陶瓷电容与钽质电容及电解电容简介
104陶瓷电容
104陶瓷电容摘要：1.陶瓷电容的概述2.陶瓷电容的特性与优点3.陶瓷电容的分类4.陶瓷电容的应用领域5.陶瓷电容的发展前景正文：【陶瓷电容的概述】陶瓷电容，又称为陶瓷介质电容，是一种常见的电子元器件。
它是由陶瓷材料作为介质，并以金属作为电极的一种电容器。
陶瓷电容在我国的电子产业中有着广泛的应用，其性能稳定、工作温度范围宽、可靠性高等优点使其成为众多电子设备的重要组成部分。
【陶瓷电容的特性与优点】陶瓷电容具有许多优良的特性，这使得它在电子领域有着广泛的应用。
首先，陶瓷电容的工作温度范围很宽，一般可以达到-55℃至+125℃。
其次，陶瓷电容的稳定性能好，其电性能在长时间工作下不会发生明显的变化。
此外，陶瓷电容的抗干扰能力强，对于电磁干扰和射频干扰具有很好的抑制作用。
【陶瓷电容的分类】根据陶瓷材料的不同，陶瓷电容可以分为以下几种类型：1.钽电解电容：由钽作为阳极，以陶瓷作为阴极的电容器。
2.铌电解电容：由铌作为阳极，以陶瓷作为阴极的电容器。
3.氧化铝电容：由氧化铝作为介质的陶瓷电容。
4.氧化钛电容：由氧化钛作为介质的陶瓷电容。
5.氮化钽电容：由氮化钽作为介质的陶瓷电容。
【陶瓷电容的应用领域】陶瓷电容广泛应用于各种电子设备和电子产品中，如通信设备、计算机、家电、工业控制等领域。
陶瓷电容在这些领域中发挥着重要的作用，如存储电能、滤波、耦合、去耦等。
【陶瓷电容的发展前景】随着科技的不断发展，陶瓷电容也在不断地进行技术创新。
未来，陶瓷电容将会朝着微型化、高容量、高频率、低损耗等方向发展。
同时，新型陶瓷材料的研究与应用也将为陶瓷电容带来更多的发展空间。
8个电解电容
8个电解电容8个电解电容是一种常见的电子元件，广泛应用于各类电路中。
它们具有容量大、电压稳定、工作可靠等特点，因此在电子领域中得到了广泛应用。
下面将依次介绍这8个电解电容的特点和应用场景。
1. 铝电解电容（Aluminum Electrolytic Capacitor）铝电解电容是最常见的电解电容之一，主要由铝箔和电解液组成。
它具有容量大、电压稳定、成本低廉等特点，广泛应用于电源滤波、功率放大和耦合等电路中。
2. 铁电解电容（Tantalum Electrolytic Capacitor）铁电解电容是一种容量相对较小但工作稳定可靠的电解电容。
它由铁箔和电解液构成，具有体积小、寿命长、温度稳定性好等特点，常用于精密仪器、通信设备和军工领域中。
3. 钽电解电容（Tantalum Electrolytic Capacitor）钽电解电容也是一种容量相对较小的电解电容，由钽箔和电解液构成。
它具有体积小、频率响应好、温度稳定性高等特点，常用于高频电路、音频放大和滤波电路中。
4. 有机电解电容（Organic Electrolytic Capacitor）有机电解电容是一种容量较大、工作稳定的电解电容。
它使用有机溶液作为电解液，具有容量大、体积小、寿命长等特点，广泛应用于电源滤波、电机起动和变频器等电路中。
5. 聚合物电解电容（Polymer Electrolytic Capacitor）聚合物电解电容是一种容量较大、体积小的电解电容。
它使用聚合物溶液作为电解液，具有低ESR、高频响应好、寿命长等特点，常用于高性能音频放大、电源滤波和平板电视等电路中。
6. 固态电解电容（Solid Electrolytic Capacitor）固态电解电容是一种新型的电解电容，它使用固态电解质代替传统的液态电解液。
它具有体积小、寿命长、温度稳定性好等特点，广泛应用于汽车电子、医疗设备和航空航天等领域。
7. 超级电容（Supercapacitor）超级电容是一种容量较小但充放电速度极快的电解电容。
电解电容和钽电容
电解电容和钽电容
电解电容和钽电容是电子元件中常用的两种电容器。
它们都能够存储电荷，并在电路中起到滤波、耦合、隔直等作用。
但是它们的制作材料和性能有所不同。
电解电容是利用氧化铝薄膜的电化学反应来制造的。
它的正极材料是铝膜，而负极是电解液。
电解电容有极高的电容密度，可以制作大容量的电容器。
但是它的漏电流比较大，耐久性较差，且极性相反时易损坏。
钽电容则是利用钽金属的氧化物制成的。
它的正极材料是钽金属，负极是钽氧化物。
钽电容具有稳定可靠的性能，精度高，耐久性强，体积小，但是价格相对较高。
在实际应用中，我们需要根据具体的需求选择合适的电容器。
如果需要大容量的电容，可以选择电解电容；如果需要更高的性能和精度，则可以选择钽电容。
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电解电容钽电容
电解电容钽电容电解电容钽电容是一种常见的电容器，它具有较高的电容值和较低的ESR值，因此在电子电路中得到广泛应用。
本文将介绍电解电容钽电容的工作原理、特点以及在电子设备中的应用。
一、工作原理电解电容钽电容是利用氧化物形成的氧化膜作为电介质的电容器。
它的结构由金属钽箔和电解液组成，其中电解液起到电解的作用，形成氧化膜。
当外加电压施加在电容器的两极上时，氧化膜上的电荷会在两极之间堆积，形成电场。
电场的强度与外加电压成正比，而电容值则与氧化膜的面积和电解液的浓度有关。
因此，电解电容钽电容可以通过调节电解液的浓度和氧化膜的面积来改变电容值。
二、特点1. 高电容值：电解电容钽电容的电容值可以达到很大，一般在几十微法到几毫法之间。
这使得它在需要存储大量电荷的电路中得到广泛应用。
2. 低ESR值：ESR（Equivalent Series Resistance）是电容器内部电阻的一种表示。
电解电容钽电容的ESR值较低，这意味着它可以提供更好的电流响应能力和更低的能量损耗。
3. 高工作温度：电解电容钽电容可以在较高的温度下正常工作，一般可达到100℃以上。
这使得它在高温环境下的电子设备中得到广泛应用。
4. 长寿命：电解电容钽电容具有较长的寿命，一般可达数千小时以上。
这使得它在需要长时间稳定性能的电路中得到广泛应用。
三、应用电解电容钽电容在电子设备中有多种应用，以下列举几个常见的应用场景：1. 电源滤波电容：在电源电路中，电解电容钽电容常用于平滑电源中的纹波电压，减小电源的纹波幅度，保证电源的稳定性能。
2. 耦合电容：在放大电路中，电解电容钽电容可用作耦合电容，将信号传输到后级电路中，实现信号放大。
3. 绕组绝缘：电解电容钽电容具有良好的绝缘性能，在电子设备的绕组中常用作绝缘电容，保证电路的安全性能。
4. 定时电容：在时钟电路和定时电路中，电解电容钽电容可以用作定时电容，控制电路的时间参数，实现精确的定时功能。
电解电容钽电容是一种具有高电容值、低ESR值、高工作温度和长寿命的电容器。
电解电容 钽电容 薄膜电容 超级电容
电解电容钽电容薄膜电容超级电容电解电容、钽电容、薄膜电容、超级电容电解电容（Electrolytic Capacitor）：电解电容是一种常见的极性电容器，它由两个带电极板、电解质和隔离层组成。
其中，电解质是一种导电液体或凝胶，通过电解质中的离子移动存储电荷。
电解电容以其较高的电容量、较低的ESR（等效串联电阻）和低成本而闻名，常用于电子设备中的滤波、耦合和存储应用。
钽电容（Tantalum Capacitor）：钽电容是一种电解电容的类型，它使用钽作为电极材料。
与铝电解电容相比，钽电容具有更高的电容密度和稳定性。
它的主要优点包括高频响应、低泄漏电流和低ESR，适用于高性能和高可靠性的电子设备。
然而，钽电容的价格相对较高，并且在使用过程中需要注意极性。
薄膜电容（Film Capacitor）：薄膜电容是以金属薄膜为电极、以绝缘膜为介质的电容器。
它的电介质可以是聚丙烯、聚酰亚胺、金属化聚酯等。
薄膜电容具有较高的绝缘电阻、优秀的稳定性和较低的ESR。
它广泛应用于消费电子、通信设备和电力电子等领域，常用于滤波、耦合、定时和去耦等电路应用。
超级电容（Supercapacitor）：超级电容，又称为电化学电容，属于电化学储能器件的一种。
它利用电解质和电极之间的电荷分布来储存电荷。
超级电容具有极高的能量密度和功率密度，能够以较高速率充放电，具有长寿命和良好的低温性能。
超级电容用于需要短时间高功率输出或频繁充放电的应用，如储能系统、电动车辆和备用电源等。
这里简要介绍了电解电容、钽电容、薄膜电容和超级电容四种不同类型的电容器。
每种电容器都有自己独特的特点和适用范围。
在选择适用于特定应用的电容器时，需要考虑电容值、电压能力、尺寸、成本以及电容器的特殊特性等因素。
电容规格的详细介绍
电容规格的详细介绍电容器规格详细介绍电容器种类:依照主要材质特性分为电解质电容, 电解质芯片电容, 塑料薄膜电容, 陶瓷电容,及陶瓷芯片电容等大类别.1. 电解质电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型 (>11mm高度),迷你型 (7mm高度), 超迷你型 (5mm高度), 耐高温型(105℃), 低漏电型,迷你低漏电型 (7mm高度), 双极性型, 无极性型, 及低内阻型 (Low ESR)等.2. 电解质芯片电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型芯片, 耐高温型芯片(105℃), 无极性型芯片, 及钽质芯片等.3. 塑料薄膜电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为聚乙烯薄膜, 金属化聚乙烯薄膜, 聚乙脂薄膜, 聚丙烯薄膜, 直流用金属化聚丙烯薄膜,及交流用金属化聚丙烯薄膜等.4. 陶瓷电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为Class-1 (T.C. Type)温度补偿型, Class-2 (Hi-K Type)高诱电型, Class-3 (S.C.Type)半导体型等.5. 陶瓷芯片电容种类: 依照尺寸及额定功率特性可再区分为0402, 0603, 0805, 1206等较具普遍性.电容器主要电气规格:1. 电容量Capacitance: 一般电解电容器的电容量范围为0.47uF-10000uF,测试频率为120Hz. 塑料薄膜电容器的电容量范围为0.001uF-0.47uF,测试频率为1KHz. 陶瓷电容器T/C type的电容量范围为1 pF-680pF,测试频率为1MHz. Hi-K type的电容量范围为100pF-0.047uF, 测试频率为1KHz. S/C type的电容量范围为0.01uF-0.33uF.2. 电容值误差Tolerance: 一般电解电容器的电容值误差范围为M 即 +/-20%,塑料薄膜电容器为J即 +/-5%或K即 +/-10%, 或M即 +/-20%三种, 陶瓷电容器T/C type为C即 +/-0.25pF (10pF以下时), 或D即+/-0.5pF(10pF以下时), 或J或K四种. Hi-K type 及S/C type为K或M 或Z即+80/-20%三种.3. 损失角即D值: 一般电解电容器因为内阻较大故D值较高, 其规格视电容值高低决定,为0.1-0.24以下. 塑料薄膜电容器则D值较低, 视其材质决定为0.001-0.01以下.陶瓷电容器视其材质决定, Hi-K type 及S/C type为0.025以下. T/Ctype其规格以Q值表示需高于400-1000. (Q值相当于D值的倒数) )4. 温度系数Temperature Coefficient: 即为电容量受温度变化改变之比例值,一般仅适用于陶瓷电容器. T/C type其常用代号为CH或NPO 即为 +/-60ppm,UJ即为 -750+/-120ppm, SL即为 +350+/-1000ppm. Hi-K type (Z)及S/C type (Y), 其常用代号为B (5P)即为 +/-10%, E (5U)即为+20/-55%, F (5V)即为 +30/-80%.5. 漏电流量Leakage current: 此为电解电容器之特定规格,一般以电容器本身额定电压加压3 Min后, 串接电流表测试, 其漏电流量需在0.01CV ( uF电容量值与额定电压相乘积) 或3uA以下 (取其较大数值). 特定低漏电流量使用(Lowleakage type) 则其漏电流量需在0.002CV或0.4uA以下.6. 冲击电压Surge Voltage: 一般以电容器本身额定电压之1.3倍电压加压,需工作正常无异状.7. 使用温度范围: 一般电解电容器的使用温度范围为-25℃至+85℃,特定高温用或低漏电流量用者为-40℃至+105℃. 塑料薄膜电容器为 -40℃至+85℃.陶瓷电容器T/C type为-40℃至+85℃, Hi-K type 及S/C type为-25℃至+85℃.如何选用规格适当之电容器:1. 所有被动组件中, 电容器属于种类及规格特性最复杂的组件.尤其为了配合不同电路及工作环境的需求差异, 即使是相同的电容量值与额定电压值, 亦有其它不同种类及材质特性的选择.2. 以电解电容器为例, 由于其电容量值较大,虽然能和塑料薄膜电容器或陶瓷电容器互相区隔.实际使用上仍有下述各种特性差异:A. 使用温度范围: 需选定一般型 -25℃至+85℃或耐高温型 -40℃至+105℃B. 使用高度限制: 传统A/I标准型最低高度为11mm, 迷你型为7mm,超迷你型为5mm(相当于芯片电解电容器之高度).C. 电容量误差值: 较高额定电压或电容量大于100uF时, 有一般型为 +100/-10%或 M型+/-20%.D. 低漏电流量特性: 用于某些特定电路, 与充放电时间常数准确性有关时.(相当于Tantalum钽质电容特性)E. Low ESR低内阻特性: 用于某些滤波电路,需配合高频脉波大电流之滤波效果.例如交换电源之滤波电路.F. Bipolar 双极性特性: 用于高频脉波电路,需配合高频脉波大电流之通路效果.例如推动偏向线圈之水平输出电路.G. Non-polar无极性特性: 用于低频高波幅之音频信号通路,用以避免因电容器两端之正逆向偏压, 造成输出波形失真.H. 以上为一般A/I电解电容器, 而芯片电解电容器亦同样有标准型, 耐高温型, 低漏电流量型(即钽质芯片电容), 无极性特性等分类.3. 以陶瓷电容器为例, 其材料特性区分为3类. Class 1T/C温度补偿型供高频谐振电路用, Class 2 Hi-K与Class 3S/C为滤波及信号通路用, 由于其电容量值部分类似, 且与塑料薄膜电容器亦数值接近, 需特别注意特性选用.A. Class 1容量范围为1 pF-680 pF, 可视高频电路需要, 选择CH 零温度补偿型(例如RC谐振电路, 不需补偿温度系数), UJ负温度补偿型(例如LC谐振电路,需补偿线圈正温度系数), SL无控制温度补偿型(例如高频补偿, 非谐振电路,不需考虑温度影响).4+4-/B. Class 2 Hi-K容量范围为100 pF-0.047 uF与Class 3S/C容量范围为0.01 uF-0.33 uF, 两者特性接近. 一般后者外型较小, 成本低,但耐压规格较低.C. 需注意100 pF-680 pF范围内, Class 1与 Class2电容器之Q值相差极大, 电路上不可误用.4. 以塑料薄膜电容器为例, 各类不同材质特性, 可配合不同之电路应用.其共同特性为容量不受温度影响, 适合中低频电路使用.A. 聚丙烯 (代号PPN或PPS) 材质之损失角最低, 可适用于高电压脉波电路工作. PPS 材质为1KV以上使用, PPN材质为 1KV 以下使用.B. 金属化聚丙烯 (代号MPPN) 材质耐电压较高,适用于DC高电压或AC电源电路工作.使用于AC电源电路者, 必须符合AC电源安规验证,一般称为X2电容.C. 聚乙脂 (代号PS) 损失角低且容量较低, 高频特性良好, 可适用于中低频谐振电路工作属化聚乙烯 (代号MPE) 容量范围广及无电感特性, 可适用于一般脉波电路工作. 代号.D. 金MEF者, 亦为MPE类材质, 但具有Flame-retardant防火特性.E. 聚乙烯(代号PE分为有电感特性PEI及无电感特性PEN两种) 其损失角较大, 但因成本较低,可适用于一般直流或低频电路工作.F. 所有金属化之塑料薄膜电容器, 安规电容器X Cap及 Y Cap 附加说明:1. X cap are line to line, 0.1-1 uF. X1 for 3phase line impulsed voltage tested at 4KV, X2 forAC wall-let impulsed voltage tested at 2.5 KV.2. Y cap are line to neutral ground. 4700 pF.small to limit AC leakage current. Y1 for doubleinsulation impulsed tested at 8KV, Y2 for basicinsulation impulsed tested at 5KV.3. Capacitor Discharge: The capacitor dischargetest ensures that if an ac plug is abruptlyremoved from its receptacle, the voltage acrossthe line and neutral terminals will not exceed asafe level. Per UL 1950, voltage across acapacitance greater than 0.1 μF must decay to 37%of the ac-input peak voltage in 1 second for typeA equipment and 10 seconds for typeB equipment.IEC 61010-1 requires that the pins not behazardous (live) at 5 seconds after disconnectionfrom the supply.各类电容器参考规格:电解质电容 Electrolytic Capacitor种类 (Mini) >=11mm (Super-Mini) 7mm(Ultra-Mini) 5mm额定电压 6.3-100V 160-450V 6.3-63V 6.3-50V容值范围 (120Hz) 0.47-10000uf 0.47-220uf 0.47-470uf0.1-220uf容值误差 (120Hz) M M M M温度范围 -40℃--+85℃ -25℃--+85℃ -40℃--+105℃ -40℃--+105℃漏电流 (3 Min.) <=0.01 CV 或 3 uA <=0.03 CV 或 3 uA<=0.03 CV 或 3 uA <=0.01 CV 或 3 uA损失角 (120Hz) <=0.08--0.22 <=0.16--0.20 <=0.1--0.24<=0.1--0.24种类 (High Temp.) >=11mm (Low leakage) >=11mm(Mini / Low leakage) 7mm额定电压 6.3-100V 160-450V 6.3-63V 6.3-63V容值范围 (120Hz) 0.47-10000uf 0.47-220uf 0.47-1000uf0.47-100uf容值误差 (120Hz) M M M M温度范围 -40℃--+105℃ -25℃--+105℃ -40℃--+105℃-40℃--+105℃漏电流 (3 Min.) <=0.01 CV 或 3 uA <=0.03 CV 或 3 uA<=0.002CV或0.4uA <=0.002CV或0.4uA损失角 (120Hz) <=0.08--0.22 <=0.15--0.24 <=0.1--0.24<=0.1--0.24种类 (Bipolar) >=26mm (Nonpolar)>=11mm(Low ESR)额定电压 25/50V 10-160V 6.3-63V 6.3-100V 160-450V容值范围 (120Hz) 2.2-10uf 0.47-1000uf 0.47-100uf4.7-3300uf 3.3-330uf容值误差 (120Hz) M M M温度范围 -40℃--+85℃ -40℃--+105℃ -40℃--+85℃ -55℃--+105℃-40℃--+105℃漏电流 (3 Min.) <=100uA <=0.03 CV 或 4 uA <=0.03 CV 或3 uA损失角 (120Hz) <=0.05 <=0.15-0.25 <=0.12--0.24Ripple Current 6-8 Amp电解质芯片电容 Electrolytic Chip Capacitor种类 Electrolytic (General) Electrolytic (Hi-Temp.)Electrolytic (Non-polar) Tantalun Chip电容值范围 0.1-1000uf 0.1-1000uf 0.1-47uf 0.1---220 uf额定电压范围 6.3-100V 6.3-100V 6.3-50V 6.3---50 V容值误差范围 M M M K / M温度范围 -40℃--+85℃ -40℃--+105℃ -40℃--+85℃ -55℃--+125℃漏电流 <=0.01 CV 或 3 uA <=0.01 CV 或 3 uA <=0.01 CV 或3 uA 0.01 CV 或 5 uA损失角 <=0.1-0.35 <=0.1-0.3 <=0.15-0.3 <=0.04-0.08均具有self-healing自行回复特性, 材质被高压击穿后, 只要移去高压, 即可自行回复原有功能.塑料薄膜电容器 Plastic Film Capacitor 金属化聚乙烯种类 Polyester 聚乙烯 Metallized PolyesterPolystrene 聚乙脂电容值范围 0.001-0.47uf 0.01-10uf 100-10000pf额定电压范围 50/100/200/400V 50/100/250/400/630V50/100/125/250/500V容值误差范围 J, K, M. J, K, M. G, J, K.温度范围 -40℃--+85℃ -40℃--+85℃ -40℃--+85℃损失角(1KHz) <=0.006 <=0.01 <=0.001Withstand Voltage 200% 1 Min. 175% 3 Sec.Inductive / 代号 No/Yes, PEN(Red)/PEI(Green) No /MPE (Red) No / PS金属化聚丙烯种类 Polypropylene 聚丙烯 Metallized PolypropyleneMetallized Polypropylene 金属化聚丙烯电容值范围 0.001-0.68uf 0.01-3.3uf 0.001-0.47uf额定电压范围50/100/250/400/630/1000V 100/250/400/630V250/275VAC容值误差范围 J, K, M. G, J, K. K(>0.01uf), M(<0.01uf)温度范围 -40℃--+85℃ -40℃--+85℃ -40℃--+85℃损失角(1KHz) <=0.0008 <=0.001 <=0.001Withstand Voltage 250 % Rated Voltage DC 2000V /1Sec. DC 2000V / 1Sec.Inductive / 代号 No, PPN / PPS (Hi-Voltage) No / MPNo / MPX (X2 Cap.)Across the line cap.陶瓷芯片电容 (MLCC)Multi-layer Ceramic Chip型号 0402 0603 0805 1206尺寸 inch 0.04L*0.02W 0.06L*0.03W 0.08L*0.05W0.12L*0.06W额定电压 16/25/50V 10/16/25/50V 10/16/25/50V25/50/100/200/500V温度系数 COG (NPO) X7R Y5V容值范围 <=220pf温度范围 -55℃--+125℃ -55℃--+125℃ -30℃--+85℃容值误差 F 或 G 或 J 或 K J 或 K 或 M +80/-20% 或 MD值 (1KHz) <=0.0015 <=0.025 <=0.05陶瓷电容 Ceramic Disc ChipClass-1 (T.C. Type) CH (NPO+/_ 60) UJ (-750+/_120)SL (+350/_1000)容值范围 <=680pf <=680pf <=680pf温度范围 -55℃--+85℃ -55℃--+85℃ -40℃--+85℃容值误差 C/D/J/K C/D/J/K C/D/J/KQ值 (1MHz) <=30pf Q>=400+20C <=30pf Q>=400+20C <=30pf Q>=400+20C>30pf Q>1000 >30pf Q>1000 >30pf Q>1000Class-2 (Hi-K Type) B(Y5P) +/_10% E(Z5U) +20/-55%F(Z5V) +30/-80%容值范围 100pf-0.047uf 100pf-0.047uf 100pf-0.047uf温度范围 -25℃--+85℃ +10℃--+85℃ +10℃--+85℃容值误差 K M +80/-20%额定电压 50/63/100/500/630/1KVD值 (1KHz) <=0.025 <=0.025 <=0.05Class-3 (S.C. Type) B(Y5P) +/_10% E(Y5U) +20/-55%F(Y5V) +30/-80%容值范围 0.01uf-0.33uf 0.01uf-0.33uf 0.01uf-0.33uf温度范围 -25℃--+85℃ -25℃--+85℃ -25℃--+85℃容值误差 K M +80/-20%额定电压 16/25/50/63VD值 (1KHz) <=0.025 <=0.025 <=0.05钽电解电容器作为电解电容器中的一类。
钽质电容 介绍
一、钽电容介绍钽电容是由稀有金属钽加工而成，先把钽磨成微细粉，再与其它的介质一起经烧结而成。
目前的工艺有干粉成型法和湿粉成型法两种。
钽电容由于金属钽的固有本性，具有稳定好、不随环境的变化而改变、能做到容值很大等特点，在某些方面具有陶瓷电容不可比较的一些特性，因此在很多无法使用陶瓷电容的电路上钽电容被广泛采用。
目前全球主要有以下几个品牌的钽电容：A VX、KEMET、VISHAY、NEC，其中A VX 和VISHAY的产量最大，而且质量最好。
虽然是个简单的概念，不过一写成洋文，就变得不容易理解了。
ESR，是Equivalent Series Resistance三个单词的缩写，翻译过来就是“等效串连电阻”。
理论上，一个完美的电容，自身不会产生任何能量损失，但是实际上，因为制造电容的材料有电阻，电容的绝缘介质有损耗，各种原因导致电容变得不“完美”。
这个损耗在外部，表现为就像一个电阻跟电容串连在一起，所以就起了个名字叫做“等效串连电阻”。
ESR的出现导致电容的行为背离了原始的定义。
比如，我们认为电容上面电压不能突变，当突然对电容施加一个电流，电容因为自身充电，电压会从0开始上升。
但是有了ESR，电阻自身会产生一个压降，这就导致了电容器两端的电压会产生突变。
无疑的，这会降低电容的滤波效果，所以很多高质量的电源啦一类的，都使用低ESR的电容器。
同样的，在振荡电路等场合，ESR也会引起电路在功能上发生变化，引起电路失效甚至损坏等严重后果。
所以在多数场合，低ESR的电容，往往比高ESR的有更好的表现。
不过事情也有例外，有些时候，这个ESR也被用来做一些有用的事情。
比如在稳压电路中，有一定ESR的电容，在负载发生瞬变的时候，会立即产生波动而引发反馈电路动作，这个快速的响应，以牺牲一定的瞬态性能为代价，获取了后续的快速调整能力，尤其是功率管的响应速度比较慢，并且电容器的体积/容量受到严格限制的时候。
这种情况见于一些使用mos管做调整管的三端稳压或者相似的电路中。
(整理)钽质电容介绍
一、钽电容介绍钽电容是由稀有金属钽加工而成，先把钽磨成微细粉，再与其它的介质一起经烧结而成。
目前的工艺有干粉成型法和湿粉成型法两种。
钽电容由于金属钽的固有本性，具有稳定好、不随环境的变化而改变、能做到容值很大等特点，在某些方面具有陶瓷电容不可比较的一些特性，因此在很多无法使用陶瓷电容的电路上钽电容被广泛采用。
目前全球主要有以下几个品牌的钽电容：A VX、KEMET、VISHAY、NEC，其中A VX 和VISHAY的产量最大，而且质量最好。
虽然是个简单的概念，不过一写成洋文，就变得不容易理解了。
ESR，是Equivalent Series Resistance三个单词的缩写，翻译过来就是“等效串连电阻”。
理论上，一个完美的电容，自身不会产生任何能量损失，但是实际上，因为制造电容的材料有电阻，电容的绝缘介质有损耗，各种原因导致电容变得不“完美”。
这个损耗在外部，表现为就像一个电阻跟电容串连在一起，所以就起了个名字叫做“等效串连电阻”。
ESR的出现导致电容的行为背离了原始的定义。
比如，我们认为电容上面电压不能突变，当突然对电容施加一个电流，电容因为自身充电，电压会从0开始上升。
但是有了ESR，电阻自身会产生一个压降，这就导致了电容器两端的电压会产生突变。
无疑的，这会降低电容的滤波效果，所以很多高质量的电源啦一类的，都使用低ESR的电容器。
同样的，在振荡电路等场合，ESR也会引起电路在功能上发生变化，引起电路失效甚至损坏等严重后果。
所以在多数场合，低ESR的电容，往往比高ESR的有更好的表现。
不过事情也有例外，有些时候，这个ESR也被用来做一些有用的事情。
比如在稳压电路中，有一定ESR的电容，在负载发生瞬变的时候，会立即产生波动而引发反馈电路动作，这个快速的响应，以牺牲一定的瞬态性能为代价，获取了后续的快速调整能力，尤其是功率管的响应速度比较慢，并且电容器的体积/容量受到严格限制的时候。
这种情况见于一些使用mos管做调整管的三端稳压或者相似的电路中。
电容的主要种类
电容的主要种类：1）电解电容2）独石电容3）瓷片电容4）钽电解电容5）涤纶电容等电容指标：耐压值和电容容量。
电容的使用场合：1、电源稳压和滤波电解电容主要是用来稳压和低频交流滤波的；高频滤波是使用瓷片电容和独石电容。
当电解电容作为稳压时，接在整流桥和三端稳压器的输出端，直到稳定电压的作用。
有些远端供电的直流电源，接到电路板的输入端时，需要在电路板的电源输入端加一个大的电解电容，通常可以是220u/25V；但是，电解电容只能小队低频的波动，对于直流电源中的高频波动，可以加一个0.1u或0.01u的独石电容或者瓷片电容。
同时，在每一个芯片的电源和地两端接一个0.1u或0.01u的独石电容或者瓷片电容，解决芯片的供电过程中的开关噪声。
也叫去耦电容。
2、定时参数对于像555这样需要外接电容产生稳定脉冲的器件，涤纶电容是首选。
3、产生其它电压有些需要从单一电压产生其它的电压的芯片，如MAX232，可用0.1u的钽电容独石电容比较稳定，问温漂系数小，电容值可以做到1uF，寿命长，等效直流电阻小，价格稍贵。
瓷片电容的高频特性好，但电容值最大只能做到0.1uF。
各种电容的优缺点极性名称制作优点缺点无无感CBB电容2层聚丙乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。
无感，高频特性好，体积较小不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。
无CBB电容2层聚乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。
有感，其他同上。
无瓷片电容薄瓷片两面渡金属膜银而成。
体积小，耐压高，价格低，频率高（有一种是高频电容）易碎！容量低无云母电容云母片上镀两层金属薄膜容易生产，技术含量低。
体积大，容量小，（几乎没有用了）无独石电容体积比CBB更小，其他同CBB，有感有电解电容两片铝带和两层绝缘膜相互层叠，转捆后浸泡在电解液（含酸性的合成溶液）中。
容量大。
高频特性不好。
有钽电容用金属钽作为正极，在电解质外喷上金属作为负极。
稳定性好，容量大，高频特性好。
钽电容和电解电容的区别
钽电容和电解电容的区别钽电容全称是钽电解电容，也属于电解电容的一种，使用金属钽做介质，不像一般电解电容那样使用电解液。
钽电容寿命比电解电容更长一些，但是目前钽电容没有电解电容的容量做的大，也没有电解电容电压做的高。
钽电容全称是钽电解电容，也属于电解电容的一种，由于使用金属钽做介质，不需要像一般电解电容那样使用电解液，另外，钽电容不需像一般电解电容那样使用镀了铝膜的电容纸烧制，所以本身几乎没有电感，但同时也限制了它的容量。
此外，钽电容内部没有电解液，很适合在高温下工作。
钽电容的特点是寿命长、耐高温、精确度高、滤高频改波性能极好，不过容量较小、价格也比铝电容贵，而且耐电压及电流力量相对较弱。
它被应用于大容量滤波的地方，像CPU插槽四周就可以看到钽电容的身影，多同陶瓷电容，电解电容协作使用或是应用于电压、电流不大的地方。
电解电容是最常见的电容，它的容量比较大，而且有极性，一般应用在低频滤波和信号耦合、输入输出。
电解电容不相宜用在温度变化较大的地方。
电解电容可分为无极性和有极性两类，无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603；而有极性电容也就是我们平常所称的电解电容，一般我们平常用的最多的为铝电解电容，由于其电解质为铝，所以其温度稳定性以及精度都不是很高，而贴片元件由于其紧贴电路版，所以要求温度稳定性要高，所以贴片电容以钽电容为多，依据其耐压不同，贴片电容又可分为A、B、C、D四个系列，详细分类如下：类型封装形式耐压A 3216 10VB 3528 16VC 6032 25VD 7343 35V无极性电容的封装模型为RAD系列，例如“RAD-0.1”“RAD-0.2”“RAD-0.3”“RAD-0.4”等，其后缀的数字表示封装模型中两个焊盘间的距离，单位为“英寸”。
电解电容的封装模型为RB 系列，例如从“RB-.2/.4”到“RB-.5/.10”，其后缀的第一个数字表示封装模型中两个焊盘间的距离，其次个数字表示电容形状的尺寸，单位为“英寸”。
陶瓷电容 钽电容 电解电容
陶瓷电容、钽电容和电解电容都是电子电路中常用的三种类型的电容器，它们在电路中的应用和性质有所不同：
陶瓷电容（Ceramic Capacitor）：
材料：通常由陶瓷材料制成，如氧化铝或钛酸钡。
特性：陶瓷电容具有高频响应能力，适用于高频电路，具有良好的温度稳定性和长寿命。
应用：常用于耦合、滤波、维持电容、定时和调谐电路等。
钽电容（Tantalum Capacitor）：
材料：由钽金属制成的氧化物。
特性：钽电容具有较高的电容密度，较低的ESR（等效串联电阻），适用于高性能电路。
它们也比陶瓷电容更稳定。
应用：常用于稳压电路、功率供应、射频电路和移动设备中，尤其是需要高性能的应用。
电解电容（Electrolytic Capacitor）：
材料：包括铝电解电容和钽电解电容。
电解电容使用电解质来增加电容值。
特性：电解电容具有较高的电容密度，但ESR较高，适用于低频和电源滤波应用。
铝电解电容和钽电解电容在性能和应用上有所不同。
应用：铝电解电容常用于电源滤波和电机启动电路中，而钽电解电容常用于射频和高性能电路中。
选择电容类型取决于具体的应用要求，包括电容值、工作频率、ESR、工作温度范围和可用的预算。
不同类型的电容器在电路设计中有其独特的优势和限制，因此工程师需要根据具体情况进行选择。
电解电容 钽电容
电解电容钽电容
电解电容和钽电容都是电子元件中常见的电容器类型。
电解电容是利用电解液的电导性质制成的电容器，通常用于高容量和低成本的应用。
而钽电容则是采用金属钽作为极板材料制成的电容器，具有高容量密度和较好的性能稳定性。
在选择电容器时，需要根据具体应用场景来确定使用哪种类型的电容器。
如果需要较大的电容值，电解电容是一个不错的选择，而在需要高性能稳定性的应用中，钽电容则更为适合。
在使用电解电容时，需要注意其极性，即正负极的区别。
电解电容的正极通常标记有“+”符号，而负极则标记有“-”符号。
如果使用不当，可能会导致电解电容爆炸或损坏。
钽电容的使用也需要注意其极性，但由于其结构和制作工艺的特殊性，其极性标记通常比较难以识别。
因此，在使用钽电容时，需要仔细查看电容器的数据手册或者询问厂家来确认其正确的极性使用方式。
总之，电解电容和钽电容都是电子元件中常见的电容器类型，具有各自的优点和适用场景。
在使用时需要注意其极性和具体的应用需求，以确保电路的正常运行和性能表现。
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常用电容知识与种类大全
一：电解电容：1．铝电解电容：电容量：0.47--10000u / 额定电压：6.3--450V / 主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大 / 应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等2．钽电解电容（CA）铌电解电容（CN）：电容量：0.1--1000u / 额定电压：6.3--125V / 主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容 / 应用：在要求高的电路中代替铝电解电容二：无极电容：1．瓷片电容：A．低频瓷介电容（CT）: 电容量：10p--4.7u / 电压：50V--100V / 特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差/ 应用：要求不高的低频电路。
B: 高频瓷介电容（CC）: 电容量：1--6800p / 额定电压：63--500V / 主要特点：高频损耗小，稳定性好/ 应用：高频电路。
2．独石电容：容量范围：0.5PF--1UF 耐压：二倍额定电压主要特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好,温度系数很高应用范围：广泛应用于电子精密仪器,各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，I型性能挺好，但容量小，一般小于0.2U，另一种叫II型，容量大，但性能一般3．CY-云母电容：电容量：10p--0。
1u 额定电压：100V--7kV 主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小。
应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路4．CI-玻璃釉电容：电容量：10p--0.1u 额定电压：63--400V 主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）。
应用：脉冲、耦合、旁路等电路5．空气介质可变电容器：可变电容量：100--1500p 主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等应用：电子仪器，广播电视设备薄膜介质可变电容器可变电容量：15--550p 主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大应用：通讯，广播接收机等。
电容知识介绍
3.50
C 6032-28
6.00
D 7343-31
7.30
E 7343-43
7.30
V 7361-38
7.30
EIA: 美国电子工业联合会.
W+0.20/ -0.10 H+0.20/ -0.10
(mm)
(mm)
1.60
1.60
2.80
1.90
3.20
2.60
4.30
2.90
4.30
4.10
6.10
工作温度范围宽（-55℃—105℃） 介电常数大（≈3.2） 自愈特性好 容量范围宽（0.010μF—10.0μF） 绝缘电阻高 稳定性好
— — — — — — —
隔直和耦合 旁路 退耦 滤波 定时 低脉冲电路 振荡电路
聚丙烯薄膜电容
— 高频损耗极低 — 介质吸收系数低 — 绝缘电阻极高 — 频率特性好 — 自愈特性好 — 稳定性很好
3.45±0.30
W1±0.20 (mm) 1.20 2.20 2.20 2.40 2.40 3.10
A+0.30/ -0.20 (mm)
0.80
S Min. (mm)
1.80
0.80
1.40
1.30
2.90
1.30
4.40
1.30
4.40
1.40
4.40
PP&&电容参数识别
极性&容值&耐压值识别
PP&&LL
5
#
电容器主要特性参数
6.损耗因数 (即品质因数的倒数），因为电容器的泄漏电阻、等效串联电阻和等效串联电 感，这三项指标几乎总是很难分开，所以许多电容器制造厂家将它们合并成一项指标，称 作损耗因数。
电容分类
电容分类电容分类电容是一种常见的电子元件，用于存储电荷和储能。
根据其结构和功能，电容可以分为多个不同的类型。
本文将介绍几种常见的电容分类。
一、固定电容和可变电容固定电容是指其电容值在使用过程中无法调节的电容器。
这类电容器通常由两个电极和介质层组成，介质层的性质决定了电容器的电容值。
常见的固定电容包括陶瓷电容、铝电解电容和钽电解电容等。
陶瓷电容是一种常见的固定电容，它以陶瓷作为介质层，具有小体积、高频特性好等优点，适用于高频电路中。
铝电解电容和钽电解电容则是以铝箔和钽箔作为电介质，具有较大的电容值和较高的工作电压，适用于大容量的电路中。
可变电容是指其电容值可以通过外部调节器件进行调节的电容器。
这类电容器常用于调节电路中的频率、电压和幅度。
可变电容可以根据其结构和调节方式进一步分为电容二极管（变容二极管）和可变铝电解电容等。
二、电解电容和非电解电容电解电容是指其电介质层是由电解液构成的电容。
电解电容可分为铝电解电容和钽电解电容两大类。
铝电解电容是以吸附在铝箔表面的氧化铝膜作为电介质，优点是电容值大、价格便宜，常用于电源滤波等电路中。
钽电解电容则以钽为阳极，钽氧化物为电介质，具有电容值稳定、工作电压高等优点，适用于要求高稳定性的电路中。
非电解电容是指其电介质层不是由电解液构成的电容。
这类电容器可以根据电介质的不同进一步分为陶瓷电容、塑料电容、纸介电容和玻璃介电容等。
陶瓷电容具有小体积、高频特性好等优点，适用于高频电路中。
塑料电容则以聚酯（PET）、聚丙烯（PP）、聚氨酯（PU）等塑料作为电介质，具有小体积、温度稳定性好等特点。
纸介电容是以纸为基材，通过涂覆导电层制成的电容，常用于低频电路中。
玻璃介电容则以玻璃作为电介质，具有较高的电介质常数和较低的失谐因子，适用于高精度电路中。
三、高频电容和低频电容高频电容是指其能够在高频范围内保持较好性能的电容。
这类电容主要用于高频电路中，如射频电路、通信设备等。
常见的高频电容包括陶瓷电容、多层陶瓷电容和瓷介电容等。
陶瓷电容介绍
资料范本本资料为word版本，可以直接编辑和打印，感谢您的下载陶瓷电容介绍地点：__________________时间：__________________说明：本资料适用于约定双方经过谈判，协商而共同承认，共同遵守的责任与义务，仅供参考，文档可直接下载或修改，不需要的部分可直接删除，使用时请详细阅读内容一、陶瓷电容介绍1、介质材料种类介绍COG/NPO：属1类陶介质，电气性能最稳定，基本上不随温度、时间、电压的改变而改变，适用于稳定性、可靠性要求比较严格的场合，由于电气性能稳定，高频特性好，可很好的工作在高频、特高频、甚高频频段。
X7R：属2类陶介质，电气性能较稳定，随温度、时间、电压的变化，其特性变化并不明显，适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路及10MHZ 的中频场合。
Y5V：属3类陶介质，具有很高的介电系数，常用于生产小体积、大容量的电容，其容量随温度改变比较明显，抗恶劣环境能力差，仍用于要求不高的滤波、旁路等电路场合。
2、介质特性表：二、不同品牌适用的标准三、片状电容器品牌选型说明：1、指标类别：品牌类型尺寸材质电容量电容误差额定电压端接包装① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧2、不同品牌的指标类别说明、比较：① 品牌及产品类型② 规格尺寸③ 材质（温度系数）④ 电容值⑤ 电容误差2位有效数+0的个数通用参数⑥ 额定电压⑦ 端头T=A=标准镀Ni和焊锡 1=B=Pd=Ag(注:钯/银)⑧ 标准包装量:(AVX/KYOCERA)0402(7” )=10000PCS 0603(7” )=4000PCS 0805(7” )=4000PCS1206(7” )=3000或2000PCS 1210(7” )=2000PCS3、各品牌/标准规格型号对照说明:AVX 0805 5 C 103 K A T2A② ⑥ ③ ④ ⑤ ⑦ ⑧KYOCERA CM 21 X7R 103 K 50 A T① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧TAIYO YUDEN E MK 212 BJ 103 K L-T⑥ ① ② ③ ④ ⑤ ⑦TDK C 2012 X7R 1H 103 K T① ② ③ ⑥ ④ ⑤ ⑦陶瓷电容的特性、分类和介质特性陶瓷电容主要分为一下几类：|# H5 B. h. c1 B COG/NPO：属1类陶介质，电气性能最稳定，基本上不随温度、时间、电压的改变而改变，适用于稳定性、可靠性要求比较严格的场合，由于电气性能稳定，高频特性好，可很好的工作在高频、特高频、甚高频频段。
陶瓷电容电解电容
陶瓷电容电解电容
陶瓷电容和电解电容都是电子元器件中常见的电容器类型。
陶瓷电容器由陶瓷介质和金属电极组成，主要用于高频和直流电路中的耦合、旁路和滤波。
电解电容器由电解液和金属电极组成，主要用于直流电路中的滤波和稳压。
由于其性能特点不同，两种电容器在电路设计中应根据实际需求进行选择。
陶瓷电容器具有体积小、频响范围广、温度稳定性好等优点，但其容量相对电解电容器较小。
电解电容器具有容量大、电压高、价格便宜等优点，但在高频电路中使用时易产生损耗和噪声。
在实际电路设计中，应根据电路的使用环境和性能要求选择合适的电容器。
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陶瓷电容与钽质电容及电解电容简介
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二、片式多层瓷介电容器(MLCC)
1.定义:片式多层瓷介电容器(MLCC)---简称片式电容器, 是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方 式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再 在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个 类似独石的结构体，故也叫独石电容器。
三级I-±5%,II-±10%,III-±20%。 ➢ 额定工作电压：在允许的环境温度范围内，能够长期施加在电容器
上的最大电压有效值称为额定电压（一般为直流电压）。 ➢ 温度系数：在一定温度范围内，温度每变化1℃，电容量的相对变
化值。 ➢ 绝缘电阻：指两个电极间绝缘介质的电阻，越大越好。 ➢ 损耗：在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的能量。 ➢ 频率特性：电容器的电参数随电场频率而变化的性质。 ➢ 等效串聯阻抗:對非理想電容,其內部電極與端電極之間存在的電阻
空气： 1.004
纸： 4~6
玻璃： 3.7~19
三氧化二铝（Al2O3）： 9
钛酸钡（BaTiO3）： 1500
结构陶瓷：陶瓷1电0容~与2钽00质0电0容及电解电容简介
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5.瓷介的分类
陶瓷是一种质硬、性脆的无机烧结体，一般分为两大类： 功能陶瓷和结构陶瓷。用来制造片式多层瓷介电容（MLCC） 的陶瓷是一种结构陶瓷，是电子陶瓷，也叫电容器瓷。
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MLCC介質常數k與溫度穩定性
1.介質常數k越高, MLCC体極效率越高;但介質常數k增加時,溫度穩定性変差; 2.如下所示為COG, Z5U,X7R,Y5V介質的MLCC介
电容用于存储電荷 ，它只能允许交流电经过，直流
电被阻挡。在电路中，通常用于调谐、滤波、极间
耦合等方面，是主陶瓷要电容元与钽质件电容之及电一解电容。简介
2
2.容值、電壓、電量關係
當對電容進行充電時，兩個電極分別聚集了等量
的正負電荷，從而在兩極之間產生一個電壓，電壓與電 量的關係可以用如下公式表示：
1)照EIA三級分類,有五种通用的介質,COG(NPO),X7R, X5R, Z5U,Y5V Ⅰ类电容器瓷(COG)，它是順電材料 Ⅱ类电容器瓷(X7R、 X5R 、)，它是鉄電物質材料 Ⅲ类电容器瓷（ Y5V、Z5U ），它是鉄電物質材料
陶瓷电容与钽质电容及电解电容简介
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6.瓷介代号
陶瓷介质的代号是按其陶瓷材料的温度特性来命名的。 目前国际上通用美国EIA标准的叫法，用字母来表示。 常用的几种陶瓷材料的含义如下：
陶瓷電容與鉭質電容及電解電容簡介
電容概述
鉭質電容 鋁電解電容 電容的性能比較 電容失效模式 電容的選用
電容與電壓、電流紋波
陶瓷电容与钽质电容及电解电容简介
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一.電容概述
1.電容結構 自1746年荷蘭科學家發現電容以來，經過不斷的 發展，電容種類已經非常豐富，但其基本結構仍然 保持不變，如下圖所示：
温度系数R代表 ± 15％
NPO：温度系数是30p陶p瓷m/电℃容（与钽-质55电℃容～及电＋解1电2容5℃简介）
14
பைடு நூலகம் 7-1.电容量（C） 7.电气特性
电容量:电容量的大小表示电容器贮存电荷的能力。
陶瓷电容与钽质电容及电解电容简介
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MLCC介質厚度和層數的發展
陶瓷电容与钽质电容及电解电容简介
Y5V：温度特性Y代表 －25℃；
5代表＋85℃；
温度系数V代表 －80％ ～ ＋30％
Z5U：温度特性Z代表 ＋10℃；
5代表＋85℃；
温度系数U代表 －56％ ～ ＋22％
X5R: 溫度特性X代表-55°C;
5代表+85℃
溫度係數R代表± 15％
X7R：温度特性X代表 －55℃；
7代表＋125℃
Q=CV V表示電容兩極之間的電壓 Q表示電容兩極閒的電荷，單位是庫侖，1庫侖=6×1019個
電荷。 C是電容的容值，是一個常數。
陶瓷电容与钽质电容及电解电容简介
3
3.电容的分类与符号
按电容有無極性分为：無極性電容和有極性電容兩大類 按电容量可否调整分为：固定电容器、可变电容器和微调电
容器
固定电容
可变电容
微调电容
电解电容
• 按所用介质不同分为：有机介质电容器、无机介质电容器、
电解电容器和空气介质电容器等。
按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦
合、低频耦合、小陶型瓷电电容与容钽器质电。容及电解电容简介
4
4.电容器的单位与标示
电容器的单位是法拉(F),常用单位还有微法(μF)、
纳法(nF)和皮法(pF),换算:1F=106μF=109 nF=1012 pF
2.2外形
陶瓷电容与钽质电容及电解电容简介
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3.结构
结构主要包括三大部分:陶瓷介质，金属内电极，金 属外电极。而多层片式陶瓷电容器它是一个多层叠合 的结构，是由多个简单平行板电容器的并联体。
陶瓷电容与钽质电容及电解电容简介
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内部構造
陶瓷电容与钽质电容及电解电容简介
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電極材質
陶瓷电容与钽质电容及电解电容简介
陶瓷电容与钽质电容及电解电容简介
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2.1 尺寸
根據EIA分法有13种通用的SIZE： 英制： 01005, 0201, 0402, 0603, 0805, 1206, 1210, 1805, 1808, 1812, 1825, 2220, 2225 公制： 0402, 0603, 1005, 1608, 2012, 3216, 3225, 4512, 4520, 4532, 4564, 5650, 5664
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4.陶瓷介质的特性
陶瓷是一个绝缘体，而作为电容器介质用的陶瓷除了 具有绝缘特性外，还有一个很重要的特性：就是极化。 即它在外加电场的作用下，正负电荷会偏离原有的位置， 从而表现出正负两个极性。绝缘体的极化特性我们一般 用介电常数ε来表示，即介质的K值。
下面例举不同材料的介电常数：
真空： 1.0
电容器的标识方法有三种：
✓直标法：直接标注在表面，如果数字是整数， 则单位是pF;数字带小数点，单位是μF。 ✓文字符号法：用文字与数字混合标注，若字母在中 央，则充当小数点。 ✓色标法：与电阻相同，读取方向由电容体 引脚。
陶瓷电容与钽质电容及电解电容简介
5
电容器的参数
➢ 标称容量：在外壳上标明的，由国家规定的电容器电容量的标准值。 ➢ 允许误差范围：实际电容量与标称电容量的允许最大偏差范围，分