数字电子技术基础全套-7
阎石《数字电子技术基础》(第5版)笔记和课后习题(含考研真题)详解(7-11章)【圣才出品】
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存储矩阵中选出指定单元,并把其中数据送到输出缓冲器。 (3)输出缓冲器的作用是提高存储器带负载能力,实现对输出状态的三态控制,便与 系统的总线连接。
图 7-1 ROM 的电路结构框图
2.可编程只读存储器(PROM) PROM 初始时所有存储单元中都存入了 1,可通过将所需内容自行写入 PROM 而得到 要求的 ROM。PROM 的总体结构与掩模 ROM 一样,同样由存储矩阵、地址译码器和输出 电路组成。 PROM 的内容一经写入以后,就不可能修改了,所以它只能写入一次。因此,PROM 仍不能满足研制过程中经常修改存储内容的需要。
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分组成,如图 7-4 所示。 ①存储矩阵由许多存储单元排列而成,每个存储单元能存储 1 位二值数(1 或 0),既 可以写入 1 或 0,又可以将存储的数据读出; ②地址译码器一般都分成行地址译码器和列地址译码器。行地址译码器将输入地址代码 的若干位译成某一条字线的输出高、低电平信号,从存储矩阵中选中一行存储单元;列地址 译码器将输入地址代码的其余几位译成某一根输出线上的高、低电平信号,从字线选中的一 行存储单元中再选 1 位(或几位),使这些被选中的单元经读/写控制电路与输入/输出端接 通,以便对这些单元进行读、写操作;
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第 7 章 半导体存储器
7.1 复习笔记
一、概述 半导体存储器是一种能存储大量二值信息(或称为二值数据)的半导体器件。半导体存 储器的种类很多,从存、取功能上可以分为只读存储器(ROM)和随机存储器(RAM)。 只读存储器在正常工作状态下只能从中读取数据,不能快速地随时修改或重新写入数 据。ROM 的优点是电路结构简单,而且在断电以后数据不会丢失。它的缺点是只适用于存 储那些固定数据的场合。只读存储器中又有掩模 ROM、可编程 ROM(PROM)和可擦除 的可编程 ROM(EPROM)几种不同类型。 随机存储器与只读存储器的根本区别在于,正常工作状态下就可以随时快速地向存储器 里写入数据或从中读出数据。根据所采用的存储单元工作原理的不同,又将随机存储器分为 静态存储器(SRAM)和动态存储器(DRAM)。
王海光数字电子技术基础 第7章 可编程逻辑器件
载了不同设计的同型号芯片,以及进行产品的质量跟踪等。
7.3 复杂可编程逻辑器件CPLD
随着数字电子系统功能日益复杂,规模迅速加大,GAL在集 成度和性能方面很快又难以满足要求,集成度高、功能更强大的 CPLD应运而生。为便于使用,如今的CPLD普遍集成了编程所需 的高压脉冲产生电路以及编程控制电路 ,成了在系统可编程 (ISP,In System Programmable)器件,编程时无须另外编 程器,也无须将器件从系统中拔出。
synac0ac1n工作模式电路结构组态简化电路图组合单向模式与用输入结构图716a与用输出结构图716b组合双向模式组合输入输出结构图716c寄存器模式时序电路中的组合io结构图716d寄存器输出结构图716e表721olmc的5种电路结构组态图724olmc的5种电路结构组态简化电路图中nc表示不连接722输出逡辑宏单元olmcsynac0ac1n工作模式电路结构组态简化电路图组合单向模式与用输入结构图716a与用输出结构图716b组合双向模式组合输入输出结构图716c寄存器模式时序电路中的组合io结构图716d寄存器输出结构图716e表721olmc的5种电路结构组态图724olmc的5种电路结构组态简化电路图中nc表示不连接722输出逡辑宏单元olmcsynac0ac1n工作模式电路结构组态简化电路图组合单向模式与用输入结构图716a与用输出结构图716b组合双向模式组合输入输出结构图716c寄存器模式时序电路中的组合io结构图716d寄存器输出结构图716e表721olmc的5种电路结构组态图724olmc的5种电路结构组态简化电路图中nc表示不连接722输出逡辑宏单元olmc需要说明的是结构控制字的内容无需设计人员逐位设定而是由eda设计开収工具软件根据用户的引脚安排以及要实现的电路功能自动生成于编程下载时自动写入芯片内部的
精品课件-数字电子技术-第7章
(D3 23 +D2
22
+D121+D0 20 )
(7.1.2)
第7章 数/模(D/A)与模/数(A/D)转换器
对于n位输入的权电阻网络D/A转换器, 当负反馈电阻取 为R/2时, 输出电压为
vO
=
VREF 2n
(Dn1 2n1 +Dn2 2n2 + …
+D121+D0 20 )
=
VREF 2n
第7章 数/模(D/A)与模/数(A/D)转换器
第7章 数/模(D/A)与模/数(A/D)转换器
7.1 D/A转换器 7.2 A/D转换器 7.3 集成D/A转换器Multisim 10仿真实验 实验与实训 本章小结 习题
第7章 数/模(D/A)与模/数(A/D)转换器
7.1 D/A 7.1.1 权电阻网络D/A
第7章 数/模(D/A)与模/数(A/D)转换器
由图7.1.2所示电路还可以看出, 由于工作在线性反相 输入状态的运算放大电器的反相输入端相当于接地(虚地), 所以无论模拟开关Si合于何种位置, 与Si相连的倒T型2R电阻 支路从效果上看总是接“地”的, 即流经每条倒T型2R电阻 支路的电流与模拟开关Si的状态无关; 从R—2R倒T型电阻网 络的A、 D、 C、 D每个节点向左看, 每个二端网络的等效 电阻均为R, 故从基准电压UREF输出的电流恒为I=UREF/R, 而流经倒T型2R电阻支路的电流从高位到低位按2的负整数幂 递减, 从右到左分别为I3=I/2, I2=I/4, I1=I/8 , I0=I/16。
第7章 数/模(D/A)与模/数(A/D)转换器
由图7.1.2所示电路, 有
iΣ =I3 +I2 +I1+I0
数字电子技术基础(侯建军)
§1-2 逻辑代数基础
逻辑变量及基本逻辑运算 逻辑函数及其表示方法
逻辑代数的运算公式和规则
逻辑变量及基本逻辑运算
一、逻辑变量
取值:逻辑 0 、逻辑 1 。逻辑 0 和逻辑 1 不代 表数值大小,仅表示相互矛盾、相互对立 的两种逻辑状态
二、基本逻辑运算 与运算 或运算 非运算
返 回
与逻辑
只有决定某一事件的所有条件全部具备, 这一事件才能发生
乘基取整法 :小数乘以目标数制的基数( R=2 ),第 1一次相乘结果的整数部分为目的数的最高位 0 1 K0 0 -1,将其小 数部分再乘基数依次记下整数部分,反复进行下去, 直 K-1 K-2 K-3 K-4 K-5
由此得:(0.65)10=(0.10100)2 综合得:(81.65)10=(1010001.10100)2
逻辑表达式
―-‖非逻辑运算符
F= A
逻辑符号 1 A
F
三、复合逻辑运算 与非逻辑运算 或非逻辑运算 与或非逻辑运算
或逻辑真值表
A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 F 0 1 1 1 逻辑符号 A 1 B
F
或逻辑运算符,也有 N个输入: 用“∨”、“∪”表 逻辑表达式 示 F= A + B+ ...+
F= A + B
N
返 回
非逻辑
当决定某一事件的条件满足时,事件不发 返 回 生;反之事件发生,
非逻辑真值表 A F 0 1 1 0
§1-1 数制与编码
进位计数制 数制转换
数值数据的表示
常用的编码
§1-2 逻辑代数基础
逻辑变量及基本逻辑运算 逻辑函数及其表示方法
逻辑代数的运算公式和规则
精品课件-数字电子技术-第7章
第7章 集成逻辑门电路简介
7.4 已知电路和输入信号的波形如图7.12所示,信号 的重复频率为1 MHz,每个门的平均延迟时间tpd=20 ns,试 画出:(1) 不考虑tpd影响时的波形;(2) 考虑tpd影响
第7章 集成逻辑门电路简介
图7.12 题7.4图
第7章 集成逻辑门电路简介
7.5 电路如图7.13所示。(1) 分别写出Y1、Y2、Y3、 Y4的逻辑函数表达式;(2) 若已知A、B、C的波形,试分别 画出Y1、Y2、Y3、Y4
(4) DE段。当UI≥1.4 V时,V2、V5饱和,V4截止,输 出为低电平, 与非门处于饱和状态, 所以把DE段称为饱和
第7章 集成逻辑门电路简介
4. (1) 输出高电平UOH和输出低电平UOL。电压传输特性 曲线截止区的输出电压为UOH,饱和区的输出电压为UOL。 一般产品规定UOH≥2.4 V,UOL<0.4 V (2) 阈值电压Uth。电压传输特性曲线转折区中点所 对应的输入电压为Uth,也称门槛电压。一般TTL与非门的 Uth≈1.4 V
Y=Y1·Y2
第7章 集成逻辑门电路简介
图7.4 实现“线与”功能的电路
第7章 集成逻辑门电路简介
但是普通TTL逻辑门的输出端是不允许直接相连的,如 图7.5所示电路:设门1的输出为高电平(Y1=1), 门2的输 出为低电平(Y2=0),此时门1的V4管和门2的V5管均饱和导通, 这样在电源UCC的作用下将产生很大的电流流过V4、V5管使V4、 V5
第7章 集成逻辑门电路简介
(3) 关门电平UOFF和开门电平UON。保证输出电平为 额定高电平(2.7 V左右)时,允许输入低电平的最大值, 称为关门电平UOFF。通常UOFF≈1 V , 一般产品要求 UOFF≥0.8 V。 保证输出电平达到额定低电平(0.3 V)时, 允许输入高电平的最小值,称为开门电平UON。通常 UON≈1.4 V,一般产品要求UON≤1.8 V
数字电子技术基础习题册答案
第7章 时序逻辑电路【7-1】已知时序逻辑电路如图所示,假设触发器的初始状态均为0。
(1 )写出电路的状态方程和输出方程。
(2) 分别列出X =0和X =1两种情况下的状态转换表,说明其逻辑功能。
(3) 画出X =1时,在CP 脉冲作用下的Q 1、Q 2和输出Z 的波形。
1J 1KC11J 1KC1Q 1Q 2CPXZ1图解:1.电路的状态方程和输出方程n 1n2n 11n 1Q Q Q X Q +=+n 2n 11n 2Q Q Q ⊕=+ CP Q Q Z 21=2.分别列出X =0和X =1两种情况下的状态转换表,见题表所示。
逻辑功能为 当X =0时,为2位二进制减法计数器;当X =1时,为3进制减法计数器。
3.X =1时,在CP 脉冲作用下的Q 1、Q 2和输出Z 的波形如图(b)所示。
题表Q Q Z图(b)【7-2】电路如图所示,假设初始状态Q a Q b Q c =000。
(1) 写出驱动方程、列出状态转换表、画出完整的状态转换图。
(2) 试分析该电路构成的是几进制的计数器。
Q c图解:1.写出驱动方程1a a ==K J ncn a b b Q Q K J ⋅== n b n a c Q Q J = n a c Q K = 2.写出状态方程n a 1n a Q Q =+ n a n a n a n a n c n a 1n b Q Q Q QQ Q Q +=+ nc n a n c n b n a 1n b Q Q Q Q Q Q +=+3.列出状态转换表见题表,状态转换图如图(b)所示。
图7.2(b)表7.2状态转换表CP na nbc Q Q Q 0 0 0 0 1 0 0 1 2 0 1 0 3 0 1 1 4 1 0 0 5 1 0 16 0 0 0n4.由FF a 、FF b 和FF c 构成的是六进制的计数器。
【7-3】在二进制异步计数器中,请将正确的进位端或借位端(Q 或Q )填入下表解:题表7-3下降沿触发 由 Q 端引出进位 由Q 端引出借位触发方式 加法计数器 减法计数器上升沿触发 由Q 端引出进位 由Q 端引出借位【7-4】电路如图(a)所示,假设初始状态Q 2Q 1Q 0=000。
精品课件-数字电子技术-第7章
第7章 存储器与可编程逻辑器件
存储器的存储容量和存取时间是存储系统性能的两个重要 指标。存储容量指存储器所能存放的信息的多少,存储容量越 大,说明存储器能够存储的信息越多。存储器以字为单位来组 织信息,一个字包含若干个(一般为8个)基本存储单元,一 个字中所含的二进制位数称为字长,每个字都有一个确定的地 址与之对应。存储器的容量一般用字数N同字长M的乘积即 N×M来表示。例如,1 K×8表示该存储器有1024字,每个字 存放8位二进制信息。存取时间一般用读/写周期来描述,读/
第7章 存储器与可编程逻辑器件
11. PC100 SDRAM PC100 SDRAM又称SPD(Serial Presence Detect)内存, 这是专为支持100 MHz主板外频的芯片组相匹配的带有SPD的 新一代内存条。SPD为内存的一种新规范,SPD是在SDRAM内存 上加入一颗很小的EEPROM,可以预先将内存条的各种信息(如 内存块种类、存取时间、容量、速度、工作电压等)写入其中。 电脑启动过程中,系统的BIOS通过系统管理总线把SPD的内容 读入,并自动调整各项设定,以达到最稳定和最优化的效果。
第7章 存储器与可编程逻辑器件
存储器是一种能存储二进制信息的器件。计算机系统中的 存储器可分为两类:
一类是用于保存正在处理的指令和数据,CPU可以直接对 它进行访问,这类存储器通常称为主存储器(或内存);
另一类是由能记录信息的装置组成,CPU需要使用其所存 放的信息时,可将信息读入内存。这类存储器通常称为外存储 器或海量(Mass storage)
数字电子技术基础
1.2 数制
[9998.67]10 9 103 9 102 9 101 8100 6 101 7 102 ❖ 其中,103 ,102 ,101 ,100 ,10-1,10-2称为十进制各位的“权”。 ❖ 任意一个十进制数D均可展开为
[N]D di 10i
❖ 其中,di是第i位的系数,它可以是0~9这十个数码中的任何一个。若整 数部分的位数是n,小数部分的位数是m,则i包含从(n~1)到0的所有正 整数和从-1到-m的所有负整数。
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8.2 数/模转换器(DAC)
❖ 8.2.1 D/A转换器的基本工作原理
❖ D/A转换器用于将输入的二进制数字量转换为与该数字量成 比例的电压或电流。A/D转换的原理有多种,但功能相同, 下面以倒T型电阻网络D/A换器为例,介绍其工作原理。
❖ 8.2.2倒T型电阻网络DAC
❖ 倒T型电阻网络D/A换器的组成框图如图8-2所示。图中,数 据锁存器用来暂时存放输入的数字量,这些数字量控制模拟 电子开关,将参考电压源UREF按位切换到电阻译码网络中 变成加权电流,然后经运放求和,输出相应的模拟电压,完 成D/A转换过程。
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1.2 数制
❖ 1.2.2 二进制数
❖ 在数字电路中广泛应用的是二进制。在二进制数中,只有0和1两个数码, 所以计数的基数是2,低位和相邻高位间的进位关系是“逢二进一”, 即1+1 =10,同一数码在不同位置上表示的数值不同例如
[1110.11]2 1 23 1 22 1 21 0 20 1 21 1 22 [14.75]10
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8.1 概 述
❖ 用计算机对生产过程进行实时控制,其控制过程原理方框图 如图8-1所示。由A/D转换器把由传感器采集来的模拟信号转 换成为数字信号,送计算机处理,当计算机处理完数据后, 把结果或控制信号输出,由D/A转换器转换成模拟信号,送 执行元件,对控制对象进行控制。可见,ADC和DAC是数字 系统和模拟系统相互联系的桥梁,是数字系统的重要组成部 分。
数字电子技术基础答案完整版
数字电子技术基础答案 HEN system office room 【HEN16H-HENS2AHENS8Q8-HENH1688】数字电子技术基础答案第1章自测题 填空题 1.2. 43. n 24. 逻辑代数 卡诺图5.)(D C B A F )(D C B A F +='6.))((C B D C B A F7. 代数法 卡诺图8. 1 判断题1. √2.√3. × 选择题A F =1⊙B AB F 2 B A F +=3C L =AB C B A BC Y 习题1.1 当000012 A A A ,7A 到3A 有1个不为0时,就可以被十进制8整除 1.2 (a)AC BC AB L (b )B A AB L(c)C B A S ⊕⊕= AC BC AB C 0 略(1) )(B A D C F )(1 ))((1B A D C F ++=' (2) )(B A B A F )(2 ))((2B A B A F ++=' (3) E D C B A F 3 DE C AB F ='3(4) )()(4D A B A C E A F )())()((4D A C AB E A F +++='C B A F ⊕⊕=(1) B A C B C A L (2) D B C B D C A L (3) AD L (4) E ABCD L (5) 0 L C B A BC A C AB ABC C B A L ),,((1) ABD D A C F 1 (2) BC AB AC F 2(3) C A B A B A F 3 (有多个答案) (4) C B A D C AB C A CD F 4 (5) C B A ABD C B A D B A F 5 (6) 16 F (1) AD D C B B A F 1 (2) B A AC F 2(3) D A D B C B F 3 (4) B C F 4 (1) C A B F 1 (2) B C F 2(3) D A B C F 3 (4) C B A D B D C F 4 C A B A D F(1) D B A D C A D C B F 1(多种答案) (2) C B BCD D C D B F 2 (3) C B C A D C F 3 (4) A B F 4 (5) BD D B F 5 (6) C B D A D C A F 6(多种答案) (7) C A D B F 7(多种答案) (8) BC D B F 8(多种答案) (9) B D C F 9 略第2章自测题 判断题1. √2. √3. ×4. √5. √6. √7. ×8. √9. × 10√ 选择题1.A B 2.C D 3.A 4.B 5.B 6.A B D 7.C 8.A C D 9.A C D 习题解:ABC Y =1 解:(a)mA 234.0503.012=-=-=C CES CC BS R U V I β∴三极管处于放大状态,)V (711.05012=⨯⨯-=-=C B CC O R I V u β。
数字电子技术基础--第七章(第五版)课件PPT
相当存1。
A3 A2
A1
A0
该存储器的容量=?
+V D
存储
D
R
R•••
R R 矩阵
Y0
Y1
•
•
位线
•
Y 14
Y 15
•••
S3 I0
I1
I14
I15
S2 S1
16 线 -1 线 数 据 选 择 器
S0
Y
D0
11
二、可编程ROM(PROM)
有一种可编程序的 ROM ,在出厂时全部存 储 “1”,用户可根据需要将某些单元改写为 “0”,但是,只能改写一次,称为 PROM。
地
译
址
码
存储矩阵
输
器
入
控制信号输入
( CS 、R/W)
读/写控制电路
图 8.1.4
数据输入/输出
25
(1)地址译码器
译码 单译码 ---n位地址构成 2n 条地址线。若n=10,则有1024条地址线 方式 双译码 --- 将地址分成两部分,分别由行译码器和列译码器共同译码
其输出为存储矩阵的行列选择线,由它们共同确定欲选择 的地址单元。
0111
1
0101
0110
0
0110
0101
1
0110
0100
0
0111
0100
1
0111
0101
0
1000
1100
1
1000
1111
0
1001
1101
1
1001
1110
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1111
1
1010
数字电子技术基础数电第六版阎石课后答案第七章
数字电子技术基础数电第六版阎石课后答案第七章第七章:逻辑门和逻辑代数1. 本章节内容概述本章介绍了逻辑门和逻辑代数的基础知识。
首先介绍了逻辑电平和逻辑门的概念,然后详细介绍了与门、或门、非门等基本逻辑门的原理、特性和应用。
接着介绍了与非门、或非门、异或门等组合逻辑门的原理和应用。
最后介绍了逻辑代数的基本概念和运算规则。
2. 逻辑门逻辑门是数字电子电路中使用的基本元件,用于进行逻辑运算。
逻辑门有多种类型,其中最基本的有与门(AND)、或门(OR)和非门(NOT)。
2.1 与门(AND)与门是一种逻辑门,其输出信号仅在所有输入信号都为高电平时才为高电平,否则为低电平。
与门的逻辑符号如下:AND gateAND gate2.2 或门(OR)或门是一种逻辑门,其输出信号在任何输入信号中有一个或多个为高电平时就为高电平,只有所有输入信号都为低电平时才为低电平。
或门的逻辑符号如下:OR gateOR gate2.3 非门(NOT)非门是一种逻辑门,其输出信号和输入信号相反。
当输入信号为低电平时,输出信号为高电平;当输入信号为高电平时,输出信号为低电平。
非门的逻辑符号如下:NOT gateNOT gate3. 组合逻辑门除了基本逻辑门之外,还有一些由基本逻辑门组合而成的组合逻辑门,例如与非门(NAND)、或非门(NOR)和异或门(XOR)等。
3.1 与非门(NAND)与非门是由与门和非门组成的组合逻辑门。
其输出信号在所有输入信号都为高电平时为低电平,否则为高电平。
与非门的逻辑符号如下:NAND gateNAND gate3.2 或非门(NOR)或非门是由或门和非门组成的组合逻辑门。
其输出信号在任何输入信号中有一个或多个为高电平时为低电平,只有所有输入信号都为低电平时才为高电平。
或非门的逻辑符号如下:NOR gateNOR gate3.3 异或门(XOR)异或门是一种比较特殊的组合逻辑门,其输出信号在输入信号中有奇数个高电平时为高电平,否则为低电平。
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表1-3 四位格雷码
格雷码
十进制数 二进制码
0000 0001 0011 0010 0110 0111 0101 0100
8
1000
9
1001
10
1010
11
1011
12
1100
13
1101
14
1110
15
1111
格雷码
1100 1101 1111 1110 1010 1011 1001 1000
1.4.1 十进制编码 【例1-8】 把二进制数1001转换成格雷码。 解:
1.2 数字系统中的数制
1.2.1 十进制数表述方法
1.在每个位置只能出现(十进制数)十个数码中的一个。
特点
2.低位到相邻高位的进位规则是“逢十进一”,故称为十进制。
3.同一数码在不同的位置(数位)表示的数值是不同的。
(N )10 an110n1
n1
ai 10i im
a1101 a0100 a1101 am10m
● 格雷码到二进制码的转换 (1)二进制码的最高位(最左边)与格雷码的最高位相同。 (2)将产生的每个二进制码位加上下一相邻位置的格雷码位,作为 二进制码的下一位(舍去进位)。
1.4.1 十进制编码
十进制数
0 1 2 3 4 5 6 7
二进制码
0000 0001 0010 0011 0100 0101 0110 0111
1.4 数字系统中数的表示方法与格式
1.4.1 十进制编码
1. 8421 BCD码
在这种编码方式中,每一位二进制代码都代表一个固定的数值, 把每一位中的1所代表的十进制数加起来,得到的结果就是它所代表 的十进制数码。由于代码中从左到右每一位中的1分别表示8、4、2、 1(权值),即从左到右,它的各位权值分别是8、4、2、1。所以把 这种代码叫做8421码。8421 BCD码是只取四位自然二进制代码的 前10种组合。
数字电子技术基础全套完整-7ppt课件
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字扩展
4片256×8位的RAM接成1024 ×8位的RAM。
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7.5 用存储器实现组合逻辑函数
例7.5.2 试用ROM产生如下一组多输出逻辑函数
Y1 ABC ABC
YY23
ABCD BCD ABCD ABCD ABCD
Y4 ABCD ABCD
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E2PROM:电信号擦除,擦除和写入时需要加高电 压脉冲,擦、写时间仍较长。
快闪存储器(Flash Memory):吸收了EPROM结 构简单,编程可靠的优点,又保留了E2PROM用 隧道效应擦除的快捷特性,集成度可作得很高。
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7.3 随机存储器(RAM)
R. andom A. ccess M. emory 优点:读、写方便,使用灵活。
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解:化为最小项之和的形式:
Y1 ABCDABCDABCDABCD YY23AABBCCD DAABBCCD DABCDABCD Y4 ABCDABCD
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Y 1 Y A 2 B A D B C D C A Y B 3A Y B 4 A D C A A B B D C B C A C D C D A D D B A B C B A A D C B B C CC D D D
4
7.2 只读存储器(ROM)
Read Only Memory
优点:电路结构简单,断电后数据不丢失,具
有非易失性。
缺点:只适用于存储固定数据的场合。
构电 路 结
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数字电子技术基础试卷及答案8套
数字电子技术基础1一.1.(15分)试根据图示输入信号波形分别画出各电路相应的输出信号波形L1、L2、L3、L4、和L5.设各触发器初态为“0”。
二.(15分)已知由八选一数据选择器组成的逻辑电路如下所示。
试按步骤分析该电路在M1、M2取不同值时(M1、M2取值情况如下表所示)输出F的逻辑表达式.八选一数据选择器输出端逻辑表达式为:Y=Σm i D i,其中m i是S2S1S0最小项.三.(8分)试按步骤设计一个组合逻辑电路,实现语句“A〉B”,A、B均为两位二进制数,即A(A1、A0),B(B1、B0)。
要求用三个3输入端与门和一个或门实现.四.(12分)试按步骤用74LS138和门电路产生如下多输出逻辑函数.74LS138逻辑表达式和逻辑符号如下所示。
五.(15分)已知同步计数器的时序波形如下图所示。
试用维持—阻塞型D触发器实现该计数器。
要求按步骤设计。
六.(18分)按步骤完成下列两题1.分析图5—1所示电路的逻辑功能:写出驱动方程,列出状态转换表,画出完全状态转换图和时序波形,说明电路能否自启动.2.分析图5—2所示的计数器在M=0和M=1时各为几进制计数器,并画出状态转换图。
图5—1图5—2七.八.(10分)电路下如图所示,按要求完成下列问题。
1.指出虚线框T1中所示电路名称。
2.对应画出V C、V01、A、B、C的波形。
并计算出V01波形的周期T=?。
数字电子技术基础2一.(20分)电路如图所示,晶体管的β=100,Vbe=0。
7v。
(1)求电路的静态工作点;(2) 画出微变等效电路图,求Au、r i和r o;(3)若电容Ce开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?并定性说明变化趋势。
二.(15分)求图示电路中、、、及。
三.(8分)逻辑单元电路符号和具有“0"、“1”逻辑电平输入信号X1如下图所示,试分别画出各单元电路相应的电压输出信号波形Y1、Y2、Y3。
设各触发器初始状态为“0"态。
7数字电子技术(共84张)
(7-1)
式中,A,B,C为输入逻辑变量,F为逻辑函数。下面介绍基 本逻辑运算。
第13页,共84页。
1、逻辑“与” 逻辑与是描述与逻辑关系的,又称 与运算。逻辑表达式为
F=A·B
(7-2)
其意义是仅当决定事件发生的所有条件A、B 均具备时,事件F才能发生。例如把两只开关和一
盏电灯串联接到电源上,
只有当两只开关均闭合时
第23页,共84页。
三、非门电路
具有“非”逻辑功能的电路叫做(jiàozuò)非门电路。图76是由三极管组成的非门电路,非门又称反相器。仍设输入 信号为+5V或0V。此电路只有以下两种工作情况:
+V
CC
(
+5V)
RC
A
Rb 1
3
T
2
L
A
1
L=A A
1 L=A
(a)电路
(b)逻辑符号
(a)
图7-6 三极管非(b门)
第3页,共84页。
(a)模拟信号
(b)数字信号
u(t) T
上升沿 0
下降沿 t
图7-1 模拟信号与数字信号
数字信号只有两种状态:高电平、低电平,或者有信 号、无信号。在数字电路中,通常把这两种状态用两个符 号来表示,即“1”和“0”,也即逻辑(luó jí)1和逻辑(luó jí)0。 高电平或有信号用“1”表示,低电平或无信号用“0”表 示,这称为正逻辑(luó jí);相反,若高电平或有信号用“0” 表示,则称为负逻辑(luó jí)。在数字电路的逻辑(luó jí)设计中, 有时用正逻辑(luó jí),有时用负逻辑(luó jí),无特殊声明时, 一律采用正逻辑(luó jí)。
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数
据
位线 输
出 端
存储容量= 22×4=4×4
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位扩展
8片1024×1位RAM接成1024×8位的RAM。
精品课件
字扩展
4片256×8位的RAM接成1024 ×8位的RAM。 精品课件
7.5 用存储器实现组合逻辑函 数
例7.5.2 试用ROM产生如下一组多输出逻辑函数
Y1 ABC ABC
电 路 结 构
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只读存储器分类:
掩膜ROM:出厂后内部存储的数据不能改动,只 能读出。
PROM:可编程,只能写一次。
EPROM:用紫外线擦除,擦除和编程时间较慢,次数 也不宜多。
E2PROM:电信号擦除,擦除和写入时需要加高电压 脉冲,擦、写时间仍较长。
快闪存储器(Flash Memory):吸收了EPROM结构 简单,编程可靠的优点,又保留了E2PROM用隧道 效应擦除的快捷特性,集成度可作得很高。
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7.1 概述
半导体存储器是一种能存储大 量二值信息的半导体器件。
按存储 功能分
只读存储器(ROM) 随机存储器(RAM)
按制造 工艺分
双极性 MOS型 精品课件
7.2 只读存储器(ROM)
Read Only Memory
优点:电路结构简单,断电后数据不丢失,具
有非易失性。
缺点:只适用于存储固定数据的场合。
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导 体 存储器
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教学内容
§7.1 概述 §7.2 只读存储器 §7.3 随机存储器 §7.4 存储容量的扩展 §7.5 用存储器实现组合逻辑函数
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教学要求
1.了解二极管、晶体管ROM的基本结构和 存储单元结构;会用ROM实现组合逻辑函 数。
2.熟悉RAM的结构和操作过程;了解RAM 的扩展方式。
YY23
ABCD ABCD
BCD ABCD ABCD
Y4 ABCD ABCD
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解:化为最小项之和的形式:
Y1 ABCDABCDABCDABCD YY23AABBCCD DAABBCCD DABCDABCD Y4 ABCDABCD
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Y 1 Y A 2 B A D B C D C A Y B 3A Y B 4 A D C A A B B D C B C A C D C D D A D B A B C B A A D C B B C CC D D D
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7.3 随机存储器(RAM)
R. andom A. ccess M. emory 优点:读、写方便,使用灵活。
缺点:一旦停电所存储的数据将随之丢失(易
失性)。
基本结构:地址译码器、存储矩阵和读\写
控制电路构成。
P368图7.3.2
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7.4 存储容量的扩展
存储容量= 字数×位数
地址输入端