(完整版)电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术期末考试题与答案
电力电子复习**：***电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术期末考试试卷-带答案
三、简答题（共10分）1、答：在脉宽调制（PWM）技术中，脉冲宽度可以提高一个比较器来实现，即用一个三角波（调制信号）与一个直流控制电压（参考信号）进行比较，比较器输出电压的极性由这两个比较电压的差值的正负来决定。
这样改变控制电压的大小，即可以改变两个电压的交点位置，也就是改变输出电压极性的位置，从而改变正、负脉冲的宽度（7分）2、无源逆变电路和有源逆变电路有何不同？答：两种电路的不同主要是：有源逆变电路的交流侧接电网，即交流侧接有电源。
（2.5分）而无源逆变电路的交流侧直接和负载联接。
（2.5分）四、分析题（15分）1、如下图a所以的单相电压型全桥逆变电路，共四个桥臂，可看成两个半桥电路·栅极信号的波形图，如图b所示，请分析输出电压u o、输出电流i o的波形，并在图b下画出其波形。
（7分）图a．单相电压型全桥逆变电路图图b ．单相电压型全桥逆变电路波形图评分标准：输出电压u o 、输出电流i o 的波形各3.5分。
2、如下图所示单相桥式不可控整流电路带电阻负载，变压器二次侧的有效值为2=200U V ，电阻值为18Ω，此时VD1管子损坏(不能导通)，那么分析此时输出电压du 、输出电流d i 、变压器二次侧电流2i 的波形并绘制出，计算此时输出电压d u、电流d i的平均值大小。
（8分）O πO2π2i tωd i d u O 2u tω22U tωu 1u 2VD 1VD 3VD 2VD4i d2201sin ()0.45=902U td t U V πωωπ===⎰d=5A U I R=dd五、计算题（共30分，每题10分。
）请将正确选项写在答题纸上，直接写在试卷上无效。
1、三相桥式全控整流电路带阻感性负载，L 足够大，R =5Ω，U 2=220V ，求α=60o 时输出平均电压U d 、输出平均电流I d ，流过晶闸管电流平均值I dVT 和有效值I VT ，变压器二次侧电流有效值I 2 的大小。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术期末考试试题及答案电力电子复习姓名：杨少航电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
电力电子技术期末考试卷和答案
一、 填空题（每空1分，共26分）1. 将直流电变为交流电称为逆变。
当交流侧接在电网上，即交流侧接有电源时， 称为 ；当交流侧直接和负载相连时，称为 。
2. PWM 逆变电路根据直流侧电源性质的不同，也可分为 和两种。
目前实际应用的PWM 逆变电路几乎都是 电路。
3. 三相桥式全控整流电路，若整流变压器副边电压2u t ω=V,带反电动势阻感负载，030=α，则整流输出平均电压d U = 。
4. 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为以下三类： 、 和 。
5．电力半导体器件由于承受过电压、过电流的能力太差，所以其控制电路必须设有 和 保护电路。
6. 晶闸管导通的条件有二：一是 ，二是 。
7. 电力电子器件驱动电路的任务是将。
驱动电路还要提供 。
8. 若晶闸管电流的有效值是314A ，则其额定电流为 A 。
若该晶闸管 阴、阳极间所加电压为100sin t ωV ，则其额定电压应为 V 。
（不考 虑晶闸管电流、电压的安全裕量。
）9. 电力变换通常可分为四大类，即交流变直流、 、 和 。
10. 电子技术包括 和 两大分支。
11. 在电压型逆变电路的PWM 控制中，同一相上下两个桥臂的驱动信号是 的。
但实际上为了防止上下两个桥臂直通而造成短路，在上下两臂通断切换时要留一小段上下臂都施加关断信号的 。
12. 在三相全控桥整流电路中，触发脉冲可采用 触发与 触发两种方法。
1．有源逆变 无源逆变 2．电压型 电流型 3．11734．半控型器件 不控型器件 全控型器件 5．过电压保护 过电流保护6．有正向阳极电压 门极有足够大的触发电流7．按控制目标的要求施加开通或关断的信号，对半控型器件提供开通控制信号，对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号。
提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节8. 200A 100V 9. 直流变交流 交流变交流 直流变直流10. 信息电子技术 电力电子技术 11. 互补 死区时间 12. 双窄脉冲 单宽脉冲二、单项选择题 13. c 14. d 15. b 16. b 17. d13. 下列电力半导体器件中，（ ）最适合用在小功率、高开关频率的电力电子电路中。
电力电子技术期末复习10套及答案
电力电子技术期末复习10套及答案考试试卷(1)卷一、填空（这道题有8个小问题，每个空白1分，共20分）1、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2.为了降低自身损耗，提高效率，电力电子设备一般工作在开关状态。
当设备的工作频率较高时，开关损耗将成为主要损耗。
3、在pwm控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______，当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。
4.面积等效原则指的是___________________________基本相同。
5.在GTR、GTO、IGBT和MOSFET中，开关速度最快的是MOSFET，最大的单管输出功率是多少6、设三相电源的相电压为u2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其最大正向电压为。
7.如果逆变器电路的负载连接到电源，则称为逆变器。
如果它与负载相连，则称为逆变器。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用v1,vd1,v2,vd2表示)。
（1）在从0到T1的时间段内，当前路径为__；（2）在T1~T2时间段内，电流路径为__；(3)t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4)t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5)t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、多项选择题（本题共有10个子题，前4题各得2分，其余各得1分，共计14分）1、单相桥式pwm逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）a、 V1和V4打开，V2和V3关闭，B和V1正常打开，V2正常关闭，V3和V4交替打开和关闭，C，V1和V4关闭，V2和V3打开d、v1常断，v2常通，v3与v4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）a、当晶闸管的触发角大于电路的功率因数角时，晶闸管的导通角小于180度b、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作c、晶闸管的触发角小于电路的功率因数角。
(完整版)电力电子期末试题.及答案
1．晶闸管导通的条件是什么？导通后流过晶闸管的电流由什么决定？晶闸管的关断条件是什么？如何实现？晶闸管导通与阻断时其两端电压各为多少？解：晶闸管导通的条件是：晶闸管阳极和阴极之间加正向阳极电压。
门极和阴极之间加适当的正向阳极电压。
导通后流过晶闸管的电流由主电路电源电压和负载大小决定。
晶闸管的关断条件是：阳极电流小于维持电流。
关断晶闸管可以通过降低晶闸管阳极－阴极间电压或增大主电路中的电阻。
晶闸管导通时两端电压为通态平均电压（管压降），阻断时两端电压由主电路电源电压决定。
2．调试图所示晶闸管电路，在断开负载R d测量输出电压U d是否可调时，发现电压表读数不正常，接上R d后一切正常，请分析为什么？习题2图解：当S断开时，由于电压表内阻很大，即使晶闸管门极加触发信号，此时流过晶闸管阳极电流仍小于擎住电流，晶闸管无法导通，电流表上显示的读数只是管子漏电流形成的电阻与电压表内阻的分压值，所以此读数不准。
在S合上以后，Rd介入电路，晶闸管能正常导通，电压表的读数才能正确显示。
3．画出图1-35所示电路电阻R d上的电压波形。
图1-35 习题3图解：4．说明晶闸管型号KP100-8E代表的意义。
解：KP100-8E表示额定电流100A、额定电压8级（800V、通态平均电压组别E（0.7＜U T≤0.8）普通晶闸管。
5．晶闸管的额定电流和其他电气设备的额定电流有什么不同？解：由于整流设备的输出端所接负载常用平均电流来衡量其性能，所以晶闸管额定电流的标定与其他电器设备不同，采用的是平均电流，而不是有效值，又称为通态平均电流。
所谓通态平均电流是指在环境温度为40℃和规定的冷却条件下，晶闸管在导通角不小于170°电阻性负载电路中，当不超过额定结温且稳定时，所允许通过的工频正弦半波电流的平均值。
6．型号为KP100－3、维持电流I H＝3mA的晶闸管，使用在习题图所示的三个电路中是否合理？为什么（不考虑电压、电流裕量）？习题6图解：（a）图的目的是巩固维持电流和擎住电流概念，擎住电流一般为维持电流的数倍。
电力电子技术期末考试试题及答案
R、C 回路的作用是：吸收晶闸管瞬间过电压，限制电流上升率，动态均压作用。R 的作用为：使 L、C 形成阻尼振荡，不会产生振荡过电压，减小晶闸管的
开通电流上升率，降低开通损耗。
2、晶闸管触发的触发脉冲要满足哪几项基本要求？
4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于__ _，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连续的条件为__ __(U2为相电压有效值)。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o_，当它带阻感负载时，的移相范围为__0-90o_。
7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压；这种电路角的移相范围是_0-120o_，ud波形连续的条件是_ _。
6、有些晶闸管触发导通后，触发脉冲结束时它又关断是什么原因？
答：晶闸管导通情况下，随着主回路电源电压的降低，主回路电流降低到某一数值以下时晶
电力电子技术期末复习考卷综合(附答案,题目配知识点)
一、填空题：1、电力电子技术的两个分支是电力电子器件制造技术和变流技术。
2、举例说明一个电力电子技术的应用实例变频器、调光台灯等。
3、电力电子承担电能的变换或控制任务，主要为①交流变直流（AC—DC）、②直流变交流（DC—AC）、③直流变直流（DC—DC）、④交流变交流（AC—AC）四种。
4、为了减小电力电子器件本身的损耗提高效率，电力电子器件一般都工作在开关状态，但是其自身的功率损耗（开通损耗、关断损耗）通常任远大于信息电子器件，在其工作是一般都需要安装散热器。
5、电力电子技术的一个重要特征是为避免功率损耗过大，电力电子器件总是工作在开关状态，其损耗包括三个方面：通态损耗、断态损耗和开关损耗。
6、通常取晶闸管的断态重复峰值电压UDRM和反向重复峰值电压URRM中较小标值作为该器件的额电电压。
选用时，额定电压要留有一定的裕量，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的2~3倍。
7、只有当阳极电流小于维持电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
导通：正向电压、触发电流（移相触发方式）8、半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路可能会出现失控现象，为了避免单相桥式半控整流电路的失控，可以在加入续流二极管来防止失控。
9、整流电路中，变压器的漏抗会产生换相重叠角，使整流输出的直流电压平均值降低。
10、从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为触发角。
☆从晶闸管导通到关断称为导通角。
☆单相全控带电阻性负载触发角为180度☆三相全控带阻感性负载触发角为90度11、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为2√2U1 。
（电源相电压为U1）三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 2.45U2。
（电源相电压为U2）为了保证三相桥式可控整流电路的可靠换相，一般采用双窄脉冲或者宽脉冲触发。
12、四种换流方式分别为器件换流、电网换流、负载换流、强迫换流。
13、强迫换流需要设置附加的换流电路，给与欲关断的晶闸管强迫施加反压或反电流而关断。
电力电子技术期末考试试题及答案(1)
电力电子技术期末考试试题及答案(1)电力电子技术试题第 1 章电力电子器件1.电力电子器件普通工作在 __开关__状态。
2.在通常事情下，电力电子器件功率损耗要紧为 __通态损耗 __，而当器件开关频率较高时，功率损耗要紧为 __开关损耗 __。
3.电力电子器件组成的系统，普通由 __操纵电路 __、_驱动电路 _、 _主电路 _三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加 _爱护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的事情，电力电子器件可分为 _单极型器件 _ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件 _三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为 _承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的要紧类型有 _一般二极管 _、_快恢复二极管 _、 _肖特基二极管 _。
7. 肖特基二极管的开关损耗 _小于快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，维持电流 IH与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态别重复电压 UDSM与转折电压 Ubo数值大小上应为， UDSM_大于 __Ubo。
11.逆导晶闸管是将 _二极管_与晶闸管 _反并联_（怎么连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成 __结构是为了便于实现门极操纵关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的 _截止区 _、前者的饱和区对应后者的 __放大区 __、前者的非饱和区对应后者的 _饱和区 __。
14.电力 MOSFET的通态电阻具有 __正 __温度系数。
15.IGBT 的开启电压 UGE（th ）随温度升高而 _略有下落 __，开关速度 __小于__电力 MOSFET。
16.按照驱动电路加在电力电子器件操纵端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为 _电压驱动型 _和_电流驱动型_两类。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件普通工作在__开关__状态。
2.在通常事情下，电力电子器件功率损耗要紧为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗要紧为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，普通由__操纵电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_爱护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的事情，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的要紧类型有_一般二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态别重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（怎么连接）在同一管芯上的功率集成器件。
的__多元集成__结构是为了便于实现门极操纵关断而设计的。
的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下落__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件操纵端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
的通态压落在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术期末考试试题卷与答案解析
电力电子复习姓名：杨少航电力电子技术试题第1章电力电子器件J电力电子器件一般工作在—开关—状态。
乙在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为—通态损耗—，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为—开关损耗—。
3.电力电子器件组成的系统，一般由—控制电路__、—驱动电路_、 _主电路—三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加—保护电路—。
丄按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为一单极型器件_、一双极型器件_、_复合型器件_三类。
匚电力二极管的工作特性可概括为—承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有 _普通二极管_、_快恢复二极管 _、_肖特基二极管_。
乙肖特基二极管的开关损耗 _小于_快恢复二极管的开关损耗。
肛晶闸管的基本工作特性可概括为—正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止_ 。
匹对同一晶闸管，维持电流 IH与擎住电流IL在数值大小上有IL _大于 _ IH。
10.晶闸管断态不重复电压 UDSM与转折电压 Ubo数值大小上应为，UDSM大于—Uba企逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_ （如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
企GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET勺漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的_放大区—、前者的非饱和区对应后者的饱和区。
14.电力MOSFET勺通态电阻具有正温度系数。
15JGBT的开启电压UGE（th ）随温度升高而略有下降，开关速度小于电力MOSFET。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为电压驱动型和电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有负温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有—正—温度系数。
电力电子技术期末考试试题及答案 (1)
电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2。
在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。
6。
电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9。
对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH .10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。
11。
逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13。
MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15。
IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET .16。
按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
大学电力电子技术期末考试试题与答案详解(总5页)
题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 得分一、〔共 15分〕 1．写出以下电路符号的名称或简称。
〔a 〕晶闸管 (b) 电力MOSFET (c) GTR (d)IGBT2．画出单结晶体管的电路符号及伏安特性；说明单结晶体管的导通条件和截止条件。
导通条件：u e ＞U p ，i e ＞I p 〔2分〕 截止条件：u e ＜U v ，i e ＜I v 〔2分〕3．在第1题所给的器件中，哪些属于自关断器件？〔b 〕，〔c 〕，〔d 〕二、〔共 18 分〕 具有续流二极管的单相桥式全控整流电路，对发电机励磁绕组供电。
绕组的电阻为5Ω，电感为0.4H ，励磁直流平均电流I d 为30A ，交流电源电压U 2为220V 。
〔1〕画出电路图；〔2〕计算晶闸管和续流二极管的电流有效值；电源电流I 2、容量S 和功率因数；〔3〕作出整流输出电压u d 、输出电流i d 和电源电流i 2的波形；〔4〕假设电压和电流都考虑2倍的平安裕量，采纳KP50－8的晶闸管是不是合理什么缘故〔1〕〔3分〕 〔3〕〔6分〕〔2〕〔6分〕由R I U U dd =+=2cos 19.02α解得α=59o〔4〕〔3分〕 ∵A A I I T AV T 5022257.1)(〈=⨯=∴A I I d T 4.172=⋅-=παπ V V U U U RRM DRM 800622222〈=⨯==A I I d DR 2.17=⋅=πα ∴采纳KP50－8的晶闸管是合理的。
A I I T 6.2422=⋅=KVA U I S 541222==83.0cos 2=⋅==SR I S P d d φ得分 评卷人得分 评卷人三、〔共 25 分〕变流电路如以下图。
：U 2=200V ，R =2Ω，L =∞，L B =1mH ，α=45o ，E M =100V 。
1．计算输出直流平均电压U d 、平均电流I d 和换流重叠角γ；标出U d 和E M 的实际极性，说明变流电路和直流电动机的工作状态。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题第1章 电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _大于__Ubo 。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
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电力电子复习姓名：***电力电子技术试题第1章电力电子器件•电力电子器件一般工作在—开关—状态。
乙在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为—通态损耗—，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为—开关损耗—。
3. 电力电子器件组成的系统，一般由—控制电路__、—驱动电路_、_主电路—三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路—。
丄按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为一单极型器件_、一双极型器件_、_复合型器件_三类。
匚电力二极管的工作特性可概括为—承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6. 电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
乙肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
肛晶闸管的基本工作特性可概括为—正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止_ 。
9. 对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于—IH。
10. 晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM大于—Uba也逆导晶闸管是将二极管与晶闸管反并联（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12. GTO勺__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13. MOSFET勺漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的_放大区—、前者的非饱和区对应后者的饱和区。
14. 电力MOSFET勺通态电阻具有正温度系数。
15JGBT的开启电压UGE（th ）随温度升高而略有下降，开关速度小于电力MOSFET。
16. 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和一电流驱动型_两类。
17. IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有负温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有正温度系数。
匹在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR、门极可关断晶闸管（GTO、电力晶体管（GTR、电力场效应管（电力MOSFET、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管—,属于半控型器件的是—晶闸管_,属于全控型器件的是_GTO、GTR、电力MOSFET IGBT _ ;属于单极型电力电子器件的有—电力MOSFET厶属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO、GTR _属于复合型电力电子器件得有—IGBT _ ；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET属于电压驱动的是电力MOSFET IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO、GTR _。
第2章整流电路L电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角a的最大移相范围是_0-180 °_o乙阻感负载的特点是—流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角a的最大移相范围是_0-180 °，其承受的最大正反向电压均为.2U 2，续流二极管承受的最大反向电压为\ 2U2（设U2为相电压有效值）。
3. 单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，a 角移相范围为_0-180。
_,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为J2U2/2和J2U2；带阻感负载时，a角移相范围为o-9o O_,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为J2U2和J2U2；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
4. 单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角a大于不导电角时，晶闸管的导通角=n a-；当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=n-2 _ o5. 电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于2U2，晶闸管控制角a的最大移相范围是_0-150°_，使负载电流连续的条件为30o l U2为相电压有效值）。
L三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120°_,当它带阻感负载时，的移相范围为0-90°。
乙三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是最低的相电压;这种电路角的移相范围是0-120°，u d波形连续的条件是60°。
8. _对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值下降。
9. 电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中，空载时，输出电压为.2U2，随负载加重Ud相电压有效值，T为交流电源的周期）。
10. 电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中，电流id 断续和连续的临界条件是_ RC J3_电路中的二极管承受的最大反向电压为_J6_U211. 实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当从0°〜90°变化时，整流输出的电压ud的谐波幅值随的增大而—增大_，当从90°〜180°变化时，整流输出的电压ud的谐波幅值随的增大而—减小_。
生逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为_有源逆变_，欲实现有源逆变，只能采用—全控_电路；对于单相全波电路，当控制角0< < 时，电路工作在—整流_状态;时，电路工作在逆变状态。
里在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和—晶闸管的控制角> 90 °,使输出平均电压U d为负值。
14. 晶闸管直流电动机系统工作于整流状态，当电流连续时，电动机的机械特性为一组_平行的直线，当电流断续时，电动机的理想空载转速将_抬高_，随的增加，进入断续区的电流_加大_。
15. 直流可逆电力拖动系统中电动机可以实现四象限运行，当其处于第一象限时，电动机作电动—运行，电动机_正—转，正组桥工作在_整流_状态；当其处于第四象限时，电动机做_发电_运行，电动机反转转，正组桥工作在逆变状态。
16_大、中功率的变流器广泛应用的是_晶体管—触发电路，同步信号为锯齿波的触发电路,可分为三个基本环节，即脉冲的形成与放大、锯齿波的形成与脉冲移相和同步环节< 第3章直流斩波电路1. 直流斩波电路完成得是直流到直流的变换。
2. 直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路和一升压斩波电路_。
3. 斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM _、一频率调制_和_ （t on和T都可调，改变占空比）混合型。
4. 升压斩波电路的典型应用有直流电动机传动和单相功率因数校正等。
5. 升降压斩波电路呈现升压状态的条件为_____ _0.5 1 （为导通比）6. CuK斩波电路电压的输入输出关系相同的有_升压斩波电路_ 、_Sepic斩波电路—禾口__Zeta斩波电路—。
7. _Sepic斩波电路和Zeta斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic斩波电路=的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta斩波电路_的输入、输出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为—正_极性的。
8. 斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第_2—象限,_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。
9. 桥式可逆斩波电路用于拖动直流电动机时，可使电动机工作于第_1、2、3、4_象限。
10. 复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个—升压_斩波电路和一个—降压_斩波电路的组合；多相多重斩波电路中，3相3重斩波电路相当于3个__基本—斩波电路并联。
第4章交流一交流电力变换电路L改变频率的电路称为_变频电路_，变频电路有交交变频电路和—交直交变频_电路两种形式，前者又称为_直接变频电路__，后者也称为_间接变频电路_。
2_单相调压电路带电阻负载，其导通控制角的移相范围为_0-180O_,随的增大，Uo_降低_，功率因数_降低—。
3.单相交流调压电路带阻感负载，当控制角v ( =arctan( L/R))时,VT1的导通时间_逐渐缩短_,VT2的导通时间—逐渐延长_。
4J艮据三相联接形式的不同，三相交流调压电路具有多种形式，TCR属于支路控制三角形联结方式，TCR的控制角的移相范围为_90°-180O_,线电流中所含谐波的次数为_6k± 1_。
5. 晶闸管投切电容器选择晶闸管投入时刻的原则是：该时刻交流电源电压应和电容器预先充电电压相等。
6. _把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为交交变频电路。
7. 单相交交变频电路带阻感负载时，哪组变流电路工作是由J俞出电流的方向_决定的，交流电路工作在整流还是逆变状态是根据_输出电流方向和输出电压方向是否相同_决定的。
8. 当采用6脉波三相桥式电路且电网频率为50Hz时，单相交交变频电路的输出上限频率约为_20Hz_。
L三相交交变频电路主要有两种接线方式，即公共交流母线进线方式和输出星形联结方式，其中主要用于中等容量的交流调速系统是公共交流母线进线方式。
10.矩阵式变频电路是近年来出现的一种新颖的变频电路。
它采用的开关器件是全控器件: 控制方式是斩控方式。
1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR ;可关断晶闸管GTO ;功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT _____________ ；IGBT是MOSFET和GTR _______ 的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率 _、触发脉冲前沿要陡幅值要高和_触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波波，输出电流波形为方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A 安。
6、180 °导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120 o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、、正反向漏电流会下降、；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、、正反向漏电流会增加在有环流逆变系统中，环流指的是只流经两组变流器之间而不流经负载的申, 流。
环流可在电路中加电抗器来限制。