光电复习题汇总

任何温度下对任何波长的入射辐射能的吸收比都等于 1，称为（ A ）.A •黑体B •灰体C •黑洞D .绝对黑体半导体中施主能级的位置位于（ A. 禁带 B. 价带 C. 导带 A ）中 . D. 满带 热效应较大的光是（ C ）. A. 紫光 B. 红光 C. 红外 D. 紫外 为了实现均匀倍增，雪崩光电二极管衬底掺杂材料要求 （ A ）. A. 浓度均匀 B. 浓度大 C. 浓度小 D. 浓度适中 光纤折射率纤芯n 1、包层n 2、外套n 3的关系是（B ）. A. n 1> n 2> n 3 B. n 1> n 3> n 2 C. n 3> n 2> n 1 D. n 2> n 3> n 1硅光电二极管与硅光电池比较，前者（ A .掺杂浓度低 C .零偏工作 A ）． B .电阻率低 D .光敏面积大卤钨灯是一种 （ B ）. A. 气体光源 C. 冷光源 B. 热光源 D. 激光光源在光电倍增管中， A .阴极 产生光电效应的是 （ A ）. B. 阳极 C. 倍增极 D. 玻璃窗 ）的出现和使用，成为了第一代像管出现的标志性部件。

A. 负电子亲和势阴极； C . 微通道板 MCP ； 像管中（ DB. 电子光学系统； D. 光纤面板 半导体结中并不存在（ A. PN 结C. 肖特基结 ）． B. PIN 结D.光电结 光通量是辐射通量的（ A. 683 C. 863 ）倍. B. 1/683D. 1/863面阵 CCD 主要是通过（ A. 电荷 C. 电流）工作.B. 电压 D. 电阻光电倍增管中，产生光电效应的是( A )光度量是辐射度量的( C )倍．A.683B. V(RC.683 V (为 任何温度下对任何波长的入射辐射能的吸收比都小于A .黑体B .灰体C .黑洞D .绝对黑体 半导体中受主能级的位置位于( A )中 .A. 禁带B. 价带C. 导带D. 满带光照一定，短路电流与入射光波长的关系，属光电池的 ( C )特性： A. 频率; B.伏安 ;C. 光谱; D. 温度．像管中( C )的出现和使用，成为了第二代像管出现的标志性部件。

A. 负电子亲和势阴极； C ． 微通道板 MCP ； D . 1/683 V (为 1，称为( B ) .属于成像的器件是(A. LDB. LEDC ) . C. CCDD. PMT充气卤钨灯是一种 (B ).A. 气体光源B. 热光源C.冷光源 D. 激光光源热效应较小的光是(A. 紫光D ) .B. 红光C. 红外D. 紫外在光电倍增管中， A .阴极产生二次电子发射的是 (B.阳极C.倍增极).D. 玻璃窗光纤纤芯、包层、外套的折射率A. n 1> n 2> n 0 C. n 0> n 2> n 1n 1、 n 2、 n 0 的关系是( D ) . B.n 2> n 0> n 1 D. n 1> n 0> n 2电子光学系统； 光纤面板B. D. 充气白炽灯主要充入( AA.氩气B.氙气).C. 氖气D.氪气．线阵 CCD 主要是通过(A. 电荷B. 电压C. 电流)工作 .D. 电阻有两块材料制成的热敏电阻，材料的电阻将( C )A 、 R A 变小； RB 变小C 、 R A 变小； R B 变大为半导体材料， B 为白金，当温度升高，则两种B 、R A 变大；R B 变大 D 、R A 变大；R B 变小A 阴极B 、阳极C 、二次倍增极D 、玻璃窗关于人眼的光谱光视效率，以下说法正确的是： ( D(A) 对各种波长的入射光，只要它们的光谱辐射通量相等，贝U 人眼感到的主观 亮度相等; (B) 光源的亮度对人眼的光谱光视效率没有影响；(C) 对波长为840 nm 的入射光，人眼亮视觉的光谱光视效率小于人眼暗视觉 的光谱光视效率；(D) 对波长为589 nm 的入射光，人眼亮视觉的光谱光视效率大于人眼暗视觉 的光谱光视效率。

在光电技术中，对光源的主要要求有：(A) 发光强度要大，发光效率要高； (B) 光辐射通量要大，光源稳定性要好； (C) 光源方向性好，便于调制；(D) 光源的光谱功率分布应与光电探测器件光谱响应相匹配。

关于光电倍增管，下列说法正确的是： ( B(A) 光电倍增管主要由光电阴极、电子光学系统、电子倍增极、阳极、电源等 组成；B )电子光学系统的作用是使光电阴极发射的光电子尽可能多的汇集到第一倍增 极，并使光电子的渡越时间尽可能相等；(C) 光电倍增管的增益由外加的总电压决定，与阳极电压无关； (D) 阴极灵敏度由阴极材料决定，与窗口材料无关。

光电探测器的主要噪声有：热噪声，白噪声，产生—复合噪声；热噪声，白噪声，产生—复合噪声； 1/f 噪声； 热噪声，散粒噪声，产生—复合噪声， 1/f 噪声，温度噪声； 热噪声，散粒噪声， 1/f 噪声，温度噪声。

光电导器件只能测量交变光照，不需要加偏压即可工作；光电导器件只能测量稳定的光照，必须加偏压才能工作； 光电导器件可以测量交变光照，必须加偏压才能工作； 光电导器件只能测量稳定的光照，不需要加偏压即可工作； 热敏电阻与入射光的关系有：(A )其响应取决于入射光辐射通量，与光照度无关;A )B )C )D )对半导体光电导器件，以下说法中正确的是： ( A ) ( B ) ( C ) ( D )（B ） 其响应取决于光照度，与入射光辐射通量无关； （C ） 其响应取决于光照度，与入射光波长无关；（D ） 其响应取决于入射光辐射通量，与入射光波长无关。

其响应取决于入射光辐射通量，与光照度无关； 其响应取决于光照度，与入射光辐射通量无关 其响应取决于光照度，与入射光波长无关 其响应取决于入射光辐射通量，与入射光波长无关。

常用的快速光电探测器件有：（A ）光敏电阻，光电池，光电二极管等；（B ） P IN 光电二极管，雪崩光电二极管，光电倍增管等； （C ） 热敏电阻，热释电器件，光电倍增管等； （D ） C CD ，热释电器件，光电倍增管等 光电二极管通常工作在其伏安特性曲线的第一象限； 光电二极管通常工作在其伏安特性曲线的第四象限 光电池通常工作在其伏安特性曲线的第一象限； 光电池通常工作在其伏安特性曲线的第四象限； 减小光电二极管时间常数的基本方法是：（ A ）（ B ）（ C ） （ D ）在光电技术中使用的探测器经常需要在低温下工作，这是为了： （ A ） （ B ） （ C ） （ D ）光敏电阻与入射光的关系有： （ A ） （ B ） （ C ） （ D ）关于半导体光伏器件，以下说法正确的是： （ A ） （ B ） （ C ） （ D ）减小光电二极管的接受光的区域的面积； 减小光电二极管的 P — N 结的厚度； 减小后级电路的负载电阻的阻值； 给光电二极管加较大的反向偏置电压。

减小电路中温度噪声的影响； 减小电路中 f/1 噪声的影响； 减小电阻热噪声的影响； 减小电路中产生 -复合噪声的影响。

提高一个光电探测器的探测率最有效的方法 （ A ） （ B ）（ C ） （ D ）是：降低光电探测器的温度， 降低光电探测器的温度， 提高光电探测器的温度， 提高光电探测器的温度， 减小电路系统的通频带宽度； 减小电路系统的等效电阻； 增大电路系统的通频带宽度； 增大电路系统的等效电阻；使用经过致冷的光电探测器，可以使：（A）光电探测器中的电子的速度减小；（B）光电探测器中的电阻的阻值减小；（C）光电探测器中的电阻的热噪声减小;(D) 光电探测器的通频带的宽度减小。

D )CCD 是通过势阱存储电荷的，但不能通过势阱变化把电荷转移出去； CCD 是通过 P-N 结存储电荷的，可以通过势阱变化把电荷转移出去； 光电二极管可以通过 P-N 结存储电荷，可以通过势阱变化把电荷转移出 光电二极管可以通过 P-N 结存储电荷，可以通过曝光的办法把电荷泄放在以下各种说法中，正确的是： ( D )(A) 光电位置传感器是通过光伏效应来测量的，不能同时测量光点的位置 和强度； (B )光电位置传感器是通过光电导效应来测量的，不能同时测量光点的 大小和强度； (C )光电位置传感器是通过光伏效应来测量的，可以同时测量光点的大 小和强度； (D )光电位置传感器是通过光电导效应来测量的，可以同时测量光点的 位置和强度；使用热电偶测量光照的优点是：( A )( B ) ( C ) ( D )入射光波长越长，入射光波长越长，入射光波长越短， 随着入射光波长由长变短，光吸收系数越来越大，但量子效率则由低到 高后，又随波长变短而越来越低； 下列各物体哪个是绝对黑体： (A) 不辐射任何光线的物体 (B) 不能反射任何光线的物体 (C) 不能反射可见光的物体 (D) 不辐射可见光的物体为什么发光二极管的PN 结要加正向电压才能发光？而光电二极管要零偏或反偏 才能有光生伏特效应？答：.p-n 结在外加正向偏压时，外加电压削弱内建电场，使空间电荷区变窄, 载流子的扩散运动加强，构成少数载流子的注入，从而在p-n 结附近产生导带电子 和价带空穴的复合。

一个电子和一个空穴的一次复合将释放出与材料性质有关的 一定复合能量，这些能量会以热能、光能或部分热能和部分光能的形式辐射出来， 产生电致发光现象，这就是LED 的发光机理。

在以下各种说法中，正确的是：( A ) ( B ) ( C ) 去； ( D ) 掉。

输出电压与光的波长无关； 输出电流与波的强度无关； 输出功率与波的强度成正比； 测量噪声与背景光强无关。

在内光电效应材料中：( A ) ( B ) ( C ) ( D ) 光吸收系数越大，量子效率越高； 光吸收系数越小，量子效率越低； 光吸收系数越大，量子效率越高；因为p-n结在外加正向偏压时，即使没有光照，电流也随着电压指数级在增加，所以有光照时，光电效应不明显。

p-n结必须在反向偏压的状态下，有明显的光电效应产生，这是因为p-n结在反偏电压下产生的电流要饱和，所以光照增加时，得到的光生电流就会明显增加。

发光二极管的优点(1)属于低电压、小电流器件，在室温下即可得到足够的亮度，一般为3000cd/m2 以上⑵发光响应速度极快，时间常数约为l0-6~10-9s⑶性能稳定，寿命长(4)驱动简单，易于和集成电路匹配(5)单色性好，发光脉冲的半宽度为几十纳米(6)重量轻，体积小，耐冲击光电探测器的合理选择⑴根据待测光信号的大小，确定探测器能输出多大的电信号，即探测器的动态范围。

(2)探测器的光谱响应范围是否同待测光信号的相对光谱功率分布一致。