蚀便能达到制绒效果。如果表面能恰当符合内部原子结构的 话,硅表面的晶体结构将变成由金字塔构成的表面。下图画出 了一个这样的金字塔结构,用电子显微镜拍摄的硅表面制绒。 这种制绒方式叫“随机型金字塔”制绒,通常在单晶硅电池制 造上使用。
右图便是组成单晶 硅太阳能电池制绒表面 的金字塔结构。
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加在太阳能电池上表面的减反射膜与在其他 光学器件(如相机镜头)上的膜相似。它们包含 了一层很薄的介电材料层,膜的厚度经过特殊设 计,光在膜间发生干涉效应,避免了像在半导体 表面那样被反射出去。这些避免被反射出去的光 与其它光发生破坏性干扰,导致被反射出电池的 光强为零。除了减反射膜,干涉效应还能在水面 上的油膜上看到,它能产生彩虹般的彩色带。
光的损耗主要以降低短
路电流的方式影响太阳能电 被顶端
池的功率。被损耗的光包括
电极所 阻挡
本来有能力在电池中产生电
子空穴对,但是被电池表面
反射走的光线。对于大多数
太阳能电池来说,所有的可
见光都能产生电子空穴对,
因此它们都能被很好地吸收。
表面反射 被电池的背面反射
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§ 4.2.1 光学特性 光的损耗
外上升的VOC和FF使聚光太阳能电池获得更高的效率。
为获得最高效率,在设计单节太阳能电池时,应注意几项 原则:
1. 提高能被电池吸收并生产载流子的光的数量。
2. 提高pn结收集光生载流子的能力。
3. 尽量减小黑暗前置电流。
4. 提取不受电阻损耗的电流。
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§ 4.2.1 光学特性 光的损耗
有很多减少光损失的方法:
尽量使电池顶端电极覆盖的面积达到最小(尽管这样可能 导致串联电阻的增加)。这一点在串联电阻一节中有详细 讨论 。
在电池上表面加减反射膜 表面制绒 增加电池的厚度以提高吸收(尽管任何在与pn结的距离大
于扩散长度的区域被吸收的光,都因载流子的复合而对短 路电流没有贡献) 通过表面制绒与光陷阱的结合来增加电池中光的路径长度
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§ 4.2.3 光学特性 表面制绒
在硅表面制绒,可以与减反射膜相结合,也可以单独使 用,都能达到减小反射的效果。因为任何表面的缺陷都能增 加光反弹回表面而不是离开表面的概率,所以都能起到减小 反射的效果。
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§ 4.2.3 光学特性 表面制绒
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§ 4.2.3 光学特性 表面制绒
另一种表面制绒方式叫“倒金字塔型”制绒。这种制绒 方法是往硅表面下面刻蚀,而不是从表面往上刻蚀,如图所 示。
单晶硅制绒表面的电子显微镜扫描照片
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§ 4.2.3 光学特性 表面制绒
刻蚀多晶硅表面时,上面讲到的两种方法都不能使用, 因为只有在由<111>晶体表面构成的表面才能完成有效的形 态。而多晶硅表面上,只有一小部分面积才有<111>方向。 但是多晶硅制绒可以使用光刻技术和机械雕刻技术,即使用 切割锯或激光把表面切割成相应的形状。