电子技术复习题与参考答案

中南大学网络教育课程考试复习题及参考答案

电子技术

一、填空题：

1.在本征半导体中掺入微量三价元素形成型半导体，掺入微量五价元素形成型半导体。

2.晶体管工作在截止区时，发射结向偏置，集电结向偏置。

3.硅稳压管的工作为_ 区。

4.为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。

5.已知输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。

6.为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。

7.为了稳定静态工作点，应引入负反馈。

8.为了稳定放大倍数，应引入负反馈。

9.为了使放大电路的输出电阻增大应引入负反馈；深度负反馈的条件是。

10.为了减小放大电路的输入电阻，应引入负反馈。

11.为了减小放大电路的输出电阻，应引入负反馈。

12.当集成运放组成运算电路时中，运放一般工作在状态。

13.在运放组成的电压比较器中，运放一般工作在或状态。

14.在图1所示电路中，调整管为，采样电路由组成，基准电压电路由组成，

比较放大电路由组成。

图1

15.在整流电路的输入电压相等的情况下，半波与桥式两种整流电路中，输出电压平均值最低的是

整流电路。

16.直流电源由、、和四部分组成。

17.串联型稳压电路由、、和四部分组成。

18.欲将方波电压转换成三角波电压，应选用运算电路。

19.NPN型共集电极放大电路中的输出电压顶部被削平时，电路产生的是失真；乙类功放电路的主

要缺点是输出有失真。

20. 比例运算电路的比例系数大于1，而比例运算电路的比例系数小于零。

21.正弦波自激振荡的幅值平衡条件为，相位平衡条件为。

22.存储器按功能不同可分为存储器和存储器；

23.RAM按存储单元结构特点又可分为和。

24.半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是、、。

25.某存储器容量为8K×8位，则它的地址代码应取位。

26.将Intel2114(1K*4位)RAM扩展成为8K*4位的存储器，需要Intel2114芯片数是，需要增加的

地址线是条。

27.RAM的扩展可分为、扩展两种。

28.按照逻辑功能，触发器可以分为、、、T和T’触发器。

29.若将JK触发器转换成T触发器，则令。

30.JK触发器的特性方程为；D触发器的特性方程为。

31.触发器按动作特点可分为型、型、型和型。

32.TTL门电路输出高电平为V，阈值电压为V。

33.CMOS 门电路输出高电平为 V ，阈值电压为 V 。 34.某n 位D/A 转换器的分辨率为 。

35.ADC 和DAC 最重要的两个性能指标是： 和 。

36.4位DAC 的最大输出电压为5V ，当输入数据为0101时，它的输出电压为 V 。

37.对8位D/A 转换器，若V V REF 10=，当输入数字量为10000000时，输出电压为 V 。 38.四选一数据选择器的数据线有 根，地址线有 根。 39.若有n 个逻辑变量，则可以得出 种不同取值的组合。

40.若3位二进制减法计数器正常工作时，由000状态开始计，则经过15个输入计数脉冲后，其状态变为 。

41.GAL 是 可编程，EPROM 是 可编程。

42.单稳态触发器的主要用途是 。 43.已知 Y A B C D =+，其反函数为 。 44.3-8译码器的输入线有 根，输出线有 根。 45.如图2所示，A=0时，Y= ；A=1，B=0时，Y= ；

46.如图3所示为TTL 的TSL 门电路，EN=0时，Y 为 ，EN=1时，Y= 。

图3

47.y AB A C =+，Y 的最简与或式为 ；

48.单稳态触发器有 个稳定状态.，多谐振荡器有 个稳定状态。

二、单项选择题：

1.N 型半导体是在本征半导体中加入以下哪种物质形成的。 [ ]

A.电子

B.空穴

C.三价硼元素

D.五价磷元素

2.晶体管工作于放大状态时，下列哪种说话正确。 [ ] A.发射结正偏、集电结反偏 B.发射结正偏、集电结正偏 C.发射结反偏、集电结反偏 D.发射结反偏、集电结正偏

3.测得工作在放大状态的三极管三个电极电位U 1=3.5V 、U 2=2.8V 、U 3=12V ，则可以断定该管为[ ]

A.PNP 型Ge 管

B.PNP 型Si 管

C.NPN 型Ge 管

D.NPN 型Si 管

4.工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么 它的β约为 [ ] A. 83 B. 91 C. 100

5.U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 [ ] A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管

6.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 [ ] A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性

C.晶体管参数受温度影响

D.电源电压不稳定

7.集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 [ ] A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻

8.Z ABC A C BC =++的最简与或式为 [ ] A.Z C = B.Z BC A C BC =++ C.Z ABC A C BC =++ D.1Z =

9.与Z A B C =++ 相等的表达式为 [ ] A.C B A Z ⋅⋅= B.C B A Z ⋅⋅=

C.C B A Z ⋅⋅=

D.C B A Z ++=

10.一个TTL 同或门（输入端为A 、B ）当作反相器使用，则A 、B 端应 [ ]

①A 或B 中有一个接1 ②A 或B 中有一个接0 ③A 和B 并联使用 11.直流稳压电源中整流电路的目的是 [ ]

A.将交流变为直流

B.将高频变为低频

C.将交、直流混合量中的交流成分滤掉 12.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 [ ]

A.便于设计

B.放大交流信号

C.不易制作大容量电容

13.对于放大电路，所谓开环是指 [ ] A.无信号源 B.无反馈通路 C.无电源 D.无负载

14.对于放大电路，所谓闭环是指 [ ]

A.考虑信号源阻

B.存在反馈通路

C.接入电源

D.接入负载

15.功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负

载上可能获得的最大 [ ] A.交流功率 B ．直流功率 C ．平均功率

16.Z A B C =++的反函数为 [ ]

A.C B A Z ⋅⋅=

B.C B A Z ⋅⋅=

C.C B A Z ++=

D.C B A Z ++=

17.图4电路中能够实现Y AB =的电路为 [ ]

① ② ③ ④

图4

18.逻辑符号如图5所示，当输入 A=0 ，输入B 为方波时，则输出F 应为 [ ]

A.“1”

B.“0”

C.方波

"0"

≥1

A F B

图5

19.逻辑图和输入A ，B 的波形如图6所示，分析在t 1时刻输出F 为 [ ]