Array工艺原理及工程检查-检查
合集下载
Array工艺设备介绍
Light Photo Mask
Photo Resist
Thin Film
Glass
PR coating
Photo Resist Thin Film Glass
Exposure
Develop
涂覆前基板表面处理：清洗等
感光树脂涂覆、干燥
Clean
DB
COATER VCD
SB
TCU
Indexer
AOI
HB
感光性树酯涂覆： 1）感光树酯涂布
2） 减压干燥
Photo Resist
Coating Nozzle Glass
3）加热干燥
20
Hot Plate Hot Plate
Exposure
曝光：利用紫外光经过Mask照射到Plate上，使PR胶感光，形成特定的图案。
Canon：Mirror Scan
凹面镜 凸面镜
Exposure
利用紫外光，按照Mask图案对PR进行曝光， 以便后续显影成像
Etch 刻蚀
Dry Etch Wet Etch
利用反应气体干法刻蚀非 金属或金属
Wet Etch
Strip
Initial Clean
利用化学药液如酸湿 法刻蚀金属
利用化学药液将残留 PR胶剥离
投玻璃处对Glass进行 清洗
Al/Cu
Sputtering Chamber (SP5) Sputtering Chamber (SP4) Sputtering Chamber (SP3) Heater Chamber L/UL Chamber L/UL Position
Mo/Cu
Metal Sputter：4 Sputtering Chamber 对应大尺寸 TV产品Gate & SD膜厚增加
Photo Resist
Thin Film
Glass
PR coating
Photo Resist Thin Film Glass
Exposure
Develop
涂覆前基板表面处理：清洗等
感光树脂涂覆、干燥
Clean
DB
COATER VCD
SB
TCU
Indexer
AOI
HB
感光性树酯涂覆： 1）感光树酯涂布
2） 减压干燥
Photo Resist
Coating Nozzle Glass
3）加热干燥
20
Hot Plate Hot Plate
Exposure
曝光：利用紫外光经过Mask照射到Plate上，使PR胶感光，形成特定的图案。
Canon：Mirror Scan
凹面镜 凸面镜
Exposure
利用紫外光，按照Mask图案对PR进行曝光， 以便后续显影成像
Etch 刻蚀
Dry Etch Wet Etch
利用反应气体干法刻蚀非 金属或金属
Wet Etch
Strip
Initial Clean
利用化学药液如酸湿 法刻蚀金属
利用化学药液将残留 PR胶剥离
投玻璃处对Glass进行 清洗
Al/Cu
Sputtering Chamber (SP5) Sputtering Chamber (SP4) Sputtering Chamber (SP3) Heater Chamber L/UL Chamber L/UL Position
Mo/Cu
Metal Sputter：4 Sputtering Chamber 对应大尺寸 TV产品Gate & SD膜厚增加
Array工艺设备介绍
ITO Sputter：1 Sputtering Chamber
14
GPCS (General Process Control System)
PECVD
PECVD：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
PECVD采用13.56MHZ射频电源使含有薄膜组成原子的气体电离，形成等离子体，在基板上反应，沉积薄膜。在TFT工 艺中，PECVD主要进行FGI、MULTI及PVX Film沉积。
Process Chamber
Transfer Module
P/C-2
P/C-1
T/M
高真空 P/C-3
Load Lock ATM Arm Indexer
L/L
真空大气 之间转化
大气机械手
USC
Port 1 Port 2 Port3
L/L: 连接真空和大气压的一 个Chamber。Glass进入此 Chamber以后，Valve关闭， 开始抽真空。
9
Sputter
Sputter的作用： Sputter在Array工艺中负责进行Gate, S/D 以及ITO Layer的溅射镀膜。
a-Si
SD(Source)
SD(Drain)
PVX(Passivation SiNx )
VIA Hole
ITO
GI(Gate Insulator)
n+ a-Si
Gate
Exposure
利用紫外光，按照Mask图案对PR进行曝光， 以便后续显影成像
Etch 刻蚀
Dry Etch Wet Etch
利用反应气体干法刻蚀非 金属或金属
Wet Etch
Strip
14
GPCS (General Process Control System)
PECVD
PECVD：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
PECVD采用13.56MHZ射频电源使含有薄膜组成原子的气体电离，形成等离子体，在基板上反应，沉积薄膜。在TFT工 艺中，PECVD主要进行FGI、MULTI及PVX Film沉积。
Process Chamber
Transfer Module
P/C-2
P/C-1
T/M
高真空 P/C-3
Load Lock ATM Arm Indexer
L/L
真空大气 之间转化
大气机械手
USC
Port 1 Port 2 Port3
L/L: 连接真空和大气压的一 个Chamber。Glass进入此 Chamber以后，Valve关闭， 开始抽真空。
9
Sputter
Sputter的作用： Sputter在Array工艺中负责进行Gate, S/D 以及ITO Layer的溅射镀膜。
a-Si
SD(Source)
SD(Drain)
PVX(Passivation SiNx )
VIA Hole
ITO
GI(Gate Insulator)
n+ a-Si
Gate
Exposure
利用紫外光，按照Mask图案对PR进行曝光， 以便后续显影成像
Etch 刻蚀
Dry Etch Wet Etch
利用反应气体干法刻蚀非 金属或金属
Wet Etch
Strip
array工艺技术
array工艺技术Array技术是一种将小尺寸的芯片排列在芯片表面的工艺技术。
这种技术的出现极大地提高了芯片制造过程的效率和可靠性。
本文将介绍Array工艺技术的原理、特点以及在电子领域的应用。
Array工艺技术的原理是将多个芯片按照一定的规则排列在芯片表面，从而形成一个整体系统。
这种排列方式可以是二维的，也可以是三维的。
在二维的排列方式中，芯片被平铺在一个平面上，而在三维的排列方式中，芯片被垂直堆叠。
无论是二维还是三维，Array技术都能够大大提高芯片的集成度。
Array工艺技术的特点之一是高密度。
由于采用了多芯片排列的方式，Array工艺技术能够在有限的空间内容纳大量的芯片。
这样一来，就能够大大提高芯片的集成度，使得整个系统更为紧凑和高效。
其次，Array工艺技术具有高可靠性。
由于多个芯片被整合在一个整体系统中，即使出现了部分芯片出现问题的情况，整个系统依然能够正常运行。
这是因为Array技术通过冗余设计来解决芯片故障的问题。
当一个芯片发生故障时，系统可以自动切换到其他正常工作的芯片上，从而保证整个系统的正常运行。
Array工艺技术在电子领域有着广泛的应用。
首先是在集成电路领域的应用。
通过Array技术，可以将多个相同或不同的芯片整合在一个系统中，从而形成功能更为复杂的集成电路。
这种方式不仅提高了系统的性能，同时也节省了空间和成本。
其次是在半导体领域的应用。
由于Array技术能够将多个芯片垂直堆叠在一起，从而得到更高的存储容量和速度。
这种方式在存储器领域得到了广泛应用，成为提高存储器性能的重要手段。
此外，Array工艺技术还在传感器领域有着重要的应用。
通过将多个传感器整合在一起，可以提高传感器的灵敏度和准确性。
这种方式在人脸识别、指纹识别和生物医学领域等都得到了广泛应用。
总之，Array工艺技术是一种具有高密度和高可靠性的芯片排列方式。
通过将多个芯片整合在一起，Array技术能够提高芯片的集成度和性能，从而广泛应用于集成电路、半导体和传感器等领域。
合肥京东方array检测科工作内容
合肥京东方array检测科工作内容一、概述合肥京东方array检测科是京东方公司在合肥设立的一个科研团队，致力于研究和开发液晶显示器的array检测技术。
本文将详细介绍合肥京东方array检测科的工作内容。
二、array检测技术简介2.1 液晶显示器array结构液晶显示器是由一系列排列成矩阵的像素组成的，每个像素由一个液晶单元和一个驱动电路组成。
这些像素按照一定的规律排列在显示面板上，形成一个称为array 的结构。
2.2 array检测的重要性array检测是液晶显示器生产过程中的一项关键技术，它能够对显示面板上的每个像素进行检测和修正，确保显示效果的一致性和稳定性。
同时，array检测还可以提高液晶显示器的生产效率和降低不良品率。
三、array检测科的工作内容3.1 array检测算法研究为了实现对液晶显示器array的检测，合肥京东方array检测科的研究人员致力于开发高效准确的array检测算法。
他们研究和探索各种图像处理和模式识别技术，通过对array图像的处理和分析，提取出关键的检测特征，从而实现对array的自动检测和修正。
3.2 array检测系统开发合肥京东方array检测科的工作还包括开发array检测系统。
他们设计和实现了一套完整的array检测系统，包括硬件设备和软件平台。
该系统能够自动采集array 图像，并通过前面提到的array检测算法进行图像处理和分析，最终得出array的检测结果。
3.3 array检测技术应用合肥京东方array检测科的工作不仅仅停留在研究和开发阶段，他们还将array检测技术应用到实际生产中。
通过与液晶显示器生产线的对接，他们将array检测系统整合到生产流程中，实现对每个液晶显示器array的自动检测和修正。
四、array检测科的成果与影响4.1 科研成果合肥京东方array检测科的研究人员在array检测技术方面取得了一系列的科研成果。
Array工艺流程讲解-
SD 工艺
⇒ 1SD Wet Etch ⇒ 1SD Dry Etch ⇒ 2SD Wet Etch ⇒ 2SD Dry Etch ⇒ 剥离
工艺评价方式：CD、 Taper、 CD Loss、PI、MM
2W2D 工艺， B4 工艺特点
2.3 Process flow – SD Layer
SD 工艺
Array工艺SD&Active层 Etch工艺步骤
2W2D 模式 1W1D 模式
1st Wet Etch • Wet Etch设备
1st Wet Etch • Wet Etch设备
Ashing&Active Etch
• Dry Etch设备
Ashing&Active Etch
• Dry Etch设备
Channel SD层 • Wet Etch设备
Channel SD 层 • Dry Etch设备
Sputter：Mo/Al/Mo 工艺评价方法：RS
工艺评价方法：CD（W目e标t Etch 值± 1μm）、重合精度工艺评价方式：CD，Taper （Spec： ± 1μm）
光
光
2.3 Process flow – SD Layer
SD 工艺
FGI成膜 ⇒ Multi 成膜 ⇒
SD 成膜 ⇒ 涂光刻胶 ⇒ 曝光 ⇒ 显影
SDT Mask
Pre Clean FGI Dep Multi Dep Pre Clean SD Dep SDT Mask 1st Wet Etch ACT/Ashing 2nd Wet Etch N+ Etch SDT Strip
PVX Mask
PVX Dep PVX Mask PVX Etch PVX Strip
TFT-LCD制造技术-Array工艺
05
Array工艺面临的挑战与解 决方案
工艺复杂度与良品率
挑战
TFT-LCD Array工艺涉及多个复杂步骤，如薄膜沉积、光刻、刻蚀等，每个步 骤都可能影响最终产品的良品率。
解决方案
采用先进的生产设备和工艺控制技术，提高工艺稳定性和重复性，减少缺陷和 不良品。
材料成本与供应链
挑战
TFT-LCD制造过程中使用的材料成本较高，且供应链管理难度大，容易受到外部 因素影响。
Array工艺的流程
清洗与涂覆
对玻璃基板进行清洗，并涂覆一层光刻胶 ，作为掩膜。
测试与修复
对TFT阵列进行测试和修复，确保每个像 素电极正常工作。
曝光与显影
通过曝光机将掩膜上的图形转移到光刻胶 上，然后进行显影，形成初步的TFT结构 。
去胶与剥离
去除光刻胶，并对TFT阵列进行剥离，得 到独立的TFT器件。
结论
Array工艺在该公司得到了成功应用， 为TFT-LCD制造技术的发展提供了有 益的参考。
某新型Array工艺的研究进展
研究背景 随着消费者对TFT-LCD显示产品 画质和性能要求的提高，新型 Array工艺的研究变得尤为重要。
结论 该研究为TFT-LCD制造技术的进 一步发展提供了理论支持和技术 储备。
03
清洗技术的选择和应用需要根据具体 工艺需求进行优化和调整，以确保基 板表面的清洁度。
04
Array工艺的发展趋势
高分辨率显示技术
4K和8K分辨率
随着消费者对高清晰度显示的需求增 加，TFT-LCD面板正朝着更高的分辨 率发展，如4K和8K。这需要更精细 的像素设计和更先进的制程技术来实 现。
窄边框设计
为了实现更薄的、无边框的显示器外 观，Array工艺需要进一步优化，以减 小边框宽度，提高屏占比。
Array 工艺技术基础
DICD:6.5±1.5um FICD:9.5±2.0um OL:1.5um
DICD:14.0±1.0um FICD:16.0±1.0um OL:1.5um
CD机（critical dimension）主要测试mask后各种CD（包括DICD和FICD）和OL。
‹#›
B2 Project Team
Etch Process Isotropic & Anisotropic
‹#›
B2 Project Team
Deposition --- PECVD
GAS IN
~
RF Power 13.56MHz
Diffuser Plasma
SiH4,NH3 PH3
Glass
Susceptor
GAS OUT 4EA GND
Process chamber
‹#›
B2 Project Team
‹#›
B2 Project Team
Process Chamber结构示意图 Chamber结构示意图
Process Gas 上部电极 Plasma 下部电极 Matching Box RF Generator 慢抽管 Chiller
Cut Off
相关部件
RF Generator Matching Box MFC Chiller CM APC TMP And Dry Pump Cut Off Radio Frequency Generator, ¤ 供高频 供高频
‹#›
B2 Project Team
SputterSputter-SP Chamber
Sputter Chamber的主要构成有： ---Platen：用来放玻璃基板（Gate 有2个,SD、ITO为1个） ---Cathode： 包括Target 、Shield 、Magnet Bar等构成部分 ---Motor: 有Plate转动的Motor 、Plate 升降的Cylinder、Cathode开关的Motor 、 Magnetic Bar运动的Motor等。
array360全自动特定蛋白分析仪原理及常见故障检修
2.1 检测原理
ARRAY360 系统的测定原理是通过检测悬浮于缓冲液
设计容易，但受入射光影响大
灵敏度低。
中的抗原与相应抗体发生反应，在抗体过量的前提下，形
成免疫复合物颗粒。光 j原采用双光源腆化硅晶灯泡 (400
散射比;虫，测定散射光和浊度的关系。灵敏度较高，
但散射光因微粒大小和性质不同.可呈非均向散射，即不
个泵的性能状况，管路中有漏液及污物，致使光路部分污
染。处理对策是对机器进行仔细冲洗，擦拭光源、适销和 棱缸，并对光电池表面进行清洁。另外，检测电源电压是
否稳定，搅拌电机的转速是否达到要求。
其次，检查光;原本身是否可靠。光源供电电压失调、光
j原灯泡安装不合理、光源灯泡老化，是此类仪器的常见故
障。
3 .4故障现象四
阶段的散射光信号是由缓冲液产生的。第二阶段的散射
光信号是由加入稀释的抗原后出现略微增强的信号。最后
3. 增聚刑。在免疫反应中，为增强抗原抗体反应常使用增 聚剂，如 3 -4%的聚乙二醇等，利用其破坏抗原抗体的水
化层，促进其靠近反应，但如浓度不适合高了会影响其
加人抗体，形成免~复合物颗粒，出现第三阶段明显逐渐 增强的信号变化，直到反应达到终点。 仪器将反应初期之前的本底信号调成速率值等于 O
堵塞，若是管路问题应对其进行连接好， 堵塞部分加压导
其不能转换.也会导致此故障出现; (3)对五通阀内的转换 轴进行上油处理.使其润滑良好。注意在安装过程中螺丝
不能带的太紧，便五通阀不能转换 ω 如果有新的备件最好
ill" 然后对系统进行冲洗，重新定标。
总之，在日常的工作中加强对机器的维护和保养，是提 高设备使用率、完好率的 个重要保障，也是仪器设备经 常处于良好的技术状态和正常运转的必要条件。
阵列检查介绍 1
三、阵列检查设备
５、O/S short 的原理： 通过对给电侧施加200v的交流电压，给电端同基板的
距离十分接近（150μm±30μm），形成电容，这样电压 可以加到基板的线路，通过基板线路对交流信号的传送， 在受电端检出，通过对放大后的信号的处理和判定，可以 检出Open /Short缺陷。
AC Input ２００KHz
自动外观检查 激光切断 激光CVD
特性检查 ARRAY检查 激光切断 宏观外観
SFT：5Mask 工艺 G工程 Ｇ检查 I工程 D工程 D检查 C工程 PI工程 最終检查
O/S检ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ 自动外观检查 激光切断
自动外观检查 激光切断 激光CVD
特性检查 ARRAY检查 激光切断 宏观外観
三、阵列检查设备
设备原理
三、阵列检查设备
2、Array Test的原理：是PI工程完成后，使用Array检查装置对基板进 行电气特性检查。其检出原理是根据TFT的正负电压的变换而产生的二 次电子量进行检出，之后可以对检出的短路不良进行修复。如下图所示。
2、Array Test的原理：是PI工程完成后，使用Array 检查装置对基板进行电气特性检查。其检出原理是根据 TFT的正负电压的变换而产生的二次电子量进行检出，之
Laser CVD Repair Machine
FLAT PANEL O/S TEST OF MACHINE MACRO/MICRO CHECK OF MACHINE MACRO CHECK OF MACHINE AUTO MACRO CHECK OF MACHINE
三、阵列检查设备
1.AOI的检查原理: 是通过对相邻像素pattern的比较来检测是否有defect,原理 见下图。
Array工艺过程ppt
测量与检验
测量与检验的必要性
确保Array工艺过程中的各项参 数符合要求，提高成品率。
测量与检验的方法
使用各种测试仪器对Array芯片 进行电学性能测试、缺陷检测、 可靠性验证等。
测量与检验在Array 工艺中的应用
在各个工艺步骤之后及整个 Array工艺流程结束后进行测量 与检验，及时发现并纠正问题， 提高芯片的成品率和可靠性。
随着科技的不断进步，Array工艺的技术要求和复杂度也在不 断增加，因此需要不断研究和优化。
目的和意义
1
介绍Array工艺的基本原理、技术特点和优势， 以及在现代化电子产品中的应用。
2
分析当前Array工艺的技术瓶颈和挑战，提出可 行的解决方案和发展方向。
3
为相关企业和研究机构提供参考和指导，推动 Array工艺技术的不断进步和发展。
薄膜沉积技术在Array工艺中的应用
用于制造半导体器件的各类薄膜，如金属电极、半导体材料、绝缘介质等。
光刻技术
01
光刻技术的原理
利用光敏胶层在光照下的固化特性， 将掩膜板上的图形复制到硅片上。
02
光刻技术的分类
接触式光刻、接近式光刻、扫描投影 式光刻等。
03
光刻技术在Array工 艺中的应用
用于制造半导体器件的各个工艺步骤 中，如划片、热处理、掺杂等。
Array工艺的优势与局限
• 优势 • 制造精度高，可制造出微小、高精度的电路和器件。 • 集成度高，可将大量器件和电路集成在一块芯片上，提高系统的性能和功能。 • 可靠性高，经过严格的质量控制和测试，可保证产品的稳定性和可靠性。 • 局限 • 制造成本高，由于需要使用昂贵的设备和材料，导致制造成本较高。 • 技术难度大，需要经过长时间的技术积累和研发才能掌握。
《教学分析》-Array工艺过程
的:Glass输入时,去除残留的Particle和Metal/有机物等
二、 Clean工艺简介
Wet Cleaning Spray Shower Aqua-knife Shower Brush Cleaning
Ultra Sonic Mega Sonic bubble Jet Cleaning Detergent cleaning
Glass Backing
TargetPlate
Magnet Bar
共同板
TM 值 ： Target-Magnet 间 距 离
TM 值 对 溅 射 的 影 响 非 常 大 ， 而 随 着 Target的使用，Target会变薄，从而使TM 值变小，这时往往表现为Rs均匀性变差。 这就要求Magnet Bar随着Target的使用量 而进行相应的调整。刚换完靶材后，TM值 比较小，当靶材消耗到一定程度后，需要适 当调整TM值，从而改善Rs均匀性。
质量控制中的Rs和PI为经常测试项目，Thickness和Stress为非经常测试项目。
三、 Sputter工艺简介
溅射功率： 溅射功率主要由直流电源提供。针对不同的工艺可以设定不同的溅射功率。 镀膜的时候，采用恒功率溅射。一定时间内，如果溅射功率越大，沉膜效率 就越高。
溅射时间：一定功率时，若溅射时间越长，成膜厚度越厚。但是考虑到金属膜 溅射后的应力都比较大，因此溅射时间不宜太长。
PECVD 绝缘四膜、、有PE源CV膜D成膜机理 工艺简介
---成膜机理 (1) SiNX绝缘膜：通过SiH4与NH3混合气体作为反应气体, 辉光放电生成等离子体
在衬底上成膜。 (2) a-Si:H有源层膜：SiH4气体在反应室中通过辉光放电，经过一系列初级、次级反应，生
二、 Clean工艺简介
Wet Cleaning Spray Shower Aqua-knife Shower Brush Cleaning
Ultra Sonic Mega Sonic bubble Jet Cleaning Detergent cleaning
Glass Backing
TargetPlate
Magnet Bar
共同板
TM 值 ： Target-Magnet 间 距 离
TM 值 对 溅 射 的 影 响 非 常 大 ， 而 随 着 Target的使用，Target会变薄，从而使TM 值变小，这时往往表现为Rs均匀性变差。 这就要求Magnet Bar随着Target的使用量 而进行相应的调整。刚换完靶材后，TM值 比较小，当靶材消耗到一定程度后，需要适 当调整TM值，从而改善Rs均匀性。
质量控制中的Rs和PI为经常测试项目，Thickness和Stress为非经常测试项目。
三、 Sputter工艺简介
溅射功率： 溅射功率主要由直流电源提供。针对不同的工艺可以设定不同的溅射功率。 镀膜的时候，采用恒功率溅射。一定时间内，如果溅射功率越大，沉膜效率 就越高。
溅射时间：一定功率时，若溅射时间越长，成膜厚度越厚。但是考虑到金属膜 溅射后的应力都比较大，因此溅射时间不宜太长。
PECVD 绝缘四膜、、有PE源CV膜D成膜机理 工艺简介
---成膜机理 (1) SiNX绝缘膜：通过SiH4与NH3混合气体作为反应气体, 辉光放电生成等离子体
在衬底上成膜。 (2) a-Si:H有源层膜：SiH4气体在反应室中通过辉光放电，经过一系列初级、次级反应，生
合肥京东方array检测科工作内容
合肥京东方array检测科工作内容摘要：1.合肥京东方array检测科概述2.工作内容一：Array制程品质检测3.工作内容二：Array设备维护与保养4.工作内容三：品质改善与效率提升5.工作内容四：跨部门协同与技术支持6.合肥京东方array检测科工作成果及展望正文：合肥京东方是一家专注于显示器产业的知名企业，其array检测科在生产过程中发挥着至关重要的作用。
本文将详细介绍合肥京东方array检测科的工作内容。
首先，合肥京东方array检测科的主要职责是进行Array制程品质检测。
这一环节至关重要，因为array制程品质直接影响到最终显示器的性能和用户体验。
检测科工作人员会运用专业设备和技术，对生产过程中的array进行全面检测，确保产品品质达到企业标准。
其次，Array设备维护与保养也是合肥京东方array检测科的重要工作内容。
为了保证生产过程的稳定性和连续性，检测科工作人员需定期对Array设备进行维护和保养，及时发现并解决设备故障，降低设备故障率。
此外，品质改善与效率提升是合肥京东方array检测科持续关注的焦点。
通过不断优化检测流程、提高检测速度和准确率，以及引入新技术和方法，检测科工作人员致力于降低生产成本，提高生产效率，从而提升企业竞争力。
跨部门协同与技术支持也是合肥京东方array检测科的工作内容之一。
在生产过程中，array检测科需要与其他部门紧密协作，确保整个生产流程的顺利进行。
同时，检测科还需为其他部门提供必要的技术支持，协助解决技术问题。
综上所述，合肥京东方array检测科在品质检测、设备维护、品质改善、效率提升、跨部门协同和技术支持等方面发挥了关键作用。
TFTArray工艺
Wet Etching
Sputter工艺在生产工艺流程中的位置
剥离
2-2、Sputter
TFT中Sputter薄膜的种类和作用
D - Cr G1 - Al
PI - ITO G2 - Mo
类型 G配线 D配线 像素电极
名称 Al Cr ITO
作用 传递扫描信号 传递数据信号 存储数据信号
2-3、Sputter设备
机械剥离 微粒子 (中径)
水压
机械剥离
微粒子 (小径) 加速度
cavitation
1-2、洗净方法及原理概述
1、Ｄｒｙ洗浄
洗浄対象 有機物汚染
目的 密着力向上
濡れ性向上
2、Ｗｅｔ洗浄
無機物Ｐａｒｔｉｃｌｅ 有機物Ｐａｒｔｉｃｌｅ
Ｐａｒｔｉｃｌｅ除去
微小Ｇｌａｓｓ傷
微小Ｇｌａｓｓ傷除去
Ｔｏｏｌ UV／Ｏ３
烘
4-2、InlinePR
涂布前洗净
刷子
2流体
EBR处置
基板端面的光刻胶除去
N２ 洗浄液 排 气
预烘
光刻胶中的溶剂除去 →决议光刻胶感光速度
非接触式栓 加热盘
非接触方式→改善静电、 反面污染、热应力等方面
4-3、曝光
円弧状Ｓｌｉｔ Ｍａｓｋ
横倍率 台形 Ｍｉｒｒｏｒ
弓なり補正 Ｘ非線形
ＦｌｙＥｙｅ
9、反省与修复
项目 D检查
Layer Gate Island Drain
最终检查
Short others
缺陷 Gate 短路 Gate 断路
图形不良
Si残留
Drain 短路 Drain 断路
图形不良
画素短路 G-G 短路 D-D 短路 点缺陷等
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
Keyboard
Image computer
8bit AD Converter
Mouse Joystick
Machine controller
12
检查方法概略
①取得画像
例）
对Array基板全面扫描使用 Sensor进行取像
②画像处理 （比较）
例）
重复比较相邻画素图案
③获得缺陷情报
例）
Lot No Panel No 缺陷No X座標 Ｙ座標 Size Mode等
A to Ｄ
Max Peak1 Peak2
15
Min
D工程后象素图形
16
D工程后短路缺陷
17
TN的Array检查流程
使用设备
Array检查装置(岛津)
激光切断装置（NEC）
检查目的
检查TN型产品画素图形是否良好 测定方式是根据TFT的正负电压的变换而产生的二次电子量 进行检出 之后可以对检出的短路不良进行修复 画素短路 激光切断
20
激光切断 （短路）
检查的基本原理
高能量电子束打在TFT 基板上
Data Signal
给TFT基板加电压 入射电子
Gate Signal
二次电子从ITO上出射
测量 ITO 电极上的二次 电子信号
TFT
e
ITO
e
二次电子
Signal in normal TFT itself
非正常电压为基板上有 缺陷
Array检查概要
1
内容：
Array检查流程 检查项目及使用装置
TN的G检 TN的D检 TN的A检 TN的显影后检查
2
ARRAY 检查流程
3
检查设备一览表
日文名
アレイテスタ装置
自動外観検査装置 特性測定装置 レーザリペア装置 レーザCVDリペア装置 Ｏ／Ｓチェッカー Ｍａｃｒｏ／Ｍｉｃｒｏ検 査装置
Ｄ－Ｄ短路 Ｄ断路 点缺陷
・ ・
检查结果例：
欠陥１ Ｘ：420.115 Y: 223.765 Size: ５ ZONE：１
激光切断 （短路） 激光 CVD （断路）
Ｄ断路
Ｄ断路
点缺陷(D-PI)
Ｄ－Ｄ短路
10
Drain 刻蚀 剥離完成
激光切断
根据座标数据对短 路的部分进行激光 切断
D-D短路 点缺陷（将来）
Layer
缺陷 Gate、Come短路
修复 激光切断
Gate
Gate、Com断路
图形不良
激光修复
根据缺陷判断是否修复 根据缺陷判断是否修复 激光切断 激光 CVD 根据缺陷判断是否修复 8
Island
Si残留 Drain 短路
Drain
Drain 断路 图形不良
TN的D检查流程
Drain刻蚀 剥離完成
中文名
陈列检测设备装置
光学自动外观检查装 置 特性测试设备 激光修补仪 激光化学气相沉积修 补设备 断路或短路检验装置 微观/宏观检查装置
英文名
ARRAY TESTER MACHINE
AUTOMATIC OPTICAL INSPECTION MACHINE TEG Prober Equipment Laser Repair Machine Laser CVD Repair Machine FLAT PANEL O/S TEST OF MACHINE MACRO/MICRO CHECK OF MACHINE
检出缺陷
短路
G-G 短路
D-D 短路
激光切断
激光切断 根据缺陷判断是否修复
18
其他
点缺陷等
TN的Array检查流程
Array基板完成品
Array检查 短路 激光切断
PI工程完成后 ，使用Array检 查装置对基板进 行电气特性检查 。对于短路不良 ，之后可以用激 光切断装置进行 修复
19
TN的Array检查流程
自动外观检查
激光切断 （短路）
激光 CVD
根据座标数据对断 路的部分进行激光 CVD修复
Ｄ断路
激光 CVD （断路）
11
自动外观检查装置示意图
System monitor
Main window
Review window Communication status window
System controller
SE Signal in normal TFT
Gate Line Time
21
装置的外观图
22
电子枪的外观图
E-GUN 外観
※S1ライン用には、 ７つの電子銃を搭載 23
Array工程完成品象素图形
24
特性检查装置
１．目的
测量ＴＦＴ像素特性的測定装置
Ｐｒｏｂｅ
２．测定内容
Ａ２例
Gate端子
Drain端子
Pixel
・
・
・
［Ａ］
・
・
・
基板
・
・
測定Point
1E-７
・
1E-10
・Sheet内的点（ＴＥＧ像素）
０
Ｖｇ
［Ｖ］
25
Macro外观检查装置
・装置的原理
Ｍａｃｒｏ检查 在Array基板摇动时，通过切换照明方式，从不同角度目视检查基板。 θｘ
拡散光 収束光 各種Ｆｉｌｔｅｒ 等々
θｙ Ｚ Ｙ Ｘ
ＢａｃｋＬｉｇｈｔ
Macro検査装置
Ａｕｔｏ Macro検査装置
宏观检查装置
自动宏观检查装置
MACRO CHECK OF MACHINE
AUTO MACRO CHECK OF MACHINE
4
ARRAY检查流程
TN：4Mask Process
GPR显影后检查 DPR显影后检查 CPR显影后检查 PIPR显影后检查
G工程
的短路可以进行修复
对应措施： layer Gate 缺陷 Gate、Com短路 修复 激光切断
Gate、Com断路
激光修复
7
TN的D检查
使用设备
检查目的 检出缺陷
自动外观检查装置(ORBOTECH ) Laser Repair装置（NEC） Laser CVD装置（NEC） 通过对ARRAY工程中画素图案的比较检查、可以检出图形缺陷、工程不良 和异物付着等缺陷。对于检出的短路和断路不良之后可以进行修复
自动外观检查 短路 激光切断 断路 激光 CVD
Ok
对于Ｄ工程的 完成品，使用 自动外观检查 装置进行抽检 ，检出的短路 不良，使用激 光切断进行修 复，检出的可 修复的断路不 良，使用激光 CVD进行修复 。
9
Drain 刻蚀 剥離完成
自动外观检查装置（ＴＮ、ＳＦＴ全数）
自动外观检查
Drain 刻蚀完成后，对 外观上的缺陷进行检出
G检
D/I工程
D检
C工程
PI工程
最终检查
O/S检查
AOI检查
特性检查
AOI检查
Laser Repair
Array Test
Laser Repair
Laser CVD
Laser Repair
MMO
5
Array检查项目
TN的G检 TN的D检 TN的A检 TN的显影后检查
6
TN的G检
使用设备：O/S检查、自动外观检查、激光切断 检查目的：通过对ARRAY工程中像素电气特性的比较检查，对于检出
26
27Biblioteka 实时缺陷信息●Coordinates, The # of Inspection area ●Size, ｄｘ, ｄｙ, length, width
size:18 dy:5
area 3 （４３０、１５０） Origin
length:5 width:2 dx:6
Digital Image
●Gray Level（Range：0～255) -----Defect GL, Reference GL Analog Image Frequency
Array检查装置
Array检查装置（ＴＮ全数） Sheet No１０
Panel Ｎｏ７ Ｇ３２１、Ｄ１８２０ Panel Ｎｏ１３ Ｇ２５、Ｄ１９６６
检查结果例
激光切断 （短路）
对Array基板的完成品进 行缺陷检出 点缺陷
・ ・
Array检查装置
激光切断
根据座标数据对 短路的部分进行 激光切断
点缺陷
Origin
area 3
（４３０、１５０）
13
缺陷检出方式
Ａ
Ｂ Ａ
Ｃ Ｂ
Ｄ Ｃ
Real time buffer Delayed buffer
Comparison
Comparison
Comparison
No Difference
Difference
Difference
Defect detection 14
Image computer
8bit AD Converter
Mouse Joystick
Machine controller
12
检查方法概略
①取得画像
例）
对Array基板全面扫描使用 Sensor进行取像
②画像处理 （比较）
例）
重复比较相邻画素图案
③获得缺陷情报
例）
Lot No Panel No 缺陷No X座標 Ｙ座標 Size Mode等
A to Ｄ
Max Peak1 Peak2
15
Min
D工程后象素图形
16
D工程后短路缺陷
17
TN的Array检查流程
使用设备
Array检查装置(岛津)
激光切断装置（NEC）
检查目的
检查TN型产品画素图形是否良好 测定方式是根据TFT的正负电压的变换而产生的二次电子量 进行检出 之后可以对检出的短路不良进行修复 画素短路 激光切断
20
激光切断 （短路）
检查的基本原理
高能量电子束打在TFT 基板上
Data Signal
给TFT基板加电压 入射电子
Gate Signal
二次电子从ITO上出射
测量 ITO 电极上的二次 电子信号
TFT
e
ITO
e
二次电子
Signal in normal TFT itself
非正常电压为基板上有 缺陷
Array检查概要
1
内容：
Array检查流程 检查项目及使用装置
TN的G检 TN的D检 TN的A检 TN的显影后检查
2
ARRAY 检查流程
3
检查设备一览表
日文名
アレイテスタ装置
自動外観検査装置 特性測定装置 レーザリペア装置 レーザCVDリペア装置 Ｏ／Ｓチェッカー Ｍａｃｒｏ／Ｍｉｃｒｏ検 査装置
Ｄ－Ｄ短路 Ｄ断路 点缺陷
・ ・
检查结果例：
欠陥１ Ｘ：420.115 Y: 223.765 Size: ５ ZONE：１
激光切断 （短路） 激光 CVD （断路）
Ｄ断路
Ｄ断路
点缺陷(D-PI)
Ｄ－Ｄ短路
10
Drain 刻蚀 剥離完成
激光切断
根据座标数据对短 路的部分进行激光 切断
D-D短路 点缺陷（将来）
Layer
缺陷 Gate、Come短路
修复 激光切断
Gate
Gate、Com断路
图形不良
激光修复
根据缺陷判断是否修复 根据缺陷判断是否修复 激光切断 激光 CVD 根据缺陷判断是否修复 8
Island
Si残留 Drain 短路
Drain
Drain 断路 图形不良
TN的D检查流程
Drain刻蚀 剥離完成
中文名
陈列检测设备装置
光学自动外观检查装 置 特性测试设备 激光修补仪 激光化学气相沉积修 补设备 断路或短路检验装置 微观/宏观检查装置
英文名
ARRAY TESTER MACHINE
AUTOMATIC OPTICAL INSPECTION MACHINE TEG Prober Equipment Laser Repair Machine Laser CVD Repair Machine FLAT PANEL O/S TEST OF MACHINE MACRO/MICRO CHECK OF MACHINE
检出缺陷
短路
G-G 短路
D-D 短路
激光切断
激光切断 根据缺陷判断是否修复
18
其他
点缺陷等
TN的Array检查流程
Array基板完成品
Array检查 短路 激光切断
PI工程完成后 ，使用Array检 查装置对基板进 行电气特性检查 。对于短路不良 ，之后可以用激 光切断装置进行 修复
19
TN的Array检查流程
自动外观检查
激光切断 （短路）
激光 CVD
根据座标数据对断 路的部分进行激光 CVD修复
Ｄ断路
激光 CVD （断路）
11
自动外观检查装置示意图
System monitor
Main window
Review window Communication status window
System controller
SE Signal in normal TFT
Gate Line Time
21
装置的外观图
22
电子枪的外观图
E-GUN 外観
※S1ライン用には、 ７つの電子銃を搭載 23
Array工程完成品象素图形
24
特性检查装置
１．目的
测量ＴＦＴ像素特性的測定装置
Ｐｒｏｂｅ
２．测定内容
Ａ２例
Gate端子
Drain端子
Pixel
・
・
・
［Ａ］
・
・
・
基板
・
・
測定Point
1E-７
・
1E-10
・Sheet内的点（ＴＥＧ像素）
０
Ｖｇ
［Ｖ］
25
Macro外观检查装置
・装置的原理
Ｍａｃｒｏ检查 在Array基板摇动时，通过切换照明方式，从不同角度目视检查基板。 θｘ
拡散光 収束光 各種Ｆｉｌｔｅｒ 等々
θｙ Ｚ Ｙ Ｘ
ＢａｃｋＬｉｇｈｔ
Macro検査装置
Ａｕｔｏ Macro検査装置
宏观检查装置
自动宏观检查装置
MACRO CHECK OF MACHINE
AUTO MACRO CHECK OF MACHINE
4
ARRAY检查流程
TN：4Mask Process
GPR显影后检查 DPR显影后检查 CPR显影后检查 PIPR显影后检查
G工程
的短路可以进行修复
对应措施： layer Gate 缺陷 Gate、Com短路 修复 激光切断
Gate、Com断路
激光修复
7
TN的D检查
使用设备
检查目的 检出缺陷
自动外观检查装置(ORBOTECH ) Laser Repair装置（NEC） Laser CVD装置（NEC） 通过对ARRAY工程中画素图案的比较检查、可以检出图形缺陷、工程不良 和异物付着等缺陷。对于检出的短路和断路不良之后可以进行修复
自动外观检查 短路 激光切断 断路 激光 CVD
Ok
对于Ｄ工程的 完成品，使用 自动外观检查 装置进行抽检 ，检出的短路 不良，使用激 光切断进行修 复，检出的可 修复的断路不 良，使用激光 CVD进行修复 。
9
Drain 刻蚀 剥離完成
自动外观检查装置（ＴＮ、ＳＦＴ全数）
自动外观检查
Drain 刻蚀完成后，对 外观上的缺陷进行检出
G检
D/I工程
D检
C工程
PI工程
最终检查
O/S检查
AOI检查
特性检查
AOI检查
Laser Repair
Array Test
Laser Repair
Laser CVD
Laser Repair
MMO
5
Array检查项目
TN的G检 TN的D检 TN的A检 TN的显影后检查
6
TN的G检
使用设备：O/S检查、自动外观检查、激光切断 检查目的：通过对ARRAY工程中像素电气特性的比较检查，对于检出
26
27Biblioteka 实时缺陷信息●Coordinates, The # of Inspection area ●Size, ｄｘ, ｄｙ, length, width
size:18 dy:5
area 3 （４３０、１５０） Origin
length:5 width:2 dx:6
Digital Image
●Gray Level（Range：0～255) -----Defect GL, Reference GL Analog Image Frequency
Array检查装置
Array检查装置（ＴＮ全数） Sheet No１０
Panel Ｎｏ７ Ｇ３２１、Ｄ１８２０ Panel Ｎｏ１３ Ｇ２５、Ｄ１９６６
检查结果例
激光切断 （短路）
对Array基板的完成品进 行缺陷检出 点缺陷
・ ・
Array检查装置
激光切断
根据座标数据对 短路的部分进行 激光切断
点缺陷
Origin
area 3
（４３０、１５０）
13
缺陷检出方式
Ａ
Ｂ Ａ
Ｃ Ｂ
Ｄ Ｃ
Real time buffer Delayed buffer
Comparison
Comparison
Comparison
No Difference
Difference
Difference
Defect detection 14