芯片工艺流程

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单项工艺-CVD（2）
初级离子气体被吸收到硅片表面
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19
单项工艺-CVD（3）
初级离子气体在硅片表面分解
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单项工艺-CVD（4）
玻璃的解吸
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21
单项工艺-CVD（5）
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22
单相工艺-离子注入（1）
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23
单相工艺-离子注入（2）
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24
单相工艺-离子注入（3）
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25
单相工艺-蒸发（1）
芯片生产工艺流程（课件）
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1
单晶拉制（1）
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2
单晶拉制（2）
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3
单晶拉制（3）
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4
单晶拉制（4）
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5
单晶拉制（5）
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6
环境和着装
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7
单项工艺-扩散(1)
卧式4炉管扩散/氧化炉
扩散/氧化进炉实景图
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单项工艺-扩散(2)
立式扩散/氧化炉
扩散/氧化进炉实景图
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9
单项工艺-扩散(3)
扩散工序作业现场
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单项工艺-光刻(1)
先进光刻曝光设备
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单项工艺-光刻(2)
现场用光刻曝光设备
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单项工艺-光刻(3)
检查用显微镜
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13
单项工艺-光刻(4)
清洗
淀积/生长隔离层
（SiO2 Si3N4 金属…）
匀胶
-HMDS喷淋（增加Si的粘性） -匀光刻胶
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14
单项工艺-光刻(5)
前烘
-增加黏附作用 -促进有机溶剂挥发
蒸发原理示意图
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单相工艺-蒸发（2）
溅射原理示意图
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单相工艺-蒸发（3）
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单相工艺-清洗
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29
基础认知
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衬底材料
外延层
扩散层
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一次氧化
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基区光刻
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33
干氧氧化
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34
离子注入
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35
基区扩散
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发射区光刻
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37
发射区预淀积
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发射区扩散（*）
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发射区低温氧化（*）
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40
氢气处理
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41
N+光刻（适用于P型片）
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42
N+淀积扩散（适用P型片）
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43
N+低温氧化（适用P型片）
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44
氢气处理（适用P型片）
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3B光刻
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铝蒸发
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四次光刻
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氮氢合金
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AL上CVD
2
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氮气烘焙（适用N型片）
2
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51
五次光刻
2
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中测抽测
2
测试系统
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53
减薄、抛光
2
减薄和抛光部分
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54
蒸金/银
2
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55
wenku.baidu.com
背金合金
2
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56
芯片测试
2
测试系统
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N型片制造（一般）工艺流程
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P型片制造（一般）工艺流程
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对版
-对每个圆片必须按要求对版
匀胶
-用弧光灯将光刻版上的图案转 移到光刻胶上。
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单项工艺-光刻(6)
显影/漂洗
-将圆片进行显影/漂洗，不需要的 的光刻胶溶解到有机溶剂。
坚
膜
-硬化光刻胶。 -增加与硅片的附着性。
腐蚀
-干法腐蚀/湿法腐蚀
去胶
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单项工艺-光刻(7)
光刻工b 艺过程
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单项工艺-CVD（1）