半导体二极管及其应用

第 1 章半导体二极管及其应用本章要点

半导体基础知识

PN 结单向导电性

半导体二极管结构、符号、伏安特性及应用

特殊二极管

本章难点

半导体二极管伏安特性

半导体二极管应用

半导体器件是近代电子学的重要组成部分。只有掌握了半导体器件的结构、性能、工作原理和特点，才能正确地选择和合理使用半导体器件。半导体器件具有体积小、重量轻、功耗低、可靠性强等优点，在各个领域中得到了广泛的应用。半导体二极管和三极管是最常用的半导体器件，而PN 结又是组成二极管和三极管及各种电子器件的基础。本章首先介绍有关半导体的基础知识，然后将重点介绍二极管的结构、工作原理、特性曲线、主要参数以及应用电路等，为后面各章的学习打下基础。

1.1 PN 结

1.1.1 半导体基础知识

1. 半导体特性自然界中的各种物质，按其导电能力划分为：导体、绝缘体、半导体。导电能力介于导体与绝缘体之间的，称之为半导体。导体如金、银、铜、铝等；绝缘体如橡胶、塑料、云母、陶瓷等；典型的半导体材料则有硅、锗、硒及某些金属氧化物、硫化物等，其中，用来制造半导体器件最多的材料是硅和锗。

半导体之所以用来制造半导体器件，并不在于其导电能力介于导体与绝缘体之间，而在于其独特的导电性能，主要表现在以下几个方面。

(1) 热敏性：导体的导电能力对温度反应灵敏，受温度影响大。当环境温度升高时，其导电能力增强，称为热敏性。利用热敏性可制成热敏元件。

(2) 光敏性：导体的导电能力随光照的不同而不同。当光照增强时，导电能力增强，称为光敏性。利用光敏性可制成光敏元件。

(3) 掺杂性：导体更为独特的导电性能体现在其导电能力受杂质影响极大，称为掺杂性。这里所说的“杂质”，是指某些特定的纯净的其他元素。在纯净半导体中，只要掺入极微量的杂质，导电能力就急剧增加。一个典型的数据是：如在纯净硅中，掺入百万分之

一的硼，其导电能力增加约50万倍。

2. 本征半导体

2 模拟电子技术

本征半导体是一种完全纯净、具有晶体结构的半导体。在温度为零开尔文（0K，相当于-273.15 C ）时，每一个原子的外围电子被共价键所束缚，不能自由移动。这样本征半导体中虽然具有大量的价电子，但没有自由电子，此时半导体呈电中性。

用来制造半导体器件的硅、锗等材料，其原子排列均为紧密的整齐的晶体点阵结构，而硅（元素序号14）或锗（元素序号28）的原子结构最外层都是四个价电子。但是，对于原子核结构而言，最外层有八个电子才是稳定结构，因此，每个原子都要争夺相邻的四个价电子，以求达到稳定状态，结果使得每个原子最外层的四个价电子都既受自身原子核的吸引，围绕自身的原子核转动，又受相邻原子核的吸引，经常出现在相邻原子的价电子轨道上。这样就形成了一种特殊的结构。从而使每个硅（锗）原子最外层形成了拥有八个共有电

子的相对稳定的结构。由于每对价电子是每两个相邻原子共有的，因而将这种结构称为

“共价键”结构，如图1-1所示。

“共价键结构”把相邻的原子结合在一起，由于每个原子的最外层均有八个电子，因而处于相对稳定的状态。但是，也正是由于“共价键”的特殊结构方式，使得原子最外层的共有电子不像绝缘体中被原子核束缚得那样紧。在一定温度下，当共价键中的价电子受到热激发，或从外部获得能量时，共价键中的某些价电子就可以挣脱原子核的束缚，而成为自由电子。既然有些价电子挣脱了原子核的束缚，而成为自由电子，在原来的共价键中，便留下了一些“空位”，我们称之为“空穴”，如图1-2所示。自由电子呈负电性，

而失去一个价电子的硅原子则成为+1价离子，好像这个空位带有+1价电荷一样，因此空

穴呈正电性。显然，自由电子和空穴是成对出现的，所以称它们为电子空穴对。在本征半导体中电子与空穴的数量总是相等的。把在热或光的作用下，本征半导体中产生电子空穴对的现象，称为本征激发，又称热激发。

由于共价键中出现空位，在外电场或其他能源的作用下，吸引相邻原子中的价电子来填补空穴，当一个价电子填补空穴时，它原来的位置上又出现了新的空穴。如图1-3所示，电子由d a，但仍处于束缚状态，而空位由b宀c。为了区别于自由电子的运

第1章 半导体二极管及其应用 3

动，我们把这种价电子的填补运动称为空穴运动，一般认为空穴是一种带正电荷的载流 子，它所带电荷和电子相等，符号相反。由此可见，本征半导体中存在两种载流子：电子 和空穴。而金属导体中只有一种载流子一一电子。本征半导体在外电场作用下，两种载流 子的运动方向相反而形成的电流方向相同。

图1-3 电子与空穴的移动

自由热激境而

产生的自由电

子

口由电子移走

后斑下的空冗

图1-2 本征激发产生电子空穴对示意图

4 模拟电子技术

3. 杂质半导体

在本征半导体中掺入不同的杂质，可以改变半导体中两种载流子的浓度。根据掺入杂质种类的不同，半导体可以分N型半导体（掺入五价元素杂质）和P型半导体（掺入三价元

素杂质）。

（1）N型半导体

在纯净的半导体硅（或锗）中掺入微量五价元素（如磷）后，就可以成为N型半导体，如图1-4所示。由于五价的磷原子同相邻四个硅（或锗）原子组成共价键时，有一个多余的价

电子不能构成共价键，这个价电子就变成了自由电子。因此在这种半导体中，自由电子数远远大于空穴数，导电以电子为主，故此类半导体亦被称为电子型半导体。

第1章 半导体二极管及其应用 5

（2） P 型半导体

在硅（或锗）的晶体内掺入少量三价元素杂质，如硼 （或铟）等。硼原子只有三个价电

子，它与周围硅原子组成共价键时，因缺少一个电子，在晶体中便产生一个空位。当相邻 共价键的电子受到热振动或在其他激发条件下获得能量时，就有可能填补这个空位而在该 相邻原子中便出现一个空穴，每个硼原子都能提供一个空穴，这个空穴与本征激发产生的 空穴都是载流子，具有导电性能。 P 型半导体共价键结构如图 1-5所示。

值得注意的是，掺杂在产生空穴的同时，并不能产生新的自由电子，只是原来的晶体 本身仍会因热激发产生少量电子空穴对。掺入的三价元素杂质越多，空穴的数量越多。在 P 型半导体中，空穴数远大于自由电子数，空穴为多数载流子

（简称“多子”），自由电子 为少数载流子（简称“少子”）。导电以空穴为主，故此类半导体又被称为空穴型半导体。 1.1.2 PN 结

1. PN 结的形成

PN 结并不是简单地将 P 型和N 型材料压合在一起，它是根据“杂质补偿”的原理， 采用合金法或平面扩散法等半导体工艺制成的。虽然 PN 结的物理界面把半导体材料分为 P 区和N 区，但整个材料仍然保持完整的晶体结构。

当P 型半导体和 N 型半导体结合在一起时，在 N 型和P 型半导体的界面两侧明显地 存在着电子和空穴的浓度差，此浓度差导致载流子的扩散运动：

N 型半导体中电子（多子） 向P 区扩散，这些载流子一旦越过界面，就会与 P 区空穴复合，在 N 区靠近界面处留下

正离子；同理，P 型半导体中空穴（多子）由于浓度差向N 区扩散，与N 区中电子复合，在 P 区靠近界面处留下负离子。伴随着这种扩散和复合运动的进行，在界面两侧附近形成一 个由正离子和负离子构成的空间电荷区，如图

1-6所示。 空间电荷区内存在着由 N 区指向P 区的电场，这个电场称为内建电场，该内建电场

阻止两区多子的扩散，促进少子的漂移。

显然，半导体中多子的扩散运动和少子的漂移运动是一对矛盾的两个方面。随着多子 扩散的进行，空间电荷区内的离子数增多，内建电场增强；与此同时，内建电场的增强有 利于少子的漂移，漂移电流增大，最终当漂移电流和扩散电流相等时，达到动态平衡，在 界面处形成稳定的空间电荷区，通常将其称为 PN 结，如图1-7所示。这时，再没有净的

电流流过PN 结，也不会有净的电荷迁移。

图1-4 N 型半导体共价键结构 图1-5 P 型半导体共价键结构

+4

+.*