Array工艺过程

Page 9
三、 Sputter工艺简介
Sputter关键控制要素
工艺参数： 本底真空和压力上升，气体压力和气体流量， 溅射功率和溅射时间，加热温度，TM值
质量控制（方法）： Rs(方块电阻)， PI(测量particle数量)， Thickness(薄膜厚度)，Stress(薄膜应力)
品质、速度、团队
溅射时间：一定功率时，若溅射时间越长，成膜厚度越厚。但是考虑到金属膜 溅射后的应力都比较大，因此溅射时间不宜太长。
质量控制中的Rs和PI为经常测试项目，Thickness和Stress为非经常测试项目。
Six sigma for working smarter
Page 12
三、 Sputter工艺简介
品质、速度、团队
溅射功率： 溅射功率主要由直流电源提供。针对不同的工艺可以设定不同的溅射功率。 镀膜的时候，采用恒功率溅射。一定时间内，如果溅射功率越大，沉膜效率 就越高。
Thickness是采用机械的方法测量薄膜厚度，测量仪器为a-step设备。它是检测 非透明薄膜厚度的常用手段。Sputter所dep的三层薄膜均可以用a-step设备来测试。 另外，由于ITO为透明膜，它也可以用光学方法来测试。
Stress测量的是薄膜应力，薄膜应力太大，容易引起玻璃基板弯曲乃至broken。
Six sigma for working smarter
Page 2
品质、速度、团队
一. Array工艺流程简介
品质、速度、团队
沉积
清洗
PR涂附
曝光
显影
刻蚀 Wet Etch
PR剥离
检查
Dry Etch
成膜 / Pattern工程详细图 (Deposition & Patterning Process in Detail)
Six sigma for working smarter
Page 3
二、Clean工艺简介
品质、速度、团队
目的： 除去基板表面影响成膜的具有物理特性、化学特性、电学特性 的异物及基板表面附着的灰尘、油份、自然氧化物等等，露出干 净的膜层及洁净的质地，此外还可以除去成膜后的表面灰尘、异 物等。
的:Glass输入时,去除残留的Particle和Metal/有机物等
Six sigma for working smarter
Page 4
二、 Clean工艺简介
Wet Cleaning Spray Shower Aqua-knife Shower Brush Cleaning
Ultra Sonic Mega Sonic bubble Jet Cleaning Detergent cleaning
Page 11
三、 Sputter工艺简介
品质、速度、团队
质量控制： Rs测量的是薄膜的电学性能，测量仪器为4探针设备（4-probe）。控制值为
Rs平均值（单位为方块电阻），均匀性。
PI是采用光学的方法测量薄膜上的defect，主要为Dep中产生的particle数量， Gate要求小于50ea,SD要求小于100ea，ITO要求小于150ea.
品质、速度、团队
Dry Cleaning Excimer UV O3(ozone) Asher
Plasma
Six sigma for working smarter
Page 5
二、 Clean工艺简介
种类 贴附粒子
例子
铝、不锈钢、玻璃 塑料
头屑、毛发、线
有机污染膜
油、指纹、残余物 空气、气体中有机物蒸汽 洗剂（界面活性剂）残余物等
TM 值 对 溅 射 的 影 响 非 常 大 ， 而 随 着 Target的使用，Target会变薄，从而使TM 值变小，这时往往表现为Rs均匀性变差。 这就要求Magnet Bar随着Target的使用量 而进行相应的调整。刚换完靶材后，TM值 比较小，当靶材消耗到一定程度后，需要适 当调整TM值，从而改善Rs均匀性。
for working Smarter
Array工艺技术
品质/客户服务部
BOEOT QA/OQA 2009 . 05 . 06.
Page 1
目录
一、Array工艺流程简介 二、Clean工艺简介 三、Sputter工艺简介 四、PECVD工艺简介 五、 Photo工艺简介 六、 Etch工艺简介 七、 Strip工艺简介 八、4 Mask和5 Mask比较 九、4Mask工艺流程
无机污染膜
气体，排管中的金属不纯物的 贴附
纯水，药液中的不纯物离子的 吸附
自然氧化膜的形成
品质、速度、团队
清洗方法 BRUSH US, CJ
MS
洗剂 UV MS
超纯水 化学清洗剂
Six sigma for working smarter
Page 6
二、 Clean工艺简介
品质、速度、团队
•Initial cleaner
在所有的玻璃基板拆包装后进入生产线之前所必须进 行的清洗； •Pre dep cleaner
在成膜之前经常要进行的清洗； 主要清洗strip之后残留的particle； •Docking cleaner 在PECVD成膜之间进行的一步清洗； 去除PECVD高速沉积所留下的particle；
Six sigma for working smarter
Page 7
三、 Sputter工艺简介
品质、速度、团队
Sputter和PECVD在Array的5Mask工艺中，共同承担 了各个 Mask的第一步主要工序---成膜。
Sputter用于做金属膜和ITO膜：
➢Gate
➢S/D ➢ITO
Six sigma for working smarter
Mo)
Six sigma for working smarter
Page 10
三、 Sputter工艺简介
品质、速度、团队
ຫໍສະໝຸດ Baidu
Glass Backing
TargetPlate
Magnet Bar
共同板
Six sigma for working smarter
TM 值 ： Target-Magnet 间 距 离
ITO
GATE
GLASS
GATE
GLASS
Page 8
三、 Sputter工艺简介
品质、速度、团队
Sputter是通过DC Power形成Plasma,具有高能量的Gas Ion 撞击Target表面,粒子从Target表面射出并贴附到基板表面的工 程。
Six sigma for working smarter