Array工艺原理及工程检查-检查
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Keyboard
Image computer
8bit AD Converter
Mouse Joystick
Machine controller
12
检查方法概略
①取得画像
例）
对Array基板全面扫描使用 Sensor进行取像
②画像处理 （比较）
例）
重复比较相邻画素图案
③获得缺陷情报
例）
Lot No Panel No 缺陷No X座標 Ｙ座標 Size Mode等
G检
D/I工程
D检
C工程
PI工程
最终检查
O/S检查
AOI检查
特性检查
AOI检查
Laser Repair
Array Test
Laser Repair
Laser CVD
Laser Repair
MMO
5
Array检查项目
TN的G检 TN的D检 TN的A检 TN的显影后检查
6
TN的G检
使用设备：O/S检查、自动外观检查、激光切断 检查目的：通过对ARRAY工程中像素电气特性的比较检查，对于检出
检出缺陷
短路
G-G 短路
D-D 短路
激光切断
激光切断 根据缺陷判断是否修复
18
其他
点缺陷等
TN的Array检查流程
Array基板完成品
Array检查 短路 激光切断
PI工程完成后 ，使用Array检 查装置对基板进 行电气特性检查 。对于短路不良 ，之后可以用激 光切断装置进行 修复
19
TN的Array检查流程
20
激光切断 （短路）
检查的基本原理
高能量电子束打在TFT 基板上
Data Signal
给TFT基板加电压 入射电子
Gate Signal
二次电子从ITO上出射
测量 ITO 电极上的二次 电子信号
TFT
e
ITO
e
二次电子
Signal in normal TFT itself
非正常电压为基板上有 缺陷
Origin
area 3
（４３０、１５０）
13
缺陷检出方式
Ａ
Ｂ Ａ
Ｃ Ｂ
Ｄ Ｃ
Real time buffer Delayed buffer
Comparison
Comparison
Comparison
No Difference
Difference
Difference
Defect detection 14
的短路可以进行修复
对应措施： layer Gate 缺陷 Gate、Com短路 修复 激光切断
Gate、Com断路
激光修复
7
TN的D检查
使用设备
检查目的 检出缺陷
自动外观检查装置(ORBOTECH ) Laser Repair装置（NEC） Laser CVD装置（NEC） 通过对ARRAY工程中画素图案的比较检查、可以检出图形缺陷、工程不良 和异物付着等缺陷。对于检出的短路和断路不良之后可以进行修复
Macro検査装置
Ａｕｔｏ Macro検査装置
宏观检查装置
自动宏观检百度文库装置
MACRO CHECK OF MACHINE
AUTO MACRO CHECK OF MACHINE
4
ARRAY检查流程
TN：4Mask Process
GPR显影后检查 DPR显影后检查 CPR显影后检查 PIPR显影后检查
G工程
Pixel
・
・
・
［Ａ］
・
・
・
基板
・
・
測定Point
1E-７
・
1E-10
・Sheet内的点（ＴＥＧ像素）
０
Ｖｇ
［Ｖ］
25
Macro外观检查装置
・装置的原理
Ｍａｃｒｏ检查 在Array基板摇动时，通过切换照明方式，从不同角度目视检查基板。 θｘ
拡散光 収束光 各種Ｆｉｌｔｅｒ 等々
θｙ Ｚ Ｙ Ｘ
ＢａｃｋＬｉｇｈｔ
Array检查装置
Array检查装置（ＴＮ全数） Sheet No１０
Panel Ｎｏ７ Ｇ３２１、Ｄ１８２０ Panel Ｎｏ１３ Ｇ２５、Ｄ１９６６
检查结果例
激光切断 （短路）
对Array基板的完成品进 行缺陷检出 点缺陷
・ ・
Array检查装置
激光切断
根据座标数据对 短路的部分进行 激光切断
点缺陷
Array检查概要
1
内容：
Array检查流程 检查项目及使用装置
TN的G检 TN的D检 TN的A检 TN的显影后检查
2
ARRAY 检查流程
3
检查设备一览表
日文名
アレイテスタ装置
自動外観検査装置 特性測定装置 レーザリペア装置 レーザCVDリペア装置 Ｏ／Ｓチェッカー Ｍａｃｒｏ／Ｍｉｃｒｏ検 査装置
Ｄ－Ｄ短路 Ｄ断路 点缺陷
・ ・
检查结果例：
欠陥１ Ｘ：420.115 Y: 223.765 Size: ５ ZONE：１
激光切断 （短路） 激光 CVD （断路）
Ｄ断路
Ｄ断路
点缺陷(D-PI)
Ｄ－Ｄ短路
10
Drain 刻蚀 剥離完成
激光切断
根据座标数据对短 路的部分进行激光 切断
D-D短路 点缺陷（将来）
实时缺陷信息
●Coordinates, The # of Inspection area ●Size, ｄｘ, ｄｙ, length, width
size:18 dy:5
area 3 （４３０、１５０） Origin
length:5 width:2 dx:6
Digital Image
●Gray Level（Range：0～255) -----Defect GL, Reference GL Analog Image Frequency
A to Ｄ
Max Peak1 Peak2
15
Min
D工程后象素图形
16
D工程后短路缺陷
17
TN的Array检查流程
使用设备
Array检查装置(岛津)
激光切断装置（NEC）
检查目的
检查TN型产品画素图形是否良好 测定方式是根据TFT的正负电压的变换而产生的二次电子量 进行检出 之后可以对检出的短路不良进行修复 画素短路 激光切断
中文名
陈列检测设备装置
光学自动外观检查装 置 特性测试设备 激光修补仪 激光化学气相沉积修 补设备 断路或短路检验装置 微观/宏观检查装置
英文名
ARRAY TESTER MACHINE
AUTOMATIC OPTICAL INSPECTION MACHINE TEG Prober Equipment Laser Repair Machine Laser CVD Repair Machine FLAT PANEL O/S TEST OF MACHINE MACRO/MICRO CHECK OF MACHINE
自动外观检查 短路 激光切断 断路 激光 CVD
Ok
对于Ｄ工程的 完成品，使用 自动外观检查 装置进行抽检 ，检出的短路 不良，使用激 光切断进行修 复，检出的可 修复的断路不 良，使用激光 CVD进行修复 。
9
Drain 刻蚀 剥離完成
自动外观检查装置（ＴＮ、ＳＦＴ全数）
自动外观检查
Drain 刻蚀完成后，对 外观上的缺陷进行检出
SE Signal in normal TFT
Gate Line Time
21
装置的外观图
22
电子枪的外观图
E-GUN 外観
※S1ライン用には、 ７つの電子銃を搭載 23
Array工程完成品象素图形
24
特性检查装置
１．目的
测量ＴＦＴ像素特性的測定装置
Ｐｒｏｂｅ
２．测定内容
Ａ２例
Gate端子
Drain端子
自动外观检查
激光切断 （短路）
激光 CVD
根据座标数据对断 路的部分进行激光 CVD修复
Ｄ断路
激光 CVD （断路）
11
自动外观检查装置示意图
System monitor
Main window
Review window Communication status window
System controller
26
27
Layer
缺陷 Gate、Come短路
修复 激光切断
Gate
Gate、Com断路
图形不良
激光修复
根据缺陷判断是否修复 根据缺陷判断是否修复 激光切断 激光 CVD 根据缺陷判断是否修复 8
Island
Si残留 Drain 短路
Drain
Drain 断路 图形不良
TN的D检查流程
Drain刻蚀 剥離完成
Image computer
8bit AD Converter
Mouse Joystick
Machine controller
12
检查方法概略
①取得画像
例）
对Array基板全面扫描使用 Sensor进行取像
②画像处理 （比较）
例）
重复比较相邻画素图案
③获得缺陷情报
例）
Lot No Panel No 缺陷No X座標 Ｙ座標 Size Mode等
G检
D/I工程
D检
C工程
PI工程
最终检查
O/S检查
AOI检查
特性检查
AOI检查
Laser Repair
Array Test
Laser Repair
Laser CVD
Laser Repair
MMO
5
Array检查项目
TN的G检 TN的D检 TN的A检 TN的显影后检查
6
TN的G检
使用设备：O/S检查、自动外观检查、激光切断 检查目的：通过对ARRAY工程中像素电气特性的比较检查，对于检出
检出缺陷
短路
G-G 短路
D-D 短路
激光切断
激光切断 根据缺陷判断是否修复
18
其他
点缺陷等
TN的Array检查流程
Array基板完成品
Array检查 短路 激光切断
PI工程完成后 ，使用Array检 查装置对基板进 行电气特性检查 。对于短路不良 ，之后可以用激 光切断装置进行 修复
19
TN的Array检查流程
20
激光切断 （短路）
检查的基本原理
高能量电子束打在TFT 基板上
Data Signal
给TFT基板加电压 入射电子
Gate Signal
二次电子从ITO上出射
测量 ITO 电极上的二次 电子信号
TFT
e
ITO
e
二次电子
Signal in normal TFT itself
非正常电压为基板上有 缺陷
Origin
area 3
（４３０、１５０）
13
缺陷检出方式
Ａ
Ｂ Ａ
Ｃ Ｂ
Ｄ Ｃ
Real time buffer Delayed buffer
Comparison
Comparison
Comparison
No Difference
Difference
Difference
Defect detection 14
的短路可以进行修复
对应措施： layer Gate 缺陷 Gate、Com短路 修复 激光切断
Gate、Com断路
激光修复
7
TN的D检查
使用设备
检查目的 检出缺陷
自动外观检查装置(ORBOTECH ) Laser Repair装置（NEC） Laser CVD装置（NEC） 通过对ARRAY工程中画素图案的比较检查、可以检出图形缺陷、工程不良 和异物付着等缺陷。对于检出的短路和断路不良之后可以进行修复
Macro検査装置
Ａｕｔｏ Macro検査装置
宏观检查装置
自动宏观检百度文库装置
MACRO CHECK OF MACHINE
AUTO MACRO CHECK OF MACHINE
4
ARRAY检查流程
TN：4Mask Process
GPR显影后检查 DPR显影后检查 CPR显影后检查 PIPR显影后检查
G工程
Pixel
・
・
・
［Ａ］
・
・
・
基板
・
・
測定Point
1E-７
・
1E-10
・Sheet内的点（ＴＥＧ像素）
０
Ｖｇ
［Ｖ］
25
Macro外观检查装置
・装置的原理
Ｍａｃｒｏ检查 在Array基板摇动时，通过切换照明方式，从不同角度目视检查基板。 θｘ
拡散光 収束光 各種Ｆｉｌｔｅｒ 等々
θｙ Ｚ Ｙ Ｘ
ＢａｃｋＬｉｇｈｔ
Array检查装置
Array检查装置（ＴＮ全数） Sheet No１０
Panel Ｎｏ７ Ｇ３２１、Ｄ１８２０ Panel Ｎｏ１３ Ｇ２５、Ｄ１９６６
检查结果例
激光切断 （短路）
对Array基板的完成品进 行缺陷检出 点缺陷
・ ・
Array检查装置
激光切断
根据座标数据对 短路的部分进行 激光切断
点缺陷
Array检查概要
1
内容：
Array检查流程 检查项目及使用装置
TN的G检 TN的D检 TN的A检 TN的显影后检查
2
ARRAY 检查流程
3
检查设备一览表
日文名
アレイテスタ装置
自動外観検査装置 特性測定装置 レーザリペア装置 レーザCVDリペア装置 Ｏ／Ｓチェッカー Ｍａｃｒｏ／Ｍｉｃｒｏ検 査装置
Ｄ－Ｄ短路 Ｄ断路 点缺陷
・ ・
检查结果例：
欠陥１ Ｘ：420.115 Y: 223.765 Size: ５ ZONE：１
激光切断 （短路） 激光 CVD （断路）
Ｄ断路
Ｄ断路
点缺陷(D-PI)
Ｄ－Ｄ短路
10
Drain 刻蚀 剥離完成
激光切断
根据座标数据对短 路的部分进行激光 切断
D-D短路 点缺陷（将来）
实时缺陷信息
●Coordinates, The # of Inspection area ●Size, ｄｘ, ｄｙ, length, width
size:18 dy:5
area 3 （４３０、１５０） Origin
length:5 width:2 dx:6
Digital Image
●Gray Level（Range：0～255) -----Defect GL, Reference GL Analog Image Frequency
A to Ｄ
Max Peak1 Peak2
15
Min
D工程后象素图形
16
D工程后短路缺陷
17
TN的Array检查流程
使用设备
Array检查装置(岛津)
激光切断装置（NEC）
检查目的
检查TN型产品画素图形是否良好 测定方式是根据TFT的正负电压的变换而产生的二次电子量 进行检出 之后可以对检出的短路不良进行修复 画素短路 激光切断
中文名
陈列检测设备装置
光学自动外观检查装 置 特性测试设备 激光修补仪 激光化学气相沉积修 补设备 断路或短路检验装置 微观/宏观检查装置
英文名
ARRAY TESTER MACHINE
AUTOMATIC OPTICAL INSPECTION MACHINE TEG Prober Equipment Laser Repair Machine Laser CVD Repair Machine FLAT PANEL O/S TEST OF MACHINE MACRO/MICRO CHECK OF MACHINE
自动外观检查 短路 激光切断 断路 激光 CVD
Ok
对于Ｄ工程的 完成品，使用 自动外观检查 装置进行抽检 ，检出的短路 不良，使用激 光切断进行修 复，检出的可 修复的断路不 良，使用激光 CVD进行修复 。
9
Drain 刻蚀 剥離完成
自动外观检查装置（ＴＮ、ＳＦＴ全数）
自动外观检查
Drain 刻蚀完成后，对 外观上的缺陷进行检出
SE Signal in normal TFT
Gate Line Time
21
装置的外观图
22
电子枪的外观图
E-GUN 外観
※S1ライン用には、 ７つの電子銃を搭載 23
Array工程完成品象素图形
24
特性检查装置
１．目的
测量ＴＦＴ像素特性的測定装置
Ｐｒｏｂｅ
２．测定内容
Ａ２例
Gate端子
Drain端子
自动外观检查
激光切断 （短路）
激光 CVD
根据座标数据对断 路的部分进行激光 CVD修复
Ｄ断路
激光 CVD （断路）
11
自动外观检查装置示意图
System monitor
Main window
Review window Communication status window
System controller
26
27
Layer
缺陷 Gate、Come短路
修复 激光切断
Gate
Gate、Com断路
图形不良
激光修复
根据缺陷判断是否修复 根据缺陷判断是否修复 激光切断 激光 CVD 根据缺陷判断是否修复 8
Island
Si残留 Drain 短路
Drain
Drain 断路 图形不良
TN的D检查流程
Drain刻蚀 剥離完成