Array工艺过程
Array工艺设备介绍
Photo Resist
Thin Film
Glass
PR coating
Photo Resist Thin Film Glass
Exposure
Develop
涂覆前基板表面处理：清洗等
感光树脂涂覆、干燥
Clean
DB
COATER VCD
SB
TCU
Indexer
AOI
HB
感光性树酯涂覆： 1）感光树酯涂布
2） 减压干燥
Photo Resist
Coating Nozzle Glass
3）加热干燥
20
Hot Plate Hot Plate
Exposure
曝光：利用紫外光经过Mask照射到Plate上，使PR胶感光，形成特定的图案。
Canon：Mirror Scan
凹面镜 凸面镜
Exposure
利用紫外光，按照Mask图案对PR进行曝光， 以便后续显影成像
Etch 刻蚀
Dry Etch Wet Etch
利用反应气体干法刻蚀非 金属或金属
Wet Etch
Strip
Initial Clean
利用化学药液如酸湿 法刻蚀金属
利用化学药液将残留 PR胶剥离
投玻璃处对Glass进行 清洗
Al/Cu
Sputtering Chamber (SP5) Sputtering Chamber (SP4) Sputtering Chamber (SP3) Heater Chamber L/UL Chamber L/UL Position
Mo/Cu
Metal Sputter：4 Sputtering Chamber 对应大尺寸 TV产品Gate & SD膜厚增加
Array工艺设备介绍
14
GPCS (General Process Control System)
PECVD
PECVD：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
PECVD采用13.56MHZ射频电源使含有薄膜组成原子的气体电离，形成等离子体，在基板上反应，沉积薄膜。在TFT工 艺中，PECVD主要进行FGI、MULTI及PVX Film沉积。
Process Chamber
Transfer Module
P/C-2
P/C-1
T/M
高真空 P/C-3
Load Lock ATM Arm Indexer
L/L
真空大气 之间转化
大气机械手
USC
Port 1 Port 2 Port3
L/L: 连接真空和大气压的一 个Chamber。Glass进入此 Chamber以后，Valve关闭， 开始抽真空。
9
Sputter
Sputter的作用： Sputter在Array工艺中负责进行Gate, S/D 以及ITO Layer的溅射镀膜。
a-Si
SD(Source)
SD(Drain)
PVX(Passivation SiNx )
VIA Hole
ITO
GI(Gate Insulator)
n+ a-Si
Gate
Exposure
利用紫外光，按照Mask图案对PR进行曝光， 以便后续显影成像
Etch 刻蚀
Dry Etch Wet Etch
利用反应气体干法刻蚀非 金属或金属
Wet Etch
Strip
array工艺技术
array工艺技术Array技术是一种将小尺寸的芯片排列在芯片表面的工艺技术。
这种技术的出现极大地提高了芯片制造过程的效率和可靠性。
本文将介绍Array工艺技术的原理、特点以及在电子领域的应用。
Array工艺技术的原理是将多个芯片按照一定的规则排列在芯片表面，从而形成一个整体系统。
这种排列方式可以是二维的，也可以是三维的。
在二维的排列方式中，芯片被平铺在一个平面上，而在三维的排列方式中，芯片被垂直堆叠。
无论是二维还是三维，Array技术都能够大大提高芯片的集成度。
Array工艺技术的特点之一是高密度。
由于采用了多芯片排列的方式，Array工艺技术能够在有限的空间内容纳大量的芯片。
这样一来，就能够大大提高芯片的集成度，使得整个系统更为紧凑和高效。
其次，Array工艺技术具有高可靠性。
由于多个芯片被整合在一个整体系统中，即使出现了部分芯片出现问题的情况，整个系统依然能够正常运行。
这是因为Array技术通过冗余设计来解决芯片故障的问题。
当一个芯片发生故障时，系统可以自动切换到其他正常工作的芯片上，从而保证整个系统的正常运行。
Array工艺技术在电子领域有着广泛的应用。
首先是在集成电路领域的应用。
通过Array技术，可以将多个相同或不同的芯片整合在一个系统中，从而形成功能更为复杂的集成电路。
这种方式不仅提高了系统的性能，同时也节省了空间和成本。
其次是在半导体领域的应用。
由于Array技术能够将多个芯片垂直堆叠在一起，从而得到更高的存储容量和速度。
这种方式在存储器领域得到了广泛应用，成为提高存储器性能的重要手段。
此外，Array工艺技术还在传感器领域有着重要的应用。
通过将多个传感器整合在一起，可以提高传感器的灵敏度和准确性。
这种方式在人脸识别、指纹识别和生物医学领域等都得到了广泛应用。
总之，Array工艺技术是一种具有高密度和高可靠性的芯片排列方式。
通过将多个芯片整合在一起，Array技术能够提高芯片的集成度和性能，从而广泛应用于集成电路、半导体和传感器等领域。
amoled array工艺流程
AMOLED Array工艺流程
AMOLED Array工艺流程主要包括以下几个步骤：
1.清洗：在开始制作AMOLED显示屏之前，需要对硅片进行清洗，以去除
表面的污垢和杂质。
2.涂覆光刻胶：在硅片表面涂覆一层光刻胶，作为掩膜，用于保护不需要进
行刻蚀的区域。
3.曝光：通过紫外线曝光的方式，将光刻胶上的图案转移到硅片上。
4.显影：使用化学试剂将曝光后的光刻胶去除，留下所需的图案。
5.刻蚀：使用化学或物理方法将硅片表面的材料去除，形成电路结构。
6.去胶：在完成刻蚀后，去除涂覆在硅片表面的光刻胶。
7.清洗和烘干：最后进行清洗和烘干，去除残留的化学物质和杂质，为后续
的工艺步骤做准备。
8.封装测试：最后，对制成的AMOLED显示屏进行封装和测试，确保其正
常工作。
以上是AMOLED Array工艺流程的基本步骤，具体工艺参数和细节可能会根据不同的制造厂商和生产工艺有所不同。
TFT-LCDARRAY,CELL,MODULE工艺技术介绍
时间/min
1000 800 600 400 200 0
1.节省时间：1462-1398=64min
2.节省设备：1套 InlinePR+曝光机
6
二、4Mask与5Mask工艺对比
5 Mask – D工程和I 工程
曝光
4 Mask – D/I 工程
曝光 DI-工艺
I-工艺
D1-WE
I-DE 曝光 D-工艺
SOURCE
电路部件 偏光板
P-SiNx
DRAIN
n+ a-Si
GLASS a-Si GATE
G-SiNx
3
一、 TFT的基本构造
接触孔 ITO像素电极 PI工程
C工程
SOURCE DRAIN D工程 P-SiNx
n+ a-Si a-Si I 工程 GATE
GLASS
G-SiNx
G工程
4
二、4Mask与5Mask工艺对比
干刻（DE)
刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的金属膜
刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的非金属膜
剥离
去掉残余的光刻胶8 Nhomakorabea洗净
卸料
周转盒
MS
传送装置 机械手 气刀
高压喷射
刷洗 药液喷淋 UV 传送装置
机械手
装料 9
洗净
ＵＶ 药液 刷子 高圧 ＭＳ Ａ／Ｋ
Ｐ Ｕ Ｖ
Ｄ Ａ
排 水
Ｐ 刷洗
Ｐ 高 压 喷射
纯 水
排 水 Ｍ Ｓ
Ｄ Ａ
药 液
洗净 功能
洗净对象 作 用
氧化分解 有机物 (浸润性改善) ＵＶ/Ｏ３
溶 解 有机物 溶 解
机械剥离 微粒子 (大径)
array工艺流程
array工艺流程
《array工艺流程》
array是一种常用于集成电路制造中的工艺流程，它通过在硅片上建立一系列完整的电子元件来实现功能。
array工艺流程经历了多个步骤，如光刻、薄膜沉积、化学腐蚀、离子注入和金属化等。
首先，array工艺流程的第一步是光刻。
在这一步骤中，光刻胶被涂覆在硅片表面，然后使用掩模和紫外线将图案转移到光刻胶上。
接着，将光刻胶进行烘烤，以确定图案的形状。
这一步骤是制造电子元件的重要基础，因为它决定了元件的尺寸和排列。
接下来是薄膜沉积。
在这一步骤中，薄膜材料如氧化物或氮化物被沉积在硅片表面。
这一步骤可以改变硅片的特性，使其具有导电、绝缘或半导体特性。
然后是化学腐蚀。
这一步骤利用化学液体来去除光刻胶之外的材料，从而形成所需的结构。
化学腐蚀可以精确地去除材料，因此在array工艺流程中扮演着非常重要的角色。
离子注入是下一个步骤，它用于改变硅片的导电性能。
在这一步骤中，离子被注入硅片中，从而改变其导电性能。
这一步骤可以使得硅片在特定区域具有不同的导电性能，从而实现电子元件的功能。
最后是金属化。
在这一步骤中，金属被沉积在硅片表面，以形成电子元件之间的连接。
金属化是array工艺流程中的最后一步，它使得电子元件能够进行电子信号的传输。
综合来看，array工艺流程是集成电路制造中非常重要的一环。
通过不同步骤的精确控制，可以实现各种电子元件的高度集成和功能实现。
因此，array工艺流程的技术和工艺水平直接影
响着集成电路产品的性能和品质。
Array工艺流程讲解-
SD 工艺
⇒ 1SD Wet Etch ⇒ 1SD Dry Etch ⇒ 2SD Wet Etch ⇒ 2SD Dry Etch ⇒ 剥离
工艺评价方式：CD、 Taper、 CD Loss、PI、MM
2W2D 工艺， B4 工艺特点
2.3 Process flow – SD Layer
SD 工艺
Array工艺SD&Active层 Etch工艺步骤
2W2D 模式 1W1D 模式
1st Wet Etch • Wet Etch设备
1st Wet Etch • Wet Etch设备
Ashing&Active Etch
• Dry Etch设备
Ashing&Active Etch
• Dry Etch设备
Channel SD层 • Wet Etch设备
Channel SD 层 • Dry Etch设备
Sputter：Mo/Al/Mo 工艺评价方法：RS
工艺评价方法：CD（W目e标t Etch 值± 1μm）、重合精度工艺评价方式：CD，Taper （Spec： ± 1μm）
光
光
2.3 Process flow – SD Layer
SD 工艺
FGI成膜 ⇒ Multi 成膜 ⇒
SD 成膜 ⇒ 涂光刻胶 ⇒ 曝光 ⇒ 显影
SDT Mask
Pre Clean FGI Dep Multi Dep Pre Clean SD Dep SDT Mask 1st Wet Etch ACT/Ashing 2nd Wet Etch N+ Etch SDT Strip
PVX Mask
PVX Dep PVX Mask PVX Etch PVX Strip
array工艺简介
第13页1/3共64页
B2 Project Team
Deposition --- PECVD
ACLS
Automatic Cassette Load Station
Transfer Chamber (X-Fer) Process Chamber
Load lock Chamber
第14页1/4共64页
Glass SUBSTRATE
CD BIAS ＝ | DICD – FICD | 说明：1、CD： Critical Dimension
DICD： Development Inspection CD，PR间距离（有PR） FICD： Final Inspection CD，刻蚀完后，无PR。 OL: 各mask之间对位的偏差。 2、干法刻蚀主要以垂直方式刻蚀，CD BIAS较小； 湿法刻蚀水平方向的刻蚀多于干法刻蚀，CD BIAS较大
第8页/8共64页
B2 Project Team
Thin-Film --- Sputter
1，Ar作为产生入射粒子的粒子源的理由：
---使用Ar，溅射率大； ---Ar是惰性气体，不活跃，稳定； ---Ar价格便宜； ---Ar容易得到高纯度的气体； ---安全性能好。
2，磁控溅射具有以下的特点： ---低压强；
移动精度由激光控制，曝光区 域由Masking Blade控制，Pattern 清晰度由UM，ARC，X-Mag控制
第21页2/1共64页
B2 Project Team
曝光机的功能以及硬件实现
PS 搭载 glass 进行曝光 曝光光带
动画演示
第22页2/2共64页
B2 Project Team
Etch
面板制造的主要工艺流程
面板制造的主要工艺流程1. 列阵工序（Array）：在玻璃基板上制造出TFT列阵的过程。
2. 成盒工序（Cell）：将TFT列阵基板与彩色滤光片基板拼合成液晶盒，并进一步加工成面板。
在这个阶段，TFT玻璃与彩色滤光片贴合在一起，但这个过程不简单，需要很多细节上的技术工作。
3. 模组组装工序（Module）：先在面板上贴附偏光片，再将面板与驱动芯片、印刷电路板等组件进行热压邦定，与面板上线路进行连接，最后搭配背光源组合形成模组组件。
4. 检测工序（Test）：对模组组件进行光学、电学以及外观检测，确保面板性能达标并且无瑕疵。
这个阶段中，需要使用到一系列的测试设备和工具，以及专业的检测技术。
5. 包装工序（Packing）：将检测合格的面板进行包装，以便于客户提货和使用。
包装不仅要保护面板不受损伤，还要考虑到运输和储存的方便性。
6. 老化测试工序（Aging Test）：在这个阶段，面板会经过一系列的环境和性能测试，例如温度循环测试、湿度测试、耐久性测试等，以确保其在实际使用环境中能够稳定工作。
这个阶段是确保产品质量的关键步骤，也是产品上市前的必要环节。
7. 清洁与检验工序（Cleaning and Inspection）：对成品进行最后的清洁和检验，以确保面板上无残留物、无损伤，并且满足客户的验收标准。
这个阶段中，专业的检验技术和设备也是必不可少的。
8. 出货工序（Delivery）：将经过清洁和检验的面板按照客户的要求进行出货，这个阶段需要严格遵守运输和储存规定，以确保产品在交付客户之前不受损失或损坏。
9. 质量跟踪与改进工序（Quality Tracking and Improvement）：在面板制造过程中，对每个环节的质量进行跟踪和记录是至关重要的。
通过收集和分析生产过程中的数据，可以发现潜在的问题并进行改进，提高生产效率和产品质量。
10. 定期维护与保养（Regular Maintenance）：面板制造设备需要定期进行维护和保养，以确保生产过程中的稳定性和可靠性。
array工艺流程简单介绍
array工艺流程简单介绍英文回答：Array processing is a technique used in various industries to improve efficiency and productivity. It involves organizing and managing a series of tasks or steps in a specific order to achieve a desired outcome. In the context of manufacturing, array processing refers to the sequential execution of operations on a set of similar products or components.Let me give you an example to illustrate how array processing works. Imagine a factory that produces smartphones. The assembly line is divided into several stations, each responsible for a specific task. The first station may be responsible for attaching the screen to the body, the second station for installing the battery, and so on. With array processing, instead of completing one smartphone at a time, the factory workers would work on multiple smartphones simultaneously. For instance, they mayattach screens to five smartphones at once, then move on to installing batteries on another set of five smartphones,and so on.This approach offers several advantages. First, it reduces idle time and maximizes resource utilization. By working on multiple products simultaneously, the workerscan keep the production line running smoothly withoutwaiting for each individual product to be completed. Second, it improves consistency and quality control. Since the workers are focused on a specific task, they can becomemore proficient and efficient in performing that task. This helps to minimize errors and ensure consistent quality across all products.Now let's switch to Chinese to provide a summary of the above explanation.中文回答：Array工艺流程是一种用于提高效率和生产力的技术。
TFT-LCD制造技术-Array工艺
05
Array工艺面临的挑战与解 决方案
工艺复杂度与良品率
挑战
TFT-LCD Array工艺涉及多个复杂步骤，如薄膜沉积、光刻、刻蚀等，每个步 骤都可能影响最终产品的良品率。
解决方案
采用先进的生产设备和工艺控制技术，提高工艺稳定性和重复性，减少缺陷和 不良品。
材料成本与供应链
挑战
TFT-LCD制造过程中使用的材料成本较高，且供应链管理难度大，容易受到外部 因素影响。
Array工艺的流程
清洗与涂覆
对玻璃基板进行清洗，并涂覆一层光刻胶 ，作为掩膜。
测试与修复
对TFT阵列进行测试和修复，确保每个像 素电极正常工作。
曝光与显影
通过曝光机将掩膜上的图形转移到光刻胶 上，然后进行显影，形成初步的TFT结构 。
去胶与剥离
去除光刻胶，并对TFT阵列进行剥离，得 到独立的TFT器件。
结论
Array工艺在该公司得到了成功应用， 为TFT-LCD制造技术的发展提供了有 益的参考。
某新型Array工艺的研究进展
研究背景 随着消费者对TFT-LCD显示产品 画质和性能要求的提高，新型 Array工艺的研究变得尤为重要。
结论 该研究为TFT-LCD制造技术的进 一步发展提供了理论支持和技术 储备。
03
清洗技术的选择和应用需要根据具体 工艺需求进行优化和调整，以确保基 板表面的清洁度。
04
Array工艺的发展趋势
高分辨率显示技术
4K和8K分辨率
随着消费者对高清晰度显示的需求增 加，TFT-LCD面板正朝着更高的分辨 率发展，如4K和8K。这需要更精细 的像素设计和更先进的制程技术来实 现。
窄边框设计
为了实现更薄的、无边框的显示器外 观，Array工艺需要进一步优化，以减 小边框宽度，提高屏占比。
Array制程及设备介绍
2.3.2 TN像素结构及制作工艺流程-Island Mask 2：SE (岛状半导体形成)
A
Source Drain α-Si
Gate
A
ITO CH Gate insulator
A’
A
A’
1. 成膜SiNx 2. 成膜后洗净 3. 成膜SiNx/a-Si/n+Si 4. 光阻涂布/曝光/显影 5. 蚀刻(DRY) 6. 光阻去除 7. 检查
2.4
像素形成的过程
3
Array面板重要指标
Pixel Matrix
TFT 特性
面板 特性
所有像素点阵保持一致的电特性和显示特性
电子迁移率Mobility 临界电压Vth 开关比Ion/Ioff
开口率： (1)TFT Size; (2) Line CD(Critical dimension) (3)Cst; (4) 上下基板对位误差；(5)Disclination of LC
低hillock(毛刺凸起) 低阻、barrier性能
Pixel RE
ITO
像素电极导电材料
4.1.2.1 PECVD
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
（等离子体增强型化学气相沉积）
利用等离子体辅助活化反应气体，降低反应温度，改善薄膜质量。
Process Gas
plasma assisted Chemical reaction
Thin Film
4
Array设备及工艺简介
Gate TFT
Pixel Cs
COM
B’ Data
Source Drain α-Si
Gate
A
array工艺流程
array工艺流程Array工艺流程是指将半导体芯片的电路结构通过一系列工艺步骤逐渐建立起来的过程。
通常包括晶圆加工、光刻、沉积、蚀刻、清洗等多个环节。
下面将详细介绍一下Array工艺流程的各个步骤及其重要性。
首先是晶圆加工。
晶圆加工是将制造芯片所需的电路结构在硅片上进行刻印和形成。
这一步骤的关键工艺是化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)。
CVD是通过化学反应将气体沉积到晶圆表面上，形成所需的结构；而PVD是通过物理方式将有用元素沉积到晶圆表面。
这两种工艺在晶圆加工过程中是非常重要的，能够实现对晶圆表面进行修饰和成型。
然后是光刻。
光刻是将芯片上所需的电路图案通过光刻胶印在晶圆上的过程。
光刻工艺中使用的设备主要有光刻机和掩膜。
光刻机利用光刻胶对晶圆进行曝光和显影，形成所需的图案。
掩膜则是一张覆盖在晶圆上的玻璃板，上面有了所需的电路图案，可以指导光刻机进行曝光。
光刻过程具有精度高、适应性强的特点，是芯片制造中非常重要的工艺步骤。
接下来是沉积。
沉积是将芯片上所需的金属或化合物材料沉积到晶圆上的过程。
沉积工艺中使用的设备主要有化学气相沉积设备和物理气相沉积设备。
化学气相沉积设备可以将金属气体或化合物气体沉积到晶圆上，形成所需的金属或化合物薄膜；物理气相沉积设备则是通过物理方法将金属或化合物材料沉积到晶圆上。
沉积工艺在芯片制造中起着非常重要的作用，可以实现对晶圆表面进行修饰和成型。
然后是蚀刻。
蚀刻是将晶圆上不需要的结构或物质通过化学或物理方法进行去除的过程。
蚀刻工艺中主要使用的设备有湿蚀刻设备和干蚀刻设备。
湿蚀刻设备是通过酸性或碱性溶液将晶圆上的杂质或不需要的结构腐蚀掉；干蚀刻设备则是利用高能粒子束将晶圆上的杂质或不需要的结构腐蚀掉。
蚀刻工艺能够实现对晶圆上的结构精确的控制和去除，是芯片制造中非常重要的一环。
最后是清洗。
清洗是将芯片制造过程中产生的杂质或污染物从晶圆上清除的过程。
清洗工艺中主要使用的设备有超纯水设备和化学清洗设备。
Array工艺过程ppt
测量与检验
测量与检验的必要性
确保Array工艺过程中的各项参 数符合要求，提高成品率。
测量与检验的方法
使用各种测试仪器对Array芯片 进行电学性能测试、缺陷检测、 可靠性验证等。
测量与检验在Array 工艺中的应用
在各个工艺步骤之后及整个 Array工艺流程结束后进行测量 与检验，及时发现并纠正问题， 提高芯片的成品率和可靠性。
随着科技的不断进步，Array工艺的技术要求和复杂度也在不 断增加，因此需要不断研究和优化。
目的和意义
1
介绍Array工艺的基本原理、技术特点和优势， 以及在现代化电子产品中的应用。
2
分析当前Array工艺的技术瓶颈和挑战，提出可 行的解决方案和发展方向。
3
为相关企业和研究机构提供参考和指导，推动 Array工艺技术的不断进步和发展。
薄膜沉积技术在Array工艺中的应用
用于制造半导体器件的各类薄膜，如金属电极、半导体材料、绝缘介质等。
光刻技术
01
光刻技术的原理
利用光敏胶层在光照下的固化特性， 将掩膜板上的图形复制到硅片上。
02
光刻技术的分类
接触式光刻、接近式光刻、扫描投影 式光刻等。
03
光刻技术在Array工 艺中的应用
用于制造半导体器件的各个工艺步骤 中，如划片、热处理、掺杂等。
Array工艺的优势与局限
• 优势 • 制造精度高，可制造出微小、高精度的电路和器件。 • 集成度高，可将大量器件和电路集成在一块芯片上，提高系统的性能和功能。 • 可靠性高，经过严格的质量控制和测试，可保证产品的稳定性和可靠性。 • 局限 • 制造成本高，由于需要使用昂贵的设备和材料，导致制造成本较高。 • 技术难度大，需要经过长时间的技术积累和研发才能掌握。
《教学分析》-Array工艺过程
二、 Clean工艺简介
Wet Cleaning Spray Shower Aqua-knife Shower Brush Cleaning
Ultra Sonic Mega Sonic bubble Jet Cleaning Detergent cleaning
Glass Backing
TargetPlate
Magnet Bar
共同板
TM 值 ： Target-Magnet 间 距 离
TM 值 对 溅 射 的 影 响 非 常 大 ， 而 随 着 Target的使用，Target会变薄，从而使TM 值变小，这时往往表现为Rs均匀性变差。 这就要求Magnet Bar随着Target的使用量 而进行相应的调整。刚换完靶材后，TM值 比较小，当靶材消耗到一定程度后，需要适 当调整TM值，从而改善Rs均匀性。
质量控制中的Rs和PI为经常测试项目，Thickness和Stress为非经常测试项目。
三、 Sputter工艺简介
溅射功率： 溅射功率主要由直流电源提供。针对不同的工艺可以设定不同的溅射功率。 镀膜的时候，采用恒功率溅射。一定时间内，如果溅射功率越大，沉膜效率 就越高。
溅射时间：一定功率时，若溅射时间越长，成膜厚度越厚。但是考虑到金属膜 溅射后的应力都比较大，因此溅射时间不宜太长。
PECVD 绝缘四膜、、有PE源CV膜D成膜机理 工艺简介
---成膜机理 (1) SiNX绝缘膜：通过SiH4与NH3混合气体作为反应气体, 辉光放电生成等离子体
在衬底上成膜。 (2) a-Si:H有源层膜：SiH4气体在反应室中通过辉光放电，经过一系列初级、次级反应，生
《TFTArray工艺》课件
推广使用环保材料和工艺，减少对环境的污染和 破坏，实现绿色生产。
THANKS
感谢观看
TFT-Array 工艺定义
TFT-Array 工艺是一种用于制造薄膜晶体管（TFT）的有源矩阵液晶显示面板的工艺 技术。
它涉及到在玻璃基板上形成多个薄膜晶体管，每个晶体管与液晶显示单元相关联， 以控制像素的开关状态。
TFT-Array 工艺是液晶显示面板制造的关键环节，决定了显示面板的性能和成本。
TFT-Array 工艺的发展对于推动 显示行业的技术创新、降低成本 和提高市场竞争力具有重要意义
。
02
TFT-Array 工艺流程
制作玻璃基板
总结词
提供制作基础
详细描述
制作玻璃基板是TFT-Array工艺流程的第一步，为后续的工艺流程提供基础。
镀膜
总结词：形成薄膜
详细描述：通过镀膜工艺，在玻璃基板上形成一层或多层薄膜，这些薄膜具有不 同的功能和特性。
利用TFT-Array工艺，可以制作出轻薄、可弯曲的柔 性显示屏，为未来电子产品的发展提供了新的可能性
。
在可穿戴设备、智能家居等领域，柔性显示的应用将 越来越广泛。
06
TFT-Array 工艺的挑战与解决方案
技术挑战
像素密度提升
随着显示分辨率的提高，像素密 度逐渐增加，对TFT-Array工艺提
TFT-Array 工艺发展历程
1970年代
TFT-Array 工艺的初步探索和研究阶段，主要关注晶体管的材料和制 程研究。
1980年代
TFT-Array 工艺进入商业化应用阶段，开始应用于小型电子计算器等 产品。
1990年代
随着液晶显示技术的快速发展，TFT-Array 工艺不断改进，广泛应用 于电视、显示器和笔记本电脑等领域。
Array工艺过程
(1) a-Si:H： 低隙态密度、深能级杂质少、高迁移率、暗态电阻率高
(2) a-SiNx:H：i.作为介质层和绝缘层，介电常数适中，耐压能力强，电阻率高，固定电荷 少，稳定性好，含富氮材料，针孔少，厚度均匀。ii.作为钝化层，密度较高，针孔少。
(3) n+ a-Si：具有较高的电导率，较低的电导激活能，较高的参杂效率，形成微晶薄膜。
干法刻蚀：
利用真空气体和RF Power 生成的Gas Plasma反应产生原子和 原子团，该原子和原子团与淀积在基板上的物质反应生成挥发性 物质或者发生碰撞。利用该原理可进行干法刻蚀。
Six sigma for working smarter
Page 24
六、 Etch工艺简介
各向同性 vs. 各向异性
Coat
此过程通过Track机单元来实现。
Six sigma for working smarter
Page 19
五、 Photo工艺简介
(2) 曝光Exposure Exposure
品质、速度、团队
mask
通过Mask的遮光作用，有选择性的将光刻胶感光。 此过程通过曝光机来实现。
Six sigma for working smarter
Page 11
三、 Sputter工艺简介
品质、速度、团队
质量控制： Rs测量的是薄膜的电学性能，测量仪器为4探针设备（4-probe）。控制值为
Rs平均值（单位为方块电阻），均匀性。
PI是采用光学的方法测量薄膜上的defect，主要为Dep中产生的particle数量， Gate要求小于50ea,SD要求小于100ea，ITO要求小于150ea.
Page 16
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
Six sigma for working smarter
Page 10
三、 Sputter工艺简介
品质、速度、团队
Glass Backing
TargetPlate
Magnet Bar
共同板
Six sigma for working smarter
TM 值 ： Target-Magnet 间 距 离
Thickness是采用机械的方法测量薄膜厚度，测量仪器为a-step设备。它是检测 非透明薄膜厚度的常用手段。Sputter所dep的三层薄膜均可以用a-step设备来测试。 另外，由于ITO为透明膜，它也可以用光学方法来测试。
Stress测量的是薄膜应力，薄膜应力太大，容易引起玻璃基板弯曲乃至broken。
无机污染膜
气体，排管中的金属不纯物的 贴附
纯水，药液中的不纯物离子的 吸附
自然氧化膜的形成
品质、速度、团队
清洗方法 BRUSH US, CJ
MS
洗剂 UV MS
超纯水 化学清洗剂
Six sigma for working smarter
Page 6
二、 Clean工艺简介
品质、速度、团队
•Initial cleaner
ITO
GATE
GLASS
GATE
GLASS
Page 8
三、 Sputter工艺简介
品质、速度、团队
Sputter是通过DC Power形成Plasma,具有高能量的Gas Ion 撞击Target表面,粒子从Target表面射出并贴附到基板表面的工 程。
Six sigma for working smarter
溅射时间：一定功率时，若溅射时间越长，成膜厚度越厚。但是考虑到金属膜 溅射后的应力都比较大，因此溅射时间不宜太长。
品质、速度、团队
Dry Cleaning Excimer UV O3(ozone) Asher
Plasma
Six sigma for working smarter
Page 5
二、 Clean工艺简介
种类 贴附粒子
例子
铝、不锈钢、玻璃 塑料
头屑、毛发、线
有机污染膜
油、指纹、残余物 空气、气体中有机物蒸汽 洗剂（界面活性剂）残余物等
Six sigma for working smarter
Page 2
品质、速度、团队
一. Array工艺流程简介
品质、速度、团队
沉积
清洗
PR涂附
曝光
显影
刻蚀 Wet Etch
PR剥离
检查
Dry Etch
成膜 / Pattern工程详细图 (Deposition & Patterning Process in Detail)
Page 7
三、 Sputter工艺简介
品质、速度、团队
Sputter和PECVD在Array的5Mask工艺中，共同承担 了各个 Mask的第一步主要工序---成膜。
Sputter用于做金属膜和ITO膜：
➢Gate
➢S/D ➢ITO
Six sigma for working smarter
Mo)
在所有的玻璃基板拆包装后进入生产线之前所必须进 行的清洗； •Pre dep cleaner
在成膜之前经常要进行的清洗； 主要清洗strip之后残留的particle； •Docking cleaner 在PECVD成膜之间进行的一步清洗； 去除PECVD高速沉积所留下的particle；
Six sigma for working smarter
TM 值 对 溅 射 的 影 响 非 常 大 ， 而 随 着 Target的使用，Target会变薄，从而使TM 值变小，这时往往表现为Rs均匀性变差。 这就要求Magnet Bar随着Target的使用量 而进行相应的调整。刚换完靶材后，TM值 比较小，当靶材消耗到一定程度后，需要适 当调整TM值，从而改善Rs均匀性。
质量控制中的Rs和PI为经常测试项目，Thickness和Stress为非经常测试项目。
Six sigma for working smarter
Page 12
三、 Sputter工艺简介
品质、速度、团队
溅射功率： 溅射功率主要由直流电源提供。针对不同的工艺可以设定不同的溅射功率。 镀膜的时候，采用恒功率溅射。一定时间内，如果溅射功率越大，沉膜效率 就越高。
Page 9
三、 Sputter工艺简介
Sputter关键控制要素
工艺参数： 本底真空和压力上升，气体压力和气体流量， 溅射功率和溅射时间，加热温度，TM值
质量控制（方法）： Rs(方块电阻)， PI(测量particle数量)， Thickness(薄膜厚度)，Stress(薄膜应力)
品质、速度、团队
Six sigma for working smarter
Page 4
二、 Clean工艺简介
Wet Cleaning Spray Shower Aqua-knife Shower Brush Cleaning
Ultra Sonic Mega Sonic bubble Jet Cleaning Detergent cleaning
Page 11
三、 Sputter工艺简介
品质、速度、团队
质量控制： Rs测量的是薄膜的电学性能，测量仪器为4探针设备（4-probe）。控制值为
Rs平均值（单位为方块电阻），均匀性。
PI是采用光学的方法测量薄膜上的defect，主要为Dep中产生的particle数量， Gate要求小于50ea,SD要求小于100ea，ITO要求小于150ea.
Six sigma for working smarter
Page 3
二、Clean工艺简介
品质、速度、团队
目的： 除去基板表面影响成膜的具有物理特性、化学特性、电学特性 的异物及基板表面附着的灰尘、油份、自然氧化物等等，露出干 净的膜层及洁净的质地，此外还可以除去成膜后的表面灰尘、异 物等。
的:Glass输入时,去除残留的Particle和Metal/有机物等
for working Smarter
Array工艺技术
品质/客户服务部
BOEOT QA/OQA 2009 . 05 . 06.
Page 1
目录
一、Array工艺流程简介 二、Clean工艺简介 三、Sputter工艺简介 四、PECVD工艺简介 五、 Photo工艺简介 六、 Etch工艺简介 七、 Strip工艺简介 八、4 Mask和5 Mask比较 九、4Mask工艺流程