晶体管测试仪作业指导书
QT2晶体管测试仪.
仪器型号仪器名称 QT2 晶体管测试仪上海科梯达电子科技有限公司文件编号版本 QG/ESM04-2011-04-008 页码 8/6 KTD 操作指导书 A/0 被测管2012/05/22 生效日期二极管测试其主要的原理即使仪器提供一个被测管需要的正反二个方向的电压，并且通过 Y 电流/度及 X 电压/度的选择，使其在示波管上显示所要的测量值。
本仪器提供了二种测试手段，当反压小于 500V 电流小于 5mA 时，可在上述的三极管测试中，利用 C、E 二极进行正向和反向测试，当反压小于 500V 电流小于 5mA 时，可在专用的二极管测试插孔中进行测试。
在小于500V 二极管测试中电压极性也由测试选择开关进行转换，当置于“NPN”档二极管特性测试示波器取样电阻示波管操级时，其集电极插孔为正电压，置于“PNP”档级时，集电极插孔为负电压。
而在 3000V 二极管测试中其极性不变，可以通过二极管的测量端的变换达到极性的转换。
二极管的测试方法： 1. 通过二砐管的测试盒与仪器二极管测试孔相连，在特殊的情况下也可用合适的耐高作 B 8-1 B 8-2 图 B8-1 调压变压器 B8-2 高压变压器压线与插孔相连，被测管按面板所示的二极管极性与测试孔相连。
2. 3. 将集电极输出电压琴键按至 3000V 档级，此时并将峰值电压逆时针方向旋转至零。
示将 Y 电流/度置于 IB 范围内的合适档级，并将X 电压/度置于 UD 范围内的合适档级。
图(6 4．按入“测试”按钮，并徐徐缓慢升高峰值电压直至要求值或二极管击穿电流超过规定值的电压时止。
5．由于高压测试插孔中具有高压，因此在按入“测试”按钮时，切勿接确测试插孔的任一端。
变更履历标记日期编制审核备注：核准审核编制仪器型号仪器名称 QT2 晶体管测试仪上海科梯达电子科技有限公司文件编号版本 QG/ESM04-2011-04-008 功耗限制电阻页码 8/7 KTD 操作指导书 A/0 2012/05/22 生效日期场效应管的测试可根据需要对漏源电流(IDS，最大漏源电流(IDSM饱和漏源电流被测管示波管放大器 (IDSS夹断电压(VP跨导(ｇＭ，最大电源电压(BVDS等参数进行测试。
QT2晶体管特性图示仪操作规范
编制| | 审核| | 批准| 」发行日期文件类型仪器名称资料编号版次页次仪器作业指导书QT2型晶体管特性图示仪2/3电压（并使电压从左下方的零点开始），当电压达到某一值时电流变大，读出曲线转折点时的电压值（32V左右）即为此触发管的触发电压。
3.3.3 稳压管2CW37-6.2测试测稳压值：将稳压管的正极插入测试盒E孔，负极插入C孔。
调节参数：功耗电阻250 Q,集电极电压输出选择10V,Y轴电流/度1mA X轴电压/度1V,幅度级5UA, “输入”开关正常，阶梯10级,极性选择NPN.测试：开关拨至相应测试端，慢慢调节峰值电压（并使电压从左下方的零点开始），当电压达到某一值时电流变大，读出曲线转折点时的电压值（ 6.4V左右）即为此稳压管的稳压值3.3.4 压敏电阻测试测击穿电压：将压敏电组两脚分别插入测试盒C孔和E孔（若标称电压高于500V需在高压测试盒内进行，按1N4007二极管测试）。
参数调试：功耗电阻100K Q，集电极输出电压根据压敏电阻的标称值适当选取，X轴电压/度选取适当的档级，Y轴电流/度50卩A。
测试：开关拨至相应测试端，慢慢调节峰值电压（并使电压从左下方的零点开始），当电压达到某一值时，电流突然增大，读出曲线转折点时的电压值即为压敏电阻的击穿电压。
3.3.5 13003 三极管测试3.3.5.1测放大倍数HFE将三极管按脚位要求插入相应的位置；集电极电压输出选择10V;极性选择NPN,（如是PNP型则需选择PNP）;功耗电阻200Q, Y轴电流/度1MA,X轴电压/度1V,幅度级20UA, “输入”及“作用”开关选正常；阶梯10级。
测试：开关拨至相应测试端，顺时针旋转“峰值电压” 旋钮，逐渐加大；显示屏出现一组曲线，就是三极管特性曲线；IC读数：电流档位指数1000MAXY轴格数4.5,IB读数：阶梯信号电流档指数20UA X簇数10,HFE计算公式：IC/IB=22.5。
JL294-3晶体管测试仪
测试方法：1、测试操作步骤：（本说明以JL294型仪表为例）①开机；按下K1键使仪表工作②置K2键（PNP与NPN功能转换键）与被测管极性相符位置，将被测管与测试插座可靠连接。
③测试：按下需测试功能对应的按键，读出被测数。
注意：测试时K3～K12之间不准同时按下二个键！④关机；按K1，切断仪表电源。
2、各种三极管测试方法及图示：图中K2置NPN位置，测试PNP三极管时将K2（JL295型为K1）键置PNP位置，管脚接法与图一样。
①为了保证测试的准确性，建议使用外接6V 3A直流稳压电源。
②将三极管管脚按图示插入测试插座。
③仪表K3、K4档用于测试三极管VBR（耐压值），测试电压分别为0～1999V和0～199.9V；按下相应档位的开关，仪表分别显示被测三极管的VCEO、VCBO、VEBO 及VCE、VBC、VBE的耐压值。
④仪表K5、K6、K7三档用于测试三极管VCE（sat）（共发射极饱和压降）。
Ic电流分别为2000mA、300mA、10mA；Ib电流分别为200mA、30mA、1mA；测试时应根据三极管的功率大小按下相应档位的开关，表头显示相对电流下三极管的压降值。
提示：对同一型号的三极管，在相同电流档下测试，饱和压降值越小越好。
提示：小功率三极管不要用大电流档进行测试。
⑤仪表K8、K9、K10三档用于测试三极管hFE（共发射极直流放大系数）。
Ib电流分别为10mA、1mA、0.01mA；通过逐档测试可以观察三极管的放大线性，测得hFE值最大的一档应视为被测管最有效的工作状态。
提示：测试时应根据被测三极管的功率大小，先测试小电流档、再测试中电流档、后测试大电流档（要防止测试电流过大而损坏小功率管），表头分别显示不同工作电流下的直流放大系数。
注1：如果测试电流增大，被测三极管的放大系数不变或增大则说明被测管能在大电流的工作条件下使用；相反，如果随着测试电流的增大而被测三极管的放大系数减小，则说明被测管不能在大电流的工作条件下使用；如果表头显示的测试值不断变动，则说明该三极管不能承受该档的工作电流。
晶体管的特性测试仪作指导书ZC0909-18-SB
4.术语
4.1.二极管反向击穿电压：VR;
4.2.二极管反向漏电流：IR；
4.3.二极
4.5.三极管基极和发射极的反向电压：VBEO；
4.6.三极管集电极和发射极的反向电压：VCEO；
4.7.三极管放大倍数：HFE；
5.记录符号:∨表示良好×表示异常
2.每周最后一个工作日进行保养
6.本表要求在车间切实落实,实施,如实填写,有问题立即汇报主管
3.月实施情况由公司主管在每月1日完成
7.每月一号将上月完成的表单交由本部门文员存档(保期1年),并打印新表单填写
4.需数字记录的必须记录数值
SHEET NO:R630-10A
9.4.“峰值电压%”没有回到0点时，禁止调动任何按钮及切换任何档位；
9.5.在测试单个晶体管时，应直接使用夹具上的“左”或“右”；，避免使用“二簇”状态；
9.6.正确使用“阶梯调零”、“零电流”、“零电压”等开关；
9.7.正确使用集电极部分＋/－级：NPN型为＋级；PNP型为—级；
9.8.正确使用阶梯信号部分的＋/－级：NPN型为＋级；PNP为－级；
5.3.VCEO测试
8.3.1.将基极（B）短路；
文件编号
ZC0909-18-SB
版本/次
A/0
实施日期
2009年9月5日
页码
4/4
5.7.3.二簇：按入时交替显示左、右两端晶体管的特性曲线；
8.3.2.峰值电压范围按规格选择合适档位；
8.3.3.X轴调至10～50V或适合档位；
8.3.4.Y轴调至0.5～0.1mA适合档位；
5.2.3.增益：Y放大器的灵敏度校准电位器；
5.2.4.移位：Y放大器的移位电位器；
操作规范(HZ4832晶体管测试仪)
操作规范(HZ4832晶体管测试仪)深圳市博劲恒科技有限公司□一阶□二阶■三阶文件编码版本版次页码页次制定部门制定日期BJH-BP8-1品质部2019-9-3晶体管测试仪操作指引□保密■重要□传阅目一、目的(Purpose)二、范围(Scope)录（directory）三、注意事项（Attention）四、使用方法（Usemethod）五、测试实例说明(TestCaseSpecification)修订日期2019.9.3版次修订内容B首次发行制定彭礼审核核准日期深圳市博劲恒科技有限公司□一阶□二阶■三阶文件编码版本版次页码页次制定部门制定日期BJH-BP8-2品质部2019-9-3晶体管测试仪操作指引□保密■重要□传阅一、目的为使晶体管检测仪有一定的操作方法，标准与步骤依循。
二、范围适用于：HZ4832。
三、注意事项1.在测量三极管的输出特性时，阶梯电流就不能太小，否则，不能显示出三极管的输出特性。
阶梯电流更不能过大，这样容易损坏管子，应根据实际测量三极管的参数来确定其大小。
2.“集电极功耗电阻”的选用当测量晶体管的正向特性时，选用低阻档；当测量反向特性时，选用高阻档。
集电极功耗电阻过小时，集电极电流就过大；若集电极功耗电阻过大，就达不到应该有的功耗。
3.仪器工作电压超过36V，注意用电安全。
4.在使用过程中一定要先确定待测元件的特性参数，以免损坏元件和实验仪器。
5.在显示调节聚焦和辉度时以屏幕显示适中为佳，过焦过亮会缩短示波管寿命。
6.元件测试过程中切勿用手接触裸露带电部位，以免造成数据失真和人身安全。
7.元件测试参照测试实例调节相应参数。
四、操作步骤与方法如下1.仪器使用前准备工作1.1确认输入电源电压并可靠接通仪器，确认仪器电源开关未被拉出，确认测试台和转换座可靠连接在实验仪上。
1.2开机预热2-3分钟，调整显示屏聚焦和辉度，以显示适中为佳。
1.3对应测试元件选择合适的转换座接入测试台。
2.使用仪器测试2.1按元件极性接入相应的测试台或转换座，调整仪器，以特性曲线正确显示在屏幕中央为准。
QT2晶体管图示仪使用操作方法
QT2晶体管图示仪使用操作方法[说明书] QT2型晶体管图示仪作业指导书本文来自: 中国计量论坛作者: yilihe 查看3098 次QT2型晶体管图示仪作业指导书特别提示：由于本仪器输出扦孔可输出高压或本身带有高压，本仪器在使用前必须良好接地以及将电压级按至最小档，峰值电压逆时针旋至零。
一、使用前的注意事项：1、严格按照BOM上的直流参数进行，本机可输出5KV的高压档位设定；特别要了解被测晶体管的集电极最大允许耗散功率PCM，集电极对其它极的最大反向击穿电压如BVCEO、BVCBO、BVCER，集电极最大允许电流ICM等主要指标；2、在测试前首先要将极性与被测管所需的极性相同即可选择PNP或NPN的开关置于规定位置；3、将集电极电压输出按至其输出电压不应超过被测管允许的集电极电压，同时将峰值电压旋至零，输出电压按至合适的档级并将功耗限制电阻置于一定的阻值，同时将X、Y偏转开关置于合适的档级，此档级以不超过上述几个主要直流参数为原则；4、对被测管进行必要的结算，以选择合格的X阶梯电流或电压，此结逄的原则以不超过被测管的集电极最大允许耗损功率；5、在进行ICM的测试时一般采用单次阶梯为宜，以免被测管的电流击穿；6、在进行IC或ICM测试中应根据集电极电压的实际情况，不应超过本仪器规定的最大电流，具体数据列表如下；电压档次10V 50V 100V 500V 5KV 允许最大电流50A 10A 5A 0.5A 5MA 在进行50A（10A）档级时当实际测试电流超过20A时以脉冲阶梯为宜。
二、测试前的开机与调节：1、开启电源：将电源开关向右方向按动，此时白色指示灯亮，待预热十分钟后立即进行正常测试；2、调节光度聚焦、辅助聚焦及标尺亮度：将示波管会聚成一清晰的小光点，标尺亮度以能清晰满足测量要求为原则；3、Y、X移位：对Y、X档位旋钮置于中心位置，此时光点应根据PNP、NPN开关的选择处于左下方（NPN）或右上方（PNP）。
QT2晶体管图示仪作业指导书
把峰值電壓調節器調至規定VCE測試電壓1.2倍左右。
g
把測試選擇開關打至測試的那邊。
5.5.3
測試
a
b
調好圖示儀后﹐一定要帶好手套或指套才可測試。
測試時﹐IB檔位根據IC顯示的是否符合測試的電流作調整﹐如果IC電流過大﹐把IB打至較小檔次﹔IC電流過小﹐把IB打至較大檔次。
c
當顯示的電壓值達不到VCE測試的電壓值﹐可降低功耗電阻值來調節。
5.4.2
圖示儀調整
a
先調試X軸﹐根據規格書最小耐壓﹐一般按除以5算出的
電壓值﹐把X軸打到VCE檔位上與其最接近檔位﹔
b
Y軸電流統一打到100uA或50uA的檔位上﹔
c
功耗電阻置于50K或100K檔位上﹔
d
峰值電壓打至超過最小耐壓1.2倍檔位上﹔
e
把峰值電壓調節器調至大于最小耐壓1.2倍電壓﹔
f
把測試選擇開關打至測試的那邊。
4.0
要求
4.1
測試前應了解對被測管的主要直流參數極限值（耗散功率Pcm,集電極電流Icm和反向擊穿電壓Bvcbo,Bvceo,Bvebo等）﹐測試時避免超過極限值而造成燒壞。
5.0
操作指導
5.1
開機
5.1.1
開機前將峰值電壓調節器逆時針方向調至零﹐將測試選擇開關置于“關”。
5.1.2
把台面清理干淨。
版本
修訂章節
修訂內容
日期
A
初版
2006/3/29
審核與批淮
製件人
江明霞
品管部
黃裕梅
工程部
葉學華
營運經理
肖興陽
正版
受控副本
非受控副本
1.0
数字存储晶体管特性图示仪作业指导书
阶 梯 档 位 ：“ 电 流 /
23
10mA)+阶梯偏置值，如：1.0V/级，则阶梯电压范围（0－10V）+阶梯
级”或“电压/级”
偏置值。
电源极性
切换扫描电源极性：NPN(正)/PNP(负)/交流
切换测试模式：重复/单次。注：垂直档位（电流/格）≥5.0A/格，
测试模式
或阶梯档位（电流/级）≥0.5A/级时，会自动切换到单次测试，以保
晶体管特性图示仪操作指导书
文件编号
SSL-W-WI-QC-048
版本
1.0
拟制/日期 审核/日期 批准/日期
页码
/2013 年 1 月 7 日
5/6
22 阶梯极性
切换阶梯极性：NPN(正)/PNP(负)。注意：切换电源极性时，阶梯极 性也会自动改变。某些应用需要单独切换阶梯极性，则按该键。
选择阶梯电流或阶梯电压值，如：1.0mA/级，则阶梯电流范围(0－
键
24
存储
盘
读出
屏幕上，直到各设置参数被改变。 用于存储图形及参数，具体操作见后面详解。 用于读出图形及参数，具体操作见后面详解。
取消
取消当前的操作，具体操作见后面详解。
确认
确认当前的操作，具体操作见后面详解。
设置
进入设置状态，具体操作见后面详解。
筛选
选择筛选内容：β /gm 筛选、电压筛选、电流筛选
垂直移位 Y0=0
D
水平：（电压/格）2.0V/格
水平移位 X0=0
B
G
阶梯：（电压/级）1.0V/级
S
阶梯偏置 Z0＝-1.0V～+1.0V E 阶梯模式：电压正常
阶数：10 级
晶体管VGT、IGT、IH参数测试仪操作规程
（含浙江华晶整流器有限公司）
管理程序
编号：HJ/JC-002
发行日期：2008.4.1
版本次号：A
修改次号：0
第1页，共1页
项目
晶体管VGT、IGT、IH参数测试仪操作规程
一、本仪器是晶闸管VGT、IGT、IH三项参数的专用测试设备。适用于各种晶闸管的测试，操作者必须熟悉本机使用说明书，严格按照说明书的要求进行操作。
二、操作步骤：
1.按下“电源”开关按钮红色电源指示灯亮，数码管显示为“000”(若不为“000”请按一下复位开关按钮使本机进入0址)表示电源接通。
2.将被测试器件接在“A、K、G”接线端子上。
3.选择“IGI+”、“IGI-”、“IGIII-”、触发象限功能键或“IH”维持电流功能键。测试普通、快速晶闸管选择“IG I+”，测试KS双向晶闸管分别选择“IGI+”、“IGI-”、“IGIII-”，测试维持电流选择“IH”。
4.按动“复位”键：如仪器处于触发参数待测状态，电流、电压显示表回零。如仪器处于维持电流待测状态，电流显示表显示“450”mA左右的某一数值。
5.按动“测试”键：测触发参数时，电流表显示的数字由小到大变化，测维持电流时，电流表显示数字由大到小变化，测完自动停止。测试过程中“测试”键内指示灯亮，测完后指示灯自动熄灭。(注：测维持电流时，电压表显示的数值无意义。整个测试过程在2秒内完成)。
6.更换被测器件后，按3、5条操作即可。
注：对同一器件进行多次重复测试，测试过程由于被测试器件发热，参数会有所变Байду номын сангаас，测试中应注意。
编制：
审核：
批准：
DF4810晶体管测试仪操作说明书
XXXXXXXXXX 有限公司
工作说明书
文件编号：XX-XX-XX 版次：2.0
制定日期：XX-XX-XX 页次：- 6 -
档案名称：DF4810 晶体管测试仪操作规程
三、
操作规范
1． 开机预热 15 分钟，调节辉度、聚焦及辅助聚焦，使光点清晰。 2． 将峰值电压旋钮调至零，峰值电压范围、极性、功耗电阻等开关置于测试所需位置。 3． 对 X、Y 轴放大器进行 10 度校准。 4． 调节阶梯调零。 5． 选择需要的基极阶梯信号，将极性、串联电阻置于合适挡位，调节级/簇旋钮，使阶梯信号为 10 级/簇，阶 梯信号置重复位置。 6． 插上被测晶体管，缓慢地增大峰值电压，荧光屏上即有曲线显示。
四、
注意事项
1. 对被测管的主要直流参数应有一个大概的了解和估计，特别要了解被测管的集电极最大允许耗散功率 PCM、 最大允许电流 ICM 和击穿电压 BVEBO、BVCBO 。 2. 选择好扫描和阶梯信号的极性，以适应不同管型和测试项目的需要。 3. 根据所测参数或被测管允许的集电极电压，选择合适的扫描电压范围。一般情况下，应先将峰值电压调至零， 更改扫描电压范围时， 也应先将峰值电压调至零。 选择一定的功耗电阻， 测试反向特性时， 功耗电阻要选大一些， 同时将 X、Y 偏转开关置于合适挡位。测试时扫描电压应从零逐步调节到需要值。 4. 对被测管进行必要的估算，以选择合适的阶梯电流或阶梯电压，一般宜先小一点，再根据需要逐步加大。测 试时不应超过被测管的集电极最大允许功耗。 5. 在进行 ICM 的测试时，一般采用单簇为宜，以免损坏被测管。 6. 在进行 IC 或 ICM 的测试中，应根据集电极电压的实际情况选择，不应超过本仪器规定的最大电流 7. 进行高压测试时，应特别注意安全，电压应从零逐步调节到需要值。观察完毕，应及时将峰值电压调到零。
JY-3晶体管测试仪技术说明书
JY-3晶体管测试仪技术说明书杭州精源电子仪器有限公司JY-3晶体管测试仪技术说明书1.系统简介本测试仪具有对半导体器件常温测试，高温热测(不需要外加烘箱)，热敏参数的快速筛选取代直流满功率老炼三大功能，并可任意选用及组合使用。
晶体管热敏参数的快速筛选技术，是采用在短时间内(一般为数秒)对晶体管施加超稳态额定功率的办法，使晶体管的结温迅速接近或达到最高允许结温TjM，通过快速检测晶体管热敏参数V BE、I CEO（或I CBO）和h FE ,及其在加功率前后的变化量、变化率△V BE、I CEOH和△h FE％，并以此为失效判据参量，淘汰超标的晶体管，达到剔除早期失效器件，改善产品批的质量和可靠性的目的，同时，所施加的超稳态额定功率模拟了被试管实际使用时可能出现的浪涌电压、电流等应力，以考核被试管承受冲击的能力。
该快速筛选方法不仅能替代直流满功率老炼，快速剔除有潜在缺陷的器件，而且更加科学合理，并已列为行业标准SJ／T10415—93及国军标GJB128A—97。
本测试仪不但能按规定进行晶体管热敏参数的快筛，而且可作常规直流参数测试仪器使用，具有足够的测试量程和精度，只要调用被测器件的型号，就能进入快速连续检测。
当被测器件由于穿通、二次击穿和热击穿的瞬间，具有自动保护能力。
2.主要功能2.1可取代直流满功率老炼，每只器件整个老炼筛选过程（含测试）只需5秒左右。
2.2 能测试筛选PNP、NPN大、中、小功率三极管。
中文菜单式界面，操作简便。
2.3能一次性自动测试、筛选V BE、V BC、h FE1、h FE2、I CEO、I CBO、I EBO、V（BR）CEO、V、V（BR）EBO、V CES、V BES的常温、高温值及常温与高温值变化量或变化率。
（BRCBO并能任意选测全部或部分参数；若只选测常温参数，每只器件只需1秒多。
h FE1、h FE2可以自动分10档。
2.4 可任意设定器件型号、测试条件及判据，并保存在系统中，通过浏览方式任意修改、调用。
QT2晶体管图示仪使用操作指导书
QT2晶体管图示仪使用操作方法[说明书] QT2型晶体管图示仪作业指导书 QT2型晶体管图示仪 作业指导书特别提示： 由于本仪器输出扦孔可输出高压或本身带有高压，本仪器在使用前必须良好接地以及将电压级按至最小档，峰值电压逆时针旋至零。
一、 使用前的注意事项：1、 严格按照BOM上的直流参数进行，本机可输出5KV的高压档位设定；特别要了解被测晶体管的集电极最大允许耗散功率PCM，集电极对其它极的最大反向击穿电压如BVCEO、BVCBO、BVCER，集电极最大允许电流ICM等主要指标；2、 在测试前首先要将极性与被测管所需的极性相同即可选择PNP或NPN的开关置于规定位置；3、 将集电极电压输出按至其输出电压不应超过被测管允许的集电极电压，同时将峰值电压旋至零，输出电压按至合适的档级并将功耗限制电阻置于一定的阻值，同时将X、Y偏转开关置于合适的档级，此档级以不超过上述几个主要直流参数为原则；4、 对被测管进行必要的结算，以选择合格的X阶梯电流或电压，此结逄的原则以不超过被测管的集电极最大允许耗损功率；5、 在进行ICM的测试时一般采用单次阶梯为宜，以免被测管的电流击穿；6、 在进行IC或ICM测试中应根据集电极电压的实际情况，不应超过本仪器规定的最大电流，具体数据列表如下； 电压档次 10V 50V 100V 500V 5KV 允许最大电流 50A 10A 5A 0.5A 5MA 在进行50A（10A）档级时当实际测试电流超过20A时以脉冲阶梯为宜。
二、 测试前的开机与调节：1、 开启电源：将电源开关向右方向按动，此时白色指示灯亮，待预热十分钟后立即进行正常测试；2、 调节光度聚焦、辅助聚焦及标尺亮度：将示波管会聚成一清晰的小光点，标尺亮度以能清晰满足测量要求为原则；3、 Y、X移位：对Y、X档位旋钮置于中心位置，此时光点应根据PNP、NPN开关的选择处于左下方（NPN）或右上方（PNP）。
再调节移位旋钮使其在左下方或右止方实线部份的零点；4、 对Y、X校准：将Y、X灵敏度分别进行10度校准，其方法将Y（或X）方式开关自“I”至“校准”，此时光点或基线应有10度偏转，如超过或不到时应进行增益调节（ 调节W ）；5、 阶梯调零：阶梯调零的依据即将阶梯先在示波管上显示，然后根据方放大器输入端接地所显示的位置，再调节调零电位器使其与放大器接时时重合即完成调零； 调节方式前先将Y偏转放大器置于基级电流或基极源电压（即“ ”）档级，X偏转放大器置于UC的位置任意标级，将测试选择置于“NPN”， 置于“常态”，阶梯幅度/级置于电压/级的任何档级，集电极电压置于任意档级使示波管显示电压值，此时即能调零使第一根基线与Y偏转放大器“ ”的重合即完成了调零步骤；6、 电容性电流平衡：在要求较高电流灵敏度档级进行测量时，可对电容性电流进行平衡，平衡方式将Y偏转放大器置于较高灵敏度档级使示波管显示一电容性电流，调节电容平衡旋钮使其达到最小值即可；7、 集电极电压检查：在进行测量前应检查集电极电压的输出范围，检查时将VC置于相对应档次，当发现将峰值电压顺时针方向最大时，其输出在规定值与大于10%之间即正常（用普通电压表测量结果比规定值少10%左右）。
小、中功率NPN三极管测试作业指导书
1. 小功率硅三极管测试项目1.1硅三极管测试（以硅三极管型号：2SC9014为例）：2. 测试内容 2.1硅三极管反向击穿电压测试2.1.1参照标准：GJB360A-96 2.1.2使用设备名称/型号 ：晶体管测试仪型号 ：JL295-3；2.1.3小功率硅三极管反向击穿电压测试方法 ：1）操作方法：以硅三极管型号：2SC9014为例：基准温度：+25℃，采用晶体管测试仪VBR/10V 挡； 第一步先识别硅三极管2SC9014管脚极性（附图）； 发射极第二步认清“晶体管测试仪型号 ：JL295-3 第三步将硅三极管2SC9014元件插入晶体管测试仪型号 ：JL295-3仪器相对应孔内即可; 第四步按下仪器VBR/10V 挡这时仪表指针即显示出硅三极管2SC9014瞬间反向击穿电压值，一般2SC9013反向击穿电压值66V-70V 左右，但是不同生产厂家的硅三极管2SC9013反向击穿电压值高低均不一样。
2.1.4小功率硅三极管放大倍数测试方法 ：A ）晶体管测试仪型号 ：JL295-3；B ）参照标准：GJB360A-96 电子及电气元件试验方法：C ）操作方法：以硅三极管2SC9014为例：基准温度：+25℃;第一步先识别硅三极管2SC9014管脚极性（附图）； 发射极集电极 第二步认清“晶体管测试仪型号 ：JL295-3 晶体管测试仪:JL295-3仪器插孔第三步将硅三极管2SC9014元件插入晶体管测试仪型号 ：JL295-3仪器相对应孔内即可; 第四步将“晶体管测试仪型号 ：JL295-3”按钮开关 hFE 组合键中 ×100挡按下，（附图）：hFE10 1 0.01仪器按钮×3个××1这时仪表上显示120倍电流放大倍数值。
2.1.5小功率硅三极管型号：2SC9014元件高/低温测试方法 ：1）参照标准：GJB360A-96 电子及电气元件试验方法（有两个测试温度系列）。
AT-201晶体管测试仪操作说明书
AT-201晶体管测试仪操作说明书一、主要用途：本测试仪性能稳定，能自动读出准确数据，使用方便，适用于电子爱好者、电子开发者、设计者、与电子维修者必需小仪器。
它可测各种二极管，三极管，可控硅，MOS场效应管；能判断器件类型，引脚的极性，输出HFE，阀电压，场效应管的结电容，附加条件可测电容和电阻等。
特别适合晶体管配对和混杂表贴元件识别。
二、操作说明：1. 测试面板上说明如下图①：TEST 测试按键；②：LED 测试指示灯；③④⑤：测试槽分别1、2、3对应显示屏上显示123脚；⑥：OUT TESTER测试输入接口以颜色黄、绿、红三色对应123脚；⑦：LED充电指示灯⑧：USB标准mini USB充电接口⑨：LCD测试结果显示屏⑩：POWER SW 内置电源总开关2．使用时先将POWER SW开关置于“ON”状态。
3. 将被待测试器件放入测试槽后，启动测试键“TEST”键后显示屏上会显示出对应的数据等待10S后自动关机。
4. 要测试大的器件，可以用外接线与“OUT”孔连接，测试线另一头与器件的引脚连接，并按“TEST”键测试。
5. 测试贴片晶体器件时，就要用到贴片匹配器与本机的测试槽连接并按“TEST”键6. 使用完后（不使用时）应把“POWER SW”开关置于“OFF”状态，不使用时防止内部电池耗电。
本机有自动关机功能, 自动关机时的工作电流只有20nA，可以突7. 如本机使用电量不足，LCD屏幕上会显示“Battery Low！”，这时就要用迷你USB线进行充电，充电时将“POWER”开关置于“OFF”状态，USB接口上方的指示灯会亮，表示充电中…一般充电5-8小时就可以使用。
用USB充电器或电脑的USB接口都能进行充电。
8. 注意事项（1）、测量电容时，必须将电容的电放干净方可接到测试仪上测量，带电的电容容易将测试仪的芯片击毁。
不能将带电的器件进行测试，防止内部芯片被击坏。
（2）、本仪器如长时间不使用，应将POWER SW开关置于“OFF”状态，至少半个月充一次电，以免电池变质、流液、损坏机件。
自制GM328晶体管测试仪用户手册
自制GM328晶体管测试仪用户手册电源：晶体管测试仪可由6.8V –12V 直流供电。
这可以通过一个9V 的层叠电池来实现。
两个3.7V 锂离子电池串联。
或AC 适配器。
通电时，直流9V 电流约为30mA 。
控制：晶体管测试仪由“带开关的旋转脉冲编码器”控制，或由“RPEWS”短接，该元件有四种工作方式，短时间按下旋钮，按住，左右旋转旋钮。
当晶体管测试仪通电时。
短时间按下RPEWS 将打开晶体管测试仪，并开始测试。
晶体管测试仪将在测试结束时等待用户输入。
在测试结束时，在自动关闭之前。
长时间按下RPEWS 或左右旋转，将进入功能菜单。
在“功能”菜单中，左栏中的“>”用于索引所选菜单项。
要进入特定功能，只需单击RPEWS 。
在特定功能内，按住旋钮将退出并返回功能菜单。
测试：晶体管测试仪有三个测试点（TP1、TP2、TP3），在测试插座内，三个测试点的配置如下。
在测试插座的右侧是SMT 测试板，也有编号来识别每个脚位。
当测试两个引线组件（电阻、电容、电感）时，两个引线可以选择任意两个测试点。
如果选择了TP1和TP3，测试完成后，测试将进入“系列测试模式”。
否则，通过短时间按下RPEWS 重新开始测试。
注意：在将电容器连接到测试仪之前，在打开之前，务必对电容器放电！否则，检测仪可能损坏。
在MCU 的端口上只有一点保护。
如果您尝试测试安装在电路中的组件，则需要格外小心。
无论哪种情况，设备都应断开电源，您应该确定，设备中没有剩余电压。
自检和校准：通过将三个测试点连接在一起并推动RPEWS，可以准备自检，测试仪LCD的颜色将变为白色字体和黑色背景。
提示字符串“Selftest mode….”“，要开始自检，必须在2秒内再次按下RPEWS，否则测试仪将继续进行正常测量。
现在开始自检，检测仪将提示您下一步。
等待一段时间，直到提示字符串“isolate Probes（隔离探针）！“此时拆下三个测试点的连接。
检测仪将等待，直到测试到断开。
晶体管测试仪器作业指导书IQC-015
设备名称半导体管特性图示仪适用产品二极管、三极管、场效应管类文件制定部门文件版本A 文件编号WI-IQC-015三、图示说明：1.1. 开机前，确认电源电压接入是否正确（AC 220V ）检查电源线是否松动 1.2. 启动仪器面板上电源开关【POWER】图示3，仪器进入开机热机状态 1.3. 机器需预热5分钟.1.4. 适当调节图标25、图标24、图标22旋钮，使期显示屏幕辉度，亮度、聚焦适中. 1.5. 确认被测零件规格，了解本仪器面板上各开关、旋钮基本功能及设置状态.1.5.1 三极管特性图示（以下各参数须对应相应规格三极管承认参数进行设定）： 峰值电压范围： 010V 图标3 极性： + 、图标1电容平衡旋钮，图标5、图标6，调节处于中间位置. 功耗电阻： 250Ω 图标4峰值电压选择旋钮图标2 调节处于起始位位置 X轴集电极电压： 1V/度 图标19 Y轴集电极电压： 1mV/度 图标20 阶梯信号： 重复 图标16 阶梯信号： 重复 图标17 阶梯信号极性： + 图标151.5.2 二极管特性图示（以下各参数须对应相应规格二极管承认参数进行设定）： 峰值电压范围： 010V 图标3 电容平衡旋钮，图标5、图标6，调节处于中间位置. 极性： + 、图标1峰值电压选择旋钮图标2 调节处于起始位位置四、操作面板功能简介：功耗电阻： 250Ω 图标41>.极性转换开关（51AJ1）20>.Y轴选择开关20K1 X轴集电极电压： 0.1V/度 图标192>.峰值电压控制旋钮（%50B1）21>.Y轴移位（20W1） Y轴集电极电压： 10mA/度 图标203>.峰值电压选择档位（50AJ1）22>.辅助聚焦（1W8） 1.5.3 参数设定完毕后，依三极管、二极管极性和引脚标示方式接入测试座，根据被测零件接入，选择8进行4>.功耗限制电阻选择档位（Ω50K1）23>.主显示屏幕 选择测试座，加载电压由低至高开始.功耗电阻由小变大.5>.电容平衡旋钮（50W2）24>.聚焦（1W7） 1.16. 检验工作完成后，关掉仪器电源开关.6>.辅助电容平衡旋钮（50W2）25>.电源开关（辉度1W6）7>.三极管测试插座8>.测试座信号极性、转换开关二、操作注意事项：9>.二极管测试插座2.1 测二极管、三极管反向电压，注意峰值电压档位调整.在使用本仪器，请仔细了解各开关，按键功能.10>.单簇按开关（40AN1） 2.2 测试时，注意引脚顺序，以免接错，引起零件损坏11>.阶梯信号选择档位（40K ） 2.3 注意仪器接地，测COMS管和三极管，注意静电防护.12>.串联电阻开关（40K2） 2.3 测试完毕后，整理7S，将治具和产品归还原位.13>.调零旋钮（40W1）14>.级/簇阶梯信号调节旋钮（40W2）点检频率责任人15>.极性转换开关（42AJ18，根据被测半导体的需要）每天检检员16>.重复关开关（40AJ1A）每天检检员17>.X轴移位（20W2）每天检检员18>.显示开关（23AJ1）19>.X轴选择档位（20K2）核准审核制定人制作日期品质部深圳市添正弘业科技有限公司一、操作規程：点检项目每天将仪器表面清理灰尘电源开关是否良好、仪器功能是否正常每周点检仪器接地线是否良好21362320192221798101112174181416252415135。
QT2晶体管图示仪使用操作指导书
QT2晶体管图示仪使用操作方法[说明书] QT2型晶体管图示仪作业指导书QT2型晶体管图示仪作业指导书特别提示：由于本仪器输出扦孔可输出高压或本身带有高压，本仪器在使用前必须良好接地以及将电压级按至最小档，峰值电压逆时针旋至零。
一、使用前的注意事项：1、严格按照BOM上的直流参数进行，本机可输出5KV的高压档位设定；特别要了解被测晶体管的集电极最大允许耗散功率PCM，集电极对其它极的最大反向击穿电压如BVCEO、BVCBO、BVCER，集电极最大允许电流ICM等主要指标；2、在测试前首先要将极性与被测管所需的极性相同即可选择PNP或NPN的开关置于规定位置；3、将集电极电压输出按至其输出电压不应超过被测管允许的集电极电压，同时将峰值电压旋至零，输出电压按至合适的档级并将功耗限制电阻置于一定的阻值，同时将X、Y偏转开关置于合适的档级，此档级以不超过上述几个主要直流参数为原则；4、对被测管进行必要的结算，以选择合格的X阶梯电流或电压，此结逄的原则以不超过被测管的集电极最大允许耗损功率；5、在进行ICM的测试时一般采用单次阶梯为宜，以免被测管的电流击穿；6、在进行IC或ICM测试中应根据集电极电压的实际情况，不应超过本仪器规定的最大电流，具体数据列表如下；电压档次10V 50V 100V 500V 5KV 允许最大电流50A 10A 5A 0.5A 5MA 在进行50A（10A）档级时当实际测试电流超过20A时以脉冲阶梯为宜。
二、测试前的开机与调节：1、开启电源：将电源开关向右方向按动，此时白色指示灯亮，待预热十分钟后立即进行正常测试；2、调节光度聚焦、辅助聚焦及标尺亮度：将示波管会聚成一清晰的小光点，标尺亮度以能清晰满足测量要求为原则；3、Y、X移位：对Y、X档位旋钮置于中心位置，此时光点应根据PNP、NPN开关的选择处于左下方（NPN）或右上方（PNP）。
再调节移位旋钮使其在左下方或右止方实线部份的零点；4、对Y、X校准：将Y、X灵敏度分别进行10度校准，其方法将Y（或X）方式开关自“I”至“校准”，此时光点或基线应有10度偏转，如超过或不到时应进行增益调节（调节W ）；5、阶梯调零：阶梯调零的依据即将阶梯先在示波管上显示，然后根据方放大器输入端接地所显示的位置，再调节调零电位器使其与放大器接时时重合即完成调零；调节方式前先将Y偏转放大器置于基级电流或基极源电压（即“”）档级，X偏转放大器置于UC的位置任意标级，将测试选择置于“NPN”，置于“常态”，阶梯幅度/级置于电压/级的任何档级，集电极电压置于任意档级使示波管显示电压值，此时即能调零使第一根基线与Y偏转放大器“”的重合即完成了调零步骤；6、电容性电流平衡：在要求较高电流灵敏度档级进行测量时，可对电容性电流进行平衡，平衡方式将Y偏转放大器置于较高灵敏度档级使示波管显示一电容性电流，调节电容平衡旋钮使其达到最小值即可；7、集电极电压检查：在进行测量前应检查集电极电压的输出范围，检查时将VC置于相对应档次，当发现将峰值电压顺时针方向最大时，其输出在规定值与大于10%之间即正常（用普通电压表测量结果比规定值少10%左右）。
JY-3晶体管测试仪技术说明书
JY-3晶体管测试仪技术说明书杭州精源电子仪器有限公司JY-3晶体管测试仪技术说明书1.系统简介本测试仪具有对半导体器件常温测试，高温热测(不需要外加烘箱)，热敏参数的快速筛选取代直流满功率老炼三大功能，并可任意选用及组合使用。
晶体管热敏参数的快速筛选技术，是采用在短时间内(一般为数秒)对晶体管施加超稳态额定功率的办法，使晶体管的结温迅速接近或达到最高允许结温TjM，通过快速检测晶体管热敏参数V BE、I CEO（或I CBO）和h FE ,及其在加功率前后的变化量、变化率△V BE、I CEOH和△h FE％，并以此为失效判据参量，淘汰超标的晶体管，达到剔除早期失效器件，改善产品批的质量和可靠性的目的，同时，所施加的超稳态额定功率模拟了被试管实际使用时可能出现的浪涌电压、电流等应力，以考核被试管承受冲击的能力。
该快速筛选方法不仅能替代直流满功率老炼，快速剔除有潜在缺陷的器件，而且更加科学合理，并已列为行业标准SJ／T10415—93及国军标GJB128A—97。
本测试仪不但能按规定进行晶体管热敏参数的快筛，而且可作常规直流参数测试仪器使用，具有足够的测试量程和精度，只要调用被测器件的型号，就能进入快速连续检测。
当被测器件由于穿通、二次击穿和热击穿的瞬间，具有自动保护能力。
2.主要功能2.1可取代直流满功率老炼，每只器件整个老炼筛选过程（含测试）只需5秒左右。
2.2 能测试筛选PNP、NPN大、中、小功率三极管。
中文菜单式界面，操作简便。
2.3能一次性自动测试、筛选V BE、V BC、h FE1、h FE2、I CEO、I CBO、I EBO、V（BR）CEO、V、V（BR）EBO、V CES、V BES的常温、高温值及常温与高温值变化量或变化率。
（BRCBO并能任意选测全部或部分参数；若只选测常温参数，每只器件只需1秒多。
h FE1、h FE2可以自动分10档。
2.4 可任意设定器件型号、测试条件及判据，并保存在系统中，通过浏览方式任意修改、调用。
自制GM328晶体管测试仪用户手册
自制GM328晶体管测试仪用户手册电源：晶体管测试仪可由6.8V –12V 直流供电。
这可以通过一个9V 的层叠电池来实现。
两个3.7V 锂离子电池串联。
或AC 适配器。
通电时，直流9V 电流约为30mA 。
控制：晶体管测试仪由“带开关的旋转脉冲编码器”控制，或由“RPEWS”短接，该元件有四种工作方式，短时间按下旋钮，按住，左右旋转旋钮。
当晶体管测试仪通电时。
短时间按下RPEWS 将打开晶体管测试仪，并开始测试。
晶体管测试仪将在测试结束时等待用户输入。
在测试结束时，在自动关闭之前。
长时间按下RPEWS 或左右旋转，将进入功能菜单。
在“功能”菜单中，左栏中的“>”用于索引所选菜单项。
要进入特定功能，只需单击RPEWS 。
在特定功能内，按住旋钮将退出并返回功能菜单。
测试：晶体管测试仪有三个测试点（TP1、TP2、TP3），在测试插座内，三个测试点的配置如下。
在测试插座的右侧是SMT 测试板，也有编号来识别每个脚位。
当测试两个引线组件（电阻、电容、电感）时，两个引线可以选择任意两个测试点。
如果选择了TP1和TP3，测试完成后，测试将进入“系列测试模式”。
否则，通过短时间按下RPEWS 重新开始测试。
注意：在将电容器连接到测试仪之前，在打开之前，务必对电容器放电！否则，检测仪可能损坏。
在MCU 的端口上只有一点保护。
如果您尝试测试安装在电路中的组件，则需要格外小心。
无论哪种情况，设备都应断开电源，您应该确定，设备中没有剩余电压。
自检和校准：通过将三个测试点连接在一起并推动RPEWS，可以准备自检，测试仪LCD的颜色将变为白色字体和黑色背景。
提示字符串“Selftest mode….”“，要开始自检，必须在2秒内再次按下RPEWS，否则测试仪将继续进行正常测量。
现在开始自检，检测仪将提示您下一步。
等待一段时间，直到提示字符串“isolate Probes（隔离探针）！“此时拆下三个测试点的连接。
检测仪将等待，直到测试到断开。
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集电极电源
峰值电压范围
0～100V
集电极电压调节
0
极性
PNP-
功耗电阻
250Ω
X轴
VC（电压/度）
10V/度
X工作方式选择开关
-（下）
Y轴
IC（电流/度）
1mA/度
Y工作方式选择开关
-（下）
2.4.2按E、C插好被测晶体管。
■xxxx科技工业有限公司
晶体管检测仪作业指导书
1V/度
X工作方式选择开关
+（上）
Y轴
IC（电流/度）
1μA/度
Y工作方式选择开关
+（上）
集电极电压调节从0慢慢加大至于100%，调节电容平衡电位器（R608,R601）使屏幕上Y向图形达到最小值即可。
1.6集电极电压检查（调节方法：面板上开关位置按下表设置）
集电极电源
极性
NPN+
功耗电阻
0
X轴
X工作方式选择开关
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晶体管检测仪作业指导书
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Rev1.0
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文件编号
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周伟芳
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1.5电容性电流平衡（调节方法：面板上开关位置按下表设置）
集电极电源
峰值电压范围
0～5V
集电极电压调节
0
极性
NPN+
功耗电阻
1KΩ
X轴
VC（电压/度）
核准
制订
文件编号
Q-H810-M016
周伟芳
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2011-4-11
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2.2NPN型2N3055晶体管的测试
2.2.1面板上开关位置按表设置。
集电极电源
峰值电压范围
0～5V
集电极电压调节
0
极性
NPN+
功耗电阻
2.50Ω
X轴
VC（电压/度）
0.5V/度
X工作方式选择开关
+（上）
Y轴
IC（电流/度）
集电极电源
峰值电压范围
0～3KV
集电极电压调节
0
极性
NPN+
功耗电阻
250Ω
X轴
VC（电压/度）
300V/度
X工作方式选择开关
+（上）
Y轴
IC（电流/度）
1mA/度
Y工作方式选择开关
+（上）
2.3.2按B、C插好被测晶体管。
2.3.3按0-3KV按通开关（S604），集电极电压从0慢慢加大。
2.4 PNP型8550晶体管的测试
1V/度
X工作方式选择开关
+（上）
Y轴
IC（电流/度）
1μA/度
Y工作方式选择开关
+（上）
阶梯信号
极性
+
方式
重复
输入
正常
集电极电压调节从0慢慢加大到100％，用Y轴移位将扫描线与第一条线度线重合，然后将Y轴-IC（电流/度）打至阶梯位置，屏幕上出现十一条扫描线，调节调零电位器，使第一条扫描线与第一条刻度线重合。
Y轴
IC（电流/度）
1mA/度
Y工作方式选择开关
+（上）
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2.7.2按E、C插好被测晶体管。
2.7.3测量选择“左”或“右”置于被测管一边。
2.5.4集电极电压调节从0慢慢加大。
2.6硅整流二极管IN4001的测试
2.6.1面板上开关位置按表设置。
集电极电源
峰值电压范围
0～10V
集电极电压调节
0
极性NPN+功耗来自阻250ΩX轴
VC（电压/度）
0.1V/度
X工作方式选择开关
+（上）
Y轴
IC（电流/度）
1mA/度
Y工作方式选择开关
+（上）
2.6.2按E、C插好被测晶体管。
0～5V
集电极电压调节
0
极性
NPN+
功耗电阻
250Ω
X轴
VC（电压/度）
0.5V/度
X工作方式选择开关
+（上）
Y轴
IC（电流/度）
1mA/度
Y工作方式选择开关
+（上）
阶梯信号
极性
-
方式
重复
输入
正常
串联电阻
0
阶梯选择
0.2V/级
级/族
10
2.5.2按E、B、C插好被测晶体管。
2.5.3测量选择“左”或“右”置于被测管一边。
1.2调节辉度聚焦、辅助聚焦(调节方法：面板上开关位置按下表所示设置)。
集电极电源
峰值电压范围
0～5V
集电极电压调节
0
功耗电阻
1KΩ
X轴
VC（电压/度）
0.5V/度
X工作方式选择开关
┴（中）
Y轴
IC（电流/度）
1mA/度
Y工作方式选择开关
┴（中）
X、Y位移
X、Y位移旋钮置于中心位置
1.3 Y、X灵敏度分别进行10度校准
50mA/度
Y工作方式选择开关
+（上）
阶梯信号
极性
+
方式
重复
输入
正常
串联电阻
0
阶梯选择
200μA/级
级/族
10
2.2.2按E、B、C插好被测晶体管。
2.2.3测量选择“左”或“右”置于被测管一边。
2.2.4集电极电压调节从0慢慢加大。
2.3NPN型MJ13005晶体管的测试
2.3.1面板上开关位置按表设置。
极性
-
方式
重复
输入
正常
串联电阻
0
阶梯选择
500μA/级
级/族
10
2.8.2按E、B、C插好被测晶体管。
2.8.3测量选择“左”或“右”置于被测管一边。
2.8.4集电极电压调节从0慢慢加大。
2.“集电极功耗电阻”的选用
当测量晶体管的正向特性时，选用低阻档；当测量反向特性时，选用高阻档。集电极功耗电阻过小时，集电极电流就过大；若集电极功耗电阻过大，就达不到应该有的功耗。
四、操作步骤与方法如下：
1.测试前的开机与调节
1.1开启电源按下电流开关，此时指示灯亮，待预热十分钟后可以进行正常测试。在必要时测量进线电压以在220V±10%的范围内为宜。
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2.4.3测量选择“左”或“右”置于被测管一边。
2.4.4集电极电压调节从0慢慢加大。
2.5 N沟导耗尽型3DJ7G晶体管的测试。
2.5.1面板上开关位置按表设置。
集电极电源
峰值电压范围
2.6.3测量选择“左”或“右”置于被测管一边。
2.6.4集电极电压调节从0慢慢加大。
2.7稳压二极管BZX-55-C8V2的测试
2.7.1面板上开关位置按表设置。
集电极电源
峰值电压范围
0～100VAC
集电极电压调节
0
极性
NPN+
功耗电阻
250Ω
X轴
VC（电压/度）
2V/度
X工作方式选择开关
+（上）
+（上）
Y轴
Y工作方式选择开关
（中）
在进行测量前应检查集电极电压的输出范围，检查时将VC置于相对应档级，当发现将峰值电压顺时针方向最大时，其输出符合下表范围即正常，如小于上述规定则检查进线电压。
峰值电压范围
X作用开关（VC）
水平显示幅度
5V
1V/div
＞7div
50V
5V/div
＞10div
100V
■xxxx科技工业有限公司
晶体管检测仪作业指导书
版本
Rev1.0
变更事项
日期
修订者
核准
制订
文件编号
Q-H810-M016
周伟芳
制定日期
2011-4-11
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一、目的
为使晶体管检测仪有一定的操作方法、标准与步骤依循。
二、范围
光电部门的晶体管检测仪。
三、注意事项
1.使用时要正确选择阶梯信号
在测量三极管的输出特性时，阶梯电流就不能太小，否则，不能显示出三极管的输出特性。阶梯电流更不能过大，这样容易损坏管子。应根据实际测量三极管的参数来确定其大小。
2.7.4集电极电压调节从0慢慢加大。
2.8可控硅M10LZ47的测试。
2.8.1面板上开关位置按表设置。
集电极电源
峰值电压范围
0～50V
集电极电压调节
0
极性
NPN+
功耗电阻
250Ω
X轴
VC（电压/度）
2V/度
X工作方式选择开关
+（上）
Y轴
IC（电流/度）
1mA/度