模电基础答案
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术基础-模电课后题答案
(d)
6
解图 Pl.13 1.14 已知场效应管的输出特性曲线如图 Pl.14 所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。
图 Pl.14
(a) 解图 Pl.14
(b)
解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图 Pl.14 (a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐标值及
uGS 值，建立 iD f (uGS ) 坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图 Pl.14 (b)所示。
六、测得某放大电路中三个 MOS 管的三个电极的电位如表 Tl.6 所示，它们的开启电压也在表中。试分析 各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区） ，并填入表内。 表 T1.6 管号 T1 T2 T3 UGS(th)/V 4 -4 -4 US/V -5 3 6 UG/V 1 3 0 UD/V 3 10 5 工作状态 恒流区 截止区 可变电阻区
I CS
VCC U CES 11.3mA ， 所以 T 处于饱和状态。 Rc
5
1.11 电路如图 Pl.11 所示,晶体管的 β=50 , U BE 0.2V ，饱和管压降 U CES 0.1V ；稳压管的稳定电 压 U Z 5V , 正向导通电压 U D 0.5V 。试问：当 uI 0V 时 uO ？；当 uI 5V 时 uO ？ 解：当 uI 0V 时，晶体管截止，稳压管击穿，
7
(a)
(b) 图 P1.16
(c)
(d)
解：(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。 补充 1.电路如补图 P1(a)、(b)所示，稳压管的稳定电压 U Z 3V , R 的取值合适， u I 的波形如图(c)所 示。试分别画出 uO1 和 uO 2 的波形。
《模拟电子技术基础》习题答案
( RC // RL ) u i 0.76V rbe (1 ) RE
(1 )( RE // RL ) ui 0.994V rbe (1 ) RE
u o 2 Auo 2 u i
2. 6 如图题 2.6 所示的偏置电路中，热敏电阻 Rt 具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用？
第 1 章习题及答案 1.1．在图题 1.1 所示的各电路图中 E＝5V，ui 10 sin t V，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电 压 u o 的波形。
+
R
+ D E + -
+
Байду номын сангаас
D
+ R E + -
ui
(a) + R
uo
-
ui
(b)
uo
-
+ D E + -
+
ui
(c)
uo
-
D
+ R E + -
I B IC /
U CB U CC I C RC U CC Rb 2 U CC ( Rb1 Rb 2 )
Rb 2 RC Rb 2 U CC U CC ( Rb1 Rb 2 ) Re ( Rb1 Rb 2 )
7
第 3 章习题及答案 3.1 电路如图题 3.1 所示。 T1 和 T2 参数一致且 足够大。 （1） T1 、 T2 和电阻 R1 组成什么电路，起什么作用？ （2） 写出 I c 2 的表达式。
Re
uo
-
(a)
(b)
图解 2.7 2. 8 如图题 2.8 所示 RS、Re、Rb1、Rb2、Rc、RL、UCC 均已知；求静态工作点 IC、IB、UCB。
模拟电子技术基础第五版课后习题答案
模拟电子技术基础第五版课后习题答案【篇一：模拟电子技术基础,课后习题答案】一章1.1 电路如题图1.1所示，已知ui?5sin?t?v?，二极管导通电压降ud?0.7v。
试画出ui和uo的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当ui?3.7v时，uo?3.7v (2) 当?3.7v?ui?3.7v时，uo?ui (3) 当ui??3.7v时，uo??3.7v 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算ao两端的电压uao。
解：对于（a）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，uao??6v 采用恒压降模型来说，uao??6.7v对于（c）来说，二极管d1是导通的，二极管d2是截止的。
采用理想模型来说，uao?0 采用恒压降模型来说，uao??0.7v1.3 判断题图1.3电路中的二极管d是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流id??解：（b）先将二极管断开，由kvl定律，二极管左右两端电压可求出：2515＝1.5v 18?225?510u右＝15?＝1v140?10u左＝?10?故此二极管截止，流过的电流值为id＝0（c）先将二极管断开，由kvl定律，二极管左右两端电压可求出： 52＝2.5v，u左＝2.5?20?＝0.5v 25?518?210u右＝15?＝1v140?10u左1＝15?由于u右?u左?0.5v，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为id?0.51.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： t1: 硅管，pnp，11.3v对应b, 12v对应e, 0v对应ct2: 硅管，npn，3.7v对应b, 3v对应e, 12v对应c t3: 硅管，npn，12.7v对应b, 12v对应e,15v对应c t4: 锗管，pnp，12v对应b, 12.2v对应e, 0v对应c t5: 锗管，pnp，14.8v对应b, 15v对应e,12v对应c t6: 锗管，npn，12v对应b, 11.8v对应e, 15v对应c模拟电子技术基础第二章2.2 当负载电阻rl?1k?时，电压放大电路输出电压比负载开路（rl??）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻ro。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。
模拟信号是连续变化的信号，可以表示任意数值；数字信号是离散变化的信号，只能表示有限的数值。
2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。
电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。
模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域；数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。
第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流，并给出它们的单位。
电压（V）是电势差，单位为伏特（V）；电流（I）是电荷通过导体的速率，单位为安培（A）。
2.列举常见的电压源和电流源。
常见的电压源有电池、发电机、电源等；常见的电流源有电流表、发电机、电源等。
3.简述欧姆定律的定义和公式。
欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。
根据欧姆定律，电流等于电压与电阻之间的比值，即I=V/R，其中I为电流，V为电压，R为电阻。
第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。
电阻是指导体对电流的阻碍程度，单位为欧姆（Ω）。
2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加，即R= R1 + R2 + … + Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加，再取倒数，即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。
电压分压原理指的是当在一个电阻网络中，多个电阻串联，电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。
电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。
电容是指导体上储存电荷的能力，单位为法拉（F）。
2.串联电容和并联电容的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加，再取倒数，即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn，其中C为总电容，C1、C2、…、Cn为各个电容值。
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《模拟电子技术》复习资料答案一、填空题1.半导体不同于导体利绝缘体的三大独特件质为掺杂性、热敏性、光敏性；其电阻率分別受佳质、温度、光照的增加而下降。
2.用于制造半导体器件的材料通常是_硅、错和帥化稼。
3.当外界温度、光照等变化时，半导体材料的导电能力会发生很大的变化。
4.纯净的、不含杂质的半导体，称为本征半导体。
5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
6.本征半导体中掺入III族元素,例如B、A1 ,得到P型半导体。
7.木征硅中若掺入五价元素的原了，则多数载流了应是一电子,掺杂越多，则其数量一定越一多，而少数载流子应是—空穴，掺杂越多，则其数量一定越一少。
8.半导体中存在着两种载流子：带正电的空穴和带负电的.电子。
9.N型半导体小的多数载流子是_电子，少数载流子是一空穴。
10.杂质半导体分N型（电子）和P型（空穴）两大类。
11.N型半导体多数载流了是一电了，少数载流了是_空穴。
P型半导体多数载流了是一空穴，少数载流子是_电子。
12.朵质半导体中，多数载流子浓度主要取决于掺杂浓度，而少数载流子则与温度有很大关系。
13.PN结的主要特性是一单向导电性。
14.PN结是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动处于动态平衡而形成的,有时又把它称为空间电荷区（势垒区）或耗尽区（阻挡层）。
15.PN结加正向电压时，空间电荷区变窄；PN结加反向电压时，空间电荷区变宽。
16.PN结在无光照、无外加电压吋，结电流为零°17.PN结两端电压变化时，会引起PN结内电荷的变化，这说明PN结存在电容效应。
18.二极管是由—个PN结构成，因而它同样具有PN结的单向导电特件。
19.二极管的伏安特性可川数学式和Illi线來描述，其数学式是上去屋佟LL，其曲线又口J分三部分：1I-：向特性、反向特性、击穿特性。
20.品体二极管的正向电阻比其反向电阻小，稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的止，击穿区的交流电阻乂比正向区的小o21.有两个晶体三极管A管的［3二200, /CEO=200M A； B管的卩二50, /CEO=10M A,其他参数人致相同，相比之下旦管的性能较好。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术基础试题及答案
一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。
(1I)只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；( )(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用；( )(3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的；( )(4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；( )(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；( )(6)由于放大的对象象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都豪无变化；( )(7)只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
( )【解答】(1)×。
放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。
(2) √。
放大的特征就是功率的放大。
(3)×。
应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。
(4)×。
．(5) √。
设置合适的静态工作点。
(6)×。
任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。
(7)×。
二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电对交流信号均可视为短路。
，【解答1 (a)不能。
因为输人信号被VBB所影响。
(a)例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极?【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道，P沟道的场效应管，必须在UGs<0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点，而且会造成管子损坏。
‘而对于绝缘栅型效应管，由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能用测晶体管的办法来检测。
对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。
模拟电子技术基础部分练习题含答案
模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。
A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。
A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。
A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。
A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
模拟电子技术基础期末考试试题及答案一、选择题1. 下列选项中，哪种元器件可以将一个信号的幅度提高到较高水平？A. 电感B. 二极管C. 发射管D. 收音机答案：C. 发射管2. 以下哪个不是模拟电子技术中常见的电子元器件？A. 电阻B. 电容C. 电子管D. 电池答案：D. 电池3. 在模拟电子技术中，下面哪个元器件常用于放大电压信号？A. 开关B. 反射器C. 放大器D. 混频器答案：C. 放大器4. 下面哪个元器件可以将直流电信号转换成交流电信号？A. 容器B. 反射器C. 变压器D. 调制器答案：D. 调制器5. 在模拟电子技术中，以下哪个元器件常用于对电流进行控制？A. 电流计B. 混频器C. 电容D. 二极管答案：D. 二极管二、填空题6. 电阻的单位是________。
答案：欧姆（Ω）7. 二极管有两个基本电极，分别是阳极（A）和________。
答案：阴极（K）8. 在放大器中，输入信号的强度被放大器增大到预期的输出水平，这个功能叫做________。
答案：放大9. 电容存储的电荷量与其电压的关系是________。
答案：线性关系10. 以下哪个元器件可以将交流信号转换成相同频率的直流信号？答案：整流器三、解答题11. 请简要阐述电子管的工作原理及其在模拟电子技术中的应用。
答案：电子管是一种由真空或带有特殊气体的封闭空间中的电子流控制器件。
电子管工作原理基于热电子发射和电子聚焦的原理，通过在电子管中加入电场和磁场，可以控制电子流的流动和放大信号。
在模拟电子技术中，电子管经常用于放大电压信号。
它具有高放大系数和低噪声的特点，因此在音频放大器、射频放大器等方面得到广泛应用。
同时，电子管还常用于整流、调制和混频等电路中。
12. 请列举并简要介绍两种常见的放大器类型。
答案：两种常见的放大器类型分别是：a. 甲类放大器：甲类放大器是一种线性放大器，输出信号的整个周期都以较小的偏置电流进行放大，即电流在整个传输特性曲线上运行。
模拟电子技术基础试题与答案
一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。
(1I)只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；( )(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用；( )(3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的；( )(4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；( )(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；( )(6)由于放大的对象象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都豪无变化；( )(7)只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
( )【解答】(1)×。
放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。
(2) √。
放大的特征就是功率的放大。
(3)×。
应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。
(4)×。
．(5) √。
设置合适的静态工作点。
(6)×。
任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。
(7)×。
二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电对交流信号均可视为短路。
，【解答1 (a)不能。
因为输人信号被VBB所影响。
(a)例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极?【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道，P沟道的场效应管，必须在UGs<0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点，而且会造成管子损坏。
‘而对于绝缘栅型效应管，由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能用测晶体管的办法来检测。
对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。
模电基础试题及答案
模电基础试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间，这种材料被称为：A. 导体B. 绝缘体C. 半导体D. 超导体答案：C2. 在PN结中，正向偏置时，电流主要由哪种载流子通过？A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 离子答案：C3. 下列哪个元件不是基本的模拟电路元件？A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 逻辑门答案：D4. 运算放大器的理想工作条件是：A. 单电源供电B. 双电源供电C. 无电源供电D. 任意电源供电答案：B5. 共发射极放大电路中，输出信号与输入信号的相位关系是：A. 同相B. 反相C. 无关系D. 相位差90度答案：B6. 晶体三极管的放大作用是通过控制哪个极的电流来实现的？A. 发射极B. 基极C. 集电极D. 任何极答案：B7. 在模拟电路中，通常使用哪种类型的反馈来提高电路的稳定性？A. 正反馈B. 负反馈C. 无反馈D. 混合反馈答案：B8. 场效应管（FET）的主要优点之一是：A. 高输入阻抗B. 低输入阻抗C. 高输出阻抗D. 低输出阻抗答案：A9. 理想运算放大器的输入阻抗是：A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C10. 串联负反馈可以导致放大电路的：A. 增益增加B. 增益减少C. 带宽增加D. 带宽减少答案：B二、填空题（每空1分，共10分）1. 半导体二极管的主要特性是______，即正向导通，反向截止。
答案：单向导电性2. 在共基极放大电路中，输入信号与输出信号的相位关系是______。
答案：同相3. 运算放大器的开环增益通常在______以上。
答案：100000（或10^5）4. 场效应管的控制方式是______控制，而双极型晶体管的控制方式是______控制。
答案：电压；电流5. 理想运算放大器的输出电压与输入电压之间的关系是______。
答案：输出电压远大于输入电压三、简答题（每题5分，共10分）1. 简述晶体三极管的三种基本放大电路及其特点。
模拟电子技术基础课后习题答案 童诗白
第一章半导体基础知识自测题一、（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈1.3V U O2＝0U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =−====−=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以Ω≈−====−=k 4.45V μA 6.28mA86.2V BBEBB b CB cCESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3u i 和u o 的波形如图所示。
1.4u i 和u o 的波形如图所示。
ttt1.5u o 的波形如图所示。
1.6I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
1.7（1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。
模拟电路基础试题及答案
模拟电路基础试题及答案一、选择题1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是什么？A. 信号的滤波B. 信号的放大C. 信号的调制D. 信号的解调答案：B2. 以下哪个不是运算放大器的基本特性？A. 高增益B. 高输入阻抗C. 低输出阻抗D. 低频响应差答案：D3. 什么是共模抑制比（CMRR）？A. 差模信号与共模信号的比值B. 差模信号与噪声的比值C. 共模信号与差模信号的比值D. 共模信号与噪声的比值答案：C二、填空题4. 理想运算放大器的输入阻抗是________，输出阻抗是________。
答案：无穷大；零5. 一个理想的放大器的增益定义为输出电压与输入电压的________。
答案：比值三、简答题6. 简述负反馈在放大器中的作用。
答案：负反馈在放大器中可以提高增益稳定性，减小非线性失真，增加输入阻抗，降低输出阻抗，改善放大器的性能。
7. 什么是差分放大器，其主要优点是什么？答案：差分放大器是一种能够放大两个输入端电压差的放大器。
其主要优点是具有很高的共模抑制比，能够抑制共模干扰，提高信号的信噪比。
四、计算题8. 假设有一个非理想运算放大器，其开环增益为10^3，输入阻抗为1kΩ，输出阻抗为50Ω。
若输入信号为1mV，求输出电压。
答案：由于运算放大器的开环增益很高，可以近似认为输出电压等于输入电压乘以开环增益，即输出电压 = 1mV * 10^3 = 1V。
9. 如果在上题中的运算放大器接入一个反馈电阻Rf=10kΩ，求闭环增益。
答案：闭环增益可以通过公式Av = Vout/Vin = -βAol/(1 + Aol)计算，其中β是反馈系数，Aol是开环增益。
在这里，β =Rf/(Rf+Ri)，Ri是输入阻抗。
代入数值得到Av = -10kΩ/(10kΩ+1kΩ) * 10^3 ≈ -100。
五、论述题10. 论述模拟电路与数字电路的区别，并举例说明它们在实际应用中的不同作用。
答案：模拟电路处理的是连续变化的信号，如声音、温度等，而数字电路处理的是离散的数字信号，如计算机中的二进制数据。
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
模拟电子技术基础试题含答案
1、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。
【】A. 83B. 91C. 1002、已知图所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降UCEQ＝6V；并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3kΩ。
选择一个合适的答案填入空内。
（1）该电路的最大不失真输出电压有效值Uom≈；【】A.2VB.3VC.6VU ＝1mV时，若在不失真的条件下，减小RW，（2）当i则输出电压的幅值将；【】A.减小B.不变C.增大U ＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增（3）在i大输入电压，则输出电压波形将；【】A.顶部失真B.底部失真C.为正弦波（4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将。
【】A.RW减小B.Rc减小C.VCC减小3、互补输出级采用共集形式是为了使。
【】A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强4、选用差分放大电路的原因是。
【】A.克服温漂B. 提高输入电阻C.稳定放入倍数5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频【】A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍即增益下降。
【】A.3dBB.4dBC.5dB6、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。
【】A．输入电阻增大B．输出量增大C．净输入量增大D．净输入量减小7、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。
【】A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定8、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。
【】A. 基准电压 B 取样电压C基准电压与取样电压之差9、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。
【】A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路10、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的【】A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大11、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。
模电试题及答案
模拟电子技术基础试题A 卷学号姓名 .一、判断下列说法是否正确,用“×”或“√”表示判断结果; 10分 1在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”; 2电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流; 3使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈; 4产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响; 5利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管; 6本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等; 7未加外部电压时,PN 结中电流从P 区流向N 区; 8集成运放在开环情况下一定工作在非线性区; 9只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡; 10直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路; 二、选择填空 10分1为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入 ; A 电流负反馈 B 电压负反馈 C 直流负反馈 D 交流负反馈 2RC 串并联网络在RCf f π210==时呈 ; A 感性 B 阻性 C 容性 3通用型集成运放的输入级多采用 ;A 共基接法B 共集接法C 共射接法D 差分接法 4两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 ; A β B β2 C2β D1+β5在A 、B 、C 三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流,又能放大电压的电路是 ; A 共基放大电路 B 共集放大电路 C 共射放大电路6当NPN 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C u B u E ; A > B < C = D ≤ 7硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 ; A 大 B 小 C 相等三、5分图示电路中二极管为理想二极管,请判断它是否导通,并求出u 0; 四、10分在图示电路中,已知晶体管静态时B-E 间电压为U BEQ ,电流放大系数为β,B-E 间动态电阻为r be ;填空：静态时,I BQ 的表达式为 ,I CQ 的表达式为 ,U CEQ 的表达式为 ；电压放大倍数的表达式为 ,输入电阻的表达式为 ,输出电阻的表达式为 ；若减小R B ,则I CQ 将 ,r be将 ,uA 将 ,R i 将 ; 五、10分在图示电路中,已知晶体管静态时U BEQ =,电流放大系数为β=100,r be =1 k Ω,R B1=5 k Ω,R B2=15 k Ω,R E = k Ω,R C =R L =3 k Ω,V CC =12V;1估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻;2估算信号源内阻为R S =1k Ω时,Sus U U A 0=的数值; 六、10分在图示电路中,已知V CC =12V,V EE =6V,恒流源电路 I=1 mA,R B1=R B2=1 k Ω,R C1=R C2=10 k Ω；两只晶体管特性完全相同, 且β1=β2=100,r be1= r be2=2 k Ω;估算： 1电路静态时T 1和T 2管的集电极电位；2电路的差模放大倍数A d 、共模放大倍数A C 、输入电阻R i 和输出电阻R 0 七、5分在图示OCL 电路中,已知T 1、T 2管的V U CES 1=,电源电压为±9V,负载电阻R L =8 Ω,试计算最大输出功率P om 及效率η; 八、8分设图示各电路均引入了深度交流负反馈,试判断各电路引入了哪种组态的交流负反馈,并分别估算它们的电压放大倍数; 九、6分在图示电路中,要求R F =100 k Ω,比例系数为11,试求解R 、和R '的阻值; 十、6分求解图示电路的运算关系式;十一、9分在图示文氏桥振荡电路中,已知R 1=10 k Ω,R 和C 的可调范围分别为1~100 k Ω、~1μF;（1） 振荡频率的可调范围是多少 2R F 的下限值为多少十二、5分在图示电路中,已知W7806的输出电压为6V,R 1=R 2=R 3=200 Ω,试求输出电压U 0的调节范围;十三、6分串联型稳压电路如图所示,T 2和T 3管特性完全相同,T 2管基极电流可忽略不计,稳压管的稳定电压为U Z ;填空：调整管为 ,输出电压采样电阻由 组成,基准电压电路由 组成,比较放大电路 组成；输出电压调节范围的表达式为 ;模拟电子技术基础试题B 卷学号姓名 .一、判断下列说法是否正确,用“×”或“√”表示判断结果; 10分 1只要满足相位平衡条件,电路就会产生正弦波振荡;2引入直流负反馈可以稳定静态工作点;3负反馈越深,电路的性能越稳定; 4零点漂移就是静态工作点的漂移;5放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻; 6镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同; 7半导体中的空穴带正电;8P 型半导体带正电,N 型半导体带负电; 9实现运算电路不一定非引入负反馈; 10凡是引入正反馈的集成运放,一定工作在非线性区; 二、选择填空 10分1为了增大输出电阻,应在放大电路中引入 ；为了展宽频带,应在放大电路中引入 ; A 电流负反馈 B 电压负反馈 C 直流负反馈 D 交流负反馈 2在桥式文氏桥RC 正弦波振荡电路中, ; A φA =-1800,φF =+1800 B φA =+1800,φF =+1800 C φA =00,φF =00 3集成运放的互补输出级采用 ;A 共基接法B 共集接法C 共射接法D 差分接法 4两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 ; A β B β2 C2β D1+β5在A 、B 、C 三种电路中输入电阻最大的电路是 ；既能放大电流,又能放大电压的电路是 ; A 共基放大电路 B 共集放大电路 C 共射放大电路6当PNP 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C u B u E ; A > B < C = D ≤ 7硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 ; A 大 B 小 C 相等三、5分图示电路中二极管为理想二极管,请判断它是否导通,并求出u 0; 四、10分在一个放大电路中,三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示,将每只管子所用材料Si 或Ge 、类型NPN 或PNP 及管脚为哪个极e 、b 或c 填入表内;管 号 T 1 T 2 T 3 管号T 1 T 2 T 3管 脚电 位 V①3 电 极名称 ① ② 0 6 10② ③ 5 3③材 料 类型五、10分在图示电路中,已知晶体管静态时U BEQ =,电流放大系数为β=80,r be = k Ω,R B =500 k Ω,R C =R L =5 k Ω,V CC =12V;1估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻;2估算信号源内阻为R S =Ω时,Sus U U A 0=的数值; 六、10分在图示电路中,已知V CC =12V,V EE =6V,恒流源电路 I=1 mA,R B1=R B2=1 k Ω,R C1=R C2=10 k Ω；两只晶体管特性完全相同, 且β1=β2=100,r be1= r be2=2 k Ω;估算： 1电路静态时T 1和T 2管的集电极电位；2电路的差模放大倍数A d 、共模放大倍数A C 、输入电阻R i 和输出电阻R 0七、5分在图示OCL 电路中,已知T 1、T 2管的V U CES 1=,电源电压为±9V,负载电阻R L =8 Ω,试计算最大输出功率P om 及效率η; 八、8分设图示各电路均引入了深度交流负反馈,试判断各电路引入了哪种组态的交流负反馈,并分别估算它们的电压放大倍数;九、6分在图示电路中,要求其输入电阻为20 k Ω,比例系数为-15,试求解R 、R F 和R '的阻值; 十、6分求解图示电路的运算关系式;十一、9分将图示电路合理连接,构成桥式即文氏桥正弦波振荡电路,并估算电路的振荡频率和R 1的最大值;十二、5分在图示电路中,已知W7805的输出电压为5V,I W =5mA,R 1=1 k Ω,R 2=200 Ω;试求输出电压U 0的调节范围;十三、6分串联型稳压电路如图所示,稳压管的稳定电压为U Z ;填空：调整管为 ,输出电压采样电阻由 组成,基准电压电路由 组成,比较放大电路由 组成；输出电压调节范围的表达式为;A 卷参考答案一、1×2√3×4√5 √ 6√7×8√9×10√ 二、1B 、C2B3D4B5B 、C 6A 、A7A三、二极管D 导通,-3V 四、BBEQCC BQ R U V I -=；BQ CQI I β=；C CQ CC CEQ R I V U -=；beLur R A '-=β ； be B i r R R //=；C R R =0；增大；减小；减小；减小 五、3V ；1mA ；10цA ；；-150；Ω； 六、7V ；-333；0；6 k Ω；20 k Ω 七、4W ；；70%八、a 电压并联负反馈；-R 2/R 1 b 电压串联负反馈；1+R 2/R 1 九、10 k Ω；9 k Ω 十、2121120)1(I I u R Ru R R u ++-= 十一、—160kH Z ；20 k Ω十二、9V ；8V十三、T 1 ；R 1、R 2、R 3；R 、D Z ；T 2、T 3、R E 、R C ；B 卷参考答案一、1×2√3×4√5 √ 6√7√8×9×10× 二、1A 、D2C3B4B5B 、C 6B 、B7A三、二极管D 截止,-6V五、цA ；；3V ； -167；Ω；5 k Ω； 六、7V ；-333；0；6 k Ω；20 k Ω 七、4W ；；70%八、a 电压串联负反馈；1+R 2/R 1 b 电压并联负反馈；-R 2/R 1 九、20 k Ω；300k Ω; k Ω 十、21210I I u R R u u += 十一、 160 H Z ；50 k Ω 十二、5V--35V十三、T ；R 1、R 2、R 3；R 、D Z ；A ；。
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17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（ ），电路符号是（ ）。
二、选择题（每空2分 共30分）
1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ ）状态，但其两端电压必须（ ），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（ ）状态。
Rs=500Ω， UBEQ≈0，C1=C2=30uF，rbe=1.5K，β=100，Us=10sinwt mV
求：① ICQ ② UCEQ ③ Au（取小数点后2位） ④ Ri
⑤ R0（10分）
解：
3、具有电流源的差分电路如图所示，已知UBEQ=0.7V，β=100，rbb=200Ω，试求：（1）V1、V2静态工作点ICQ、UCQ；（2）差模电压放大倍数Aud；（3）差模输入电阻Rid和输出电阻RO；（6分）
3、对功率放大器的要求主要是（ ）、（ ）、（ ）。
A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真
4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ ），此时应该（ ）偏置电阻。
A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小
《模拟电子技术》模拟试题一
填空题：（每空1分 共40分）
1、PN结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN结具有（ ）导电性。
2、漂移电流是（ ）电流，它由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加电压（ ）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（ ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（ ），等效成断开；
A、基本放大器 B、选频网络 C、干扰或噪声信号
三、分析计算题
1、（6分）由理想运放构成的小信号交流放大电路如图示：
求：①频带内电压放大倍数Auf（取整数）；
②截止频率fL；
A、放大差模抑制共模 B、输入电阻高 C、输出电阻低
6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（ ）之间变化。
A、0~20 B、20~200 C、200~1000
7、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（ ）Uz
A、0.45 B、0.9 C、1.2
A、1 B、2 C、3
8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（ ）负反馈。
A、电压 B、电流 C、串联
9、分析运放的两个依据是（ ）、（ ）。
A、U-≈U+ B、I-≈I+≈0 C、U0=Ui D、Au=1
三、分析与计算题（共30分）4分 1、1）二极管V截止 2）UA0=-4V
10分 2、1）ICQ=2.4mA UCEQ=7.2V 2）AU=0.99 3）Ri=122k 4) Ro=20Ω
6分 3、1）ICQ1=0.5mA UCEQ1=6V
求：输出电压U0；
A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止
2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ ），该管是（ ）型。
A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP）
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（ ）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（ ）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（ ），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（ ）。
10、带有负（ ），
（ ）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（ ）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（ ）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（ ）失真，而采用（ ）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（ ）电源互补功率放大电路；
OTL电路是（ ）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（ ），输入电阻（ ），输出电阻（ ）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（ ）漂移，也称（ ）漂移，所以它广泛应用于（ ）电路中。
5、差分放大电路是为了（ ）而设置的。
A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移
6、共集电极放大电路的负反馈组态是（ ）。
A、压串负 B、流串负 C、压并负
7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（ ）倍。
3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ ）失真，下半周失真时为（ ）失真。
A、饱和 B、截止 C、交越 D、频率
4、差分放大电路是为了（ ）而设置的。
A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移
5、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（ ）能力。
《模拟电子技术》模拟试题二
一、填空题（每空1分 共32分）
1、P型半导体中空穴为（ ）载流子，自由电子为（ ）载流子。
2、PN结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN结具有（ ）导电性。
3、反向电流是由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加电压（ ）。
二、选择题（每空2分 共30分）
1、B C F 2、C D 3、B C E 4、B E 5、C 6、A 7、 B 8、A 9、 A B
9、A/1+AF 1/F
10、1+AF fH –fL 1+AF
11、共模 差模
12、交越 甲乙
13、双 单
14、小于近似等于1 大 小
15、零点 温度 集成
16、调幅 载波信号
17、KUxUy
三、分析计算题
1、已知电力如下图示：为理想二极管，试分析：
①二极管导通还是截止？②UA0=？（4分）
解：
2、已知电力如图示：Vcc=12V，RB=300KΩ，RE=RL=2KΩ，
求出F0；（4分）
试题一答案
一、填空（每空1分 共40分）
1、导通 截止 单向
2、反向 少数 温度 无关
3、零 无穷大
4、电流 电压
5、正偏 反偏
6、增加 减小
7、共射极 共集电极 共基极
8、直流 电流
8、当集成运放线性工作时，有两条分析依据（ ）（ ）。
A、U-≈U+ B、I-≈I+≈0 C、U0=Ui D、Au=1
9、对功率放大器的主要要求有（ ）（ ）（ ）。
A、U0高， B、P0大 C、效率高 D、Ri大 E、波形不失真
10、振荡器的输出信号最初由（ ）而来的。
4、三极管是（ ）控制元件，场效应管是（ ）控制元件。
5、当温度升高时，三极管的等电极电流I（ ），发射结压降UBE（ ）。
6、晶体三极管具有放大作用时，发射结（ ），集电结（ ）。
7、三极管放大电路共有三种组态（ ）、（ ）、（ ）放大电路。
12、用低频信号去改变高频信号的频率称为（ ），低频信号称为（ ）信号，高频信号称高频（ ）。
13、共基极放大电路的高频特性比共射极电路（ ），fa=（ ）fβ。
14、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（ ）网络。
15、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（ ）。
4、三极管是（ ）控制元件，场效应管是（ ）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ ），集电结（ ）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（ ），发射结压降（ ）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（ ）、（ ）、（ ）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（ ）负反馈，为了减小输出电阻采用（ ）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数Af=（ ），对于深度负反馈Af=（ ）。
10、共模信号是大小（ ），极性（ ）的两个信号。
11、乙类互补功放存在（ ）失真，可以利用（ ）类互补功放来克服。
4、电路如图所示，设UCES=0试回答下列问题：（6分）
（1）ui=0时，流过RL的电流有多大？
（2）若V3、V4中有一个接反，会出现什么后果？
（3）为保证输出波形不失真，输入信号ui的最大幅度为多少？管耗为多少？
5、根据自激振荡的相位条件，判断下图能否产生振荡？如果能振荡，
6分 4、 1）ui=0时，RL电流为零 2） V3、V4有一个反接电路不能工作
3）Uim=12V 4)Pcl=[Vcc2(4-3.14)]/(4*3.14RL)=0.099W
4 分 5、 1）能振荡 2）fo=280KHZ
二、选择题（每空2分 共30分）
1、三端集成稳压器CW7812的输出电压是（ ）。
A、12V B、5V C、9V
2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ ），该管是（ ）型。
A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（PNP） E、（NPN）
2、（8分）已知：电路如图：t=0时，Uc（0-）=0，Ui=0.1V。
求：①U01②t=10s时的U0？
3、（10分）已知：电路如图示：Vcc=12V，RB1=40K，RB2=20K，Rc=RL=2K，
RE=1.65K，UBEQ=0.7V，C1=C2=20uf，rbe=1.5K，β=100，CE=10uf
求：① ICQ ② UCEQ ③ Au ④ Ri ⑤ R0（取小数点后1位）
4、（9分）已知：RC振荡电路如下图，R=7.9KΩ，C=0.02uF，RF=10K，求：①fo ② R1冷态电阻值；③ 指明R1的温度特性；
5、（7分）已知：电路如图示：IQ=5mA，R1=500Ω，R2=1KΩ；