培训课件：工业的发展和扩散过程
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扩散工艺的化学原理ppt课件
预淀积的杂质层
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结深
10
第三步、激活
稍微升高温度，使杂质原子移动到晶格中的原子位子与 晶格中的硅原子键合，形成替位式杂质原子。
杂质原子只有在替代了晶格上的硅原子后才能起作用--
改变硅的电导率。通常是只有一部分杂质被移动到 晶格位子上，大部分还处在间隙位置。
激活
杂质原子
√
精选ppt
11
杂质形态：
III A族元素杂质：硼 （B）
扩散到硅晶体内部
V A 族元素杂质：磷（P）、锑（Sb）
精选ppt
3
§6-1 半导体的杂质类型
半导体硅、锗等都是第 IV 族元素。 掺入第 V 族元素（如磷，五个价电子）。杂质电离
施放电子，为施主杂质，或 N 型杂质。
精选ppt
4
掺入第III 族元素（如硼，三个价电子）。杂质电离 接受电子，为受主杂质，或P 型杂质。
即在硅片上生成掺有锑杂质的氧化层，在扩散温度下， 锑杂质原了进而向硅内扩散。
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26
§6-5 砷扩散的化学原理
砷扩散有它独到之处，例如砷在硅中的扩散系 数小，用于浅结扩散，因扩散时间较长，便于精 确地控制基区宽度；又如砷原子半径和硅原子很 接近，在砷原子向硅晶体内扩散过程中，不致于 由于原子半径不同而产生应力，导致晶格缺陷。
间隙式杂质：具有高扩散率的杂质，如金（Au）、铜（Cu）、钠（Na） 等。
间隙式杂质容易利用间隙运动在间隙中移动，这种杂质是需要避免的。 替位式杂质：扩散速率低的杂质，如砷（As)、磷（P）等。通常利用替代
运动填充晶格中的空位。
杂质原子
替位式杂质
间隙式杂质
√
× 精选ppt
12
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结深
10
第三步、激活
稍微升高温度，使杂质原子移动到晶格中的原子位子与 晶格中的硅原子键合，形成替位式杂质原子。
杂质原子只有在替代了晶格上的硅原子后才能起作用--
改变硅的电导率。通常是只有一部分杂质被移动到 晶格位子上，大部分还处在间隙位置。
激活
杂质原子
√
精选ppt
11
杂质形态：
III A族元素杂质：硼 （B）
扩散到硅晶体内部
V A 族元素杂质：磷（P）、锑（Sb）
精选ppt
3
§6-1 半导体的杂质类型
半导体硅、锗等都是第 IV 族元素。 掺入第 V 族元素（如磷，五个价电子）。杂质电离
施放电子，为施主杂质，或 N 型杂质。
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4
掺入第III 族元素（如硼，三个价电子）。杂质电离 接受电子，为受主杂质，或P 型杂质。
即在硅片上生成掺有锑杂质的氧化层，在扩散温度下， 锑杂质原了进而向硅内扩散。
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26
§6-5 砷扩散的化学原理
砷扩散有它独到之处，例如砷在硅中的扩散系 数小，用于浅结扩散，因扩散时间较长，便于精 确地控制基区宽度；又如砷原子半径和硅原子很 接近，在砷原子向硅晶体内扩散过程中，不致于 由于原子半径不同而产生应力，导致晶格缺陷。
间隙式杂质：具有高扩散率的杂质，如金（Au）、铜（Cu）、钠（Na） 等。
间隙式杂质容易利用间隙运动在间隙中移动，这种杂质是需要避免的。 替位式杂质：扩散速率低的杂质，如砷（As)、磷（P）等。通常利用替代
运动填充晶格中的空位。
杂质原子
替位式杂质
间隙式杂质
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工业的分布与发展 八年级地理上全册课件ppt
第三节 工业的分布与发展
重点内容： 运用地图说出我国工业发达地带和主要工业区
运用资料初步学会分析工业基地的形成和发展条件
举例说明我国高新技术产业的发展特点
1
学习方式： 运用数据、资料，结合读图分析总结；案例分析
例如：工业的空间分布 （1）由面到点的呈现方式 面：图4.26分布大势 点：图4.27辽中南地区，图4.28沪宁杭地区 （2）综合分析地理事物：工业区的形成与发展 资源条件、区位图（中国政区空白图）， 掌握地理基础知识，培养学生填图、画图能力。
1、领土四至点，省区名称、简称。 2、主要山脉、四大高原、四大盆地、三大平原及三大丘陵。 3、一月00C等温线、我国温度带、800mm、400mm等降水量线、我国 四大干湿地区、季风区与非季风区、我国气候类型 ４、长江、黄河干流 ５、我国主要铁路干线及铁路枢纽 ６、我国四大牧区、商品粮基地 ７、四大工业基地及主要工业中心
4
5
2
文化特色
标准： ●知道我国民居、服饰、饮食的地方特色，并举
例说明自然环境对文化的影响。 ●结合有关资料，说明我国地方文化特色对旅游
业发展的影响。 活动建议： ●搜集有关各地风土人情的图片资料，观看反映
地域文化特色的艺术表演或录像，谈一谈对地方 文化特色的认识。 教材处理： 采用分散的办法，渗透在整个八年级教材中。例 如：地形与民居，降水对建筑、饮食的影响，云 南西双版纳傣族风情与旅游业的发展等。 3
重点内容： 运用地图说出我国工业发达地带和主要工业区
运用资料初步学会分析工业基地的形成和发展条件
举例说明我国高新技术产业的发展特点
1
学习方式： 运用数据、资料，结合读图分析总结；案例分析
例如：工业的空间分布 （1）由面到点的呈现方式 面：图4.26分布大势 点：图4.27辽中南地区，图4.28沪宁杭地区 （2）综合分析地理事物：工业区的形成与发展 资源条件、区位图（中国政区空白图）， 掌握地理基础知识，培养学生填图、画图能力。
1、领土四至点，省区名称、简称。 2、主要山脉、四大高原、四大盆地、三大平原及三大丘陵。 3、一月00C等温线、我国温度带、800mm、400mm等降水量线、我国 四大干湿地区、季风区与非季风区、我国气候类型 ４、长江、黄河干流 ５、我国主要铁路干线及铁路枢纽 ６、我国四大牧区、商品粮基地 ７、四大工业基地及主要工业中心
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文化特色
标准： ●知道我国民居、服饰、饮食的地方特色，并举
例说明自然环境对文化的影响。 ●结合有关资料，说明我国地方文化特色对旅游
业发展的影响。 活动建议： ●搜集有关各地风土人情的图片资料，观看反映
地域文化特色的艺术表演或录像，谈一谈对地方 文化特色的认识。 教材处理： 采用分散的办法，渗透在整个八年级教材中。例 如：地形与民居，降水对建筑、饮食的影响，云 南西双版纳傣族风情与旅游业的发展等。 3
3.3工业集聚和工业分散【公开课教学PPT课件】高中地理
课堂总结
工业联系
工
业
导
集
致
聚
与
工业集聚
工
工 业
业 地 域
结 果
工业地域
地
域 的 形
工 业 分 散
成
与
工业分散的原因
工
业
引
的
发
地
域
工业的地域分散
联
条件
系
生产工序上的联系 空间利用上的联系
专业化生产的工业集聚 共用基础设施的工业集聚
形成 类型 工业区处于饱和 充分发挥各地的区位优势 现代化的交通运输方式
（4）有利于处理生产过程中的环境污染问题 4.缺点：
（1）工业饱和，环境污染加剧
（2）能源资源供应紧张 （3）用地紧张，出现争夺公共设施的现象
5.影响我国工业企业集聚的主导因素：
☺利用廉价劳动力 改革开放初期沿海地区服装、鞋帽、雨伞、箱包等工 厂集聚 ☺利用交通枢纽 大运量工业企业在港口和铁路枢纽附近集聚
自发 形成
有生产工序上的联系的工厂自发的在地 理上相互接近，以降低生产成本。
规划 建成
Байду номын сангаас
先建基础设施，再吸引投资者建厂。 （我国许多地方的新兴技术开发区）
（2）按工业区发育程度分 ☺发育程度高的地域类型 ①发展特点 面积大、协作企业多、生产规模大，形成 工业城市，工业走廊、工业基地、工业地带 ②举例
现代化的通信技术和
1．下列工厂中，哪些宜靠近钢铁厂 B
A．电风扇厂
B．机床厂
C．手表厂
D．化工厂
c 2 ．我国的许多经济技术开发区 A ．不属于工业地域
B ．是自发形成的工业地域
C ．规划建设的工业地域
扩散工艺培训课件
• 源POCl3的温度 • 扩散温度和时间 • 气体流量
2020/11/25
§3.3 扩散杂质的分布
1.恒定表面源扩散 扩散过程中，硅片表面杂质浓度始 终不变这种类型的扩散称为恒定表面源 扩散。 其扩散后杂质浓度分布为余误差函数 分布
2020/11/25
2020/11/25
2. 有限表面源扩散 扩散散前在硅片表面先淀积一层 杂质，在整个过程中，这层杂质作 为扩散源，不再有新源补充，杂质 总量不再变化。这种类型的扩散称 为有限表面源扩散。 其扩散后杂质浓度分布为高斯函数 分布
以上是考虑多重电荷空位的杂质扩散模型时， 扩散衬底杂质浓度将严重影响扩散系数
2020/11/25
3、电场效应
2020/11/25
4、发射区推进效应
V2- 负:二价 电荷空位
N+ P
N-
2020/11/25
5、热氧化过程中的杂质再分布
(杂质分凝)
硼:m<1 磷:m>1 砷:m>1
2020/11/25
• 一、间隙式扩散 • 1、间隙式杂质：存在于晶格间隙的杂质。 • 主要那些半径较小、并且不容易和硅原子键合的
原子，它们在晶体中的扩散运动主要是以间隙方 式进行的。如下图所示。图中黑点代表间隙杂质， 圆圈代表晶格位置上的硅原子。 • 2、间隙式扩散：间隙式杂质从一个间隙位置 到另一个间隙位置上的运动。
• 集成电路制造中的固态扩散工艺， 是将一定数量的某种杂质掺入到硅晶体 或其他半导体晶体中去，以改变电学性 质，并使掺入的杂质数量、分布形式和 深度等都满足要求。
2020/11/25
• 扩散是向半导体中掺杂的重要方法 之一，也是集成电路制造中的重要工艺。
• 目前扩散工艺以广泛用来形成晶体 管的基极、发射极、集电极，双极器件 中的电阻，在MOS制造中形成源和漏、 互连引线，对多晶硅的掺杂等
2020/11/25
§3.3 扩散杂质的分布
1.恒定表面源扩散 扩散过程中，硅片表面杂质浓度始 终不变这种类型的扩散称为恒定表面源 扩散。 其扩散后杂质浓度分布为余误差函数 分布
2020/11/25
2020/11/25
2. 有限表面源扩散 扩散散前在硅片表面先淀积一层 杂质，在整个过程中，这层杂质作 为扩散源，不再有新源补充，杂质 总量不再变化。这种类型的扩散称 为有限表面源扩散。 其扩散后杂质浓度分布为高斯函数 分布
以上是考虑多重电荷空位的杂质扩散模型时， 扩散衬底杂质浓度将严重影响扩散系数
2020/11/25
3、电场效应
2020/11/25
4、发射区推进效应
V2- 负:二价 电荷空位
N+ P
N-
2020/11/25
5、热氧化过程中的杂质再分布
(杂质分凝)
硼:m<1 磷:m>1 砷:m>1
2020/11/25
• 一、间隙式扩散 • 1、间隙式杂质：存在于晶格间隙的杂质。 • 主要那些半径较小、并且不容易和硅原子键合的
原子，它们在晶体中的扩散运动主要是以间隙方 式进行的。如下图所示。图中黑点代表间隙杂质， 圆圈代表晶格位置上的硅原子。 • 2、间隙式扩散：间隙式杂质从一个间隙位置 到另一个间隙位置上的运动。
• 集成电路制造中的固态扩散工艺， 是将一定数量的某种杂质掺入到硅晶体 或其他半导体晶体中去，以改变电学性 质，并使掺入的杂质数量、分布形式和 深度等都满足要求。
2020/11/25
• 扩散是向半导体中掺杂的重要方法 之一，也是集成电路制造中的重要工艺。
• 目前扩散工艺以广泛用来形成晶体 管的基极、发射极、集电极，双极器件 中的电阻，在MOS制造中形成源和漏、 互连引线，对多晶硅的掺杂等
扩散原理PPT课件
Ji Ci.Bi uxi
Ci单位体积中i组成质点数 Vi 质点移动平均速度
Ji
Ci.Bi C uii .C xi J＝－Di
Ci x
Di Ci.Bi C uii Bi lu nC i i
C iC N i( m 分 ) o lC 数 n i l lN n i
Di
Bi
ui lnNi
2021
10
t x2 y2 z2
用途： 适用于不同性质的扩散体系； 可用于求解扩散质点浓度分布随时间和距离而变化的不稳 定扩散问题。
对二定律的评价： (1) 从宏观定量描述扩散，定义了扩散系数，但没有给出D与结构 的明确关系； (2) 此定律仅是一种现象描述，它将浓度以外的一切影响扩散的 因素都包括在扩散系数之中，而未赋予其明确的物理意义； (3) 研究的是一种质点的扩散(自扩散)； (4) 着眼点不一样(仅从动力学方向考虑) C t
2、 离子晶体中的扩散
空位机制： 大部分离子晶体 如： MgO、NaCl、FeO、CoO
两种机制
间隙机制：只有少数开放型晶体中存在 如： CaF2、UO2中的 F－、O2－
应石含用量：不Ca能F超2在过玻5璃0％中，能否降则低加熔2点％，C2降a0F21低2 烧结温度，还可以起澄清剂作2用9 。长
例： CaCl2引入到KCl中，分析K＋的扩散，基质为 KCl KC lVK VC •l (本征)扩散 Ca2 C KlC lCK •aVK 2CClL(非本征 ) 扩散
2021
15
理解：
Di BiRT (1L Lnn iiN )
1 Ln i
LnN i
扩散系数热力学 因子
对于理想混合体系，活度系数
D
* i
Ci单位体积中i组成质点数 Vi 质点移动平均速度
Ji
Ci.Bi C uii .C xi J＝－Di
Ci x
Di Ci.Bi C uii Bi lu nC i i
C iC N i( m 分 ) o lC 数 n i l lN n i
Di
Bi
ui lnNi
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用途： 适用于不同性质的扩散体系； 可用于求解扩散质点浓度分布随时间和距离而变化的不稳 定扩散问题。
对二定律的评价： (1) 从宏观定量描述扩散，定义了扩散系数，但没有给出D与结构 的明确关系； (2) 此定律仅是一种现象描述，它将浓度以外的一切影响扩散的 因素都包括在扩散系数之中，而未赋予其明确的物理意义； (3) 研究的是一种质点的扩散(自扩散)； (4) 着眼点不一样(仅从动力学方向考虑) C t
2、 离子晶体中的扩散
空位机制： 大部分离子晶体 如： MgO、NaCl、FeO、CoO
两种机制
间隙机制：只有少数开放型晶体中存在 如： CaF2、UO2中的 F－、O2－
应石含用量：不Ca能F超2在过玻5璃0％中，能否降则低加熔2点％，C2降a0F21低2 烧结温度，还可以起澄清剂作2用9 。长
例： CaCl2引入到KCl中，分析K＋的扩散，基质为 KCl KC lVK VC •l (本征)扩散 Ca2 C KlC lCK •aVK 2CClL(非本征 ) 扩散
2021
15
理解：
Di BiRT (1L Lnn iiN )
1 Ln i
LnN i
扩散系数热力学 因子
对于理想混合体系，活度系数
D
* i
工业的发展和扩散过程
促进技术创新和产业升级
随着工业发展，技术创新和产业升级不断涌现，为扩散提供了动 力和基础。
创造就业机会
工业发展带来更多的就业机会，吸引劳动力向工业领域聚集，进而 促进扩散。
提升产业竞争力
工业发展有助于提升产业整体竞争力，使相关产业在国内外市场上 更具竞争优势，进而促进扩散。
扩散对工业发展的影响
扩大市场规模
钢铁产业经历了从英国到美国、德国和法国等欧洲国家的转移，现在主要集中在中国、日本、韩国和 俄罗斯等国家和地区。
Part
06
结论与展望
对工业发展与扩散的理解
1
工业发展与扩散是一个复杂的过程，受到多种因 素的影响，包括技术进步、市场需求、资源分配、 政策支持等。
2
工业发展与扩散在不同地区和不同历史条件下呈 现出不同的特点，需要综合考虑各种因素，深入 理解其内在机制和规律。
第三次工业革命
起源于英国，以蒸汽机的广泛应用为 标志，实现了从手工劳动向机械生产 的转变。
起源于20世纪后半叶，以信息技术和数 字化技术的广泛应用为标志，实现了信 息化、智能化和全球化的生产方式。
第二次工业革命
起源于19世纪末和20世纪初，以电力 和内燃机的发明和应用为标志，推动 了大规模生产和自动化的发展。
分散式扩散
工业活动从城市中心向其他地区 分散，形成多个工业区或工业城 市，避免了过度集中带来的问题。
跳跃式扩散
工业活动不经过城市中心，直接 向周边地区跳跃式扩散，形成新 的工业区或工业城市。
工业扩散的影响因素
经济发展水平
经济发展水平较高的地区，工业 基础较好，产业集聚效应较强， 有利于工业扩散。
政策环境
THANKS
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第6章工业的出现与发展-精品
2020/2/8
3.第三次科技革命（2 ）
• 创新成为社会生活的核心，分工与合作有了全新的表现形式， 形成了原子能、微电子、计算机、航天、高分子、电子、激光 、基因工程等一系列新兴工业部门；
• 人类的经济活动范围迅速扩张、内容不断深化，各种非经济活 动进一步经济化（即更加注重各种活动的经济性）；
• 增强了生产的自动化程度，加快了技术与设备的更新周期，提 高了社会劳动生产率，推动全球经济迅速增长；
2020/2/8
二、在英国出现工业革命的条件
工业革命又称产业革命，是以生产技术上的一 系列重大突破为起点，必须依托一定的社会经济基 础，而英国当时就具碍） 2.殖民统治→资本积累（为工业发展提供了原始资本 ） 3.资产阶级革命→资本主义制度初步建立（解除了制 度壁垒） 4.土地运动→农民破产（为工业提供了大量廉价劳动 力） 5.商业发展→市场扩大（创造了需求） 6.技术进步→制度改良（行会制被工厂制取代） 7.2新020/2教/8 伦理→世俗化成功（解放了思想）
2020/2/8
1.工业化（Industrialization）
始于英国的工业革命也称为第一次 科技革命，是以工匠依靠长期实践所积累 的经验进行发明为特色，形成“产品标准 化、工厂自动化、生产规模化、分工专门 化”的生产体制，逐渐使“科学”成为了 一种社会建制，建立了“研究→发明→生 产力”的新型创新制度和体系，工业在社 会经济中的地位和作用最终超过了农业成 为比重最大的产业，确立了资本在社会经 济中的核心地位，这样的过程被称为“工 业化”。
• 产业分布发生很大变化，制造业的生产空间与资源分布的关系 更加离散化，形成许多新的工业中心和交通枢纽。
2020/2/8
2.第二次科技革命（3 ）
3.第三次科技革命（2 ）
• 创新成为社会生活的核心，分工与合作有了全新的表现形式， 形成了原子能、微电子、计算机、航天、高分子、电子、激光 、基因工程等一系列新兴工业部门；
• 人类的经济活动范围迅速扩张、内容不断深化，各种非经济活 动进一步经济化（即更加注重各种活动的经济性）；
• 增强了生产的自动化程度，加快了技术与设备的更新周期，提 高了社会劳动生产率，推动全球经济迅速增长；
2020/2/8
二、在英国出现工业革命的条件
工业革命又称产业革命，是以生产技术上的一 系列重大突破为起点，必须依托一定的社会经济基 础，而英国当时就具碍） 2.殖民统治→资本积累（为工业发展提供了原始资本 ） 3.资产阶级革命→资本主义制度初步建立（解除了制 度壁垒） 4.土地运动→农民破产（为工业提供了大量廉价劳动 力） 5.商业发展→市场扩大（创造了需求） 6.技术进步→制度改良（行会制被工厂制取代） 7.2新020/2教/8 伦理→世俗化成功（解放了思想）
2020/2/8
1.工业化（Industrialization）
始于英国的工业革命也称为第一次 科技革命，是以工匠依靠长期实践所积累 的经验进行发明为特色，形成“产品标准 化、工厂自动化、生产规模化、分工专门 化”的生产体制，逐渐使“科学”成为了 一种社会建制，建立了“研究→发明→生 产力”的新型创新制度和体系，工业在社 会经济中的地位和作用最终超过了农业成 为比重最大的产业，确立了资本在社会经 济中的核心地位，这样的过程被称为“工 业化”。
• 产业分布发生很大变化，制造业的生产空间与资源分布的关系 更加离散化，形成许多新的工业中心和交通枢纽。
2020/2/8
2.第二次科技革命（3 ）
相关主题