《电力电子技术》习题集
《电力电子技术》题库含答案
一、填空题(每空1分，共５０分)1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L _________ I H。
2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________________________________。
3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM ________ U BO。
4、电阻负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_____，设U2为相电压有效值。
5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___________________________。
6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______________________。
7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是______________________________________措施。
8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______________二种方式。
9、抑制过电压的方法之一是用_____________________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。
11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_____________________________________________的幅值。
12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________________________________________。
13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是__________________________________________________。
14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
电力电子技术练习题库+参考答案
电力电子技术练习题库+参考答案一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1.单相半波可控整流电路电阻负载上电压与电流的波形形状相同。
（）A、正确B、错误正确答案：A2.当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流晶闸管都不会导通。
（）A、正确B、错误正确答案：A3.降压斩波电路滤波电容C的容量足够大，则输出的电压Uo为常数。
（）A、正确B、错误正确答案：A4.电力电子技术研究的对象是电力电子器件的应用、电力电子电路的电能变换原理和电力电子装置的开发与应用。
（）A、正确B、错误正确答案：A5.变频调速实际上是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变输出转速的目的。
（）A、正确B、错误正确答案：A6.无源逆变电路，是把直流电能逆变成交流电能，送给电网（）A、正确B、错误正确答案：B7.触发脉冲具有一定的脉宽，前沿要陡。
（）A、正确B、错误正确答案：A8.斩波电路具有效率高、体积小、重量轻、成本低等优点。
（）A、正确B、错误正确答案：A9.无源逆变指的是把直流电能转变成交流电能回送给电网。
（）A、正确B、错误正确答案：B10.GTO的结构与普通晶闸管相似，也为PNPN四层半导体三端元件。
（）A、正确B、错误正确答案：A11.直流变换电路输出的电压都小于输入电压。
（）A、正确B、错误正确答案：B12.电流的波形系数是电流的有效值与平均值之比。
（）A、正确B、错误正确答案：A13.触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲触发两种方法，目前采用较多的是双窄脉冲触发方法。
（）A、正确B、错误正确答案：A14.晶闸管的不重复峰值电压为额定电压。
（）A、正确B、错误正确答案：B15.电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。
（）A、正确B、错误正确答案：A16.降压斩波电路斩波开关关断时，电感充电。
（）B、错误正确答案：B17.三相半波可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。
（）A、正确B、错误正确答案：A18.触发脉冲必须具有足够的功率。
电力电子技术习题库(附答案)
电力电子技术习题库（附答案）一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（）时整流平均电压Ud=0。
A、60度B、30度C、90度D、120度正确答案：C2.1957年美国通用电气（GE）公司研制出第一只（），它标志着电力电子技术的诞生。
A、电子管B、晶闸管C、MOSFETD、IGBT正确答案：B3.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成（）A、可关断晶闸管B、双向晶闸管C、逆阻型晶闸管D、大功率三极管正确答案：C4.IGBT是一个复合型的器件，它是（）A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO正确答案：B5.晶闸管的伏安特性是指()A、门极电压与门极电流的关系B、阳极电压与阳极电流的关系C、门极电压与阳极电流的关系D、阳极电压与门极电流的关系正确答案：B6.单相全控桥式整流电路大电感性负载中，控制角的最大移相范围是（）A、180°B、120°C、90°D、150°正确答案：C7.三相半波可控整流电路的自然换相点是（）A、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°B、本相相电压与相邻电压正半周的交点处C、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°D、交流相电压的过零点正确答案：B8.逆变电路是一种（）变换电路。
A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC正确答案：B9.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为()。
A、增大输出幅值B、减小输出谐波C、减小输出幅值D、减小输出功率正确答案：B10.三相全波可控整流电路电阻性负载中，控制角的最大移相范围是（）。
A、90°B、120°C、150°D、180°正确答案：B11.目前，在中小型变频器中普遍采用的电力电子器件是（）。
电力电子技术测试题与答案
电力电子技术测试题与答案一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.电流型三相桥式逆变电路，120°导通型，则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂()。
A、共四只B、各一只C、各二只D、共三只正确答案：B2.α为（）度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A、30度B、120度，C、0度D、60度正确答案：A3.具有自关断能力的电力半导体器件称为（）A、全控型器件B、半控型器件C、触发型器件D、不控型器件正确答案：A4.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）A、180°B、90°C、120°D、150°正确答案：A5.可在第一和第四象限工作的变流电路是（）A、接有续流二极管的单相半波可控变流电路B、单相半控桥C、三相半波可控变流电路D、接有续流二极管的三相半控桥正确答案：C6.三相全波可控整流电路电阻性负载中，控制角的最大移相范围是（）。
A、180°B、150°C、90°D、120°正确答案：D7.降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V，负载电压Uo=12V，斩波周期T=4ms，则开通时Ton=（）A、3msB、4msC、1msD、2ms正确答案：A8.三相桥式全控整流电路，电阻性负载时的移相范围为（）度。
A、0～120B、0～180C、0～90D、0～150正确答案：A9.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发，应使干扰信号的幅值限制在（）A、安全工作区B、不触发区C、可靠触发区D、不可靠触发区正确答案：B10.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为()。
A、减小输出谐波B、增大输出幅值C、减小输出功率D、减小输出幅值正确答案：A11.对于升降压直流斩波器，当其输出电压小于其电源电压时，有（）。
A、α无法确定B、0.5<α<1C、0<α<0.5D、以上说法均是错误的正确答案：C12.将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是()A、有源逆变器B、A/D变换器C、D/A变换器D、无源逆变器正确答案：D13.晶闸管的伏安特性是指()A、阳极电压与门极电流的关系B、门极电压与门极电流的关系C、阳极电压与阳极电流的关系D、门极电压与阳极电流的关系正确答案：C14.三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（）时整流平均电压Ud=0。
电力电子技术习题及答案
电力电子技术习题集习题一1. 试说明什么是电导调制效应与其作用。
2. 晶闸管正常导通的条件是什么，导通后流过的电流由什么决定？晶闸管由导通变为关断的条件是什么，如何实现？3. 有时晶闸管触发导通后，触发脉冲结束后它又关断了，是何原因？4.图1-30中的阴影部分表示流过晶闸管的电流波形，其最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值、有效值。
如不考虑安全裕量，额定电流100A 的晶闸管，流过上述电流波形时，允许流过的电流平均值I d 各位多少？(f)图1-30 习题1-4附图5. 在图1-31所示电路中，若使用一次脉冲触发，试问为保证晶闸管充分导通，触发脉冲宽度至少要多宽？图中，E =50V ；L =0.5H ；R =0.5Ω; I L =50mA 〔擎住电流〕。
图1-31习题1-5附图 图1-32习题1-9附图6. 为什么晶闸管不能用门极负脉冲信号关断阳极电流，而GTO 却可以？7. GTO 与GTR 同为电流控制器件，前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同？ 8. 试比较GTR 、GTO 、MOSFET 、IGBT 之间的差异和各自的优缺点与主要应用领域。
9. 请将VDMOS 〔或IGBT 〕管栅极电流波形画于图1-32中，并说明电流峰值和栅极电阻有何关系以与栅极电阻的作用。
10. 全控型器件的缓冲吸收电路的主要作用是什么？试分析RCD 缓冲电路中各元件的作用。
11. 限制功率MOSFET 应用的主要原因是什么？实际使用时如何提高MOSFET 的功率容量？习题二1．具有续流二极管的单相半波可控整流电路，带阻感性负载，电阻为5Ω，电感为0.2H，电源电压的有效值为220V，直流平均电流为10A，试计算晶闸管和续流二极管的电流有效值，并指出晶闸管的电压定额〔考虑电压2-3倍裕度〕。
2．单相桥式全控整流电路接电阻性负载，要求输出电压在0～100V连续可调，输出电压平均值为30 V时，负载电流平均值达到20A。
电气工程学院电力电子技术习题集
三、简答题（本题共 4 小题，共 30 分）
1、电压型逆变电路的主要特点是什么？（7 分）
河北水利电力学院电气工程学院《电力电子技术》习题集
2、某一晶闸管，额定电压为 300V，额定电流为 100A，维持电流为 4mA，使用在下图所示的各 电路中是否合理?说明其理由。(不考虑电压、电流裕量)（8 分）
2、画出下图对应的 Ud、iT1、VT1 的波形其中虚线为脉冲信号。（12 分）
河北控制电路、检测电路、驱动电路、主电路填入以下框图中，组成一个电力电子应用系统。 （6 分）
六、计算题（本题共 1 小题，共 15 分）
1、有一个三相全控桥整流电路。已知电感负载 L=0.2H、α=60°、R=1Ω、变压器二次相电压 U2=100V。试画出 Ud 的波形，计算负载端输出的直流电压 Ud 和负载电流平均值 Id，计算变压器二 次电流的有效值 I2
4、对于单相交交变频电路如下图，在 t1~t2 时间段内，P 组晶闸管变流装置与 N 组晶闸管变流装置 的工作状态是（ ） B、P 组阻断，N 组逆变 D、N 组阻断，P 组逆变
A、P 组阻断，N 组整流 C、N 组阻断，P 组整流
河北水利电力学院电气工程学院《电力电子技术》习题集
5、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（
3、下面 BOOST 升压电路中，电感 L、电容 C 与二极管的作用是什么？（7 分）
4、变压器漏感对整流电路有什么影响？（8 分）
四、作图题（本题共 3 小题，共 26 分） 1、画出三相桥式全控整流电路带阻感负载的原理图，并给图中 6 个晶闸管写上正确 的编号，编号写在晶闸管的正上方或正下方。变压器采用Δ/Y 接法。（8 分）
习题 3
一、填空题：（本题共 7 小题，每空 1 分，共 20 分）
《电力电子技术(第二版)》课后习题及解答
《电力电子技术》习题及解答第1章思考题与习题1.1晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定?答：晶闸管的导通条件是：晶闸管阳极和阳极间施加正向电压，并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。
导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定，负载上电压由输入阳极电压U A决定。
1.2晶闸管的关断条件是什么?如何实现?晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?答：晶闸管的关断条件是：要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态，可采用阳极电压反向使阳极电流I A减小，I A下降到维持电流I H以下时，晶闸管内部建立的正反馈无法进行。
进而实现晶闸管的关断，其两端电压大小由电源电压U A决定。
1.3温度升高时，晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化？答：温度升高时，晶闸管的触发电流随温度升高而减小，正反向漏电流随温度升高而增大，维持电流I H会减小，正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。
1.4晶闸管的非正常导通方式有哪几种？答：非正常导通方式有：(1) I g=0，阳极电压升高至相当高的数值；(1) 阳极电压上升率du/dt 过高；(3) 结温过高。
1.5请简述晶闸管的关断时间定义。
答：晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。
即gr rr q t t t +=。
1.6试说明晶闸管有哪些派生器件？答：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。
1.7请简述光控晶闸管的有关特征。
答：光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管，在光的照射下，光电二极管电流增加，此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。
主要用于高压大功率场合。
1.8型号为KP100-3，维持电流I H =4mA 的晶闸管，使用在图题1.8所示电路中是否合理，为什么?(暂不考虑电压电流裕量)图题1.8答：（a ）因为H A I mA K V I <=Ω=250100，所以不合理。
电力电子技术习题+参考答案
一、选择题1. 电力电子技术的主要研究对象是什么？A. 电力系统B. 电子电路C. 功率半导体器件及其应用D. 电力设备和控制系统答案：C2. 以下哪种器件不属于电力电子器件？A. 晶闸管B. MOSFETC. 晶体管D. 线圈答案：D3. 在电力电子技术中，以下哪个不是一种电力变换方式？A. 电压变换B. 电流变换C. 频率变换D. 波形变换答案：D4. 下列哪种电力电子变换器可以实现直流电压的升降？A. 逆变器B. 整流器C. 直流变换器D. 交交变频器答案：C5. 电力电子技术中的“开关频率”指的是什么？A. 电路中电流的频率B. 电路中电压的频率C. 功率开关动作的频率D. 输出电压或电流的频率答案：C二、填空题1. 电力电子技术是利用_________对电能进行_________的技术。
答案：功率半导体器件；高效变换2. 电力电子技术中常用的功率半导体器件有_________、_________和_________。
答案：晶闸管；MOSFET；GTO3. 电力电子技术中的“硬开关”和“软开关”技术主要针对_________。
答案：开关过程三、判断题1. 电力电子技术只应用于工业领域，与日常生活无关。
（）答案：错误2. 电力电子技术中的整流器可以将交流电转换为直流电。
（）答案：正确3. 电力电子技术中的逆变器只能将直流电转换为交流电。
（）答案：错误4. 电力电子技术中的变频器可以实现交流电的频率变换。
（）答案：正确四、简答题1. 简述电力电子技术在电力系统中的应用。
答案：电力电子技术在电力系统中的应用非常广泛，主要包括以下几个方面：- 交流-直流变换：如太阳能光伏发电、风力发电等新能源的并网；- 直流-直流变换：如电动汽车充电、电力电子设备供电等；- 交流-交流变换：如变频调速、电力电子补偿等。
2. 简述电力电子技术中的功率半导体器件的特点。
答案：电力电子技术中的功率半导体器件具有以下特点：- 高开关速度：能够快速实现电路的通断；- 高导通电压：能够在高电压下工作；- 高导通电流：能够在大电流下工作；- 高功率密度：能够在有限的体积内实现高功率输出。
《电力电子技术》练习题及参考答案
《电力电子技术》练习题一、填空题(每空1分，共５０分)1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L________I H。
2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________。
3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM________U BO。
4、电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于________，设U2为相电压有效值。
5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差________。
6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值________。
7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是________措施。
8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有________二种方式。
9、抑制过电压的方法之一是用________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在________的上、下二个开关元件之间进行。
11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变________的幅值。
12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是________。
13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是________。
14、功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为______。
16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较______的规化值。
17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，双向晶闸管的额定电流用_____标定。
18、晶闸管的导通条件是：晶闸管______和阴极间施加正向电压，并在______和阴极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。
电力电子技术习题及答案 第1章
8、试说明 IGBT 、GTR、GTO 和电力 MOSFET 各自的优缺点。 解：对 IGBT 、GTR 、GTO 和电力 MOSFET 的优缺点的比较如下表： 器件 IGBT 优 点 缺 点 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流 开 关 速 度 低 于 电 力 冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高， MOSFET ，电压，电流容 为电压驱动，驱动功率小 量不及 GTO 开关速度低，为电流驱动， 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强 ， 所需驱动功率大，驱动电 饱和压降低 路复杂，存在二次击穿问 题 电流关断增益很小，关断 时门及负脉冲电流大，开 关速度 低， 驱动 功率 大， 驱动电路复杂，开关频率 低 电流容量小，耐压低，一 般中 适 用 于 功 率 不 超 过 10kw 的电力电子装置
过流
二、判断题 1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。 （ √ ） 2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为 500V ，反向重复峰值电压为 700V ，则该晶闸管的 额定电压是 700V 。 （ × ） 3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。 （ × ） 4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。 （ √ ） 5、 在晶闸管的电流上升至其维护电流后， 去掉门极触发信号， 晶闸管级能维护导通。 （×
） ）
1、图中阴影部分晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为 Im，试计算各 波形的电流平均值 Id1、Id2、Id3 与电流有效值 I1、I2、I3 。
解：a ） I d1
1 2
m 4
I sin td (t )
1m 2 ( 1) 0.2717I m 2 2
2 220 311.13V ；取晶闸管的安全裕量为 2 ，则晶闸管额定电压不低于 2× 311.13 ≈
电力电子技术练习题库及参考答案
电力电子技术练习题库及参考答案一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1.斩波电路中斩波开关不能用晶闸管来实现。
（×）A、正确B、错误正确答案：B2.GTO制成逆导型，能够承受反向电压。
（）A、正确B、错误正确答案：B3.在DC/DC变换电路中，可以采用电网换流方法。
（）A、正确B、错误正确答案：B4.直流变换电路输出的电压都小于输入电压。
（）A、正确B、错误正确答案：B5.提高电力电子装置的工作频率，可以使电力电子装置的体积和重量减小。
（）A、正确B、错误正确答案：A6.电力电子电路只能实现电能的变换，而不能实现电能的控制。
（）A、正确B、错误正确答案：B7.为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在开关状态。
（）A、正确B、错误正确答案：A8.直流变换电路多用于牵引调速。
（）A、正确B、错误正确答案：A9.变流装置其功率因数的高低与电路负载阻抗的性质，无直接关系。
（）A、正确B、错误正确答案：A10.三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。
（）A、正确B、错误正确答案：B11.有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。
（）A、正确B、错误正确答案：A12.单相半波可控整流电路带电阻负载时输出电压平均值的最大值为U2。
（）A、正确B、错误正确答案：B13.当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流晶闸管都不会导通。
（）A、正确B、错误正确答案：A14.降压斩波电路滤波电容C的容量足够大，则输出的电压Uo为常数。
（）A、正确B、错误正确答案：A15.有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。
（）A、正确B、错误正确答案：B16.三相半波可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。
（）A、正确B、错误正确答案：A17.GTO的缺点是电流关断增益很小。
（）A、正确B、错误正确答案：A18.β反映基极电流对集电极电流的控制力。
（）A、正确B、错误正确答案：A19.降压斩波电路运行情况只有一种：电感电流连续模式。
电力电子技术_习题集(含答案)
《电力电子技术》课程习题集一、单选题1.晶闸管内部有（）PN结。
A、一个B、二个C、三个D、四个2.电力二极管内部有（）个PN结。
A、一个B、二个C、三个D、四个3.双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个4.比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR5.下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、GTRB、MOSFETC、IGBTD、SR6.比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT7.下列半导体器件中属于电压型控制器件的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR8.压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护9.晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护10.普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值D、最小值11.晶闸管在电路中的门极正向偏压（）愈好。
A、愈大B、愈小C、不变D、为零12.快速熔断器在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护13.当晶闸管的额定电压小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相( )。
A、串联B、并联C、串并联14.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )。
A、导通状态B、关断状态C、饱和状态D、不定15.当晶闸管的额定电流小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相 ( )。
A、串联B、并联C、串并联16.晶闸管整流电路中直流电动机应该属于（）负载。
A、电阻性B、电感性C、反电动势D、不定17.晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会（）。
A、不变B、增大C、减小D、不定18.三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数（）。
电力电子技术习题(附参考答案)
一、选择题1. 电力电子技术中，下列哪种器件属于功率半导体器件？A. 晶体管B. 晶闸管C. 电阻D. 电容答案：B2. 下列哪种变换器属于直流变换器？A. 逆变器B. 整流器C. 交交变频器D. 交流-交流变换器答案：B3. 电力电子技术中，下列哪种控制方式属于开环控制？A. 比例控制B. 比例-积分控制C. 比例-积分-微分控制D. 电流控制答案：A4. 下列哪种电路属于三相桥式整流电路？A. 单相桥式整流电路B. 双相桥式整流电路C. 三相桥式整流电路D. 交交变频电路答案：C5. 电力电子技术中，下列哪种器件可以实现交流-交流变换？A. 晶闸管B. 晶体管C. MOSFETD. GTO答案：A二、填空题1. 电力电子技术是利用_________对电能进行高效变换的一种技术。
答案：功率半导体器件2. 电力电子变换器主要有_________、_________、_________和_________四种类型。
答案：整流器、逆变器、直流变换器、交交变频器3. 电力电子技术中，_________控制方式属于开环控制。
答案：比例4. 电力电子技术中，_________电路属于三相桥式整流电路。
答案：三相桥式5. 电力电子技术中，_________器件可以实现交流-交流变换。
答案：晶闸管三、判断题1. 电力电子技术中，晶体管属于功率半导体器件。
（）答案：错误2. 电力电子变换器中的整流器可以将交流电转换为直流电。
（）答案：正确3. 电力电子技术中，比例-积分控制属于开环控制。
（）答案：错误4. 电力电子技术中，三相桥式整流电路可以输出三相交流电。
（）答案：错误5. 电力电子技术中，GTO器件可以实现交流-交流变换。
（）答案：正确四、简答题1. 简述电力电子技术的应用领域。
答案：电力电子技术在电力、电子、自动化、新能源等领域有广泛的应用，如：电力系统中的电能变换、电力电子设备中的功率控制、新能源发电系统中的并网控制等。
电力电子技术练习题库与参考答案
电力电子技术练习题库与参考答案一、单选题（共30题，每题1分，共30分）1、直接耦合式强迫换流是给晶闸管加上反向电压而使其关断，因此又叫（）。
A、电流换流B、器件换流C、电压换流D、负载换流正确答案：C2、PWM控制技术在( )电路中的应用最为广泛。
A、逆变B、整流C、变频D、斩波正确答案：A3、单相全桥电压型逆变电路阻感负载，需要（）个续流二极管。
A、2B、4C、1D、3正确答案：B4、逆变电路根据交流输出侧接的对象，可分为（）。
A、单相逆变电路和三相逆变电路B、电压型逆变电路和电流型逆变电路C、有源逆变电路和无源逆变电路D、电容式逆变电路和电感式逆变电路正确答案：C5、单相全控桥式整流电路最多需要（）个晶闸管。
A、2B、3C、1D、4正确答案：D6、采用调制法得到PWM波形，把希望输出的波形作为（）。
A、正玄波B、载波C、调制信号D、锯齿波正确答案：C7、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合型器件，它是由（）复合而成的。
A、GTR和MOSFETB、GTR和GTOC、GTO和MOSFETD、SCR和MOSFET正确答案：A8、所谓电力电子技术就是应用于电力领域的（）技术。
A、变换B、电子C、控制D、交流正确答案：B9、单相桥式可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )。
A、0º-150°B、0º-90°C、0º-120°D、0º-180°正确答案：D10、斩波电路控制方式中，ton和T都可调，改变占空比，称为（）。
A、频率调制B、PWMC、相位控制D、混合型正确答案：D11、得到PWM波形的方法有（）。
A、计算法和调制法B、计算法和画图法C、调制法和画图法D、计算法和理论法正确答案：A12、逆变电路根据直流侧电源性质的不同，可分为（）。
A、电压型逆变电路和电流型逆变电路B、单相逆变电路和三相逆变电路C、电容式逆变电路和电感式逆变电路D、有源逆变电路和无源逆变电路正确答案：A13、斩波电路控制方式中，ton不变，改变T，称为（）。
电力电子技术_习题集(含答案)
《电力电子技术》课程习题集一、单选题1.晶闸管内部有（）PN结。
A、一个B、二个C、三个D、四个2.电力二极管内部有（）个PN结。
A、一个B、二个C、三个D、四个3.双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个4.比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR5.下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、GTRB、MOSFETC、IGBTD、SR6.比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT7.下列半导体器件中属于电压型控制器件的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR8.压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护9.晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护10.普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值D、最小值11.晶闸管在电路中的门极正向偏压（）愈好。
A、愈大B、愈小C、不变D、为零12.快速熔断器在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护13.当晶闸管的额定电压小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相( )。
A、串联B、并联C、串并联14.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )。
A、导通状态B、关断状态C、饱和状态D、不定15.当晶闸管的额定电流小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相 ( )。
A、串联B、并联C、串并联16.晶闸管整流电路中直流电动机应该属于（）负载。
A、电阻性B、电感性C、反电动势D、不定17.晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会（）。
A、不变B、增大C、减小D、不定18.三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数（）。
电力电子技术第四版习题集
□ 附录：习 题 集一、填空1、晶闸管的问世，使 电子技术 进入了强电领域，形成了 电力电子 学科。
2、电力电子变流技术的应用主要有以下几方面： 整流 、 直流斩波 、 逆变 、 交流电力控制 、 变频 和 变相 。
3、在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为____通态损耗____，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为___开关损耗_____。
4、电力电子器件在实际工作中应用中，一般是由 控制电路 、 驱动电路 和以电力电子器件为核心的 主电路 组成的一个系统。
由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加___保护_____。
5、普通晶闸管内部四个区形成 三个 PN 结,外部有三个电极，分别是 阳极A 极、 阴极K 极和 门极G 极。
6、晶闸管在其阳极与阴极之间加上 正向 电压的同时，门极上加上 触发 电压，晶闸管就导通。
7、只有当阳极电流小于 维持电流 电流时，晶闸管才通转为截止。
8、正弦半波电流的波形系数dI I K 为： 1.57 9、晶闸管的工作状态有正向 阻断 状态，正向 导通 状态和反向 阻断 状态三种。
10、某半导体器件的型号为KP50—7的，其中KP 表示该器件的名称为 普通晶闸管 ，50表示 额定电流50A ，7表示 额定电压700V 。
11、逆导晶闸管是将____二极管____与晶闸管__反向并联______（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12、在晶闸管两端并联的RC 回路是用来防止 关断过电压 损坏晶闸管的。
13、用来保护晶闸管过电流的熔断器叫 快速熔断器 。
14、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R 是___静态均压_____措施，给每只管子并联RC 支路是___动态均压_____措施，当需同时串联和并联晶闸管时，应采用___先串后并_____的方法。
15、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为 不可控 型器件、 半控 型器件和 全控型 器件。
电力电子技术练习题1
电⼒电⼦技术练习题1电⼒电⼦技术习题⼀、可控整流部分1、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）。
A、700VB、750VC、800VD、850V2、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制⾓α的最⼤移相范围是( )A、0o-90°B、0o-120°C、0o-150°D、0o-180°3、三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发⾓α=0o时，输出的负载电压平均值为（）。
A、0.45U2B、0.9U2C、1.17U2D、2.34U24、三相全控整流桥电路，如采⽤双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪⼀种双窄脉冲间距相隔⾓度符合要求。
请选择。
5、单相半波可控整流电路，晶闸管两端承受的最⼤电压为（）。
A、U2B、2U2C、22UD、6U26、单相桥式整流电路的同⼀桥臂两只晶闸管的触发脉冲应相差度。
A、60°B、180°C、360°D、120°7、在三相半波可控整流电路中，当负载为电感性时，负载电感量越⼤，则（）A. 输出电压越⾼B.输出电压越低C.导通⾓越⼩D. 导通⾓越⼤8、在三相半波可控整流电路中，每只晶闸管的最⼤导通⾓为（D）A. 30°B. 60°C. 90°D. 120°9、三相半波可控整流电路由(A)只晶闸管组成。
A、3B、5C、4D、210、三相半波可控整流电路电阻负载的控制⾓α移相范围是(A)。
A、0～90°B、0～100°C、0～120°D、0～150°11、三相半波可控整流电路⼤电感负载⽆续流管，每个晶闸管电流平均值是输出电流平均值的(D)。
A、1/3B、1/2C、1/6D、1/412、三相半控桥式整流电路由(A)晶闸管和三只功率⼆极管组成。
A、四只B、⼀只C、⼆只D、三只13、三相半控桥式整流电路电阻性负载时，控制⾓α的移相范围是(D)。
(完整版)电力电子技术练习题(答案)
34、将50Hz的工频交流电直接变换成其他频率的 交流电，—般输出频率均小于工频频率，这种直 接变频的方式称为 交—交变频 。
35、将50Hz的交流电先经整流变换为直流电，再 由直流电变换为所需频率的交流电这种变频的方 式称为 交—直—交变频。
36、如图为电流型并联谐振式变频电路，其输出电 流的波形为 矩形波 ， 其输出电压的波形基本 为 正弦波 。
5、有源逆变的条件（ A ） A （1）有直流电动势源EM，其极性和晶闸管
的导通方向一致且EM>Ud （2）、逆变角β<90º （α>90º ）。
B （1）有直流电动势源EM，其极性须和晶闸 管的导通方向一致且EM>Ud
37、如图为电压型并联谐振式变频电路，其输出电 流的波形为 正弦波 ， 其输出电压的波形基本 为 矩形波 。
38、电压型变频电路的特点是： (1) 直流侧接有 大电容 ，相当于电压源，直流电
压基本无脉动。 (2) 交流侧电压波形为 矩形波 ，交 流侧电流的波形由 负载性质 决定。
39、电流型变频电路的特点不： (1)直流侧接有 大电感 ，相当于电流源，直流电流基 本无脉动。(2)交流侧电流为 矩形波 ，交流侧电压的
斩波式 和通断式。
31、双向晶闸管的主要参数中，额定电流指的 是：在规定条件下，晶闸管所允许流过的最大工频 。 电流的有效值
32、对于电阻性负载的单相交流调压电路，输入电压
为Ui，控制角α的可调范围为
，输出电压的可
调范围为
。
0~
0 ~ Ui
33、对于电感性负载的单相交流调压电路，若负载 的阻抗角为φ，则晶闸管的控制角α的可调范围
电力电子技术练习题
一、填空题
1、电子技术包括信息电子技和术 电力两电大子分技支术。
《电力电子技术》习题
《电力电子技术》习题第1章 电力电子器件1.1晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定? 答：晶闸管的导通条件是：晶闸管阳极和阳极间施加正向电压，并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。
导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定，负载上电压由输入阳极电压U A 决定。
1.2晶闸管的关断条件是什么? 如何实现? 晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?答：晶闸管的关断条件是：要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态，可采用阳极电压反向使阳极电流I A 减小，I A 下降到维持电流I H 以下时，晶闸管内部建立的正反馈无法进行。
进而实现晶闸管的关断，其两端电压大小由电源电压U A 决定。
1.3晶闸管的非正常导通方式有哪几种？答：非正常导通方式有：(1) I g =0，阳极电压升高至相当高的数值；(1) 阳极电压上升率du/dt 过高；(3) 结温过高。
1.4请简述晶闸管的关断时间定义。
答：晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。
即gr rr q t t t +=。
1.5试说明晶闸管有哪些派生器件？答：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。
1.6请简述光控晶闸管的有关特征。
答：光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管，在光的照射下，光电二极管电流增加，此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。
主要用于高压大功率场合。
1.7型号为KP100-3，维持电流I H =4mA 的晶闸管，使用在图题1.7所示电路中是否合理，为什么?(暂不考虑电压电流裕量)图题1.7答：（a ）因为H A I mA K V I <=Ω=250100，所以不合理。
(b)A V I A 2010200=Ω=, KP100的电流额定值为100Ａ，裕量达５倍，太大了。
（c ）A V I A 1501150=Ω=，大于额定值，所以不合理。
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电力电子技术习题集习题一1. 试说明什么是电导调制效应及其作用。
2. 晶闸管正常导通的条件是什么，导通后流过的电流由什么决定？晶闸管由导通变为关断的条件是什么，如何实现？3. 有时晶闸管触发导通后，触发脉冲结束后它又关断了，是何原因？4. 图1-30中的阴影部分表示流过晶闸管的电流波形，其最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值、有效值。
如不考虑安全裕量，额定电流100A 的晶闸管，流过上述电流波形时，允许流过的电流平均值I d 各位多少？(f)图1-30 习题1-4附图5. 在图1-31所示电路中，若使用一次脉冲触发，试问为保证晶闸管充分导通，触发脉冲宽度至少要多宽？图中，E =50V ；L =0.5H ；R =0.5Ω; I L =50mA （擎住电流）。
图1-31习题1-5附图 图1-32习题1-9附图6. 为什么晶闸管不能用门极负脉冲信号关断阳极电流，而GTO 却可以？7. GTO 与GTR 同为电流控制器件，前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同？8. 试比较GTR 、GTO 、MOSFET 、IGBT 之间的差异和各自的优缺点及主要应用领域。
9. 请将VDMOS （或IGBT ）管栅极电流波形画于图1-32中，并说明电流峰值和栅极电阻有何关系以及栅极电阻的作用。
10. 全控型器件的缓冲吸收电路的主要作用是什么？试分析RCD 缓冲电路中各元件的作用。
11. 限制功率MOSFET 应用的主要原因是什么？实际使用时如何提高MOSFET 的功率容量？习题二1．具有续流二极管的单相半波可控整流电路，带阻感性负载，电阻为5Ω，电感为0.2H，电源电压的有效值为220V，直流平均电流为10A，试计算晶闸管和续流二极管的电流有效值，并指出晶闸管的电压定额（考虑电压2-3倍裕度）。
2．单相桥式全控整流电路接电阻性负载，要求输出电压在0～100V连续可调，输出电压平均值为30 V时，负载电流平均值达到20A。
系统采用220V的交流电压通过降压变压器供电，且晶闸管的最小控制角αmin＝30°，（设降压变压器为理想变压器）。
试求：（1）变压器二次侧电流有效值I2；（2）考虑安全裕量，选择晶闸管电压、电流定额；（3）作出α＝60°时，u d、i d和变压器二次侧i2的波形。
3．试作出图2-8所示的单相桥式半控整流电路带大电感负载，在α＝30°时的u d、i d、i VT1、i VD4的波形。
并计算此时输出电压和电流的平均值。
4．单相桥式全控整流电路，U2＝100V，负载中R＝2 Ω，L值极大，反电动势E＝60V，当α＝30°时，试求：（1）作出u d、i d和i2的波形；（2）求整流输出电压平均值U d、电流I d，以及变压器二次侧电流有效值I2。
5. 某一大电感负载采用单相半控桥式整流接有续流二极管的电路，负载电阻R=4Ω，电源电压U2=220V，α=π/3，求：(1) 输出直流平均电压和输出直流平均电流；(2) 流过晶闸管（整流二极管）的电流有效值；(3) 流过续流二极管的电流有效值。
6．三相半波可控整流电路的共阴极接法和共阳极接法，a、b两相的自然换相点是同一点吗？如果不是，它们在相位上差多少度？试作出共阳极接法的三相半波可控的整流电路在α＝30°时的u d、i VT1、u VT1的波形。
7. 三相半波可控整流电路带大电感性负载，α＝π/3，R=2Ω，U2=220V，试计算负载电流I d，并按裕量系数2确定晶闸管的额定电流和电压。
8．三相桥式全控整流电路，U2＝100V，带阻感性负载，R＝5 Ω，L值极大，当α＝60°，试求：（1）作出u d、i d和i VT1的波形；（2）计算整流输出电压平均值U d、电流I d，以及流过晶闸管电流的平均值I dVT和有效值I VT；（3）求电源侧的功率因数；（4）估算晶闸管的电压电流定额。
9．三相桥式不控整流电路带阻感性负载，R＝5 Ω，L＝∞，U2＝220V，X B=0.3 Ω，求U d、I d、I VD、I2和γ的值，并作出u d、i VD1和i2的波形。
10．请说明整流电路工作在有源逆变时所必须具备的条件。
11．什么是逆变失败？如何防止逆变失败？12. 三相全控桥变流器，已知L足够大、R=1.2Ω、U2=200V、E M= -300V，电动机负载处于发电制动状态，制动过程中的负载电流66A，此变流器能否实现有源逆变？求此时的逆变角β。
13．三相全控桥变流器，带反电动势阻感负载，R＝1 Ω，L＝∞，U2＝220V，L B=1mH，当E M＝－400V，β＝60°时求U d、I d和γ的值，此时送回电网的有功功率是多少？14．三相桥式全控整流电路，其整流输出电压中含有哪些次数的谐波？其中最大的是哪一次？变压器二次电流中含有哪些次数的谐波？其中主要的是哪几次？15．试计算第4题中i2的3、5、7次谐波分量的有效值I23、I25、I27，并计算此时该电路的输入功率因数。
16．试计算第6题中的i2的5、7次谐波分量的有效值I25、I27。
17. 三相晶闸管整流器接至10.5kV交流系统。
已知10kV母线的短路容量为150MV A，整流器直流侧电流I d＝400A，触发延迟角α＝15°，不计重叠角 ，试求：(1) 相移功率因数cosφ1、整流器的功率因数λ；(2) 整流测直流电压U d；(3) 有功功率、无功功率和交流侧基波电流有效值；(4) 截止到23次的各谐波电流的大小、总谐波畸变率。
18．晶闸管整流电路的功率因数是怎么定义的？它与那些因素有关？19. 综述抑制相控整流电路网侧电流谐波的措施。
20. 综述改善相控整流电路网侧功率因数的措施。
习题三1. 一升压换流器由理想元件构成，输入U d在8~16V之间变化，通过调整占空比使输出U0=24V固定不变，最大输出功率为5W，开关频率20kHz，输出端电容足够大，求使换流器工作在连续电流方式的最小电感。
2. 一台运行在20kHz开关频率下的升降压换流器由理想元件构成，其中L=0.05mH，输入电压U d=15V，输出电压U0=10V，可提供10W的输出功率，并且输出端电容足够大，试求其占空比D。
3．在图3-1所示的降压斩波电路中，已知E=100V，R=0.5Ω，L=1mH，采用脉宽调制控制方式，T=20μs，当t on＝5μs时，试求：（1）输出电压平均值U O、输出电流的平均值I O；（2）输出电流的最大和最小瞬时值并判断负载电流是否断续；（3）当t on＝3μs时，重新进行上述计算。
4．在图3-35所示降压斩波电路中，已知E=600V，R=0.1Ω，L=∞，E M=350V，采用脉宽调制控制方式，T=1800μs，若输出电流I O=100A，试求：（1）输出电压平均值U O和所需的t on值；（2）作出0u、0i以及i G、i D的波形。
EM图3-35 电流型降压斩波电路5．升压斩波电路为什么能使输出电压高于电源电压？6．在图3-4所示的升压斩波电路中，已知E=50V，L值和C值极大，R=20Ω，采用脉宽调制控制方式，当T=40μs，t on＝25μs时，计算输出电压平均值U O和输出电流的平均值I O。
7．说明降压斩波电路、升压斩波电路、升降压斩波电路的输出电压范围。
8．在图3-7所示升降压斩波电路中，已知E=100V，R=0.5Ω，L和C极大，试求：（1）当占空比α＝0.2时的输出电压和输出电流的平均值；（2）当占空比α＝0.2时的输出电压和输出电流的平均值，并计算此时的输入功率。
7．试说明升降压斩波电路（Boost－Cuck Chooper）和Cuk斩波电路的异同点。
8．在单相交流调压器中，电源电压U1=120V，电阻负载R=10Ω，触发角α=900，试计算：负载电压有效值U O、负载电流有效值I O、负载功率P O和输入功率因数λ。
9．一电阻性负载加热炉有单相交流调压电路供电，如α＝00时位输出功率最大值，试求功率为80％，50％时的触发角α。
10．一晶闸管单相交流调压器带阻感性负载，电源电压为220V的交流电源，负载R=10Ω，L=1mH，试求：（1）触发角α的移相范围；（2）负载电流的最大有效值；（3）最大输出功率及此时电源侧的功率因数；（4）当α＝900时，晶闸管电流的有效值、晶闸管导通角和电源侧功率因数；11．某单相反并联调功电路，采用过零触发。
电源电压U1=220V，电阻负载R=1Ω，控制的设定周期T C内，使晶闸管导通0.3s，断开0.2s，使计算送到电阻负载上的功率与假定晶闸管一直导通时所送出的功率。
12．交流调压电路和交流调功电路有什么区别？二者各运用于什么样的负载？为什么？13．用一对反并联的晶闸管和使用一只双向晶闸管进行交流调压时，他们的主要差别是什么？14．反并联的晶闸管和负载接成内三角形的三相交流调压电路，问该电路有何优点？15．什么是TCR？什么是TSC？它们的基本原理是什么？各有何特点？16．交交变频电路的主要特点和不足之处是什么？其主要用途是什么？17．三相交交变频电路有哪两种接线方式？它们有什么区别？1.无源逆变电路和有源逆变电路有什么区别？2.在逆变电路中器件的换流方式有哪些？各有什么特点？试举例说明。
3.为什么负载换向逆变器的负载阻抗必须呈容性而谐振式逆变器无次要求？4.什么是电压型逆变电路和电流型逆变电路？二者各有什么特点？5.电压型逆变电路中二极管的作用是什么？如果没有将出现什么现象？为什么电流型逆变电路中没有这样的二极管？6.请说明整流电路、逆变电路、变流（变频）电路三个概念的区别。
7.并联谐振式逆变器利用负载电压进行换相，为保证换相应满足什么条件？8.对于图4-16所示电路，测得u DS波形如图右边，请分析波形出现电压尖峰的原因，并说明消弱电压尖峰的办法。
Lu DSu R图4-16习题8 图4-17习题99.若电路及其输出波形如题图4-17所示，请画出开关管上的电压波形。
10.三相桥式电压型逆变电路，180º导电方式，U d=100V。
试求输出相电压的基波幅值U UN1m和有效值U UN1，输出线电压的基波幅值U UV1m和有效值U UV1、输出5次谐波的有效值U UV5。
1. 试说明PWM 控制的基本原理。
2. PWM 逆变器有哪些优点？其开关频率的高低有什么利弊？3. 单极性和双极性PWM 控制有什么区别？在三相桥式PWM 逆变电路中，输出相电压（输出端相对于中性点的电压）和线电压SPWM 波形各有几种电平？4. 脉宽调制（PWM ）技术的制约条件主要表现在哪些方面？5. 在SPWM 调制中，何谓同步调制？何谓异步调制？为什么常采用分段同步调制的方法？6. 脉宽调制逆变器的基本控制方法有哪些？7. 在图5-31中，半周期的脉冲数为7，脉冲幅值为相应正弦波幅值的2倍，试按照面积等效原理计算各脉冲的宽度。