北京科技大学工科物理实验考试

“误差等分配原则”就是各直接测量量所对应的误差分项尽量相等，而间接测量量对应的误差合成项又满足精度的要求。(这个找不到是哪个实验里的了…)

实验4.9、

1.声速测量为什么选择40Hz

此时传感器发生共振，输出的超声波能量最大

2. 声速测量行波法实验原理

由于发射器发出的声波近似于平面波，所以空气在发生器与接收器之间同一截面处各质点的振动情况相同。设声波振动为y1=uy0cos

（2πft+φ）其中y0为振幅，f为振动频率，φ为初相位。距声源为x 处的任一质点的振动情况y1=y0cos[2πf(t-x/v)+φ]相位差为△φ=2πfx/v=2πx/入，则有△x=入/2，若测得△x，即可求得入.将发生器发出的信号与接收器接收到的信号分别加到示波器垂直于水平偏转板上。示波器光屏上显示的图形为两个同频率的互相垂直的振动的合振动轨迹（李萨如图形）

实验4.11

1.折射率与波长关系，最小偏向角与波长关系？（就是一个变大另

一个怎么变化，不写公式都行）

2.最小偏向角指的是什么？怎样测量最小顶角A

3.游标卡尺上读两个示数的原因（棱镜分光仪吧，消除偏心差）

4.还有个望远镜调法（答案是自准法）

实验4.12

1.下边的单色仪的数据是否合理，为什么（有一数据表格）

2．在实验中，如何提高分辨能力？

增大光栅分光本领（单位长度条纹数）和适当减小出光孔孔径,适当调节狭缝宽度

3.单色仪的光路图 P104

4.测单色仪分辨率时，要用到什么光？为什么？

P109 汞光灯因为有2个波峰~~

5.测量滤光片的透射率时需要测量哪些物理量并简要写出操作步骤。通带半宽度的定义。

测量滤光片的透射率，做出透射率T与波长λ的关系曲线I-λ，从图中求出滤光片的峰值投射率。操作步骤：点亮钨灯。调节聚光镜使光汇聚在入射狭缝上，光斑直径最好与缝高的高度相同。不加滤光片，观察从280nm正向扫描至660nm光强最大值所处波段。加上滤光片，重复上一步骤，记下光强最大值所处波段。通带半宽度Δλ，是透射率为峰值之半所对应的波长范围。

6. 光电倍增管使用注意事项：使用光电倍增管时，切勿使入射光太强，工作时不能打开密封罩，否则因曝光而引起的阳极电流会使管子烧坏。

实验5.3

1.锗的适用温度小于45℃

2.硅和锗的禁带宽度分别为1.21 eV和0.78 eV

3.PN结中P代表什么？N代表什么？？

4.怎样测量波尔兹曼常数？？

画VF-LNIF图，拟合曲线求斜率K1，K1=KT/Q，K就是波尔兹曼常数了

5.什么是禁带宽度

禁带宽度是指一个能带宽度.固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带。要导电就要有自由电子存在。自由电子存在的能带称为导带。被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。禁带非常窄就成为金属了，反之则成为绝缘体。半导体的反向耐压，正向压降都和禁带宽度有关。

实验5.5

1.请画出全息照相光路图 P140

2.全息照相的影响因素

3.全息照相和普通照相的区别

普通照相是用几何光写的方法记录物体上各点的发光强度分布，得到的是二维平面像，像上各点的照度与物体上各点的发光强度一一对应。而全息照相的记录对象是整个物体发出的光波，借助

于参考光用干涉的方法记录这个物光波的振幅和位相分布，即记录下物光波与参考光波相干后的全部信息。

4.全息照相中的感光片是否有正反面

5.全息照相实验失败率很高，怎样改进

调节物光束与参考光束由分光板至感光板的光程大致相等，用透镜将物光束扩展到整个被摄物都受到均匀的光照，物光束与参考光束的夹角应为30到50度，调整参考光束与物光束的光强比，关闭室内照明灯减少其他光的干扰，控制曝光时间。

实验6.6

1.当标准电阻R为0.1级时，其误差为多少？（0.05000欧）

2.设计测量电阻率实验的电路图

实验7.4

1 本学期测金属薄膜的实验中的方法能否测所有厚度的薄膜？说明

理由。

（不行！（这个肯定对吧）。理由：51#：不能。膜太厚的话，将不能分辨出左右（有膜和无膜处）到底相差几个二分之一波长。厚膜需要换一种方法：将空气劈尖转90°就能观测了。

1测量金薄膜中半透膜哪一面向上？为什么？

不镀铝薄膜的一面向上。A光在下玻璃板进行反射，B光在半透膜下表面进行反射，两光形成干涉条纹反映了劈尖的厚度。

2测金属薄膜电阻率，写出电阻率的计算公式，说说什么是尺寸效应，为什么要正负电压测两遍取平均？

金属薄膜的膜厚小于某一个值时，薄膜的厚度将对自由电子的平均自由程产生影响，从而影响薄膜材料的电阻率。

Pf=(PI/In2)*(V/I)*d，d是薄膜的膜厚。I流经薄膜的电流正负电压,是为了减小温差电动势等方面带来的误差吧

3在测量薄膜电阻率中，计算式子PF=π/LN2*V/I*d，那么电阻率是否与膜厚成正比，为什么？

不是。因为这里V/I的比值不是一个常数

4四引线法适用于什么电阻

测量电阻阻值较低的电阻

5四探针法电路图（p217）

6四探针与四引线异同

同：都是用来测量低电阻阻值的方法，都比较有效低消除了接线电阻和接触电阻的影响。

异：四探针法比四引线法测得低电阻更为精确，可以测半导体，薄膜的电阻。

实验7.7

1传感器实验中三个金属片哪个在测量时出现了零值区，为什么？铁片，因为金属片的磁导率和电导率越大，线圈和金属片的间距越小，涡流的反作用越强，输出电压越低，甚至输出为零，所以铁片有零值区出现。

2涡流传感器的实验原理

由于电流的周期性变化，产生交变磁场H1，金属片靠近时产生磁