20套电力电子技术选择填空题和答案
电力电子技术试题20套及解答
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U 2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变，如果接到负载，则称为 逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术试题20套及答案
________ ； (2) t1~t2 时间段内，电流的通路为 _______ ； (4) t3~t4 时间段内，电流的通路为
分，其余每题 1 分，共 14 分）
）
1 、单相桥式 PWM 逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（ A 、 V1 与 V4 导通， V2 与 V3 关断 B 、 V1 常通， V2 常断， V3 与 V4 交替通断 C、 V1 与 V4 关断， V2 与 V3 导通 D 、 V1 常断， V2 常通， V3 与 V4 交替通断 2 、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ A 、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶 导通角小于 180 度 ）
7 、逆变电路的负载如果接到电源，则称为
U 2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压 ，其承受的最大正向电压为
逆变，如果接到负载，则称为
。
逆变。 ( 用 V1,VD1,V2,VD2 _______ ； _______ ； (5) t4~t5 时间段内，电 表示 ) 。
8 、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路 (1) 0~t1 时间段内，电流的通路为 (3) t2~t3 时间段内，电流的通路为 流的通路为 _______ ；
调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称 为 ____________ 调制。 4 、面积等效原理指的是， _________ 相等而 _______ 不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在 GTR 、 GTO 、 IGBT 与 MOSFET 中，开关速度最快的是 _________，单管输出功率最大的是 _____________ ，应用最为广泛的是 ___________ 。 6、设三相电源的相电压为 为电源线电压的峰值，即
电力电子技术试题及答案
电力电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子技术主要研究的是（）。
A. 电力系统的运行与控制B. 电力系统的规划与设计C. 电力电子器件及其应用D. 电力系统的保护与自动化答案：C2. 下列哪个不是电力电子技术中常用的电力电子器件？（）A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管C. 继电器D. 功率场效应晶体管答案：C3. 电力电子变换器的主要功能是（）。
A. 功率放大B. 电压变换C. 电流变换D. 以上都是答案：D4. 电力电子技术在以下哪个领域应用最为广泛？（）A. 通信技术B. 电力系统C. 计算机技术D. 机械制造答案：B5. 晶闸管的导通条件是（）。
A. 阳极电压高于阴极电压B. 门极电压高于阳极电压C. 阳极电流大于阴极电流D. 门极电流大于零答案：D二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 电力电子技术在以下哪些领域有应用？（）A. 电力系统B. 交通系统C. 工业自动化D. 家用电器答案：ABCD2. 电力电子变换器可以实现以下哪些功能？（）A. 交直流转换B. 直流电压变换C. 交流电压变换D. 功率因数校正答案：ABCD3. 下列哪些是电力电子技术中常用的控制方式？（）A. 脉宽调制B. 脉冲频率调制C. 恒压控制D. 恒流控制答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 电力电子技术中，______是一种常用的交流-直流变换器。
答案：整流器2. 电力电子器件的开关特性决定了其在______电路中的应用。
答案：开关电源3. 电力电子技术在______领域可以实现能量的高效转换。
答案：新能源4. 电力电子变换器的输出电压与输入电压之间的关系可以通过______实现控制。
答案：调制技术5. 电力电子技术在______系统中可以实现对电机的精确控制。
答案：伺服驱动四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述电力电子技术在电力系统中的应用。
答案：电力电子技术在电力系统中的应用主要包括电力系统的稳定控制、电能质量的改善、电力系统的自动化管理、以及电力系统的保护等。
电力电子技术试题及标准答案王兆安二十
考试试卷( 20 )卷一、填空题（本题共5小题，每空1分，共10分）1、在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为________，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为________。
2、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差________，当它带阻感负载时， α的移相范围为________。
3、在有源逆变电路中，当控制角0< α < π /2时，电路工作在________状态；π /2< α < π时，电路工作在________状态。
4、逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类，当直流侧是电压源时，称此电路为________，当直流侧为电流源时，称此电路为________。
5、在正弦波和三角波的自然交点时刻控制开关器件的通断，这种生成SPWM波形的方法称________，实际应用中，采用________来代替上述方法，在计算量大大减小的情况下得到的效果接近真值。
二、选择题（本题共10小题，每题1分，共10分）1、三相半波可控整流电路的自然换相点是( )A.交流相电压的过零点B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°2、三相全控桥式整流电路中，晶闸管可能承受的反向峰值电压为（）A.U2B.U2C.2U2D.U23、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（）A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下4、三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0º时，输出的负载电压平均值为（）。
A、0.45U2；B、0.9U2；C、1.17U2； D、2.34U2；5、为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，恒流驱动电路经常采用（）.A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路6、α为度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
电力电子技术测试题(附答案)
电力电子技术测试题（附答案）一、选择题（每题5分，共25分）1. 以下哪个器件不属于电力电子器件？A. 晶闸管B. 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）C. 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）D. 二极管答案：D2. 以下哪个拓扑结构不属于电力电子变换器？A. 桥式变换器B. 半桥式变换器C. 推挽式变换器D. 环形变换器答案：D3. 以下哪个参数不是衡量电力电子器件性能的重要参数？A. 通态电阻B. 开关时间C. 阻断电压D. 热阻答案：D4. 以下哪个器件主要用于电力电子装置中的无级变速？A. 变频器B. 整流器C. 逆变器D. 稳压器答案：A5. 以下哪个不属于电力电子技术的应用领域？A. 电力系统B. 交通运输C. 工业控制D. 通信系统答案：D二、填空题（每题5分，共25分）1. 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是由_________和_________组成的复合器件。
答案：MOSFET，双极型晶体管2. 电力电子技术的核心是_________和_________。
答案：电力电子器件，电力电子电路3. 晶闸管是一种_________控制的_________器件。
答案：电压，四层三端4. 桥式变换器由_________个晶闸管或IGBT组成。
答案：45. 电力电子装置的性能指标主要包括_________、_________、_________和_________。
答案：效率，稳定性，可靠性，可维护性三、简答题（每题10分，共30分）1. 请简要说明电力电子器件的工作原理及特点。
答案：电力电子器件是实现电力电子变换的关键部件，其主要工作原理是利用半导体材料的PN结和载流子导电特性实现电能的转换和控制。
电力电子器件具有以下特点：（1）体积小、重量轻：采用半导体材料制作，便于实现集成化和模块化；（2）效率高：开关速度快，损耗小；（3）控制性能好：响应时间快，易于实现自动化控制；（4）可靠性高：寿命长，故障率低；（5）节能环保：有利于提高能源利用率，减少环境污染。
电力电子技术试题20套及答案
t1~t2 时间段内，有（
闸管导通。
）晶
A、1个
B、2 个
C、3 个
D、 4 个
4、对于单相交交变频电路如下图，在
置的工作状态是（
）
A 、 P 组阻断， N 组整流
C、 N 组阻断， P 组整流
t1~t2 时间段内， P 组晶闸管变流装置与 N 组晶闸管变流装
B 、P 组阻断， N 组逆变 D 、 N 组阻断， P 组逆变
1、简述晶闸管导通的条件与关断条件。（ 7 分）
2、电压型逆变电路的主要特点是什么？（ 8 分）
3、简述实现有源逆变的基本条件，并指出至少两种引起有源逆变失败的原因（ 7 分）
四、 作图题（共 2 小题，每题 12 分，共 24 分）
1、三相全控桥，阻感负载，主回路整流变压器的接法是 D,y5，采用 NPN 管的锯齿
二、选择题（本题共 11 小题， 9， 10，11 小题每题 2 分，其余每题 1 分共 14 分）
1、下列电路中，不可以实现有源逆变的有（
D ）。
A 、三相半波可控整流电路
B、三相桥式全控整流电路
C、单相桥式可控整流电路
D 、单相全波可控整流电路外接续流二极管
2、晶闸管稳定导通的条件（
A）
A 、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流
A、
B、
C、 K f =I dT ·I T
D 、 K f =Id T-I T
7、降压斩波电路中，已知电源电压 Ud=16V ，负载电压 U o=12V ，斩波周期 T=4ms，则开通时
T on=（ C ）
A 、 1ms
B、 2ms
C、 3ms
D、 4ms
8、关于单相桥式 PWM 逆变电路，下面说法正确的是（
电力电子技术习题+参考答案
一、选择题1. 电力电子技术的主要研究对象是什么？A. 电力系统B. 电子电路C. 功率半导体器件及其应用D. 电力设备和控制系统答案：C2. 以下哪种器件不属于电力电子器件？A. 晶闸管B. MOSFETC. 晶体管D. 线圈答案：D3. 在电力电子技术中，以下哪个不是一种电力变换方式？A. 电压变换B. 电流变换C. 频率变换D. 波形变换答案：D4. 下列哪种电力电子变换器可以实现直流电压的升降？A. 逆变器B. 整流器C. 直流变换器D. 交交变频器答案：C5. 电力电子技术中的“开关频率”指的是什么？A. 电路中电流的频率B. 电路中电压的频率C. 功率开关动作的频率D. 输出电压或电流的频率答案：C二、填空题1. 电力电子技术是利用_________对电能进行_________的技术。
答案：功率半导体器件；高效变换2. 电力电子技术中常用的功率半导体器件有_________、_________和_________。
答案：晶闸管；MOSFET；GTO3. 电力电子技术中的“硬开关”和“软开关”技术主要针对_________。
答案：开关过程三、判断题1. 电力电子技术只应用于工业领域，与日常生活无关。
（）答案：错误2. 电力电子技术中的整流器可以将交流电转换为直流电。
（）答案：正确3. 电力电子技术中的逆变器只能将直流电转换为交流电。
（）答案：错误4. 电力电子技术中的变频器可以实现交流电的频率变换。
（）答案：正确四、简答题1. 简述电力电子技术在电力系统中的应用。
答案：电力电子技术在电力系统中的应用非常广泛，主要包括以下几个方面：- 交流-直流变换：如太阳能光伏发电、风力发电等新能源的并网；- 直流-直流变换：如电动汽车充电、电力电子设备供电等；- 交流-交流变换：如变频调速、电力电子补偿等。
2. 简述电力电子技术中的功率半导体器件的特点。
答案：电力电子技术中的功率半导体器件具有以下特点：- 高开关速度：能够快速实现电路的通断；- 高导通电压：能够在高电压下工作；- 高导通电流：能够在大电流下工作；- 高功率密度：能够在有限的体积内实现高功率输出。
电力电子技术试题套答案
20套答案第一套题答案！一、填空题（共8小题，每空1分，共20分）1、空1信息电子技术2、空1开关；空2开关3、空1载波比；空2同步；空3分段同步4、空1冲量；空2形状5、空1MOSFET；空2GTO；空3IGBT6、空1；空27、空1有源；空2无源8、空1VD1；空2V1；空3VD2；空4V2；空5VD1二、选择题（共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、（B）2、（D）3、（C）4、（C）5、（D）6、（A）7、（C）8、（B）9、（A）10、（B）三、简答题（共3小题，共22分）1、（7分）晶闸管导通的条件是：阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通。
门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流，即擎住电流ＩＬ以上。
导通后的晶闸管管压降很小。
（3分）使导通了的晶闸管关断的条件是：使流过晶闸管的电流减小至某个小的数值－维持电流ＩＨ以下。
其方法有二：（1）减小正向阳极电压至某一最小值以下，或加反向阳极电压；（2分）（2）增加负载回路中的电阻。
（2分）2、（8分）(1)直流侧为电压源或并联大电容，直流侧电压基本无脉动；（2分）(2)输出电压为矩形波，输出电流因负载阻抗不同而不同；（3分）(3)阻感负载时需提供无功。
为了给交流侧向直流侧反馈的无功提供通道，逆变桥各臂并联反馈二极管。
（3分）3、（7分）（1）外部条件：要有一个能提供逆变能量的直流电源，且极性必须与直流电流方向一致，其电压值要稍大于Ud；（2分）（2）内部条件：变流电路必须工作于β<90°区域，使直流端电压Ud的极性与整流状态时相反，才能把直流功率逆变成交流功率返送回电网。
这两个条件缺一不可。
（2分）当出现触发脉冲丢失、晶闸管损坏或快速熔断器烧断、电源缺相等原因都会发生逆变失败。
当逆变角太小时，也会发生逆变失败。
（3分）四、作图题（共2小题，每题12分，共24分）1、（12分）同步变压器的钟点数为Y/Y-10,42、（12分）五、计算题（共1小题，20分）1、(1)(a)Ud=α=×220×cos600=99V?（1分）Id=Ud/R=99/4=（1分）I2=Id=（1分）IdVT=1800/3600×Id=2=（1分）IVT=（2分）（b）波形如图1所示（3分）（2）（a）Ud=（1+cosα）/2=×220×（1+cos600）/2=（1分）Id=Ud/R=4=?IdVT=（1800-α）/3600×Id=（1800-600）/3600×=（1分）（1分）（2分）IdVD=2α/3600×Id=2×600/3600×=（1分）（2分）（b）波形如图2所示（3分）图1??波形图图2波形图试卷参考答案及评分标准(2卷)一、填空题：（本题共6小题，每空1分，共15分）1、空1GTR；空2IGBT2、空1基波电流相移；空2电流波形畸变3、空1均压4、空12~45、空1交流变直流；空2直流变交流；空3直流变直流；空4交流变交流6、空1V1；空2VD1；空3V2；空4VD2；空5第2二、选择题：（本题共11小题，9，10，11小题每题2分，其余每题1分，共14分）1、（D）2、（A）3、（B）4、（C）5、（D）6、（B）7、（C）8、（C）9、（D）10、（B）11、（C）三、简答题：（本题共4小题，共30分）1、（7分）答：(1)直流侧为电压源或并联大电容，直流侧电压基本无脉动；（2分）(2)输出电压为矩形波，输出电流因负载阻抗不同而不同；（3分） (3)阻感负载时需提供无功。
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考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括_____和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，__开关_______损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。
在逆变电路的输出频率围划分成若干频段，每个频段载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。
4、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1)0~t1时间段，电流的通路为________；(2)t1~t2时间段，电流的通路为_______；(3)t2~t3时间段，电流的通路为_______；(4)t3~t4时间段，电流的通路为_______；(5)t4~t5时间段，电流的通路为_______；Word 资料二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段，有（）晶闸管导通。
A、1个B、2个C、3个D、4个4、对于单相交交变频电路如下图，在t1~t2时间段，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是（）A、P组阻断，N组整流B、P组阻断，N组逆变C、N组阻断，P组整流D、N组阻断，P组逆变Word 资料5、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的围是（）A、30°～150B、0°～120°C、15°～125°D、0°～150°6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是（）A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件7、直流斩波电路是一种（）变换电路。
A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC8、为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（）A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下10、IGBT是一个复合型的器件，它是（）A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO考试试卷( 2 )卷一、填空题（本题共6小题，每空1分，共15分）Word 资料1、_________存在二次击穿现象，____________存在擎住现象。
2、功率因数由和这两个因素共同决定的。
3、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是_措施。
4、同一晶闸管，维持电流I H与掣住电流I L在数值大小上有I L_I H。
5、电力变换通常可分为：、、和。
6、在下图中，_______和________构成降压斩波电路使直流电动机电动运行，工作于第1象限；_______和_______构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行，工作于____象限。
二、选择题（本题共11小题，9，10，11小题每题2分，其余每题1分共14分）1、下列电路中，不可以实现有源逆变的有（）。
A、三相半波可控整流电路B、三相桥式全控整流电路C、单相桥式可控整流电路D、单相全波可控整流电路外接续流二极管2、晶闸管稳定导通的条件（）A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流3、三相半波可控整流电路的自然换相点是（）A、交流相电压的过零点B、本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°Word 资料4、若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是（）A、增大三角波幅度B、增大三角波频率C、增大正弦调制波频率D、增大正弦调制波幅度5、三相半波可控整流电路中，晶闸管可能承受的反向峰值电压为（）A、U2B、U2C、2U2 D.U26、晶闸管电流的波形系数定义为（）A、B、C、K f =I dT·I T D、K f =Id T-I T7、降压斩波电路中，已知电源电压U d=16V，负载电压U o=12V，斩波周期T=4ms，则开通时T on=（）A、1msB、2msC、3msD、4ms8、关于单相桥式PWM逆变电路，下面说确的是（）A、在一个周期单极性调制时有一个电平，双极性有两个电平B、在一个周期单极性调制时有两个电平，双极性有三个电平C、在一个周期单极性调制时有三个电平，双极性有两个电平D、在一个周期单极性调制时有两个电平，双极性有一个电平9、对于单相交交变频电路如下图，在t2~t3时间段，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是（）A、P组阻断，N组整流B、P组阻断，N组逆变C、N组阻断，P组整流D、N组阻断，P组逆变Word 资料10、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如图所示，在t2~t3时间段，有（）晶闸管导通。
A、1个B、2个C、3个D、4个考试试卷( 3 )卷一、填空题：（本题共7小题，每空1分，共20分）1、请在正确的空格标出下面元件的简称：电力晶体管；可关断晶闸管；功率场效应晶体管；绝缘栅双极型晶体管；IGBT是和的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要、和。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑的问题，解决的方法是。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为波，输出电流波形为波。
5、三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个开关管间进行，称为_______°导电型6、当温度降低时，晶闸管的触发电流会、正反向漏电流会；Word 资料7、常用的过电流保护措施有、、、。
二、选择题（本题共10小题，每题1分，共10分）1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（）度。
A、180°B、60°C、360°D、120°2、α为度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A、0度B、60度C、30度D、120度，3、晶闸管触发电路中，若改变（）的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。
A、同步电压B、控制电压C、脉冲变压器变比D、以上都不能4、可实现有源逆变的电路为（）。
A、三相半波可控整流电路B、三相半控桥整流桥电路C、单相全控桥接续流二极管电路D、单相半控桥整流电路5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种围合理（）。
A、30º-35ºB、10º-15ºC、0º-10ºD、0º。
6、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相围是（）A、90°B、120°C、150°D、180°7、若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用控制方法是（）A、增大三角波幅度B、增大三角波频率C、增大正弦调制波频率D、增大正弦调制波幅度8、采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为（）Word 资料Word 资料A 、减小输出幅值B 、增大输出幅值C 、减小输出谐波D 、减小输出功率9、为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（ ）A 、dt du 抑制电路B 、抗饱和电路C 、dt di抑制电路 D 、吸收电路10、一般认为交交变频输出的上限频率（ ）A 、与电网有相同的频率B 、高于电网频率C 、可达电网频率的80%D 、约为电网频率的1/2~1/3考试试卷( 4 )卷一、填空题：（本题共5小题，每空1分，共20分）1、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流为I Tn 等于 倍I T （AV ），如果I T （AV ）=100安培，则它允许的有效电流为 安培。
通常在选择晶闸管时还要留出 倍的裕量。
2、三相桥式全控整流电路是由一组共 极三只晶闸管和一组共 极的三只晶闸管串联后构成的，晶闸管的换相是在同一组的元件进行的。
每隔 换一次相，在电流连续时每只晶闸管导通 度。
要使电路工作正常，必须任何时刻要有 只晶闸管同时导通，一个是共 极的，另一个是共 极的元件，且要求不是 的两个元件。
3、为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电路种类很多，但归纳起来可分为 与 两大类。
4、提高变流置的功率因数的常用方法有 、 、 、 几种。
5、三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相围，三相全控桥电阻性负载时，电路的移相围，三相半控桥电阻性负载时，电路的移相围。
三、选择题：（本题共10小题，每题1分，共10分）1、三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0º时，输出的负载电压平均值为（）。
A、0.45U2B、0.9U2C、1.17U2D、2.34U22、变流装置的功率因数总是（）。
A、大于1B、等于1C、小于1大于0D、为负3、三相全控桥式整流电路带大电感负载时，控制角α的有效移相围是（）。