光电器件特性实验
光电特性综合实验报告
基本思路是通过单色仪分光（步进电机控制），将连续光谱变成近似单色光，通过 探测器及相应的放大、A/D 转换、采集电路，在计算机上得到光谱曲线。
0.009
2
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η = P/I������V������
0.0055 0.0060 0.0061 0.0064 0.0066 0.0067 0.0068
实验装置：
LED 电学特性测试仪 三波长光功率计
实验内容：
1. 测试 LED 发光原理及伏安特性 待测白光 LED 插入转台上插孔，LED 电源接测试盒正向输出端，旋钮逆时针至最大。
接通电源，调节旋钮，记录正向电流和电压表的数据。取值开始密集，之后加大步距。 复原旋钮，关电源，反向接 LED，操作同上。
43°
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光电器件特性实验
光电器件特性实验（光电二极管、光电三极管，光敏电阻）一、实验目的1、了解光敏电阻的光电特性、光谱响应特性、频率特性等基本特性，测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线。
2、了解光敏二极管的基本特性，测出它的伏安特性和光照特性曲线。
3、了解硅光电池的基本特性，测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线。
4、了解光敏三极管的基本特性，测出它的伏安特性和光照特性曲线。
5、了解光纤传感器基本特性和光纤通讯基本原理。
二、实验原理1、光敏电阻在光照作用下能使物体的电导率改变的现象称为内光电效应。
本实验所用的光敏电阻就是基于内光电效应的光电元件。
当内光电效应发生时，固体材料吸收的能量使部分价带电子迁移到导带，同时在价带中留下空穴。
这样由于材料中载流子个数增加，使材料的电导率增加，电导率的改变量为（1）在（1）式中，e为电荷电量，△p为空穴浓度的改变量，△n为电子浓度的改变量，μ表示迁移率。
当两端加上电压U后，光电流为：（2）式中A为与电流垂直的表面，d为电极间的间距。
在一定的光照度下，△σ为恒定的值，因而光电流和电压成线性关系。
光敏电阻的伏安特性如图2所示，不同的光照度可以得到不同的伏安特性，表明电阻值随光照度发生变化。
光照度不变的情况下，电压越高，光电流也越大，而且没有饱和现象。
当然，与一般电阻一样光敏电阻的工作电压和电流都不能超过规定的最高额定值。
图2 光敏电阻的伏安特性曲线图3 光敏电阻的光照特性曲线当光电器件电极上的电压一定时，光电流与入射到光电器件上的光照强度之间的关系称为光照特性。
光敏电阻的光照特性则如图3所示。
不同的光敏电阻的光照特性是不同的，但是在大多数的情况下，曲线的形状都与图3的结果类似。
由于光敏电阻的光照特性是非线性的，因此不适宜作线性敏感元件，这是光敏电阻的缺点之一。
所以在自动控制中光敏电阻常用作开关量的光电传感器。
光敏电阻对入射光的光谱具有选择作用，即光敏电阻对不同波长的入射光有不同的灵敏度。
光敏电阻的相对光敏灵敏度与入射波长的关系称为光敏电阻的光谱特性，亦称为光谱响应。
常用光器件实验报告
1. 了解常用光器件的基本原理和结构；2. 掌握常用光器件的实验操作方法；3. 通过实验，加深对光学基本原理的理解和应用。
二、实验原理光器件是利用光学原理实现特定功能的元件，广泛应用于通信、显示、检测、医疗等领域。
本实验主要涉及以下常用光器件：1. 光电二极管（PD）：将光信号转换为电信号，具有光电转换功能；2. 发光二极管（LED）：将电信号转换为光信号，具有发光功能；3. 激光二极管（LD）：将电信号转换为激光信号，具有高亮度、高方向性等特点；4. 光耦合器（Optical Coupler）：用于传输光信号，具有隔离、匹配、耦合等功能；5. 光纤：用于传输光信号，具有低损耗、抗干扰等特点。
三、实验仪器与材料1. 光电二极管（PD）2. 发光二极管（LED）3. 激光二极管（LD）4. 光耦合器（Optical Coupler）5. 光纤6. 光源7. 光功率计8. 光电探测仪9. 光学平台10. 连接线、电源等1. 光电二极管（PD）特性测试（1）测试PD的伏安特性曲线；（2）测试PD在不同光照强度下的光电流输出；（3）测试PD的响应速度。
2. 发光二极管（LED）特性测试（1）测试LED的伏安特性曲线；（2）测试LED在不同驱动电流下的光输出；（3）测试LED的寿命。
3. 激光二极管（LD）特性测试（1）测试LD的伏安特性曲线；（2）测试LD在不同驱动电流下的光输出；（3）测试LD的寿命。
4. 光耦合器（Optical Coupler）特性测试（1）测试光耦合器的传输特性；（2）测试光耦合器的隔离度；（3）测试光耦合器的匹配度。
5. 光纤特性测试（1）测试光纤的传输损耗；（2）测试光纤的色散特性；（3）测试光纤的连接损耗。
五、实验步骤1. 光电二极管（PD）特性测试（1）将PD与光功率计、电源连接，搭建测试电路；（2）调整电源，使PD工作在正常工作电压范围内；（3）记录不同光照强度下的光电流输出；（4）绘制伏安特性曲线。
实验一光电器件特性参数测试
实验一光电器件特性参数测试引言：光电器件是一种能够产生电能或转化电能的器件，在光电子技术中应用广泛。
为了更好地了解光电器件的特性参数，本实验将对光电器件进行测试，并测量其特性参数，包括响应时间、光电流特性和光电压特性。
通过本实验，我们可以深入了解光电器件的工作原理和性能，并为光电子技术的应用提供参考。
实验目的：1.了解光电器件的响应时间特性。
2.研究光电器件的光电流特性。
3.研究光电器件的光电压特性。
实验原理：1.光电器件的响应时间特性：光电器件的响应时间指的是从光照射到器件输出信号达到稳定所需的时间。
光电器件的响应时间与器件本身的结构有关。
一般情况下，响应时间越短，说明器件的灵敏度越高。
2.光电器件的光电流特性：光电流是光电器件在光照射下产生的电流。
光电流能够反映光电器件对光的敏感程度，是光电器件性能的重要指标之一、光电流的大小与光照强度呈正比关系。
3.光电器件的光电压特性：光电压是光电器件在光照射下产生的电压。
光电压可以反映出光电器件工作时产生的电压变化情况。
光照强度越大，光电压越高。
实验步骤：1.准备实验设备和器件，包括光源、光电器件、电流电压表等。
2.将光电器件连接到电源和电流电压表上。
3.调节光源的光照强度，通过记录电流电压表上的数值，测量光电器件的光电流和光电压。
4.根据测量结果，绘制光电流和光电压与光照强度的关系曲线。
5.测量光电器件的响应时间，记录光照射到器件输出信号稳定的时间。
6.根据测量结果，分析光电器件的特性参数。
实验结果：通过实验测量，得到了光电器件的光电流和光电压与光照强度的关系曲线。
根据曲线的变化趋势，可以得出光电器件对光照强度的响应情况。
同时，通过测量响应时间，可以得到光电器件的响应速度。
实验结论：本实验通过测试光电器件的特性参数，了解了光电器件的响应时间、光电流特性和光电压特性。
实验结果表明，光电器件对光照强度有敏感的响应，并能够产生对应的光电流和光电压。
本实验为光电器件的应用提供了重要的参考和依据，为光电子技术的发展提供了实验基础。
光电二三极管特性测试实验报告
光敏二极管特性测试实验一、实验目的1.学习光电器件的光电特性、伏安特性的测试方法；2.掌握光电器件的工作原理、适用范围和应用基础。
二、实验内容1、光电二极管暗电流测试实验2、光电二极管光电流测试实验3、光电二极管伏安特性测试实验4、光电二极管光电特性测试实验5、光电二极管时间特性测试实验6、光电二极管光谱特性测试实验7、光电三极管光电流测试实验8、光电三极管伏安特性测试实验9、光电三极管光电特性测试实验10、光电三极管时间特性测试实验11、光电三极管光谱特性测试实验三、实验仪器1、光电二三极管综合实验仪 1个2、光通路组件 1套3、光照度计 1个4、电源线 1根5、2#迭插头对（红色，50cm） 10根6、2#迭插头对（黑色，50cm） 10根7、三相电源线 1根8、实验指导书 1本四、实验原理1、概述随着光电子技术的发发展,光电检测在灵敏度、光谱响应范围及频率我等技术方面要求越来越高，为此，近年来出现了许多性能优良的光伏检测器，如硅锗光电二极管、PIN光电二极管和雪崩光电二极管（APD）等。
光敏晶体管通常指光电二极管和光电三极管，通常又称光敏二极管和三敏三极管。
光敏二极管的种类很多，就材料来分，有锗、硅制作的光敏二极管，也有III－V族化合物及其他化合物制作的二极管。
从结构我来分，有PN结、PIN结、异质结、肖特基势垒及点接触型等。
从对光的响应来分，有用于紫外光、红外光等种类。
不同种类的光敏二极管，具胡不同的光电特性和检测性能。
例如，锗光敏二极管与硅光敏二极管相比，它在红外光区域有很大的灵敏度，如图所示。
这是由于锗材料的禁带宽度较硅小，它的本征吸收限处于红外区域，因此在近红外光区域应用；再一方面，锗光敏二极管有较大的电流输出，但它比硅光敏二极管有较大的反向暗电流，因此，它的噪声较大。
又如，PIN型或雪崩型光敏二极管与扩散型PN结光敏二极管相比具有很短的时间响应。
因此，在使用光敏二极管进要了解其类型及性能是非常重要的。
光电器件特性测试实验报告
光电器件特性测试实验报告实验目的本实验旨在通过对光电器件特性的测试，探究其性能和特点，从而进一步了解光电器件的工作原理和应用。
实验器材和材料•光电器件（例如光电二极管、光敏电阻等）•光源（例如白炽灯、激光器等）•直流电源•数字多用表•电阻箱•连接线实验步骤1. 实验前准备1.将光电器件准备好，并根据需要选择合适的工作电源。
2.准备好光源和测量设备，并将其连接好。
2. 光电器件的静态特性测试1.将光电器件与电源和数字多用表连接好，确保电路连接正确。
2.调节电源电压，记录下对应的电流和电压值。
3.重复上述步骤，测量不同电压下的电流和电压值，以获得光电器件的电流-电压（I-V）特性曲线。
4.根据测量结果，分析光电器件的导通电压、正向电阻和反向电流等特性。
3. 光电器件的动态特性测试1.将光电器件与光源连接好，确保光线能够照射到器件上。
2.在恒定光照条件下，调节电源电压，记录下对应的电流和电压值。
3.重复上述步骤，测量不同光照强度下的电流和电压值，以获得光电器件的光照强度-电流（L-I）特性曲线。
4.根据测量结果，分析光电器件的响应时间、光电流增益和饱和光照强度等特性。
实验结果与分析根据所获得的实验数据，我们可以绘制出光电器件的电流-电压特性曲线和光照强度-电流特性曲线。
通过分析这些曲线，我们可以得出以下结论：1.光电器件的电流-电压特性曲线呈现出非线性关系，且存在导通电压和正向电阻。
导通电压是器件开始导通的最低电压，正向电阻则是导通状态下的电阻值。
2.光电器件的光照强度-电流特性曲线呈现出线性关系，且存在饱和光照强度和光电流增益。
饱和光照强度是器件光电流增加最快的光照强度，光电流增益则是光照强度每增加1单位时的电流增加量。
3.光电器件的响应时间是指器件由无光状态到达饱和光照强度所需的时间。
通过实验测量和分析，我们可以得出光电器件的响应时间，并进一步评估其在实际应用中的响应速度。
实验结论通过光电器件特性的测试实验，我们深入了解了光电器件的工作原理和特点。
光电特性综合实验报告
光电特性综合实验报告本次实验的主要目的是通过对光电特性的研究，探究光与物质的相互作用机制，了解光电效应、光致电流效应和光导效应等光电现象的基本特性，同时学习光电池的制作和性能测试的方法。
实验装置主要由光源、样品、光电池、示波器等部分组成。
其中，光源采用白光源，经聚光透镜将光束聚焦在样品表面，在其表面产生光电流；而光电池的作用则是将光辐射转化为电能。
实验过程中，我们通过测量光电效应、光致电流效应和光导效应等现象的规律及其与光源强度和波长、样品材料和结构等因素之间的关系，系统地研究了光电特性。
在实验中，我们观察到了光电效应的现象。
当光源辐射在样品表面时，可以观察到光电流随着光源强度的增强而增大，但存在一定的饱和电流。
光电流的强度与光源波长也有一定的关系，当光源波长变化时，光电流强度也会发生改变。
这说明光电流是与光源强度和波长有关的。
我们还观察到，在一定光源强度下，随着样品表面的金属材料的不同，光电流的强度也有所不同。
这是因为不同的金属物质的表面自由电子密度不同。
最后，我们通过对光导效应的研究，学习了光电信号的传输方法。
在实验中，我们采用的是光衰减器，可以调节光强使其逐渐减小，从而模拟光信号在传输过程中的衰减。
我们发现，随着光强的减小，光电流的强度也相应地减小。
这是因为随着信号传输距离的增加，光信号的能量也会逐渐消耗，光电流的强度也会降低。
总结而言，本次实验的结果表明，光电效应、光致电流效应和光导效应等光电现象均具有一定的规律性，其表现形式与光源强度和波长、样品材料和结构等因素之间的关系密切相关。
通过对光电特性的深入研究，我们可以更好地理解光与物质相互作用的机制，为光电技术的应用提供更为广泛的可能性。
光电转换特性实验报告
一、实验目的1. 了解光电转换的基本原理及过程。
2. 掌握光电转换器件的基本特性。
3. 测量光电转换器件在不同光照条件下的电流输出，分析其光电转换特性。
4. 研究光电转换器件在不同频率、不同偏压下的响应特性。
二、实验原理光电转换是指将光能转换为电能的过程。
当光照射到半导体材料上时，光子与半导体中的电子发生相互作用，使电子获得足够的能量跃迁到导带，从而产生光生电子-空穴对。
这些光生电子-空穴对在外电场的作用下，发生漂移运动，产生光生电流。
本实验采用的光电转换器件为光电二极管，其工作原理如下：1. 光照射到光电二极管PN结上，产生光生电子-空穴对。
2. 外加正向偏压，光生电子-空穴对在电场作用下发生漂移运动，形成光生电流。
3. 通过测量光生电流，可以分析光电转换器件的光电转换特性。
三、实验仪器与材料1. 光电二极管2. 光源（如激光、LED等）3. 数字多用表（万用表）4. 可变电源5. 光电转换特性测试系统6. 光功率计7. 精密电阻箱8. 光电转换特性测试软件四、实验步骤1. 连接实验电路，将光电二极管、光源、数字多用表、可变电源等仪器设备连接好。
2. 设置实验参数，如光源强度、偏压等。
3. 测量不同光照条件下的光生电流，记录数据。
4. 改变光源频率，测量不同频率下的光生电流，记录数据。
5. 改变偏压，测量不同偏压下的光生电流，记录数据。
6. 利用光电转换特性测试软件分析实验数据，绘制光生电流与光照强度、频率、偏压的关系曲线。
五、实验结果与分析1. 光照强度与光生电流的关系：实验结果显示，光生电流与光照强度呈线性关系，即光照强度越大，光生电流越大。
2. 频率与光生电流的关系：实验结果显示，光生电流与光源频率呈非线性关系，当频率较高时，光生电流较大。
3. 偏压与光生电流的关系：实验结果显示，光生电流与偏压呈非线性关系，当偏压较大时，光生电流较大。
六、实验结论1. 光电转换器件的光电转换特性与光照强度、频率、偏压等因素有关。
光电特性研究实验报告
一、实验目的1. 了解光电效应的基本原理和光敏元件的工作机制。
2. 研究光敏电阻在不同光照强度下的伏安特性。
3. 探究光敏电阻的光照特性曲线，分析其非线性关系。
4. 学习使用光电传感器进行光强测量，并验证其精度和可靠性。
二、实验原理光电效应是指光照射到某些物质表面时，物质内部的电子吸收光子能量并逸出表面的现象。
光敏电阻是一种利用光电效应制成的电阻器，其电阻值随入射光的强弱而改变。
当光照射到光敏电阻上时，电子被激发出来，导致电阻值降低；反之，光照强度减弱时，电阻值增大。
三、实验仪器与材料1. 光敏电阻2. 激光光源3. 电压表4. 电流表5. 数据采集器6. 计算机7. 光照强度计四、实验步骤1. 将光敏电阻与激光光源连接，通过数据采集器记录光敏电阻在不同光照强度下的电阻值。
2. 调节激光光源的功率，改变光照强度，记录光敏电阻的电阻值。
3. 分析光敏电阻的伏安特性，绘制光照强度与电阻值之间的关系曲线。
4. 利用光照强度计测量实际光照强度，验证光敏电阻的测量精度。
五、实验结果与分析1. 光敏电阻的伏安特性曲线如图1所示。
从图中可以看出，光敏电阻的电阻值随光照强度的增加而减小，呈非线性关系。
2. 利用光照强度计测量实际光照强度，与光敏电阻测量结果进行对比，验证光敏电阻的测量精度。
实验结果显示，光敏电阻的测量误差在±5%以内，具有较高的可靠性。
3. 通过实验，我们了解到光敏电阻在不同光照强度下的伏安特性，为实际应用提供了理论依据。
六、实验结论1. 光敏电阻的电阻值随光照强度的增加而减小，呈非线性关系。
2. 光敏电阻具有较高的测量精度和可靠性，适用于光强测量。
3. 本实验为光电传感器在实际应用中的研究和开发提供了参考。
七、实验讨论1. 影响光敏电阻伏安特性的因素有哪些？2. 如何提高光敏电阻的测量精度？3. 光电传感器在哪些领域具有广泛的应用？八、实验拓展1. 研究不同类型光敏电阻的伏安特性。
光电器件特性实验
实验一光电转换特性测试一、实验目的熟悉MOS图象传感器工作原理，初步掌握SSPA器件光电转换特性曲线的测试方法。
二、实验原理1、熟悉SSPA驱动电路板。
2、波形观察和记录。
按规定给驱动板加上直流电源，用均匀直流光源照明SSPA器件，用脉冲示波器观察并记录器件工作波形及其相互位相关系、高低电平或幅度，包括S、4、4、V、Eos t 1 2 o 等信号。
3、光电转换特性测试（见图1）。
图1光电转换特性测试装置图测试条件：①光源：2856。
K钨灯（用白炽小灯泡代替）。
②R = 10 K, C = 51 pF③ f = 100 KHz④记录积分时间T血（ms）三、使用仪器、材料稳压源，光源（白炽灯），照度计，SSPA驱动电路板，示波器，滑座支架。
四、实验步骤1、由小到大改变光源（改变光强与器件之间的距离以及白炽灯本身自带的控制亮度的开关来实现），用示波器观测记录各光强下的视频输出匕幅度（mV）及对应的照度H的值（匕），列表记录（线性区至少取5个点，饱和区取3个点）。
2、用坐标纸做出散点图，拟合并绘出H〜匕光电转换曲线，标出曲线上的特征点。
五、实验过程原始记录（数据、图表、计算等）1、连接好电路及各实验装置，观察并记录SSPA器件工作波形（S、4、4、t 12匕、Eos等），结果如下图所示：S IIIt ------------------------------------ I I IEOS U ；V UT 12mV5pfl, 5|i s*|图2 SSPA器件工作波形2、实验测得的原始数据如表1所示：1由实验数据得到H〜V的曲线图:o3、由曲线图可以得到U = 22mV , H = 9.47Lx。
(1)记录的积分时间：世sT = (2.5 +1.5) x 0.5ms = 2ms。
(2)饱和曝光量E = H x T = 9.47 x 2 x 10-3 = 1.894 x 10-2 L - s(3)灵敏度S = V°/E S = 2/1.894x10-2 T161x103 tnV'(Lx - s)4、通过H ~ V曲线，简要分析SSPA工作特性。
光电特性综合实验报告
一、实验目的1. 理解光电效应的基本原理。
2. 掌握光敏电阻和光电管的光电特性。
3. 通过实验，分析光敏电阻和光电管在不同光照条件下的电阻和电流变化。
4. 学习使用光电效应实验装置，测定普朗克常量。
二、实验原理光电效应是指当光照射到某些物质表面时，物质表面的电子吸收光子的能量而逸出，形成电流的现象。
根据爱因斯坦的光电效应方程，光电子的最大动能与光子的能量成正比，与光的频率有关，而与光的强度无关。
光敏电阻是一种利用光电效应原理工作的传感器，其电阻值随光照强度的变化而变化。
光电管是一种利用光电效应将光信号转换为电信号的器件，其输出电流与入射光的强度成正比。
三、实验仪器与材料1. 光电效应实验装置2. 光敏电阻3. 光电管4. 可调光源5. 电流表6. 电压表7. 数据采集系统8. DataStudio软件四、实验内容及步骤1. 光敏电阻光电特性测试(1) 将光敏电阻接入电路，测量其在不同光照强度下的电阻值。
(2) 使用数据采集系统记录光敏电阻在不同光照强度下的电阻值。
(3) 分析光敏电阻的光电特性曲线，研究电阻值与光照强度的关系。
2. 光电管光电特性测试(1) 将光电管接入电路，调整光源的强度，测量不同光照强度下的光电流。
(2) 使用数据采集系统记录光电管在不同光照强度下的光电流。
(3) 分析光电管的光电特性曲线，研究光电流与光照强度的关系。
3. 普朗克常量测定(1) 调整光源的频率，测量光电管在不同频率下的光电流。
(2) 使用数据采集系统记录光电管在不同频率下的光电流。
(3) 根据光电效应方程，计算普朗克常量。
五、实验结果与分析1. 光敏电阻的光电特性曲线显示，随着光照强度的增加，光敏电阻的电阻值逐渐减小，呈现出线性关系。
2. 光电管的光电特性曲线显示，随着光照强度的增加，光电流逐渐增大，呈现出线性关系。
3. 通过实验测定的普朗克常量与理论值相符，验证了光电效应方程的正确性。
六、实验结论1. 光敏电阻的光电特性曲线表明，其电阻值与光照强度呈线性关系。
实验一 光电器件特性参数测试
实验一光电器件特性参数测试一、实验目的1、了解光敏电阻的光电特性、光谱响应特性、频率特性等基本特性，测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线。
2、了解光敏三极管的基本特性，测出它的伏安特性和光照特性曲线。
3、了解硅光电池的基本特性，测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线。
二、实验内容实验内容包括：光敏电阻特性实验，光敏三极管特性测试，光电池特性测试（1）光敏电阻特性实验实验原理:光敏电阻又称为光导管,是一种均质的半导体光电器件,其结构如图(1)所示。
由于半导体在光照的作用下,电导率的变化只限于表面薄层,因此将掺杂的半导体薄膜沉积在绝缘体表面就制成了光敏电阻，不同材料制成的光敏电阻具有不同的光谱特性。
光敏电阻采用梳状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。
实验所需部件:稳压电源、光敏电阻、负载电阻（选配单元）、电压表、各种光源、遮光罩、激光器、光照度计（由用户选配）实验步骤:1、测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩盖,用万用表测得的电阻值为暗电阻R暗,移开遮光罩，在环境光照下测得的光敏电阻的阻值为亮电阻，暗电阻与亮电阻之差为光电阻，光电阻越大，则灵敏度越高。
2、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流按照图（3）接线，电源可从直流稳压电源+2~+8V间选用，分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮则暗电流L暗=V暗/R L,亮电流L亮=V亮/R L，亮电流与暗电流之差称为光电流，光电流越大则灵敏度越高。
3．伏安特性:光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系。
按照图(3)分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V、12V时的光电流，将所测得的结果填入下面表格并作出V/I曲线。
实验时请注意不要超过光电阻的最大耗散功率P MAX, P MAX=LV光源照射时灯胆及灯杯温度均很高，请勿用手触摸，以免烫伤。
实验数据分析：将采集到的153.3lux下电流与偏压的数值使用matlab做直线拟合程序如下：% 初始数据x=[2,4,6,8,10,12];y=[8,16,24,32,40,48];% 拟合直线y=p(1)*x+p(2)p=polyfit(x,y,1);% 显示拟合前后直线，其中方框为拟合前数据，直线为拟合后的直线yy=polyval(p,x);plot(x,y,'s',x,yy)%拟合的直线方程poly2sym(p,'x')拟合结果如下：由上图可以看出在一定光照下光敏电阻两端所加的电压与光电流成正比关系。
光电元件应用实验报告
一、实验目的1. 理解光电元件的基本工作原理和特性。
2. 掌握光电元件在不同应用场景下的实际操作和测试方法。
3. 分析光电元件在工业自动化、信息处理和光学仪器等领域的应用。
二、实验原理光电元件是一种将光信号转换为电信号的器件，具有响应速度快、灵敏度高、抗干扰能力强等特点。
常见的光电元件有光电二极管、光电三极管、光敏电阻、光敏电容等。
三、实验内容1. 光电二极管测试（1）实验目的：了解光电二极管的基本特性和工作原理。
（2）实验仪器：光电二极管、稳压电源、示波器、电阻、导线等。
（3）实验步骤：① 将光电二极管与稳压电源、电阻和示波器连接成电路。
② 调整稳压电源，使光电二极管两端电压为0.7V。
③ 观察示波器上的波形，记录光电二极管导通时的电流值。
④ 改变光照强度，观察电流值的变化。
2. 光电三极管测试（1）实验目的：了解光电三极管的基本特性和工作原理。
（2）实验仪器：光电三极管、稳压电源、示波器、电阻、导线等。
（3）实验步骤：① 将光电三极管与稳压电源、电阻和示波器连接成电路。
② 调整稳压电源，使光电三极管基极电压为0.7V。
③ 观察示波器上的波形，记录光电三极管导通时的电流值。
④ 改变光照强度，观察电流值的变化。
3. 光敏电阻测试（1）实验目的：了解光敏电阻的基本特性和工作原理。
（2）实验仪器：光敏电阻、稳压电源、示波器、电阻、导线等。
（3）实验步骤：① 将光敏电阻与稳压电源、电阻和示波器连接成电路。
② 调整稳压电源，使光敏电阻两端电压为5V。
③ 观察示波器上的波形，记录光敏电阻导通时的电流值。
④ 改变光照强度，观察电流值的变化。
4. 光电元件在工业自动化中的应用（1）实验目的：了解光电元件在工业自动化领域的应用。
（2）实验仪器：光电传感器、PLC（可编程逻辑控制器）、执行器、导线等。
（3）实验步骤：① 将光电传感器、PLC和执行器连接成电路。
② 编写PLC程序，实现光电传感器检测到物体时，控制执行器动作。
光电器件特性测试实验报告
光电器件特性测试实验报告光电器件特性测试实验报告摘要：本实验旨在通过对光电器件特性的测试，探究光电器件的工作原理和性能特点。
实验中使用了光电二极管和光敏电阻作为测试对象，通过测试光电器件的光电流和光电阻随光强的变化关系，以及对不同波长光的响应能力，得出了一系列实验结果。
实验结果表明，光电器件的性能特点与光强、波长等因素密切相关，为光电器件的设计和应用提供了重要依据。
一、引言光电器件是将光信号转化为电信号的重要元件，广泛应用于光通信、光电子、光电测量等领域。
了解光电器件的特性对于其设计和应用具有重要意义。
本实验选取了光电二极管和光敏电阻作为测试对象，通过对其特性的测试，探究光电器件的工作原理和性能特点。
二、实验方法1. 实验器材：- 光电二极管- 光敏电阻- 光源- 电流源- 电压源- 示波器- 多用表2. 实验步骤：a. 搭建光电器件测试电路，将光电二极管和光敏电阻分别与电流源和电压源相连。
b. 调节光源距离光电器件的距离，改变光强。
c. 测量光电二极管的光电流和光敏电阻的光电阻随光强的变化关系。
d. 改变光源的波长，测量光电二极管和光敏电阻对不同波长光的响应能力。
三、实验结果与分析1. 光电二极管的特性测试结果：a. 光电流随光强的变化关系：实验结果显示，光电流随光强的增大而线性增加，但当光强达到一定值后，光电流增加的速度减慢，呈现饱和状态。
这是因为光电二极管在光照射下，光子能量被电子吸收，从而产生电流。
b. 光电流对不同波长光的响应能力：实验结果显示，光电二极管对不同波长光的响应能力存在差异。
在可见光范围内，光电流对短波长光的响应更强，而对长波长光的响应较弱。
这是因为光电二极管的能带结构和材料特性导致了不同波长光的吸收效果不同。
2. 光敏电阻的特性测试结果：a. 光敏电阻随光强的变化关系：实验结果显示，光敏电阻随光强的增大而线性减小，即光敏电阻与光强呈反比关系。
这是因为光敏电阻的电阻值受光照射强度的影响，光强越大，电阻值越小。
光电二极管特性与灵敏度的研究与实验
光电二极管特性与灵敏度的研究与实验在现代科技发展的背景下，光电二极管作为一种重要的光电转换器件，被广泛应用于光通信、光电子技术、光电测量等领域。
本文将对光电二极管的特性与灵敏度进行研究与实验，探索其在光电器件中的重要作用。
首先我们需要了解光电二极管的基本特性。
光电二极管是一种可以将光信号转换为电信号的器件。
当光线照射到光电二极管的P-N结上，产生的光电效应会引起电子和空穴的发射，从而形成电流。
其基本特性包括响应速度、光谱响应范围以及灵敏度等方面。
为了研究光电二极管的特性，我们可以进行一系列的实验。
首先，可以用光源照射光电二极管，利用示波器观察到的电压信号来测量其响应速度。
通过改变照射光源的频率，我们可以得到光电二极管的响应速度随频率变化的曲线。
从实验结果中可以看出，光电二极管的响应速度随着光源频率的增加而逐渐减小，这是因为高频光的光子能量较大，使得光电二极管的电子和空穴更容易产生，从而响应速度下降。
接下来，我们可以通过改变照射光源的波长，来研究光电二极管的光谱响应范围。
光谱响应范围指的是光电二极管对不同波长的光的响应能力。
通过测量不同波长下光电二极管的输出电流，我们可以得到光电二极管的光谱响应曲线。
从实验结果中可以看出，光电二极管对不同波长的光的响应程度是不同的，其光谱响应范围通常集中在特定的波长区间。
这是由于光电二极管的材料和结构决定的，不同的材料和结构会导致其对光的波长有不同的选择性。
在研究光电二极管的特性时，我们还需要了解其灵敏度。
光电二极管的灵敏度指的是其对光强度变化的敏感程度。
通过实验，我们可以利用光源的强度来改变照射光电二极管的光强度，然后测量其输出电流的变化情况。
通过得到的数据，我们可以绘制出光电二极管的灵敏度曲线。
实验结果显示，光电二极管的灵敏度随着光强度的增加而增加，但是当光强度超过一定阈值时，灵敏度开始饱和。
这是因为在光强度较低时，光电二极管的电子和空穴发射速率相对较低，导致灵敏度有限；而在光强度较高时，光子能量大，电子和空穴易于产生，使灵敏度增加，但是当光子能量更高时，光电二极管饱和，不再增加。
实验五 APD光电二极管特性测试
实验五APD光电二极管特性测试一、实验内容1、学习掌握APD光电二极管的工作原理2、学习掌握APD光电二极管的基本特性3、掌握APD光电二极管特性测试方法4、了解APD光电二极管的基本应用二、实验目的1、APD光电二极管暗电流测试实验2、APD光电二极管光电流测试实验3、APD光电二极管伏安特性测试实验4、APD光电二极管雪崩电压测试实验5、APD光电二极管光电特性测试实验6、APD光电二极管时间响应特性测试实验7、APD光电二极管光谱特性测试实验三、实验器材1、光电探测综合实验仪1个2、光通路组件1套3、光照度计1台4、光敏电阻及封装组件1套5、2#迭插头对（红色，50cm）10根6、2#迭插头对（黑色，50cm）10根7、三相电源线1根8、实验指导书1本9、示波器1台四、实验原理雪崩光电二极管APD—Avalanche Photodiode是具有内部增益的光检测器，它可以用来检测微弱光信号并获得较大的输出光电流。
雪崩光电二极管能够获得内部增益是基于碰撞电离效应。
当PN结上加高的反偏压时，耗尽层的电场很强，光生载流子经过时就会被电场加速，当电场强度足够高(约3x105V／cm)时，光生载流子获得很大的动能，它们在高速运动中与半导体晶格碰撞，使晶体中的原子电离，从而激发出新的电子一空穴对，这种现象称为碰撞电离。
碰撞电离产生的电子一空穴对在强电场作用下同样又被加速，重复前一过程，这样多次碰撞电离的结果使载流子迅速增加，电流也迅速增大，这个物理过程称为雪崩倍增效应。
图6-1为APD的一种结构。
外侧与电极接触的P区和N区都进行了重掺杂，分别以P+和N+表示；在I区和N+区中间是宽度较窄的另一层P区。
APD工作在大的反偏压下，当反偏压加大到某一值后，耗尽层从N+-P结区一直扩展(或称拉通)到P+区，包括了中间的P层区和I区。
图4的结构为拉通型APD的结构。
从图中可以看到，电场在I区分布较弱，而在N+-P 区分布较强，碰撞电离区即雪崩区就在N+-P区。
(雷亮)光电技术实验--光电二极管特性、光纤传感器、PSD
实验一光电二极管特性实验实验原理:光电二极管又叫光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的PN结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。
无光照时,有很小的饱和反向漏电流,即暗电流，此时光敏二极管截止。
当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加，形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。
光敏二极管结构见图9-1。
光电二极管结构实验仪器：CSY10G型实验仪实验所需部件:光敏二极管、稳压电源、负载电阻、遮光罩、光源、电压表(自备4 1/2位万用表).、微安表、（照度计，自备或另购）实验步骤:光电二极管测量电路图1伏安特性:光电二极管两端所加的电压与光电流之间的关系。
按照图8-2分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V时的光电流，并采用蓝色LED光源照明，照度值值必须为同一个数值(用照度计测量)，该值可自己选取，选定后记录下来，为lux。
于是测得不同偏压时光电流变化的情况。
将所测得的结果填入表格。
2光电特性：光电二极管的光电特性在一定的电压作用下，光电二极管的光电流与照射光通量的关系为光电特性见图所示。
调动蓝色LED有四个不同的发光照度值(用照度计测量)并记录下来，再测出对应的电二极管的电流值，注意此时光电二极管必须为同一个偏压数值，记录为_________V。
将所测数据记入下表：3、光谱特性：几种光电二极管的光谱特性用不同的材料制成的光电二极管有着不同的光谱特性，见图光电二极管的光谱特性曲线。
当不同波长的入射光照到光电二极管的光敏面上，光电二极管就有不同的灵敏度。
实验中用不同波长的LED（红、黄、绿、蓝、橙白）作为光源，在保证这些LED光源出射的照度值不变(此照度值可自己选定，选定后记录为_____________lux)，并且保证光电二极管偏压不变(此偏压值可自己选定，选定后记录为_____________V)情况下，测得不同偏压时光电流变化的情况，将测得的数据记入下表，此为光电二极管的光谱特性曲线：实验二光纤传感器实验光纤位移传感器原理实验原理:本实验仪中所用的为传光型光纤传感器,光纤在传感器中起到光的传输作用，因此是属于非功能性的光纤传感器。
光电子器件的特性测试与分析
光电子器件的特性测试与分析光电子器件是一类基于光电效应工作的器件，其在光通信、光存储、光计算等领域具有广泛的应用。
在研发和生产过程中，对光电子器件的特性进行准确的测试和分析是非常重要的。
本文将针对光电子器件的特性测试与分析进行探讨，并提供相关的方法和技术。
一、光电子器件的特性测试光电子器件的特性测试是指对器件的基本参数进行测试，以评估器件的性能和工作状态。
典型的光电子器件包括光电二极管、光电三极管、光电传感器、光电探测器等。
1. 光电器件的光谱响应测试光谱响应测试是评估光电器件在不同波长光照下的输出响应情况。
常用的测试方法包括半导体激光光电二极管的测试、反射式光电探测器的测试等。
测试时需使用光源和光谱仪，记录器件的输出响应与入射光的波长之间的关系。
2. 光电器件的响应速度测试光电器件的响应速度是指其对光信号的响应速度。
常用的测试方法包括脉冲光响应测试、直流光响应测试等。
通过输入不同频率和幅度的光脉冲或直流光信号，测量器件的输出响应时间和频率响应曲线，以评估器件的速度性能。
3. 光电器件的量子效率测试量子效率是评估光电器件将光信号转化为电信号的效率。
常用的测试方法包括外量子效率测试和内量子效率测试。
外量子效率测试是通过测量器件在光照下产生的电流与光功率之间的比值来评估器件的效率。
内量子效率测试是通过测量光电器件中载流子的重复利用率来评估效率。
二、光电子器件的特性分析光电子器件的特性分析是指通过实验和理论研究，对器件的性能进行深入分析和解释，提取重要的物理参数和关键特性。
1. 光电器件的光电转换效率分析光电转换效率是评价光电器件性能的重要指标，表示器件将光能转化为电能的效率。
对于光电探测器、光电二极管等器件，其光电转换效率与载流子的寿命、载流子迁移率、结构等因素有关。
通过实验和模拟，可以分析器件的光电转换效率与这些参数之间的关系，优化器件的设计和性能。
2. 光电器件的噪声分析光电器件的噪声是指器件输出信号中的非理想成分。
光电探测器特性测量实验
光敏元件的特性测试-光敏二极管特性一．实验目的：１．熟悉光敏二极管的结构和光电转换原理。
２．掌握光敏二极管的暗电流及光电流的测试方法。
３．了解光敏二极管的特性，当光电管得工作偏压一定时，光电管输出光电流与入射光的照度（或通量）的关系。
二．实验原理:光敏二极管是一种光生伏特器件，用高阻P型硅作为基片，然后在基片表面进行掺杂形成PN结，N区扩散区很浅为1um左右，而空间电荷区（即耗尽层）较宽，所以保证了大部分光子入射到耗尽层内，光被吸收而激发电子——空穴对，电子——空穴对在外加反向偏压的作用下，空穴流向正极，形成了二极管的反向电流即光电流。
光电流通过外加负载电阻RL后产生电压信号输出。
光敏二极管原理如图（2）所示。
图（2）在无光照的情况下，若给P—N结一个适当的反向电压，则反向电压加强了内建电场，使P—N结空间电荷区拉宽，势垒增大，流过P—N结的电流（称反向饱和电流或暗电流）很小，它（反向电流）是由少数载流子的漂移运到形成的。
当光敏二极管被光照时，满足条件hv≧Eg时，则在结区产生的光生载流子将被内场拉开，光生电子被拉向N区，光生空穴被拉向P区，于是在外加电场的作用下以少数载流子漂移运动为主的光电流。
显然，光电流比无光照时的反向饱和电流大得多，如果光照越强，表示在同样条件下产生的光生载流子越多，光电流就越大，反之，则光电流越小。
当二极管与负载电阻RL串联时，则在RL的两端便可得到随光照度变化的电压信号，从而完成了将光信号转变成电信号的转换。
光敏二极管在无光照时，在所加反向电压作用下，仍会有反向电流流过，这种电流的数值很小，称为暗电流。
暗电流值是光敏二极管传感器的重要参数之一，它影响光敏二极管的光电变换质量和工作稳定性，因此希望它数值越小越好。
在无辐射作用的情况下，PN结硅光敏二极管的正、反向特性与普通PN结二极管基本一样，均为图（3）所示的伏安特性曲线，当有光照时，PN结硅光敏二极管的反向输出特性曲线如图（4）所示。
光电器件特性实验报告
光电器件特性实验报告光电器件特性实验报告引言：光电器件是一类能够将光能转化为电能或者将电能转化为光能的器件。
在现代科技中，光电器件的应用范围广泛，涵盖了光通信、光储存、太阳能发电等多个领域。
为了更好地了解光电器件的特性和性能，本次实验旨在通过实验方法探究光电器件的工作原理、特性参数以及应用前景。
一、实验目的本次实验的主要目的是通过测量和分析光电器件的特性参数，如响应速度、光电流、光电压等，来深入了解光电器件的性能和特点。
同时，通过实验结果的分析，可以评估光电器件在实际应用中的可行性和优势。
二、实验装置和方法本次实验使用的光电器件为光敏电阻。
实验装置主要包括光源、光电器件、电源、电压表和电流表等。
实验步骤如下：1. 将光敏电阻连接到电路中，确保电路连接正确。
2. 调节电源的输出电压，使其适应光敏电阻的工作电压范围。
3. 将光源对准光敏电阻，调节光源的亮度。
4. 分别测量光敏电阻的光电流和光电压，并记录实验数据。
三、实验结果及分析根据实验数据，我们可以得到光敏电阻的光电流和光电压随光照强度的变化曲线。
通过分析曲线，可以得到以下结论：1. 光电流与光照强度呈线性关系：随着光照强度的增加，光敏电阻的光电流也相应增加。
这说明光敏电阻对光的响应是线性的，即光电流与光照强度成正比。
2. 光电压与光照强度呈非线性关系：随着光照强度的增加，光敏电阻的光电压先增加后趋于稳定。
这表明光敏电阻的光电压与光照强度之间存在一定的非线性关系，光电压的增加速度逐渐减缓。
3. 响应速度较快：在实验过程中，我们还观察到光敏电阻对光的响应速度较快。
当光源的亮度发生变化时，光敏电阻的光电流和光电压几乎立即发生相应变化，没有明显的滞后现象。
四、实验应用前景光敏电阻作为一种常见的光电器件，具有以下应用前景：1. 光敏电阻在光通信领域的应用：光敏电阻可以用于光通信系统中的光电转换，将光信号转化为电信号，实现光信号的传输和接收。
2. 光敏电阻在太阳能发电领域的应用：光敏电阻可以作为太阳能电池的关键组成部分，将太阳能转化为电能，实现太阳能的利用和储存。
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实验一光电转换特性测试一、实验目的熟悉MOS图象传感器工作原理，初步掌握SSPA器件光电转换特性曲线的测试方法。
二、实验原理1、熟悉SSPA 驱动电路板。
2、波形观察和记录。
按规定给驱动板加上直流电源，用均匀直流光源照明SSPA 器件，用脉冲示波器观察并记录器件工作波形及其相互位相关系、高低电平或幅度，包括 S t、1、2、V o 、Eos 等信号。
3、光电转换特性测试（见图1）。
图1 光电转换特性测试装置图测试条件：① 光源： 2856 K 钨灯（用白炽小灯泡代替）② R L 10K,C L 51pF③ f v 100KHz④ 记录积分时间 T int ms三、使用仪器、材料稳压源，光源（白炽灯），照度计，SSPA驱动电路板，示波器，滑座支架四、实验步骤1、由小到大改变光源（改变光强与器件之间的距离以及白炽灯本身自带的控制亮度的开关来实现），用示波器观测记录各光强下的视频输出 V o幅度（mV ）及对应的照度H 的值（ L x ），列表记录（线性区至少取5 个点，饱和区取3 个点）。
2、用坐标纸做出散点图，拟合并绘出H ~V o 光电转换曲线，标出曲线上的特征点。
五、实验过程原始记录（数据、图表、计算等）1、连接好电路及各实验装置，观察并记录SSPA 器件工作波形（结果如下图所示：2、实验测得的原始数据如表1 所示：1H Lx 3.76 4.16 5.23 6.25 6.949.4711.4413.89V o mV1012141518222222由实验数据得到H ~V o 的曲线图：S t 、 1 、 2 、V o 、Eos等），24mV V12mV EOS?148mV?248mV5μs 5μs图 2 SSPA 器件工作波形图 3 H ～V o 光电转换曲线3、由曲线图可以得到 V os 22mV ， H s 9.47 Lx 。
（1）记录的积分时间：T （2.5 1.5） 0.5ms 2ms 。
（2）饱和曝光量E s H s T int 9.47 2 103 1.894 10 2L x s（3）灵敏度SE s221.894 102 1.161 10 mV（Lx s ）4、通过 H~V o 曲线，简要分析 SSPA 工作特性。
由H ~V o 曲线得出，当 H <H s 时， SSPA 器件的输出电压 V 正比于曝光量 H ， 输出电压和照度具有良好线性关系，当光照度达到 H s 后，输出的电压达到最大值 V os ，且不再变化，这时称 H s 为饱和曝光量， V os称为饱和电压。
实验二不均匀性、暗信号及动态范围测试、实验目的了解SSPA器件参数的定义，初步掌握其简单的测试方法。
、实验原理1．不均匀性NU 测试。
图1 不均匀性测试装置框图测试条件：① 光源：直流日光灯(用白炽灯代替) 。
②视频信号经驱动板放大后测试。
③记录视频信号频率 f v(KHz)，积分时间 T int ( ms) 。
三、使用仪器、材料SSPA驱动电路板，白炽灯，照度计，电源，示波器等。
四、实验步骤1、不均匀性NU 测试：①加大照射在SSPA光敏面上的光强，使视频输出达到饱和值 V os ，记录 f v 、 T int 、V、V，取其平均值V =(V V )/2。
osmax osmin os osmax osmin②减小光强(拉大光源与器件之间的距离)使器件输出幅度为V os = (V osmax V osmin )/2，记录视频信号中的 V omax、V omin(不记第1，2位和末2位)，平均值V o。
③计算不均匀性NU 值： NU (V osmax V osmin ) V o 100%。
2、暗信号及动态范围测试①无光照条件下，用示波器灵敏档测试SSPA的视频输出即为暗信号 V d(V p p 值)，记录其中的最大最小值 V dmax、V dmin ，即暗信号差值。
②机器可读的动态范围DR 按下式计算：DR V os V d 。
五、实验过程原始记录(数据、图表、计算等)1、不均匀性NU 测试①加大照射在SSPA光敏面上的光强，使视频输出达到饱和值 V os ，记录T v 0.5 20 s 10 s ，则f v 100 KHz T int (5.5 0.8) 0.2ms 1.26 ms其每格为50 m，所以头发的长度为150 m实验五光电二极管的特性测试、实验目的1.了解光电二极管的工作原理。
2. 掌握光电二极管基本性能的测试方法。
3. 掌握光电二极管的使用方法。
二、实验原理光电二极管的基本特性分为以下三方面：1. 光照特性：在一定工作偏压下，光电二极管的输出电流I 和照度E v 之间的关系测试电路如图1。
三、实验器材：白炽灯1 台，光电二极管2CU 1支，照度计1台，万用表1台，电阻若干，实验板1 块，导线若干。
四、实验步骤：1. 光电二极管光照特性的测试。
错误!未找到引用源。
判断光电二极管的极性，按图1 连接电路。
②选择适当的偏压V c ,和负载电阻R L。
按表1的要求将测试换算结果逐点填入表中。
③改变偏压V c或负载R L ,观察光电二极管光照特性的变化2.光电二极管伏安特性的测试。
错误!未找到引用源。
按图1接线，将电流计串入回路中② 调定合适的R L ，记录结果。
五、实验过程原始记录（数据、图表、计算等）1.光电二极管的光照特性测试的实验记录表1 光电二极管在V c =10V ，R L =3K 条件下的光照特性实验记录光电二极管在V c=10V ，R L=3K 条件下E V( Lx)133209303415532635800929106512342.伏安特性：指在定照度下，光电二极管的光电流与偏压的关系。
测试如图1。
图 1 光照、伏安特性测试电路光电二极管的光照特性测试数据所得E- V 、E-I 曲线如图：图2 光电二极管在V c =10V ，R L =3K 条件下的光照特性测试结果表2 光电二极管在V c=10V ，R L=75 条件下的光照特性实验记录图3 光电二极管在V c =10V ，R L =75 条件下的光照特性测试结果表3 光电二极管的光照特性实验记录光电二极管伏安特性曲线如下：图4 光电二极管伏安特性曲线3、回答下列问题：(1) R L 固定，V c 改变，光照特性曲线变化否？V c 固定，R L 改变，光电二极管光照特性曲线变化否？答：R L 固定，V c改变时，光电二极管耗尽层厚度随着V c改变而改变，V c增大时光电流也将变大，最后趋于一个稳定值。
故光照特性曲线随着的V c 减小而上移，最终趋于一条稳定的曲线；V c固定，R L 改变时，负载电阻R L 增大，电阻的时间常数变大，光电二极管的响应速度变慢，即单位时间流过的载流子减少，导致光电流减小。
在光照不变情况下，曲线斜率变小，即曲线变得较平缓。
(2) 光电二极管偏压为零时,为什么有光电流输出？由于光电二极管PN 结存在内建电场，即使光电二极管偏压为零，光照时产生的电子-空穴对，仍然能在内建电场的作用下形成漂移电流以及形成与漂移电流相同方向的扩散电流。
对于反偏的二极管，总有一定的电流流过它，即暗电流，其随温度升高而增大。
(3) 光电二极管反向偏压进一步加大后，为什么光电流趋于饱和，与所加电压几乎无关，而仅取决于光照强度？在低反向电压下，光电流随电压变化很敏感，这是由于反向偏置电压使耗尽层加宽并使电场强度加强，从而提高了光吸收率及对载流子的搜集。
电压进一步加大，对光生载流子收集已达极限，光生电流趋于饱和，这样光生电流与外加反向电压大小几乎无关，仅取决于光照强度。
实验六 光电三极管的特性测试、实验目的1.了解光电三极管的工作特点。
2. 掌握光电三极管基本性能的测试。
3. 学会使用光电三极管。
二、实验原理 光电三极管的基本特性分为以下三个方面： 1.光照特性：光电三极管在一定偏压下， 受光的照度 E V 与产生的光电流 I s 之间的关 系。
2. 伏安特性：三、实验器材： 白炽灯 1 台，光电三极管 块，导线若干。
四、实验步骤： 1.光电池光照特性的测试。
○1按图 1 连接线路； ○2选择适当的偏压 V c 和负载电阻 R L ，测试当照度 E v 变化时，V o 和I相对应的值。
2.伏安特性的测试：○1按图 1 连接线路，将电流计串入回路中； ○2记录实验结果。
五、实验记录：1. 光电三极管的光照特性测试的实验记录光电三极管的光照特性测试数据：表 1 光电三极管 在V c =10V ， R L =3K 条件下 的光照特性实验记录光电三极管在V c =10V ， R L =3K 条件下E v (Lx )145 207 306406 501615 74283092911291 个，照度计 1 台，万用表 1 台，电阻若干，实验板 1随偏压的变化。
V o( mV) 0.9 1.8 6.2 15.2 23.5 28.7 30.8 31.7 32.8 36I (mA) 0.3 0.6 2.07 5.07 7.83 9.57 10.27 10.57 10.93 12.0光电三极管的光照特性测试数据曲线：图 2 光电三极管在V c=10V ，R L=3K 条件下的光照特性测试结果表2 光电三极管在V c =10V ，R L =75 条件下的光照特性实验记录光电三极管在V c =10V ，R L =75 条件下E v(Lx) 143 196 242 282 400 500 624 815 954 1164V o( mV ) 0.05 0.09 0.15 0.2 0.37 0.47 0.72 0.81 0.86 0.93I ( mA) 0.67 1.2 2.0 2.67 4.93 6.27 9.6 10.8 11.47 12.4光电三极管的光照特性测试数据曲线：图3 光电三极管在V c=10V ，R L=75 条件下的光照特性测试结果2. 光电三极管伏安特性的实验记录表 3 光电三极管在V c=10V ，R L=75 条件下的光照特性实验记录光电三极管在V c =10V ，R L=3K 条件下I mA VE v Lx500 10.9 12.2 14.2 17.2 20.4光电三极管伏安特性测试数据曲线：图4 光电三极管伏安特性测试数据曲线六、思考1.总结光电三极管与光电二极管各有什么优缺点。
它们都具有高频性能好、量子效率高、灵敏度高、偏置电压低、功耗小、线性范围大、体积小、质量轻和价格便宜等优点。
两者比较而言，（1）光电二极管光照特性的线性比较好，而光电三极管光照特性曲线的线性比较差。
（2）由于光电三极管有放大作用，在相同照度下，它的光电流和灵敏度要比光电二极管的大几十倍。
（3）在零偏值时，光电二极管能产生光生电动势，电路中有电流，而这时光电三极管的集电结虽然也能产生光生电动势，但因为集电结无反向偏压，就没有电流放大作用。