半导体物理知识点及重点习题总结

半导体物理知识点及重点习题总结目录半导体物理知识点及重点习题总结 (1)第一章半导体电子状态 (2)1.1 半导体 (2)第二章半导体杂质和缺陷能级 (4)第三章半导体载流子分布 (5)第四章半导体导电性 (8)第五章非平衡载流子 (10)第七章金属半导体接触 (15)第八章MIS结构 (17)第一章半导体电子状态1.1 半导体通常是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料，其导带在绝对零度时全空，价带全满，禁带宽度较绝缘体的小许多。

1.2能带晶体中，电子的能量是不连续的，在某些能量区间能级分布是准连续的，在某些区间没有能及分布。

这些区间在能级图中表现为带状，称之为能带。

1.2能带论是半导体物理的理论基础，试简要说明能带论所采用的理论方法。

答：能带论在以下两个重要近似基础上，给出晶体的势场分布，进而给出电子的薛定鄂方程。

通过该方程和周期性边界条件最终给出E-k关系，从而系统地建立起该理论。

单电子近似：将晶体中其它电子对某一电子的库仑作用按几率分布平均地加以考虑，这样就可把求解晶体中电子波函数的复杂的多体问题简化为单体问题。

绝热近似：近似认为晶格系统与电子系统之间没有能量交换，而将实际存在的这种交换当作微扰来处理。

1.2克龙尼克—潘纳模型解释能带现象的理论方法答案：克龙尼克—潘纳模型是为分析晶体中电子运动状态和E-k关系而提出的一维晶体的势场分布模型，如下图所示利用该势场模型就可给出一维晶体中电子所遵守的薛定谔方程的具体表达式，进而确定波函数并给出E-k关系。

由此得到的能量分布在k空间上是周期函数，而且某些能量区间能级是准连续的（被称为允带），另一些区间没有电子能级（被称为禁带）。

从而利用量子力学的方法解释了能带现象，因此该模型具有重要的物理意义。

1.2导带与价带1.3有效质量有效质量是在描述晶体中载流子运动时引进的物理量。

它概括了周期性势场对载流子运动的影响，从而使外场力与加速度的关系具有牛顿定律的形式。

其大小由晶体自身的E-k 关系决定。

1.4本征半导体既无杂质有无缺陷的理想半导体材料。

1.4空穴空穴是为处理价带电子导电问题而引进的概念。

设想价带中的每个空电子状态带有一个正的基本电荷，并赋予其与电子符号相反、大小相等的有效质量，这样就引进了一个假想的粒子，称其为空穴。

它引起的假想电流正好等于价带中的电子电流。

1.4空穴是如何引入的，其导电的实质是什么？ 答：空穴是为处理价带电子导电问题而引进的概念。

设想价带中的每个空电子状态带有一个正的基本电荷，并赋予其与电子符号相反、大小相等的有效质量，这样就引进了一个假想的粒子，称其为空穴。

这样引入的空穴，其产生的电流正好等于能带中其它电子的电流。

所以空穴导电的实质是能带中其它电子的导电作用，而事实上这种粒子是不存在的。

1.5 半导体的回旋共振现象是怎样发生的（以n 型半导体为例） 答案：首先将半导体置于匀强磁场中。

一般n 型半导体中大多数导带电子位于导带底附近，对于特定的能谷而言，这些电子的有效质量相近，所以无论这些电子的热运动速度如何，它们在磁场作用下做回旋运动的频率近似相等。

当用电磁波辐照该半导体时，如若频率与电子的回旋运动频率相等，则半导体对电磁波的吸收非常显著，通过调节电磁波的频率可观测到共振吸收峰。

这就是回旋共振的机理。

1.5 简要说明回旋共振现象是如何发生的。

半导体样品置于均匀恒定磁场，晶体中电子在磁场作用下运动运动轨迹为螺旋线，圆周半径为r ， 回旋频率为sin v B f qv B f qvB qv Bθθ⊥=−⨯==与夹角cω2*2**,// / /c n n c nv r a v rm v r qv B m qBr v qB m ωω⊥⊥⊥⊥⊥==⋅=⇒=⇒=向心加速度当晶体受到电磁波辐射时，在频率为 时便观测到共振吸收现象。

1.6 直接带隙材料如果晶体材料的导带底和价带顶在k 空间处于相同的位置，则本征跃迁属直接跃迁，这样的材料即是所谓的直接带隙材料。

1.6 间接带隙材料如果半导体的导带底与价带顶在k 空间中处于不同位置，则价带顶的电子吸收能量刚好达到导带底时准动量还需要相应的变化第二章 半导体杂质和缺陷能级2.1 施主杂质受主杂质某种杂质取代半导体晶格原子后，在和周围原子形成饱和键结构时，若尚有一多余价电子，且该电子受杂质束缚很弱、电离能很小，所以该杂质极易提供导电电子，因此称这种杂质为施主杂质；反之，在形成饱和键时缺少一个电子，则该杂质极易接受一个价带中的电子、提供导电空穴，因此称其为受主杂质。

2.1 替位式杂质杂质原子进入半导体硅以后，杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，称为替位式杂质。

形成替位式杂质的条件：杂质原子大小与晶格原子大小相近2.1 间隙式杂质杂质原子进入半导体硅以后，杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，称为间隙式杂质。

形成间隙式杂质的条件： （1）杂质原子大小比较小 （2）晶格中存在较大空隙 形成间隙式杂质的成因半导体晶胞内除了晶格原子以为还存在着大量空隙，而间隙式杂质就可以存在在这些空隙中。

2.1 杂质对半导体造成的影响杂质的出现，使得半导体中产生了局部的附加势场，这使严格的周期性势场遭到破坏。

从能带的角度来讲，杂质可导致导带、价带或禁带中产生了原来没有的能级2.1 杂质补偿在半导体中同时存在施主和受主时，施主能级上的电子由于能量高于受主能级，因而首先跃迁到受主能级上，从而使它们提供载流子的能力抵消，这种效应即为杂质补偿。

c2.1 杂质电离能杂质电离能是杂质电离所需的最少能量，施主型杂质的电离能等于导带底与杂质能级之差，受主型杂质的电离能等于杂质能级与价带顶之差。

2.1 施主能级及其特征 施主未电离时，在饱和共价键外还有一个电子被施主杂质所束缚，该束缚态所对应的能级称为施主能级。

特征：①施主杂质电离，导带中出现 施主提供的导电电子； ②电子浓度大于空穴浓度， 即 n > p 。

2.1 受主能级及其特征受主杂质电离后所接受的电子被束缚在原来的空状态上，该束缚态所对应的能级称为受主能级。

特征：①受主杂质电离，价带中出现 受主提供的导电空穴； ②空穴浓度大于电子浓度， 即 p > n 。

浅能级杂质的作用：（1）改变半导体的电阻率 （2）决定半导体的导电类型。

深能级杂质的特点和作用：（1）不容易电离，对载流子浓度影响不大（2）一般会产生多重能级，甚至既产生施主能级也产生受主能级。

（3）能起到复合中心作用，使少数载流子寿命降低。

（4）深能级杂质电离后成为带电中心，对载流子起散射作用， 使载流子迁移率减少，导电性能下降。

第三章 半导体载流子分布3.1． 若半导体导带底附近的等能面在k 空间是中心位于原点的球面，证明导带底状态密度函数的表达式为()()21c 323*ncE E hm 2V4)E (g −π=答案：k 空间中，量子态密度是2V ，所以，在能量E 到E+dE 之间的量子态数为dk k V dZ 242π⨯= （1）根据题意可知*+=nc m k h E k E 2)(22 （2）由（1）、（2）两式可得()dE E E h m VdZ c n2/132/3)(24−=*π （3）由（3）式可得状态密度函数的表达式2/132/3)()2(4)(c n c E E hm V dE dZ E g −==*π （4分）3.1 已知半导体导带底的状态密度函数的表达式为()()2133*24)(c nc E E h m VE g −=π试证明非简并半导体导带中电子浓度为()⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛−−π=Tk E E h T k m n F c n03230*exp 22证明：对于非简并半导体导，由于dE E g E f dN c B )()(= （3分）将分布函数和状态密度函数的表达式代入上式得()()dE E E Tk E E h m VdN c Fn210323*exp 24−⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛−−=π 因此电子浓度微分表达式为()()dE E E Tk E E h m V dNdn c Fn 21033*exp 24−⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛−−==π （3分） 则()()⎰'−⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛−−=c cE E c FndE E E Tk E E h m n 210323*0exp 24π由于导带顶电子分布几率可近似为零，上式积分上限可视为无穷大，则积分可得()⎪⎪⎭⎫⎝⎛−−π=Tk E E h T k m n F c n 03230*exp 22（4分）3.2 费米能级费米能级不一定是系统中的一个真正的能级，它是费米分布函数中的一个参量，具有能量的单位，所以被称为费米能级。

它标志着系统的电子填充水平，其大小等于增加或减少一个电子系统自由能的变化量。

3.2 以施主杂质电离90%作为强电离的标准，求掺砷的n 型硅在300K 时，强电离区的掺杂浓度上限。

（eV 049.0=∆D E ，319108.2−⨯=cm c N ，310105.1−⨯=cm i n ，D F 01()E E 11exp 2k T D f E =⎛⎫−+ ⎪⎝⎭）解：随着掺杂浓度的增高，杂质的电离度下降。

因此，百分之九十电离时对应的掺杂浓度就是强电离区掺杂浓度的上限。

此时[]D 0F D DD D D N 9.0T kE E exp 21N N )E (f 1n =⎪⎪⎭⎫⎝⎛−−+=−=+由此解得E D -E F =0.075eV ，而E C -E D =0.049eV ，所以E C -E F =0.124eV ，则D 3170C F C 0N 9.0cm 1038.2T k E E exp N n =⨯=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛−=− 由此得，强电离区的上限掺杂浓度为317cm 106.2−⨯。

3.2 以受主杂质电离90%作为强电离的标准，求掺硼的p 型硅在300K 时，强电离区的掺杂浓度上限。

（A ΔE =0.045eV ，1931.110cm c N −=⨯，310105.1−⨯=cm i n ，F A 01()E E 11exp 2k T A f E =⎛⎫−+ ⎪⎝⎭）解：随着掺杂浓度的增高，杂质的电离度下降。

因此，百分之九十电离时对应的掺杂浓度就是强电离区掺杂浓度的上限。

此时[]01()0.912exp AA A A A F A N p f E N N E E k T −=−==⎛⎫−+− ⎪⎝⎭由此解得E F -E A =0.075eV ，而E A -E V =0.045eV ，所以E F -E V =0.12eV ，则17300exp 1.1100.9vFv A E E p N cm N k T −⎛⎫−==⨯= ⎪⎝⎭由此得，强电离区的上限掺杂浓度为1731.210cm −⨯。