引线键合工艺介绍及质量检验
元器件的互连封装技术—引线键合技术
应用范围
低成本、高可靠、高产量等特点使得它成为芯片 互连的主要工艺方法,用于下列封装:
• 陶瓷和塑料BGA、单芯片或者多芯片 • 陶瓷和塑料 (CerQuads and PQFPs) • 芯片尺寸封装 (CSPs) • 板上芯片 (COB)
芯片互连例子
采用引线键合的芯片互连
两种键合焊盘
球形键合
铝合金线为超音波最常见的线材;金线亦可用于超音 波接合,它的应用可以在微波元件的封装中见到。
楔形键合
其穿丝是通过楔形劈刀 背面的一个小孔来实现 的,金属丝与晶片键合 区平面呈30~60°的角 度,当楔形劈刀下降到 焊盘键合区时,楔头将 金属丝按在其表面,采 用超声或者热声焊而完 成键合。
超音波接合只能产生楔形接点(Wedge Bond)。它所能 形成的形成的连线弧度(称为Profile)与接点形状均小于其 他引线键合方法所能完成者。因此适用于焊盘较小、密度 较高的IC晶片的电路连线;但超音波接合的连线必须沿著 金属迴绕的方向排列,不能以第一接点为中心改变方向, 因此在连线过程中必须不断地调整IC晶片与封装基板的位 置以配合导线的迴绕,不仅其因此限制了键合的速度,亦 较不利于大面积晶片的电路连线。
元器件的互连封装技术 —引线键合技术
Review
电子封装始于IC晶片制成之 后,包括IC晶片的粘结固定、电 路连线、密封保护、与电路板之 接合、模组组装到产品完成之间 的所有过程。
电子封装常见的连接方法有 引线键合(wire bonding,WB)、载 带自动焊(tape automated bonding, TAB)与倒装芯片(flip chip, FC)等 三种,倒装芯片也称为反转式晶 片接合或可控制塌陷晶片互连 (controlled collapse chip connection ,C4 ) 。
芯片互连-引线键合技术
微互连技术之
3
4
压头上升
压头高速运动到第二键合点,形成弧形
第 一 键 合 点 的 形 状
5
6
在压力、温度作用下形成第二点连接
压头上升至一定位置,送出尾丝
7
8
夹住引线,拉断尾丝
引燃电弧,形成焊球进入形焊点
丝球焊点形状
热压球焊点的外观
超声键合作用机理
超声波发生器使劈刀发生水平弹性振动,同时施加向下压 力。劈刀在两种力作用下带动引线在焊区金属表面迅速摩 擦,引线发生塑性变形,与键合区紧密接触完成焊接。常 用于Al丝键合,键合点两端都是楔形 。 热超声键合(金丝球):用于Au和Cu丝的键合。采用超 声波能量,键合时要提供外加热源。
引线键合技术分类
常用引线键合方式有三种: 热压键合<TCB> 超声键合<USB> 热超声波(金丝球)键<TSB>
热压键合作用机理
利用加压和加热,使金属丝与焊区接触面原子间 达到原子引力范围,实现键合。一端是球形,一 端是楔形 ,常用于Au丝键合。
1
2
压头下降,焊球被锁定在端部中央
在压力、温度的作用下形成连接
超声压头
Al 丝
加压 超声波振动
芯片电极
基板电极
1. 定位(第一次键合)
2. 键合
拉引
3. 定位(第2次键合)
热超声引线键合工艺流程
热超声引线键合工艺流程
内容:
一、工艺流程
1. 引线预处理:使用酒精对引线进行清洗,去除表面油脂等污染物。
2. 定位对齐:使用精密定位装置,将芯片引线和板引线精确对齐。
控制对齐误差在50μ以内。
3. 热压键合:将对齐好的芯片放入热压机,施加一定压力(约为30-80克/引线),同时加热到180-300°,保持1-10秒钟,完成键合。
4. 冷却固化:将键合好的产品取出,自然冷却至室温,完成固化。
二、工艺参数
1. 温度:180-300°(一般为200±10°)
2. 压力:30-80克/引线(一般为50±10克/引线)
3. 时间:1-10秒(一般为5±1秒)
4. 对齐精度:<50μ
5. 环境:无尘无油,相对湿度<60%
三、注意事项
1. 加热时间不能太长,否则可能造成芯片损坏。
2. 压力不能太大,否则可能造成引线变形。
3. 保持环境清洁,防止污染产品。
4. 热压后要完全冷却至室温,然后再进行其他测试。
5. 各参数应严格控制,确保产品质量。
6. 定期检查定位装置和热压机,保证设备精度。
引线键合工艺介绍及质量检验
1引言随着集成电路的发展,先进封装技术不断发展变化以适应各种半导体新工艺和新材料的要求和挑战。
半导体封装内部芯片和外部管脚以及芯片之间的连接起着确立芯片和外部的电气连接、确保芯片和外界之间的输入/输出畅通的重要作用,是整个后道封装过程中的关键。
引线键合以工艺实现简单、成本低廉、适用多种封装形式而在连接方式中占主导地位,目前所有封装管脚的90%以上采用引线键合连接[1]。
目前封装形式一方面朝着高性能的方向发展,另一方面朝着轻薄短小的方向发展,对封装工艺圆片研磨、圆片粘贴、引线键合都提出了新的要求。
其中引线键合是很关键的工艺,键合质量好坏直接关系到整个封装器件的性能和可靠性。
本文将对引线键合工艺展开研究,分析影响键合质量的关键参数,以使引线键合满足封装工艺高质量、高可靠性的要求。
2引线键合工艺2.1简介引线键合工艺分为3种:热压键合(Thermo-compressionBonding),超声波键合(UltrasonicBonding)引线键合工艺介绍及质量检验吕磊(中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京东燕郊101601)摘要:介绍了引线键合工艺流程、键合材料及键合工具,讨论分析了影响引线键合可靠性的主要工艺参数,说明了引线键合质量的评价方法,并提出了增强引线键合可靠性的措施。
关键词:引线键合;球形键合;楔形键合;毛细管劈刀;楔形劈刀;键合拉力测试;键合剪切力测试中图分类号:TN307文献标识码:A文章编号:1004-4507(2008)03-0053-08TheProcessIntroductionandQualityInspectionofWireBondingLVLei(The45thInstituteofCETC,BeijingEastYanjiao101601,China)Abstract:Thisarticleintroducestheprocesses、materialsandtoolsofwirebonding,themainprocessparametersinfluencingonreliability,themethodsforqualityinspectionandthemethodstoimprovethebondingreliability.Keywords:Wirebonding;Ballbonding;Wedgebonding;Capillary;Wedge;BondPullTest收稿日期:2008-00-00与热压超声波键合(Thermo-sonicBonding)[2~3]。
引线键合(WireBonding)
引线键合(WireBonding)引线键合(Wire Bonding)——将芯片装配到PCB上的方法 | SK hynix Newsroom结束前工序的每一个晶圆上,都连接着500~1200个芯片(也可称作Die)。
为了将这些芯片用于所需之处,需要将晶圆切割(Dicing)成单独的芯片后,再与外部进行连接、通电。
此时,连接电线(电信号的传输路径)的方法被称为引线键合(Wire Bonding)。
其实,使用金属引线连接电路的方法已是非常传统的方法了,现在已经越来越少用了。
近来,加装芯片键合(Flip Chip Bonding)和硅穿孔(Through Silicon Via,简称TSV)正在成为新的主流。
加装芯片键合也被称作凸点键合(Bump Bonding),是利用锡球(Solder Ball)小凸点进行键合的方法。
硅穿孔则是一种更先进的方法。
为了了解键合的最基本概念,在本文中,我们将着重探讨引线键合,这一传统的方法。
一、键合法的发展历程图1. 键合法的发展史:引线键合(Wire Bonding)→加装芯片键合(Flip Chip Bonding)→硅穿孔(TSV)下载图片为使半导体芯片在各个领域正常运作,必须从外部提供偏压(Bias voltage)和输入。
因此,需要将金属引线和芯片焊盘连接起来。
早期,人们通过焊接的方法把金属引线连接到芯片焊盘上。
从1965年至今,这种连接方法从引线键合(Wire Bonding),到加装芯片键合(Flip Chip Bonding),再到TSV,经历了多种不同的发展方式。
引线键合顾名思义,是利用金属引线进行连接的方法;加装芯片键合则是利用凸点(bump)代替了金属引线,从而增加了引线连接的柔韧性;TSV作为一种全新的方法,通过数百个孔使上下芯片与印刷电路板(Printed Circuit Board,简称PCB)相连。
二、键合法的比较:引线键合(Wire Bonding)和加装芯片键合(Flip Chip Bonding)图2. 引线键合(Wire Bonding) VS加装芯片键合(Flip Chip Bonding)的工艺下载图片三、引线键合(Wire Bonding)是什么?图3. 引线键合的结构(载体为印刷电路板(PCB)时)下载图片引线键合是把金属引线连接到焊盘上的一种方法,即是把内外部的芯片连接起来的一种技术。
引线键合工艺参数对封装质量的影响因素分析
引线键合工艺参数对封装质量的影响因素分析1 引言目前IC器件在各个领域的应用越来越广泛,对封装工艺的质量及检测技术提出了更高的要求,如何实现复杂封装的工艺稳定、质量保证和协同控制变得越来越重要。
目前国外对引线键合工艺涉及的大量参数和精密机构的控制问题已有较为深入的研究,并且已经在参数敏感度和重要性的排列方面有了共识。
我国IC封装研究起步较晚,其中的关键技术掌握不足,缺乏工艺的数据积累,加之国外的技术封锁,有必要深入研究各种封装工艺,掌握其间的关键技术,自主研发高水平封装装备。
本文将对引线键合工艺展开研究,分析影响封装质量的关键参数,力图为后续的质量影响规律和控制奠定基础。
2 引线键合工艺WB随着前端工艺的发展正朝着超精细键合趋势发展。
WB过程中,引线在热量、压力或超声能量的共同作用下,与焊盘金属发生原子间扩散达到键合的目的。
根据所使用的键合工具如劈刀或楔的不同,WB分为球键合和楔键合。
根据键合条件不同,球键合可分为热压焊、冷超声键合和热超声键合。
根据引线不同,又可分为金线、铜线、铝线键合等。
冷超声键合常为铝线楔(xiē)键合。
热超声键合常为金丝球键合,因同时使用热压和超声能量,能够在较低的温度下实现较好的键合质量,从而得到广泛使用。
2.1 键合质量的判定标准键合质量的好坏往往通过破坏性实验判定。
通常使用键合拉力测试(BPT)、键合剪切力测试(BST)。
影响BPT结果的因素除了工艺参数以外,还有引线参数(材质、直径、强度和刚度)、吊钩位置、弧线高度等。
因此除了确认BPT的拉力值外,还需确认引线断裂的位置。
主要有四个位置:⑴第一键合点的界面;⑵第一键合点的颈部;⑶第二键合点处;⑷引线轮廓中间。
BST是通过水平推键合点的引线,测得引线和焊盘分离的最小推力。
剪切力测试可能会因为测试环境不同或人为原因出现偏差,Liang等人 [1]介绍了一种简化判断球剪切力的方法,提出简化键合参数(RBP)的概念,即RBP=powerA ×forceB×timeC ,其中A,B,C为调整参数,一般取0.80, 0.40,0.20。
微组装引线键合工艺
微组装引线键合工艺1、采用引线键合工艺应符合下列规定:(1)引线键合工艺适用于将电路内部的芯片、基板、外壳引脚上的金属化键合区一一对应互连形成电气连接;(2)按所施加能量方式的不同,引线键合工艺可分为热压键合、超声波键合、热压超声波键合;(3)按引线键合形式的不同,引线键合工艺可分为球形键合和楔形键合;(4)按键合材料的不同,引线键合工艺可分为金丝键合、铝丝键合、铝硅丝键合、铜丝键合。
2、引线键合的主要工序应符合下列规定:(1)引线键合前宜先校验引线键合规范,确认工艺参数的稳定性,并检查基板材料可键合性;(2)键合前应保证键合区域清洁;(3)应根据装配图纸要求确定引线材料、型号和尺寸,引线安置在键合工具的过程中应保证引线表面的清洁;(4)应按装配图纸要求,并应按正确的位置与方向要求将待键合的引线准确键合在相应的焊盘上;(5)进行热超声金丝球形键合时,应调整好EFO打火强度及丝尾端与打火杆的间隙大小,成球的直径宜为金丝直径的2倍~3倍;(6)采用金丝进行铝键合区IC芯片的引线键合时,键合加热温度不宜高于15 0℃;(7)应控制超声功率、超声时间、键合压力和键合温度,并应确保不损伤芯片、有较大的键合强度和好的焊点形态;(8)应选择劈刀规格,楔形劈刀的刀尖宽度、针形劈刀(焊针)的轴孔直径宜为引线直径的1.3倍~1.6倍;(9)焊点应落在焊盘中心,牢固、无虚焊、无短路;(10)引线键合后应在显微镜下目检引线和键合质量,并应进行键合拉力测试。
3、引线键合的工艺运行条件应符合下列规定:(1)引线键合工艺宜在等于或优于7级净化区中进行;(2)手动引线键合工艺可使用压缩空气;(3)选用铜线进行引线键合时,宜在氮气或氮氢混合气体的保护气氛中进行。
引线键合工艺介绍及质量检验
引线键合工艺介绍及质量检验引线键合工艺是一种广泛应用于电子元器件制造的连接技术,它通过金属引线的熔融连接实现芯片与外部电路的连接。
这种工艺具有高可靠性、低成本、高生产效率等优点,因此在电子产业中得到广泛应用。
本文将详细介绍引线键合工艺的过程、质量检验方法及其应用实例。
准备:包括芯片贴装、引线框架设计、选择合适的引线材料和键合设备等。
键合:通过加热或超声波能量使金属引线与芯片和外部电路键合。
检测:对键合后的产品进行外观和功能性检测。
封装:将检测合格的产品进行封装,以保护其内部电路并提高可靠性。
质量检验是保证引线键合工艺成品质量的重要环节。
以下是一些建议的质量检验步骤和方法:外观检测:通过目视或显微镜检查产品外观,判断是否有键合不良、毛刺、断线等问题。
功能性检测:利用检测仪器进行电气性能测试,确保产品在规定范围内正常运行。
X光检测:利用X光无损检测技术对产品内部结构进行观察,以发现潜在的内部缺陷。
可靠性测试:进行环境试验、寿命测试等,以评估产品的长期性能和可靠性。
微处理器封装:在微处理器封装中,引线键合工艺用于将芯片与外部电路进行连接,以确保微处理器能够正常工作。
传感器制造:在传感器制造中,引线键合工艺用于将敏感元件与信号处理电路进行连接,以提高传感器的精度和可靠性。
医疗设备制造:在医疗设备制造中,引线键合工艺用于将电子元件与医疗器械进行连接,以确保医疗器械的安全性和有效性。
引线键合工艺作为电子元器件制造中重要的连接技术,具有不可替代的地位。
通过对其工艺过程的了解和对其质量检验方法的掌握,有助于提高电子元器件制造的整体水平和产品的可靠性。
随着科技的不断发展,我们有理由相信,引线键合工艺将继续在未来的电子产业中发挥重要作用。
超声引线键合点是指通过超声波振动将金属导线与芯片或基板连接起来的连接点。
超声引线键合点的形态包括圆形、椭圆形、扁平形等,其中圆形是最常见的形态。
超声引线键合点的形态受多种因素影响,如键合工艺参数、金属导线材料、芯片或基板材料等。
引线键合技术
引线键合技术
引线键合技术是一种微电子制造中常用的连接技术,其主要原理是通过高温、高压下将金属线与芯片内部电路连接起来。
这种技术具有高可靠性、高密度、低成本等优点,已经成为现代电子制造领域中不可或缺的一部分。
引线键合技术主要分为金线键合和铜线键合两种。
其中,金线键合适用于高端芯片,其使用金属线作为连接材料,可以实现更高的导电性能和更好的耐腐蚀性。
而铜线键合则适用于低端芯片,其使用铜线作为连接材料,成本更低,但相对导电性能和耐腐蚀性略有不足。
引线键合技术的发展是电子制造业不断进步的重要标志。
随着科技的不断发展,引线键合技术也在不断升级,成为连接芯片和封装的主流技术之一。
未来,引线键合技术将会更加高效、智能化,为电子制造业的发展带来更大的推动力。
- 1 -。
引线键合详解.概要
第二章
2.1纯金属
金丝:广泛用于热压和热声焊,丝线表面要光滑和清洁以保证强度和防止丝线堵 塞,纯金具有很好的抗拉强度和延展率,高纯金太软,一般加入约5-10 ppm 重量的 Be或者30-100 ppm的Cu,掺Be的引线强度一般要比掺Cu的高10-20% 。 铝丝:1. 纯铝太软而难拉成丝,一般加入1% Si 或者1% Mg以提高强度。 2. 室温下1% 的Si 超过了在铝中的溶解度,导致Si的偏析,偏析的尺寸和数量取 决于冷却数度,冷却太慢导致更多的Si颗粒结集。Si颗粒尺寸影响丝线的塑性,第 二相是疲劳开裂的萌生潜在位置。 3. 掺1%镁的铝丝强度和掺1% 硅的强度相当。 4. 抗疲劳强度更好,因为镁在铝中的均衡溶解度为2%,于是没有第二相析出。 铜丝:1.最近人们开始注意铜丝在IC键合中的应用, 2.便宜,资源充足, 3.在塑封 中抗波动(在垂直长度方向平面内晃动)能力强, 4.主要问题是键合性问题, 5.比金 和铝硬导致出现弹坑和将金属焊区破坏, 6.由于易氧化,要在保护气氛下键合。
第二章 线材
2.1 纯金属 2.1.1 金丝 2.1.2 铝丝 2.1.3 铜丝
第三章 键合
3.1 键合方式 3.1.1 球形键合 3.1.2 楔形键合 3.1.3 比较 3.2 键合设备
3.3 键合工具 3.3.1 楔形劈刀 3.3.2 毛细管劈刀 3.4 键合点设计 3.4.1 输入因素 3.5 键合参数 3.6 键合评价 3.7 细间距能力比较 3.8 弧度走线方向
第四章 失效
4.1 键合失效 4.1.1 焊盘清洁度 4.1.1.1 卤化物 4.1.1.2 镀层涂覆时的污染 4.1.1.3 硫 4.1.1.4 多种有机物污染 4.1.1.5 其他导致腐蚀或者破 坏可键合性的物质 4.1.1.7 人为因素 4.1.2 焊盘产生弹坑 4.1.3 键合点开裂和翘起 4.1.3.1 开裂原因 4.1.4 键合点尾部不一致 4.1.5 键合点剥离 4.1.6 引线框架腐蚀
全自动引线键合机相关键合工艺分析
过程 初步探 讨 了这 些基 本 . 艺参数 的调 节 方法 介 绍 了键 合 品质 的检 验和 基 于 D Y - OE试验 设计 的
工 艺优 化 方 法 。 最 后 对 最 主 要 两种 失 效 模 式 进 行 了理 论 上 的 初 步 分 析 。
关键 词 : 引线键 合 ; 合原 理 ; 键 工艺参 数 ; 失效 分忻
和 协 同控 制 变得 越来 越 重要 。 国外 对 引线键 合 工 艺 涉 及 的大 量 参 数 和 精 密 机 构 的控 制 问题 已有 较 为
深 入 的研 究 , 并且 已经 在 参 数敏 感 度 和重 要 性 的排
收 稿 日期 : 0 7 1 —8 2 0 — 12
作者 简 介 : , 安 , ( 族 ) 中 南 大 学研 究 生 , 究 方 向 : 电 子封 装 , 工 作 于 中 围 电子 科 技集 团 公 司第 四 ‘ 明 男 汉 , 研 微 现 五研 究所 。
GUANG i ga ,CHUN e , M n ’n W i PAN e g Fn
(h 5h R sac ntueo E C B i g 1 0 ) T e4 t eerh is t f T , e n , 1 it C j 0 1 6
Ab t a t The pa e ito uc s t e r me of f l u o tc sr c : p r n r d e h fa ul a t ma i wie bo d r n n l z s h man y r n e ,a d a a y e t e i a e t d f co sofbo d n o e s n b a n heba i fbo d p r me e so r n e .Th e t f c e a t r n i g pr c s ,a d o t i st sc o n a a t r fwie bo d r e t s c ie i n o d q a i n ptmia i n o r e sa e i to u e n t epa r rt ro sofb n u l y a d o i z to fp oc s r n r d c d i h pe .Thet i a lr t wo man f i e u mo sa e a l z d o h sc o n i o e s de r nay e n t eba i fbo d ngpr c s . Ke wor :W iebo d; o a a tr a l r n lss y ds r n b nd p r me e ;f iu e a ay i
引线键合剪切试验方法
引线键合剪切试验方法引线键合剪切试验方法是一种用于评估材料强度和断裂行为的实验方法。
它常被用于研究材料的力学性能和设计工程结构时的可靠性。
引线键合剪切试验方法通常包括以下步骤:1. 样品制备:首先,需要准备用于试验的样品。
样品一般是由两个不同材料的金属或非金属片材通过粘接剂粘合而成。
样品的尺寸和形状可以根据具体需要进行设计和制备。
2. 试验装置:为了进行引线键合剪切试验,需要设计和制造一个试验装置。
该装置主要包括应用力的装置和力学测试设备。
应用力的装置用于施加剪切力,力学测试设备用于测量样品的应变和断裂行为。
3. 引线键合剪切试验:将样品放置在试验装置中,并施加剪切力。
通过调节施加的剪切力,可以观察到样品的强度和断裂行为。
通常,试验会在不同的剪切力下进行,以获得材料的力学性能曲线。
4. 结果分析:根据试验结果,可以分析材料的强度、韧性和断裂特性。
强度是指材料在剪切载荷下的最大承载能力,可以通过试验曲线的最大点来确定。
韧性是指材料在断裂前的变形能力,可以通过试验曲线下的面积来计算。
断裂特性包括断裂模式和断裂位置等。
引线键合剪切试验方法具有以下优点:1. 简单易行:引线键合剪切试验方法不需要复杂的设备和高超的技术,可以在实验室中进行。
2. 准确可靠:通过引线键合剪切试验,可以获取材料的力学性能和断裂行为的准确数据,为工程设计和材料选择提供依据。
3. 可定量分析:引线键合剪切试验可以通过分析试验曲线,得到材料的强度、韧性和断裂特性等定量参数,为材料的仿真和预测提供参考。
4. 应用广泛:引线键合剪切试验方法适用于各种材料,如金属、塑料、复合材料等,可以用于研究不同材料的力学性能和断裂行为。
引线键合剪切试验方法是一种简单可靠的实验方法,用于评估材料的强度和断裂行为。
通过该方法可以获取准确的数据,为工程设计和材料选择提供依据。
在实际应用中,需要根据具体需求和材料特性进行合理设计和选择试验条件,以获得可靠的试验结果。
引线键合详解
第三章
3.1键合方式
球形键合 一般弧度高度是150 um 。 弧度长度要小于100倍的丝线直径。 键合头尺寸不要超过焊盘尺寸的3/4。一般是丝线直径的2.5到5倍,取决于劈刀几何现状 和运动方向。 球尺寸一般是丝线直径的2到3倍,细间距约1.5倍,大间距为3 到4倍。 楔形键合 即使键合点只大于丝线2-3 mm 也可形成牢固的键合。 焊盘尺寸必须支持长的键合点和尾端。 焊盘长轴必须在丝线的走向方向。 焊盘间距因该适合于固定的键合间距。
Au-Ag 系:1. Au-Ag 键合系的高温长时间可靠性很好, 2. 无IMC形成 且无腐蚀 3. 金丝键合到镀银的引脚上已经使用多年 4. 硫的污染会影 响可键合性 5. 常在高温下(约250oC)进行热声键合,以分离硫化银膜而 提高可键合性。
Al-Ag 系:1. Ag-Al 相图非常复杂,有很多IMC, 2. 柯肯达尔效应容易 发生,但是在工作温度以上, 3. 实际很少使用这种搭配,因为相互扩散和 湿度条件下的氧4. 氯是主要的腐蚀元素,5. 键合表面必须要用溶剂清洗. 然后用硅胶防护。
1.2 工艺方法
超声焊接:利用超声波(60~120KHz)发生器使劈刀发生水平弹性振动, 同时施加向下的压力。使得劈刀在这两种力作用下带动引线在焊区金属表面迅速 摩擦,引线受能量作用发生塑性变形,在25ms内与键合区紧密接触成焊接。常用于 Al丝的键合。键合点两端都是楔形。 热压焊:利用加压和加热,使得金属丝与焊区接触面的原子间达到原子的引力范围, 从而达到键合目的。基板和芯片温度达到约150°C ,常用于金丝的键合,一端是 球形,一端是且楔形,常用于金丝的键合。 热声焊:用于Au和Cu丝的键合。它也采用超声波能量,但是与超声不同点的是:键 合时要提供外加热源、键合丝线无需磨蚀掉表面氧化层。外加热量的目的是激活 材料的能级,促进两种金属的有效连接以及金属间化合物(IMC)的扩散和生长。。
光子引线键合技术
光子引线键合技术随着科技的进步,现在我们可以利用更为先进的光子引线键合技术来实现电子元件中进行高精准度的电路连接。
光子引线键合技术是一种高性能的封装技术,光子引线可以实现两个不相邻区域的连接。
它主要应用于微型集成电路、光电子学和光学研究等领域,成为了现在最流行的一种连接方式。
光子引线键合技术分成下面几个步骤。
1. 元器件检查在进行光子引线键合技术前,需要对所要连接的元器件进行检查。
检查元器件的表面是否平整,是否有磨损、氧化等问题,以避免产生异常电路连接。
2. 加热将光子引线加热至固定温度,并将元器件放置在光子引线及其附近,让它们和光子引线之间建立电气、光学和热学接触。
3. 对准对准是接下来的一个非常关键的步骤。
在此步骤中,需要对准所要连接的元器件与光子引线的电极。
在微调整方面,可以使用显微镜来观察微小的区域,并调整元器件和光子引线的位置,以确保它们完全对齐。
4. 连接当准确对准了光子引线和元器件的位置后,就可以进行光子引线键合。
光子引线的结构中有多个线髓,其中每一个线髓都可用于连接一个电极。
光子引线置于元器件和基底之间,通过应用压力,将它们连接起来,并形成一个强有力的电气和光学接触。
5. 测试和封装最后,当电路连接完成后,需要进一步测试其性能和完整性。
一旦确保了电路计算正确,就可以进行封装以保护电子元件。
这个过程包括封装电路板和基板,使电信号和光学信号能够到达所需的区域。
总体而言,光子引线键合技术是一项强大且高效的电路连接技术,可以实现对电子元件进行高精度的连接,因此被广泛应用于微型集成电路、光电子学和光学研究等领域。
在未来,随着科技的进一步发展,光子引线键合技术将继续发挥其独特的作用,以支持更加复杂的电子元器件的设计和实现。
引线键合工艺及其影响因素的研究完整版新
成都电子机械高等专科学校毕业论文题目引线键合工艺及其影响因素的研究研究引线键合工艺及其影响因素__着重金丝球键合分析内容提要引线键合就是用非常细小的线把芯片上焊盘和引线框架(或者基板)连接起来的过程。
金线焊接工艺,是引线键合工艺的一种。
它是利用金线将芯片上的信号引出到封装外壳的管脚上的工艺过程。
本文主要探讨集成电路封装中金丝球键合工技术以及影响因素。
关键字引线键合工艺热超声焊球形焊接步骤引线键合线弧技术影响因素 WB与塑封的关系目录绪论一………………………………………………………集成电路封装测试工艺流程简介▲前道工艺▲后道工艺贴膜注模研磨激光打印抛光烘烤晶片装裱电镀切割电镀后烘烤第二道外观检查料片装裱焊片切割银浆烘烤去粘等离子清洗拣装焊线(wire bond)第四道检查第三道外观检查测试,包装,出货二…………………………金丝球焊线机简述2.1 …………………………………引线键合工艺介绍2.2…………………………………引线键合机的介绍2.2.1…………………………键合机校正系统设计与实现金球引线键合(Gold Ball Wire Bonding)循序渐进的键合工艺2.2.2 …………………………………………………………校正系统设计2.2.2.1……………………………………………………伺服系统校正2.2.2.2……………………………………图像系统校正(PRS)2.2.2.3…………………………………………物料系统校正(MHS)2.2.2.4……………………………………热台压板电动机校正2.2.2.5………………………………………前后导轨电动机校正2.2.2.6…………………………………………进出料电动机校正2.2.2.7………………………………………键合头十字坐标校正2.2.2.8 ………………………………………EFO打火高度校正2.2.2.9 ……………………………………………USG校正2.2.2.10…………………………………………键合压力校正三.…………………………………………………引线键合的质量检测3.1……………………………………对键合焊球形貌外观检测3.1.1…………………………………………………两键合点的形状3.1.2…………………………………………键合点在焊盘上的位置3.1.3……………………………………键合点根部引线的变形情况3.2…………………………对键合点引线与焊盘的粘附情况的测试3.2.1……………………………………………Intermetallic实验3.2.2…………………………………………………Cratering 实验3.2.3……………………Wire pull Test ( 破坏性键合拉力测试 )四.分析金线焊接的影响因素五.浅谈金丝球键合对注模的影响致谢参考文献绪论集成电路的封装就是指安装半导体集成电路芯片用的外壳,它不仅起着安放、固定、密封、保持芯片和增强电热性能的作用,而且芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接,从而实现内部芯片与外部电路的连接。
8.2 引线键合工艺[10页]
第八章 组装工艺
本章 要点
芯片组装工艺流程 引线键合技术 芯片封装技术
第八章 组装工艺
本章 要点
芯片组装工艺流程 引线键合技术 芯片封装技术
§8.2 引线键合技术
一. 定义和方法
定义:打线键合技术是将细金线(或铜线)按照顺序打在芯片焊盘和封装基板的焊盘或 引脚架上形成芯片互连的一种技术。
膜形成牢固的压焊点 • 提升和移动劈刀 • 压焊引线框架上的压焊点 • 将引线折断
五. 键合质量分析
1.外观检查
检查键合的第一焊点及第二焊点是否符合质量要求
2.推理拉力检测
使用拉力计和推力计分辨检查键合的第一焊点和第 二焊点的牢固性
三. 超声键合
原理:利用磁致伸缩换能器将超声波 能量转 换成机械振动,经变辐杆传 给劈刀,劈刀在对金属施加压力的同 时,带动金属在被焊接的金属表面迅 速摩擦,金属表面产生塑性形变并破 坏表面氧化层,使两个纯净清新的金 属表面紧密接触,形成牢固的焊接。
四. 热超声球键合
操作过程: • 将金丝穿过劈刀的毛细管 • 用氢气火焰使金丝端部熔成金球 • 利用超声键合法使金球与芯片上的电极区金属
方法: 热压键合 超声键合 热超声球键合
二. 热压键合
定义:利用加热和加压,使金属引线和管芯的金属层键 合在一起,并将管芯的电极引线和管座相应的电极处引 线连接起来。 原理:由于金属丝和管芯上的铝层同时受热受压,接触 面产生塑性形变,并破坏界面的愧疚化膜,使两者接触 面接近原子引力范围,产生强烈吸引达到键合,同时金 属引线和金属表面不平整,加压后高低不平处相互填充 而产生强性嵌合作用,使两者紧密接触。
LED引线键合工艺鉴定技术
形成凸点,荧光粉保型涂覆后,将金球
凸点打磨平,第二次植小金球,便于粘
合,第三次压焊,把小金球压扁。
金鉴检测
223μm
175μm
采用反向打线工艺,一焊在基板上,二焊在芯 片上,弧高低,高光角,防止金线挡光。
一焊 点
14.1μm 13.6μm 17.5μm
金鉴检测
外延层与Ag反射层分层
金鉴检测
金鉴检测
金鉴检测
A点:晶片电极与金球结合处; B点:金球与金线结合处即球颈处; C点:焊线线弧所在范围; D点:支架二焊焊点与金线结合处; E点:支架二焊焊点与支架阳极结合处;
检测重点:
1.键合球精准定位控制度和形貌 焊点实际是将两种金属键合在一起,键合点的强度和可靠性通常决定于金 球和焊区金属间的面积。键合球得定位精准是保证键合球直径在规定得要 求范围内,键合点完全落在焊盘上。键合球直径过大,超出芯片焊盘范围, 会压伤芯片发光层,影响电流扩散及出光效率,造成短路、漏电;键合球 直径过小,会出现缩线,焊接不上的现象。键合球根部不能有明显的损伤 或变细的现象,第二焊点楔形不能出现明显裂纹。键合球无虚焊,挖电极 等现象。
金线与LED外延层键合良好,但是我们发现右边的电极处 Ag反射层与外延层附着力弱,有分层现象。
金鉴检测面向LED封装和灯具厂的主营业务
产业链归类
检测项目
LED封装厂
来料检验
LED芯片的鉴定;LED芯片来料检验;LED荧光粉的来料检验;LED导电银胶来 料检验;LED金线来料检验; LED支架来料检验;水口料鉴定 。
研发工艺优化
LED荧光粉涂覆工艺评价、LED固晶工艺评价、LED引线键合工艺评价、LED封 装产品自检、LED硅胶气密性检查、LED灯珠逆向分析。
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1引言随着集成电路的发展,先进封装技术不断发展变化以适应各种半导体新工艺和新材料的要求和挑战。
半导体封装内部芯片和外部管脚以及芯片之间的连接起着确立芯片和外部的电气连接、确保芯片和外界之间的输入/输出畅通的重要作用,是整个后道封装过程中的关键。
引线键合以工艺实现简单、成本低廉、适用多种封装形式而在连接方式中占主导地位,目前所有封装管脚的90%以上采用引线键合连接[1]。
目前封装形式一方面朝着高性能的方向发展,另一方面朝着轻薄短小的方向发展,对封装工艺圆片研磨、圆片粘贴、引线键合都提出了新的要求。
其中引线键合是很关键的工艺,键合质量好坏直接关系到整个封装器件的性能和可靠性。
本文将对引线键合工艺展开研究,分析影响键合质量的关键参数,以使引线键合满足封装工艺高质量、高可靠性的要求。
2引线键合工艺2.1简介引线键合工艺分为3种:热压键合(Thermo-compressionBonding),超声波键合(UltrasonicBonding)引线键合工艺介绍及质量检验吕磊(中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京东燕郊101601)摘要:介绍了引线键合工艺流程、键合材料及键合工具,讨论分析了影响引线键合可靠性的主要工艺参数,说明了引线键合质量的评价方法,并提出了增强引线键合可靠性的措施。
关键词:引线键合;球形键合;楔形键合;毛细管劈刀;楔形劈刀;键合拉力测试;键合剪切力测试中图分类号:TN307文献标识码:A文章编号:1004-4507(2008)03-0053-08TheProcessIntroductionandQualityInspectionofWireBondingLVLei(The45thInstituteofCETC,BeijingEastYanjiao101601,China)Abstract:Thisarticleintroducestheprocesses、materialsandtoolsofwirebonding,themainprocessparametersinfluencingonreliability,themethodsforqualityinspectionandthemethodstoimprovethebondingreliability.Keywords:Wirebonding;Ballbonding;Wedgebonding;Capillary;Wedge;BondPullTest收稿日期:2008-00-00与热压超声波键合(Thermo-sonicBonding)[2~3]。
热压键合是引线在热压头的压力下,高温加热(>250℃)金属线发生形变,通过对时间、温度和压力的调控进行的键合方法。
键合时,被焊接的金属无论是否加热都需施加一定的压力。
金属受压后产生一定的塑性变形,而两种金属的原始交界面处几乎接近原子力的范围,两种金属原子产生相互扩散,形成牢固的焊接。
超声波键合不加热(通常是室温),是在施加压力的同时,在被焊件之间产生超声频率的弹性振动,破坏被焊件之间界面上的氧化层,并产生热量,使两固态金属牢固键合。
这种特殊的固相焊接方法可简单地描述为:在焊接开始时,金属材料在摩擦力作用下发生强烈的塑性流动,为纯净金属表面间的接触创造了条件。
而接头区的温升以及高频振动,又进一步造成了金属晶格上原子的受激活状态[4]。
因此,当有共价键性质的金属原子互相接近到以纳米级的距离时,就有可能通过公共电子形成了原子间的电子桥,即实现了所谓金属“键合”过程。
超声波焊接时不需加电流、焊剂和焊料,对被焊件的理化性能无影响,也不会形成任何化合物而影响焊接强度,且具有焊接参数调节灵活,焊接范围较广等优点。
热压超声波键合工艺包括热压键合与超声波键合两种形式的组合。
就是在超声波键合的基础上,采用对加热台和劈刀同时加热的方式,加热温度较低(低于Tc温度值,大约150℃),加热增强了金属间原始交界面的原子相互扩散和分子(原子)间作用力,金属的扩散在整个界面上进行,实现金属线的高质量焊接。
热压超声波键合因其可降低加热温度、提高键合强度、有利于器件可靠性而取代热压键合和超声波键合成为引线键合的主流。
2.2基本形式引线键合有两种基本形式:球形键合与楔形键合[5]。
这两种引线键合技术的基本步骤包括:形成第一焊点(通常在芯片表面),形成线弧,最后形成第二焊点(通常在引线框架/基板上)。
两种键合形式的不同之处在于:球形键合中在每次焊接循环的开始会形成一个焊球,然后把这个球焊接到焊盘上形成第一焊点,而楔形键合则是将引线在加热加压和超声能量下直接焊接到芯片的焊盘上。
2.2.1球形键合球形键合时将金属线穿过键合机毛细管劈刀(capillary),到达其顶部,利用氢氧焰或电气放电系统产生电火花以熔化金属线在劈刀外的伸出部分,在表面张力作用下熔融金属凝固形成标准的球形(FreeAirBall,FAB),球直径一般是线径的2~3倍,紧接着降下劈刀,在适当的压力和定好的时间内将金属球压在电极或芯片上。
键合过程中,通过劈刀向金属球施加压力,同时促进引线金属和下面的芯片电极金属发生塑性变形和原子间相互扩散,并完成第一焊点,然后劈刀运动到第二点位置,第二点焊接包括楔形键合、扯线和送线,通过劈刀外壁对金属线施加压力以楔形键合方式完成第二焊点,之后扯线使金属线断裂,劈刀升高到合适的高度送线达到要求尾线长度,然后劈刀上升到成球的高度。
成球的过程是通过离子化空气间隙的打火成球(ElectronicFlame-off,EFO)过程实现的。
球形键合是一种全方位的工艺(即第二焊点可相对第一焊点360°任意角度)球形键合一般采用直径75μm以下的细金丝,因为其在高温受压状态下容易变形、抗氧化性能好、成球性好,一般用于焊盘间距大于100μm的情况下。
球形键合工艺设计原则:(1)焊球的初始直径为金属线直径的2~3倍。
应用于精细间距时为1.5倍,焊盘较大时为3~4倍;(2)最终成球尺寸不超过焊盘尺寸的3/4,是金属线直径的2.5~5倍;(3)线弧高度一般为150μm,取决于金属线直径及具体应用;(4)线弧长度不应超过金属线直径的100倍;(5)线弧不允许有垂直方向的下垂和水平方向的摇摆。
2.2.2楔形键合楔形键合是用楔形劈刀(wedge)将热、压力、超声传给金属线在一定时间形成焊接,焊接过程中不出现焊球。
楔形键合工艺中,金属线穿过劈刀背面的通孔,与水平的被键合表面成30°~60°角度。
在劈刀的压力和超声波能量的作用下,金属线和焊盘金属的纯净表面接触并最终形成连接。
楔形键合是一种单一方向焊接工艺(即第二焊点必须对准第一焊点的方向)。
传统的楔形键合仅仅能在线的平行方向上形成焊点,旋转的楔形劈刀能使楔形键合机适合不同角度的焊线,在完成引线操作后移动到第二焊点之前劈刀旋转到程序规定的角度。
在使用金线的情况下,稳定的楔形键合能实现角度小于35°的引线键合。
楔形键合主要优点是适用于精细间距(如50μm以下的焊盘间距)低线弧形状,可控制引线长度,工艺温度低。
常见楔形键合工艺是室温下的铝线超声波键合,其成本和键合温度较低。
而金线采用150℃下的热压超声波键合,其主要优点是键合后不需要密闭封装。
由于楔形键合形成的焊点小于球形键合,特别适用于微波器件、尤其是大功率器件的封装。
但由于键合工具的旋转运动,其总体速度低于热压超声波球形键合,其工艺流程如图1所示。
楔形键合工艺设计原则:(1)即使键合点只比金属线直径大2~3μm也可能获得高强度连接;(2)焊盘长度要大于键合点的尾丝长度;(3)焊盘的长轴与引线键合路径一致;(4)焊盘间距的设计应保持金属线之间距离的一致性;(5)线弧不允许有垂直方向的下垂和水平方向的摇摆。
2.3键合工具键合工具的作用是将纵向振动转化为横向振动,通过与引线的接触传递超声能,并在静态压力、温度的配合下,实现引线和焊盘的键合。
按形状和适用工艺的不同分为毛细管劈刀(capillary)和楔形劈刀(wedge)两种(如图2)。
毛细管劈刀其材料可以是陶瓷、钨或红宝石。
最常用材料是具有精细尺寸晶粒的氧化铝陶瓷,因为其有很好的抗腐蚀性、抗氧化性和易于清洁的特点。
楔形劈刀其材料取决于所采用的金属线,铝线键合时,通常采用碳化钨或陶瓷材料;金线键合时,采用碳化钛材料[6]。
键合工具的影响因素有:(1)键合工具的几何参数直接影响着焊点的形状及键合质量,对于同直径、同材质的金属丝,不同的焊盘形状、大小及焊盘的间距直接影响着键合工具的选择。
(a)以毛细管劈刀(如图3)为例,图中,①为内孔(HoleSize,H),其直径由引线直径决定,引线直径由焊盘的直径决定。
内孔的直径越小,线弧越接近理想形状,如果内孔直径过小则会增大引线与劈刀间的摩擦导致线弧形状的不稳定;②为壁厚,影响超声波的传导,过薄的壁厚会对振幅产生影响;③为端面角(FaceAngle,FA)和外半径(OuterRadius,OR)(如图4),影响第二焊点的形状、键合强度以及线弧形状;④为斜面(Chamfer)和斜面角(ChamferAngle,CA)(如图5),影响第一焊点的形状、键合强度以及线弧形状[7]。
b.在楔形键合中,引线直径决定楔形劈刀斜孔912345678TeilFeed1stSearch1stBondLoopAoto-Steppack2ndSearch2ndReverse2ndBond&Tear图1楔形键合工艺流程图2键合工具图3毛细管劈刀剖视图4123④①②③直径,焊点形状主要由楔形劈刀的前端尺寸决定。
焊点沿长轴方向有长椭圆形、圆形和窄椭圆形,还有单点双点之分,主要取决于楔焊劈刀外形(如图6)。
(2)键合工具的安装。
劈刀安装的高度影响劈刀尖部超声波的谐振,进而影响键合质量。
应用适当的力矩来固定键合工具,过大会使换能器的末端变形,过小则造成键合点的位置偏移及超声能的传递效率降低。
2.4键合材料大部分使用在球形键合上的引线是99.99%纯度的金线,这个通常指4N金线。
为了满足一些特殊的应用要求,例如高强度,有时候也使用合金线(99.9%或者更低的纯度)。
研究表明某一些掺杂物(金线里的其他物质)能降低金和铝的界面层扩散成长的速度。
为了提高封装系统得可靠性,有时候考虑使用3N和2N金线。
金线主要分为两种:掺杂金线和合金化金线。
掺杂金线比4N金线具有更好的机械性能;合金化金线具有更好的强度,但是会损失一定的电性能。
需要特别考虑的是焊线工艺的热影响区域(Heat-AffectedZone,HAZ)的长度,这个和打火成球(ElectronicFlame-off,EFO)时产生的热量导致的金属再结晶过程有关。
这个HAZ通常会使线变得脆弱。