NXP恩智浦ESD静电保护管
ESD ZLG公司内部培训ppt
ESD会导致
产品失效（产品不可靠） 高返修率
客户抱怨 利润降低
现象
原理
ESD
选型
对策
ESD原理
处于不同电位的物体间静电荷出现快速转移。
电荷积累
快速放电
ESD原理
摩擦、接触、感应、传导等引起物质获得或失去 电子，从而带电。
当电荷积累到足够强度时，电荷将可能泄放，造 成周围物质被击穿，从而得到新的电平衡，称为静电 放电。
VREF1接 正参考源 （一般接
电源） 中间接被 保护线路 VREF2接 负参考源 （一般接
地）
容抗<5pF
用于IEEE1394,USB2.0等高速通信场合
IP系列
• IP系列是NXP为手持电子设备和消费类电子产 品保护高速通讯端口而推出的，不但包含ESD 保护功能，还集成了EMI滤波、电平切换、缓 冲等功能。使之满足成本和电路板空间都有苛 刻要求的应用，如：手机，VGA，LCD TV， HDMI，USB，音频，视频，TCP/IP，STB， LVDS等。
PPP峰值脉冲功率，保护器件能吸收瞬时脉冲的能量
• ESD rating箝位电压 ，即许可通过保护器件 的最大电压，应小于保护器件的最大耐压
首先，根据被保护线路的信号速度来考虑，速 度越高，需要选择CD越小的器件；
再根据信号电压选择合适的VRWM； 根据极性选择单向还是双向；
结合需最要后保考护虑的需管要脚抗（多线高路的）静数电量和，PPP选峰择值单功路率或，多并 路的ESD型号。
• 所以对元器件、组件和设备要有一定的抗静电能力才能 保证其静电安全，就像人本身要有一定的抗病毒能力样。
单向 ESD器件
1.反向接在电路中，反向起作用 2.ESD脉冲通过时，超过VRWM的电压被短路掉 3.不能保护负的ESD脉冲
恩智浦半导体TEA2093TS GreenChip同步整流控制器产品数据手册说明书
GreenChip同步整流控制器第1版——2022年6月7日产品数据手册1 简介TEA2093TS是针对开关电源的新一代同步整流器(SR)控制器IC系列中的一员。
它包含自适应栅极驱动器，以便在任意负载下达到最高效率。
TEA2093TS是一款专门用于非对称半桥反激式和标准反激式转换器次级侧同步整流的控制器IC。
它内置用于驱动SR MOSFET的检测级和驱动器级，对次级变压器绕组的输出进行整流。
TEA2093TS可以为具有低输出电压的电池充电应用或具有高侧整流的应用生成自己的供电电压。
TEA2093TS采用绝缘硅片(SOI)工艺制成。
2 特性和优势2.1 能效特性●自适应栅极驱动器，在任意负载下达到最高效率●空载运行时的典型电源电流低于200 μA2.2 应用特性●在低至0 V的宽输出电压范围内工作●能够处理高达120 V输入电压的漏检测引脚●对低输出电压工作自供电●对不使用辅助绕组的高侧整流自供电●使用标准和逻辑电平SR MOSFET●支持USB BC、USB PD和快充应用●TSOP6封装2.3 控制特性●自适应栅极驱动器，实现导通终止时的快速关闭●带有源栅极下拉的欠压锁定(UVLO)3 应用TEA2093TS适用于反激式电源。
在此类应用中，它可以驱动外部同步整流器MOSFET，这些MOSFET取代用于对变压器次级绕组上的电压进行整流的二极管。
它可用于所有需要高效率的电源，如：●充电器●电源适配器●非对称半桥反激式电源●具有极低和/或可变输出电压的反激式电源4 订购信息表1.订购信息型号封装名称说明版本TEA2093TS/1 TSOP6 塑料小型封装；6引脚SOT4575 标示表2.标记代码型号标记代码TEA2093TS/1 TEA20936 功能框图图1. TEA2093TS 功能框图导通调节关断调节V 和I参考欠压锁定 驱动器供电节能控制使能逻辑关闭7 引脚分布信息7.1 引脚分布图2.TEA2093TS引脚分布(SOT457)7.2 引脚说明表3.引脚说明符号引脚说明CAP 1 内部供电电压的电容输入GND 2 接地XV 3 外部电源输入GATE 4 SR MOSFET的栅极驱动器输出SOURCE 5 SR MOSFET的源极检测输入DRAIN 6 SR MOSFET的漏极检测输入8 功能说明8.1 简介TEA2093TS是一款用于非对称半桥反激式和标准反激式应用中的同步整流(SR)的控制器IC。
esd静电二极管原理
esd静电二极管原理
ESD静电二极管，又称为TVS二极管，是一种专门用于保护电子设备免受静电放电（ESD）伤害的二极管。
静电放电是一种突发的电
荷释放现象，当人或物体在摩擦或分离时，会产生静电电荷，而这些电荷会在接触物体时释放出来，导致设备短暂的电压过高。
ESD静电二极管的工作原理是，在设备输入/输出端口引入一定
的电阻和电容，使其能够吸收和分散短暂高压脉冲。
当静电放电发生时，二极管会迅速导通，将过高的电压分散到地线上，从而保护设备不受损伤。
ESD静电二极管的选择需要考虑设备的输入/输出端口的特性，
如最大电压和最大电流容许值、响应时间和反复使用次数等。
常见的ESD二极管类型有单向和双向两种，单向的适用于保护单向信号线，而双向的可用于保护双向信号线或者直流电源线。
在电子设备的设计中，应该充分考虑ESD静电二极管的保护作用，避免静电放电对设备的损害。
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TEA2206T有源桥式整流器控制器产品数据手册说明书
TEA2206T有源桥式整流器控制器第1.1版 — 2021年5月7日产品数据手册1 总述TEA2206T是一款有源桥式整流控制器，用于以MOSFET取代传统二极管桥中的两个低边二极管。
将TEA2206T与低电阻高压外部MOSFET配合使用，可使典型整流器二极管正向传导损耗降低50%，从而显著提高功率转换器的效率。
在90 V(AC)电源电压下，效率可以提高约0.7%。
TEA2206T采用绝缘硅片(SOI)工艺制成。
2 特性和优势2.1 能效特性• 降低了二极管整流器桥的正向导通损耗• 极低IC功耗(2 mW)2.2 应用特性• 直接驱动两个整流器MOSFET• 外部零件数量很少• 集成X电容放电(2 mA)• 自供电• SO8封装2.3 控制特性• 欠压锁定• 用于所有外部功率MOSFET的漏源过压保护• 用于所有外部功率MOSFET的启动时栅极下拉电流3 应用TEA2206T面向将升压型功率因数控制器作为第一级的电源。
第二级可以是谐振控制器、反激控制器，或任何其他控制器拓扑。
它可用于所有需要高效率的电源：• 电源适配器• 台式电脑和一体机电源• 电视电源• 服务器电源有源桥式整流器控制器4 订购信息表1. 订购信息型号封装名称说明版本TEA2206T/1 SO8 塑料小型封装；8引脚；体宽3.9 mm SOT96-15 标示表2. 标示型号标记代码TEA2206T/1 TEA22066 功能框图有源桥式整流器控制器7 引脚配置信息7.1 引脚配置图2. 引脚配置图(SO8)7.2 引脚说明表3. 引脚说明符号引脚说明L 1 左输入HVS 2 高压隔离间隔；不连接GATELL 3 左侧低端栅极驱动器VCC 4 电源电压GND 5 接地GATELR 6 右侧低端栅极驱动器HVS 7 高压隔离间隔；不连接R 8 右输入有源桥式整流器控制器8 功能说明8.1 简介TEA2206是由两个二极管和两个MOSFET构成的有源桥式整流桥的控制器芯片。
esd静电二极管符号
esd静电二极管符号
摘要：
1.ESD静电二极管的定义和作用
2.ESD静电二极管的符号表示
3.ESD静电二极管在不同标准下的符号差异
4.如何正确使用ESD静电二极管符号
正文：
ESD静电二极管是一种专门用于保护电子设备免受静电放电（ESD）影响的元器件。
它在电子设备中扮演着至关重要的角色，能有效防止静电放电对敏感电路造成的损害。
在实际应用中，正确理解和使用ESD静电二极管的符号至关重要。
ESD静电二极管的符号表示通常为一个带有箭头的三角形，箭头指向二极管的正面，象征着静电放电的路径。
这个符号旨在提醒工程师和操作人员，该元器件具有静电放电保护功能。
然而，在不同的标准下，ESD静电二极管的符号可能存在一定差异。
例如，根据IEC 61347-5-1标准，ESD静电二极管的符号为一个带有闪电图案的三角形；而根据我国GB/T 26854-2011标准，ESD静电二极管的符号为一个带有箭头的三角形。
这些差异源于不同标准对ESD静电二极管功能和特性的不同要求。
正确使用ESD静电二极管符号，可以帮助工程师和操作人员更好地识别和选用合适的元器件，确保电子设备的安全运行。
在实际应用中，应注意以下几
点：
1.根据设备的需求和标准要求，选择符合规格的ESD静电二极管。
2.确保ESD静电二极管的正确安装，使其能够有效地引导静电放电。
3.了解ESD静电二极管的额定电压、额定电流等参数，以保证其在使用过程中不会损坏。
4.对于复杂的电路设计，可以采用多个ESD静电二极管串联或并联，以提高防护能力。
总之，ESD静电二极管符号是识别和选用静电放电保护元器件的重要依据。
PESD12VS1UB静电保护管,ESD通用保护管
1.Product profile1.1General descriptionUnidirectional ESD protection diode in a SOD523plastic package designed to protect one transmission or data line from the damage caused by ESD (Electro Static Discharge)and other transients.1.2Featuress Unidirectional ESD protection of one lines Max. peak pulse power: P PP = 330 W at t p = 8/20µs s Low clamping voltage: V CL = 20 V at I PP = 18 A s Ultra low leakage current: I RM < 700 nA s ESD protection > 23 kVs IEC 61000-4-2, level 4 (ESD)sIEC 61000-4-5 (surge); I PP = 18 A at t p = 8/20µs.1.3Applicationss Computers and peripherals s Communication systems s Audio and video equipment s Data linessCAN bus protection.1.4Quick reference dataPESDxS1UB seriesESD protection diodes in SOD 523 packageRev. 01 — 14 June 2004Product data sheetTable 1:Quick reference data Symbol ParameterConditionsValueUnitV RWMreverse standoff voltage PESD3V3S1UB 3.3V PESD5V0S1UB 5V PESD12VS1UB 12V PESD15VS1UB 15V PESD24VS1UB24VPESDxS1UB seriesESD protection diodes in SOD 523 package2.Pinning information[1]The marking bar indicates the cathode.3.Ordering information4.MarkingC ddiode capacitance V R = 0 V; f = 1 MHzPESD3V3S1UB 207pF PESD5V0S1UB 152pF PESD12VS1UB 38pF PESD15VS1UB 32pF PESD24VS1UB 23pFnumber of protected lines1Table 1:Quick reference data …continued Symbol Parameter Conditions ValueUnitTable 2:Discrete pinningPin Description Simplified outlineSymbol1cathode [1]2anode12Top viewsym03512Table 3:Ordering informationType numberPackage NameDescriptionVersion PESDxS1UBSC -79plastic surface mounted package; 2 leadsSOD523Table 4:MarkingType number Marking code PESD3V3S1UB N1PESD5V0S1UB N2PESD12VS1UB N3PESD15VS1UB N4PESD24VS1UBN5PESDxS1UB seriesESD protection diodes in SOD 523 package5.Limiting values[1]Non-repetitive current pulse 8/20µs exponentially decay waveform; see Figure 1.[1]Device stressed with ten non-repetitive Electro Static Discharge (ESD) pulses; see Figure 2.Table 5:Limiting valuesIn accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).Symbol Parameter Conditions Min Max Unit P PPpeak pulse power 8/20µs[1]PESD3V3S1UB -330W PESD5V0S1UB -260W PESD12VS1UB -180W PESD15VS1UB -160W PESD24VS1UB-160W I PPpeak pulse current 8/20µs[1]PESD3V3S1UB -18A PESD5V0S1UB -15A PESD12VS1UB -5A PESD15VS1UB -5A PESD24VS1UB-3A T j junction temperature -150°C T amboperating ambient temperature−65+150°C T stgstorage temperature−65+150°CTable 6:ESD maximum ratings Symbol ParameterConditions Min Max UnitESDelectrostatic discharge capability IEC 61000-4-2(contact discharge)[1]PESD3V3S1UB -30kV PESD5V0S1UB -30kV PESD12VS1UB -30kV PESD15VS1UB -30kV PESD24VS1UB -23kV PESDxS1UB seriesHBM MIL-STD883-10kVTable 7:ESD standards complianceESD StandardConditionsIEC 61000-4-2, level 4 (ESD)> 15 kV (air); > 8 kV (contact)HBM MIL-STD883, class 3> 4 kVPESDxS1UB seriesESD protection diodes in SOD 523 packageFig 1.8/20µs pulse waveform according toIEC 61000-4-5.Fig 2.Electro Static Discharge (ESD) pulse waveformaccording to IEC 61000-4-2.t (µs)40301020001aaa6304080120I pp (%)0e −t100 % I pp ; 8 µs50 % I pp ; 20 µs001aaa631I pp 100 %90 %t30 ns60 ns10 %t r = 0.7 to 1 nsPESDxS1UB seriesESD protection diodes in SOD 523 package 6.CharacteristicsTable 8:CharacteristicsT amb= 25°C unless otherwise specified.Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitV RWM reverse standoff voltagePESD3V3S1UB-- 3.3VPESD5V0S1UB--5VPESD12VS1UB--12VPESD15VS1UB--15VPESD24VS1UB--24VI RM reverse leakage current see Figure7PESD3V3S1UB V RWM = 3.3 V-0.72µAPESD5V0S1UB V RWM = 5 V-0.11µAPESD12VS1UB V RWM = 12 V-< 150nAPESD15VS1UB V RWM = 15 V-< 150nAPESD24VS1UB V RWM = 24 V-< 150nAV BR breakdown voltage I R = 5 mAPESD3V3S1UB 5.2 5.6 6.0VPESD5V0S1UB 6.4 6.87.2VPESD12VS1UB14.715.015.3VPESD15VS1UB17.618.018.4VPESD24VS1UB26.527.027.5VC d diode capacitance V R = 0 V; f = 1 MHz;see Figure5 and6PESD3V3S1UB-207300pFPESD5V0S1UB-152200pFPESD12VS1UB-3875pFPESD15VS1UB-3270pFPESD24VS1UB-2350pFV(CL)R clamping voltage[1]PESD3V3S1UB I PP = 1 A--7VI PP = 18 A--20VPESD5V0S1UB I PP = 1 A--9VI PP = 15 A--20VPESD12VS1UB I PP = 1 A--19VI PP = 5A--35VPESD15VS1UB I PP = 1 A--23VI PP = 5 A--40VPESD24VS1UB I PP = 1 A--36VI PP = 3 A--70VPESDxS1UB seriesESD protection diodes in SOD 523 package[1]Non-repetitive current pulse 8/20µs exponentially decay waveform; see Figure 1.R diffdifferential resistance PESD3V3S1UB I R = 1 mA --400ΩPESD5V0S1UB I R = 1 mA --80ΩPESD12VS1UB I R = 1 mA --200ΩPESD15VS1UB I R = 1 mA --225ΩPESD24VS1UBI R= 0.5 mA--300ΩTable 8:Characteristics …continued T amb = 25°C unless otherwise specified.Symbol ParameterConditions Min Typ Max UnitPESDxS1UB seriesESD protection diodes in SOD 523 packageT amb = 25°Ct p = 8/20µs exponentially decay waveform,see Figure 1.(1)PESD3V3S1UB and PESD5V0S1UB.(2)PESD12VS1UB, PESD15VS1UB; PESD24VS1UB.Fig 3.Peak pulse power dissipation as a function ofpulse time; typical values.Fig 4.Relative variation of peak pulse power as afunction of junction temperature; typical values.f = 1 MHz; T amb = 25°C (1)PESD3V3S1UB.(2)PESD5V0S1UB.f = 1 MHz; T amb = 25°C (1)PESD12VS1UB.(2)PESD15VS1UB.(3)PESD24VS1UB.Fig 5.Diode capacitance as a function of reversevoltage; typical values.Fig 6.Diode capacitance as a function of reversevoltage; typical values.001aaa147103102104P pp (W)10t p (µs)110410310102(1)(2)T j (°C)020015050100001aaa1930.40.81.2P pp 0P pp(25˚C)V R (V)054231001aaa14812016080200240C d (pF)40(1)(2)V R (V)0252010155001aaa1492030104050C d (pF)(1)(3)(2)PESDxS1UB seriesESD protection diodes in SOD 523 package(1)PESD3V3S1UB; V RWM = 3.3 V .PESD5V0S1UB; V RWM = 5 V .I R is less than 10 nA at 150°C for:PESD12VS1UB; V RWM = 12 V .PESD15VS1UB; V RWM = 15 V .PESD24VS1UB; V RWM = 24 V .Fig 7.Relative variation of reverse leakage current as a function of junction temperature; typical values.001aaa27011010−1T j (°C)−100150100050−50I R I R(25˚C)(1)PESDxS1UB seriesESD protection diodes in SOD 523 packageFig 8.ESD clamping test set-up and waveforms.006aaa00150 ΩR Z C Z12D.U.T.: PESDxS1UB vertical scale = 200 V/div horizontal scale = 50 ns/divunclamped +1 kV ESD voltage waveform (IEC61000-4-2 network)clamped +1 kV ESD voltage waveform (IEC61000-4-2 network)unclamped −1 kV ESD voltage waveform (IEC61000-4-2 network)clamped −1 kV ESD voltage waveform (IEC61000-4-2 network)vertical scale = 20 V/div horizontal scale = 50 ns/div vertical scale = 200 V/div horizontal scale = 50 ns/divvertical scale = 10 V/div horizontal scale = 50 ns/divGNDGNDGND GND450 ΩRG 223/U 50 Ω coaxESD TESTERIEC 61000-4-2 network C Z = 150 pF; R Z = 330 Ω4 GHz DIGITAL OSCILLOSCOPE10×ATTENUATORGND GND GNDGNDPESD24VS1UBPESD15VS1UBPESD12VS1UBPESD5V0S1UBPESD3V3S1UBPESDxS1UB seriesESD protection diodes in SOD 523 package7.Application informationThe PESDxS1UB series is designed for unidirectional protection of one single data line from the damage caused by ESD (Electro Static Discharge) and Surge Pulses. The PESDxS1UB series may be used on lines where the signal polarity is above or below ground.The PESDxS1UB series provides a surge capability of up to 330Watts per line for a 8/20µs waveform.Circuit board layout and protection device placement:Circuit board layout is critical for the suppression of ESD, EFT and Surge transients.The following guidelines are recommended:1.Place the protection device as close to the input terminal or connector as possible.2.The path length between the protection device and the protected line should be minimized.3.Keep parallel signal paths to a minimum.4.Avoid running protection conductors in parallel with unprotected conductor.5.Minimize all printed-circuit board conductive loops including power and ground loops.6.Minimize the length of the transient return path to ground.7.Avoid using shared transient return paths to a common ground point.8.Ground planes should be used whenever possible. For multilayer printed-circuit boards, use ground vias.Fig 9.Unidirectional protection of one line.006aaa002ground line to be protected(positive signal polarity)PESDxS1UB uni-directional protection of one linegroundline to be protected(negative signal polarity)PESDxS1UBPESDxS1UB seriesESD protection diodes in SOD 523 package8.Package outlineFig 10.Package outline.REFERENCESOUTLINE VERSION EUROPEAN PROJECTIONISSUE DATE IECJEDECJEITA SOD523SC-7998-11-2502-12-13Plastic surface mounted package; 2 leadsSOD52300.5 1 mmscaleD 12HEEb pAcv M AAUNITb pc D E v mm A H E DIMENSIONS (mm are the original dimensions)Note1. The marking bar indicates the cathode.(1)0.340.260.170.110.10.850.751.251.150.650.581.651.55。
请问,TVS管,和PESD类的器件（如PESD5V0L1BA）有什么不一样？电磁兼容（E...
请问,TVS管,和PESD类的器件（如PESD5V0L1BA）有什么
不一样？电磁兼容（E...
TVS是瞬间电压抑制器件(Transient Voltage Suppressor)的总称和简称. TVS目前常用两大类: 二极管和压敏电阻(Varistor). 二极管类是利用反向PN节的雪崩效应实现电压嵌位。
没有正正意义上的防ESD的器件，因为上升沿实在是太陡了。
器件根本响应不了。
而我们的TVS管可以适当靠近这个值。
其实，现在市面上常用的静电防护器件除了TVS和Varistor外，还有一种叫做PESD。
但是NXP的这个型号并不是PESD器件。
所谓的PESD器件其电容值一般在0.05pf到0.3pf，主要是为了满足现在日趋增加的信号频率。
其静电防护原理主要是通过电极之间的高分子材料。
PESD是基于高分子材料的一种具有嵌位特点的过压保护器件，只能是双向保护，电容比较低，但是嵌位电压较高。
TVS管是基于硅材料齐纳或雪崩击穿实现的二极管，可以是双向也可以为单向，嵌位电压比较低
PESD的箝位电压比较高其实是以前的概念。
现在的PESD性能日趋成熟，其箝位电压可以做到20V或者十几V，在静电防护效果方面已经远远超过了Varistor。
ESD保护管
IC网络超市www.ic-
静电保护器件
ESD保护管
LRC ESD保护管满足的行业标准
IEC 61000-4-2 (ESD) ±15KV (空气放电)
IEC 61000-4-2 (ESD) ± 8 KV (接触放电) IEC 61000-4-4 (EFT) IEC 61000-4-5 (雷电) 40A (5/50ns)
漏极
栅极 栅极
漏极
源极
源极
N-Channel
P-ChanLeabharlann elIC网络超市www.ic-
MOSFET
MOSFET的放大原理：MOSFET的放大原理同三极管的放大原理类似，所不同的 是，MOSFET是电压控制型器件，靠栅-源的电压VGS变化来控制漏极电流ID的 变化；三极管是电流控制型器件，靠基极电流IB的变化来控制集电极电流IC 的变化。通过这种效应，我们可以在栅-源极加入微弱的信号，通过VGS控制 ID加强信号，从而实现信号的放大。
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静电保护器件
ESD保护管
VRWM (Reverse Peak Working Voltage) ：指 ESD保护管最大连续工作的直流 或脉冲电压。当这个反向电压加在 ESD保护管的两极间时，它处于反向关断 状态，流过它的电流应小于或等于最大反向漏电流；当 ESD保护管两端的电 压继续上升，但还没有到达击穿电压 VBR 时， ESD保护管可能继续呈现高 阻状态。使用时 VRWM 不低于被保护电路的正常工作电压。设计时可选 VRWM ＝ 0.9VBR 。 VBR (Reverse Breakdown Voltage): 在指定测试电流下 ESD保护管发生雪崩 击穿时的电压，它是 ESD保护管最小的击穿电压。在该状态发生时， ESD保 护管的阻抗将变得很小。 VBR 会受到结温的影响而有所变化。
esd保护器件和电路保护原理
esd保护器件和电路保护原理电子设备在日常使用和维护过程中，往往会遇到静电放电（ESD）的问题。
由于ESD的高能量特性，如果不加以有效的保护措施，会对设备的电路产生严重破坏。
因此，ESD保护器件和电路保护原理成为了电子设备设计中重要的考虑因素之一。
一、ESD保护器件为了有效地保护电子设备免受ESD的危害，研发出了各种ESD保护器件。
这些器件通常是使用低电阻材料和特殊的设计来吸收或分散ESD所带来的能量，从而保护设备电路的完整性。
以下介绍几种常见的ESD保护器件。
1. 二极管二极管是一种常用的ESD保护器件。
它可以承受较高的电压，并具有快速响应的特性。
当输入电压超过二极管的正向电压阈值时，二极管开始导通电流，从而分散和吸收ESD能量。
由于其简单性和有效性，二极管被广泛应用于各种电子设备中。
2. 金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）MOSFET是另一种常见的ESD保护器件。
它具有低电阻和高响应速度的特点，能够有效地吸收和分散ESD的能量。
MOSFET通常用于高速信号线的保护，如USB接口和以太网端口。
3. 电磁继电器电磁继电器是一种特殊的ESD保护器件，主要用于对电路进行隔离和保护。
它通过电磁感应原理来控制电路的开关状态，从而保护设备免受ESD损害。
电磁继电器常用于高压和高功率电路的保护。
二、电路保护原理除了使用ESD保护器件外，设计合理的电路保护方案也是预防ESD引起的损害的重要手段。
下面介绍几种常见的电路保护原理。
1. 地线设计良好的地线设计可以有效地减少ESD放电路径上的电阻和电压。
将设备的地线与ESD保护器件连接，可以将ESD的能量引流到地线上，从而保护电路不受损害。
地线还可以起到隔离和屏蔽的作用，避免外部ESD对设备的影响。
2. 前端过滤器在电子设备的输入端加入前端过滤器可以有效地降低外部ESD噪声对电路的影响。
前端过滤器通常采用滤波器和瞬态电压抑制器，用于滤除高频噪声和抑制ESD波形。
NXPDESFire芯片及其智能卡简介
NXPDESFire芯⽚及其智能卡简介前⾔本⽂简要介绍荷兰飞利浦（即NXP）公司的Mifare DESFire D21,D41,D81芯⽚及其智能卡，Mifare DESFireD21,D41,D81芯⽚属于Mifare DESFire EV1系列中的⼀种，国内称之为MF3。
相对于现有的MF1系列芯⽚⽽⾔，Mifare DESFire EV1 技术更加成熟⽽可靠。
⼀直以来，NXP以其快速（Fast）、独创（(Innovative)、可靠（Reliable）、安全（sEcure）的卓越领先理念，并且以开放的全球标准为基础，在速度、效能与成本效益上取得了最佳综合平衡。
Mifare DESFire EV1系列中的MF3 D21,D41,D81在保持其先进性的同时，还可以与现有MF1系列硬件平台完全兼容。
芯⽚特征从Mifare DESFire EV1系列芯⽚的型号命名上，就可看出其特性。
DES 代表Mifare DESFire EV1 使⽤3DES 硬件加密引擎，以表⽰其⾼安全性。
Mifare DESFire EV1系列芯⽚具有如下主要特征：▲载波频率：13.56MHz；▲完全符合ISO/IEC14443 Type A四个层级的协议标准，并特别选⽤ISO/IEC 7816-4 指令；▲⾼速、安全的指令集；▲灵活的⽂件结构适合多种应⽤；▲2K字节（D21）、4K字节（D21,D41,D81）和8K字节（D81）的EEPROM 及快速编程能⼒；▲独特的7 byte 序列号（ISO cascade level 2）功能；▲随机ID功能；▲数据完整性：在物理层执⾏CRC 与位计算；▲防碰撞（anti-collision）机制；▲可选的开放DES/3DES/3K3DES/AES 加密算法，采⽤硬件协处理器执⾏加密；▲对于普通的安全交易，交易时间⼩于100 毫秒；▲硬件中开放AES128 加密算法；▲向下兼容MF3 IC D40；▲快速的数据传输速率：106 kbit/s，212 kbit/s，424 kbit/s，848 kbit/s；▲采⽤NXP公司先进的0.14微⽶NV 技术；▲安全等级为CC EAL 4+安全认证。
恩智浦半导体TEA2208T有源桥式整流器控制器产品数据手册说明书
TEA2208T有源桥式整流器控制器修订版：1.4——2021年5月7日产品数据手册1 简介TEA2208T是新一代有源桥式整流器控制器的首款产品，旨在替代传统的二极管桥。
将TEA2208T与低电阻高压外部MOSFET配合使用，可消除典型整流器二极管正向传导损耗，从而显著提高功率转换器的效率。
在90 V(AC)电源电压下，效率可以提高约1.4%。
TEA2208T采用绝缘硅片(SOI)工艺设计。
2 特性和优势2.1 能效特性• 消除了二极管整流器桥的正向导通损耗• 极低IC功耗(2 mW)。
2.2 应用特性• 集成高压电平转换器• 直接驱动所有四个整流器MOSFET• 外部零件数量很少• 集成X电容放电(2 mA)• 自供电• 全波驱动可改善总谐波失真(THD)• SO14封装2.3 控制特性• 用于高端和低端驱动器的欠压锁定(UVLO)• 用于所有外部功率MOSFET的漏源过压保护• 用于所有外部功率MOSFET的启动时栅极下拉电流有源桥式整流器控制器3 应用TEA2208T面向将升压型功率因数控制器作为第一级的电源。
第二级可以是谐振控制器、反激控制器，或任何其他控制器拓扑。
它可用于所有需要高效率的电源：• 电源适配器• 台式电脑和一体机电源• 电视电源• 服务器电源4 订购信息表1. 订购信息型号封装名称说明版本TEA2208T/1 SO14 塑料小型封装；14引脚；体宽3.9 mm SOT108-15 标示表2. 标示型号标记代码TEA2208T/1 TEA2208T有源桥式整流器控制器6 功能框图图2. TEA2208T引脚配置(SOT108-1)有源桥式整流器控制器7 引脚配置信息7.1 引脚配置图2. TEA2208T引脚配置(SOT108-1)7.2 引脚说明表3. 引脚说明符号引脚说明L 1 左输入，左上方MOSFET的源极VCCHL 2 左侧高端浮动电源GATEHL 3 左侧高端栅极驱动器HVS 4 高压隔离间隔；不连接GATELL 5 左侧低端栅极驱动器VCC 6 电源电压GND 7 接地GATELR 8 右侧低端栅极驱动器HVS 9 高压隔离间隔；不连接R 10 右输入，右上方MOSFET的源极VCCHR 11 右侧高端浮动电源GATEHR 12 右侧高端栅极驱动器HVS 13 高压隔离间隔；不连接VR 14 整流电源电压有源桥式整流器控制器8 功能说明8.1 简介TEA2208T是用于有源桥式整流器的控制器IC。
esd静电二极管符号
esd静电二极管符号摘要：1.什么是ESD静电二极管2.ESD静电二极管的作用3.ESD静电二极管的符号表示4.ESD静电二极管的类型及应用5.ESD静电二极管的选购与使用注意事项正文：ESD静电二极管是一种用于保护电子设备免受静电干扰的电子元件。
它具有非常高的静电防护能力，能够有效地限制设备在静电放电事件中受到的损害。
ESD静电二极管的作用是在设备遭受静电放电时，迅速将静电释放到地面，以保护设备免受损坏。
它可以防止静电放电产生的瞬间高压损坏设备的敏感电路，从而提高设备的可靠性和稳定性。
在电路图中，ESD静电二极管的符号通常为一个带有箭头的三角形，箭头指向地。
这个符号表示静电二极管的接地引脚，它连接到设备的地面，用于释放静电。
ESD静电二极管有多种类型，如单向导通型、双向导通型和多极型等。
不同类型的ESD静电二极管具有不同的特点和应用范围。
例如，单向导通型ESD 静电二极管主要用于防止反向电压，而双向导通型ESD静电二极管则可用于双向保护。
在选购ESD静电二极管时，需要根据设备的实际需求选择合适的类型和规格。
此外，还应注意ESD静电二极管的额定电压、漏电流等参数，确保其满足设备的防护要求。
使用ESD静电二极管时，应注意以下事项：1.确保ESD静电二极管的引脚正确连接到设备的地面和电源；2.在安装和拆卸ESD静电二极管时，避免触摸其引脚，以免损坏；3.避免在ESD静电二极管附近使用产生静电的设备或材料；4.定期检查ESD静电二极管的工作状态，确保其性能良好。
总之，ESD静电二极管是一种重要的电子保护元件，能够有效防止静电对设备的损害。
esd管并联电容
esd管并联电容ESD管并联电容ESD管（Electrostatic Discharge Protection Device）是一种用于保护电子设备免受静电放电（Electrostatic Discharge，简称ESD）损害的元件。
而并联电容则是一种电容器的连接方式，它们的结合可以提供更好的ESD保护。
静电放电是指当两个物体之间的电势差达到一定程度时，电荷会通过空气或其他介质发生放电现象。
在电子设备制造和使用过程中，ESD对于电子元器件来说是一个常见且严重的问题。
ESD可以导致电子元件的性能降低、功能失效甚至完全损坏。
因此，为了保护电子设备免受ESD损害，人们发展了各种ESD保护方案，其中ESD管并联电容就是一种常用的解决方案之一。
ESD管是一种具有高电压容忍能力的二极管。
当静电放电电压超过设定的阈值时，ESD管会迅速导通，将静电放电电流引导到接地，从而保护电子元件不受损害。
ESD管的导通速度非常快，可以在纳秒级别内响应静电放电，有效地降低了静电放电对电子元器件的影响。
并联电容则是将多个电容器连接在一起，电流可以在它们之间自由流动。
在ESD保护电路中，通过将ESD管与电容器并联，可以进一步提高ESD保护效果。
并联电容的作用是在ESD事件发生时，通过提供额外的电荷储存容量，降低ESD管的电压上升速度，从而减少静电放电对ESD管的瞬时压力，延长ESD管的寿命。
ESD管并联电容的设计要考虑电容器的容量和ESD管的特性。
电容器的容量应根据所需的ESD保护级别和系统电路的特点来选择。
较大的电容容量可以提供更好的ESD保护效果，但同时也会增加系统的成本和尺寸。
ESD管的特性包括ESD保护能力、导通速度和导通电压等。
选择合适的ESD管可以根据不同的应用需求来进行。
在实际应用中，ESD管并联电容常常被用于保护芯片输入输出接口、通信接口、电源线路、天线接口等关键部位。
通过合理的电路设计和选择合适的ESD管并联电容，可以有效地保护电子设备免受ESD 损害，提高设备的可靠性和稳定性。
esd二极管作用
esd二极管作用ESD二极管作用ESD二极管（Electro-Static Discharge Diode）是一种专门用来防止静电放电的二极管。
静电放电是指当两个物体之间的电势差突然增大时，会产生一种短暂的高电压放电现象。
这种放电会对电子器件产生严重的损坏，因此需要采取相应的防护措施。
ESD二极管的主要作用是通过提供一个低阻抗的路径，将静电放电的电流导向地。
当静电放电发生时，ESD二极管会迅速导通，将电流引导到地线，从而保护电子器件不受损害。
ESD二极管具有快速响应、低压降和高流容量的特点，能够有效地吸收和分散静电放电的能量。
ESD二极管通常由PN结构组成，其中P型半导体和N型半导体通过一个精确控制的结构连接在一起。
在正常工作条件下，ESD二极管处于高阻抗状态，不会对电路产生任何影响。
但是当静电放电发生时，ESD二极管会迅速变为低阻抗状态，以吸收和分散放电能量。
ESD二极管在现代电子器件中扮演着非常重要的角色。
由于电子器件对静电放电非常敏感，一旦受到静电放电的影响，可能会导致电路短路、损坏或失效。
因此，在电子器件的设计和制造过程中，必须考虑到静电放电的风险，并采取相应的措施来保护电路。
ESD二极管通常被应用在集成电路、传感器、通信设备、计算机等各种电子器件中。
在这些设备中，ESD二极管可以用来保护输入/输出接口、电源线路、信号线路和数据线路等重要部分。
通过合理布局和选择合适的ESD二极管，可以有效地消除或减小静电放电对电子器件的影响。
除了在电子器件中的应用，ESD二极管也可以用于其他领域。
例如，在工业自动化系统中，ESD二极管可以用来保护传感器、执行器和控制器等设备，防止由于静电放电引起的故障和损坏。
此外，ESD 二极管还可以应用在汽车电子、医疗设备、航空航天和军事设备等领域，提供静电放电保护的功能。
ESD二极管作为一种专门用于防止静电放电的二极管，在现代电子器件中具有重要的作用。
它能够快速响应静电放电，将电流导向地，保护电子器件不受损害。
静电保护二极管符号
静电保护二极管符号（最新版）目录1.静电保护二极管的概念2.静电保护二极管的符号3.静电保护二极管的作用4.静电保护二极管的应用场景5.静电保护二极管的选型要点正文静电保护二极管是一种用于保护电子设备免受静电放电损害的半导体元件。
当设备遭受静电放电时，静电保护二极管能够将大部分的静电电荷导入地线，从而保护设备免受损害。
下面我们将详细介绍静电保护二极管的符号、作用、应用场景以及选型要点。
一、静电保护二极管的概念静电保护二极管，又称 ESD 保护二极管，是一种特殊的二极管，用于防止静电放电对电子设备造成损害。
二、静电保护二极管的符号静电保护二极管的符号通常用英文字母“ESD”表示，其中的“E”代表 Electrostatic（静电），“S”代表 Static（静止），“D”代表 Diode （二极管）。
三、静电保护二极管的作用静电保护二极管主要有以下作用：1.将静电放电导入地线，保护设备免受损害。
2.限制放电电流，避免设备受到过大的电流冲击。
3.提高设备的抗干扰能力，保证设备正常工作。
四、静电保护二极管的应用场景静电保护二极管广泛应用于以下场景：1.电子产品制造生产线，如手机、电脑等设备。
2.电子设备维修、检测和调试。
3.实验室、研究所等研发场所。
4.电子元器件仓库、物流运输等环节。
五、静电保护二极管的选型要点在选择静电保护二极管时，需要考虑以下要点：1.静电保护能力：根据设备的静电敏感程度选择合适的静电保护二极管。
2.耐压值：选择耐压值略高于设备最大工作电压的静电保护二极管。
3.响应速度：选择响应速度快的静电保护二极管，以确保在静电放电发生时能够快速导入地线。
4.封装形式：根据设备的安装空间和外观要求选择合适的封装形式。
总之，静电保护二极管是保护电子设备免受静电放电损害的重要元件。
N P微控制器 二极管
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P全系列单片机现货供应【NXP】MCU微控制器LPC11U67 JBD64~NX P全系列单片机现货供应【NXP】MCU微控制器LPC1225F BD64~NXP 全系列单片机现货供应MCU微控制器LPC11U12 FHN33~NX P全系列单片机现货供应【NXP】电源转换器TEA1731T S~NXP全系列现货供应，保证原装【NXP】MCU微控制器LPC11U24 FET48~NX P全系列单片机现货供应【NXP】NXP代理商 接口与连接性芯片PCA82C25 1T/YM CAN收发器【NXP】MCU微控制器LPC1114F HN33~NXP 全系列单片机现货供应MCU微控制器LPC1114J HN33~NXP 全系列单片机现货供应【NXP】MCU微控制器LPC1113J HN48~NXP 全系列单片机现货供应【NXP】MCU微控制器LPC11E37 FBD64~NX P全系列单片机现货供应【NXP】MCU微控制器LPC812M1 01JDH16 NXP全系列单片机现货供应【NXP】NPN开关晶体管PMBT2222 A丝印W1P,价格咨询，保证原装进口稳压二极管BZX84-C6V2，丝印ZAW,原装正品，假一赔十【NXP】NPN通用晶体管BC847C，丝印1GW, NXP全系列现货供应【NXP】NPN开关晶体管PMBT2907 A，丝印W2F,NXP 全系列现货供应【NXP】NPN开关晶体管PMBT3904，丝印W1A, NXP 全系列现货供应【NXP】PNP开关晶体管PMBT3906，丝印W2A, NXP 全系列现货供应【NXP】稳压二极管BZX84-C15，丝印Y4W，原装正品，假一赔十ESD保护二极管PESD5V0S 1BL，丝印F1，原装正品，假一赔十【NXP】ESD保护二极管PESD5V0V 1BDSF~NX P全系列现货供应【NXP】ESD保护二极管PESD15VS 2UT~NXP 全系列现货供应，保证原装【NXP】ESD保护二极管PESD3V3S 1UL~NXP 全新列现货供应，保证原装【NXP】ESD保护二极管PESD5Z7. 0~NXP全新列现货供应，保证原装【NXP】ESD保护二极管PESD3V3S 2UT~NXP 全新列现货供应，保证原装ESD保护二极管PESD5V0S 1ULD~NXP 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BIB48~NXP芯片【NXP】NXP代理商 接口与连接性SC16C255 0BIB48 ~NXP芯片。
PESD0402-060ESD静电保护管
Solvent Resistance
Test Conditions
110 C, 1000hours
o
230 C±5 C 3±1s, 95% coverage IL≤10µA
o
o
260 C, 10s
o
IPA ultrasonic 300s
Pass/Fail Criteria
IL≤10µA
IL≤10µA
MATERIALS INFORMATION
ROHS Compliant ELV Compliant
PART NUMBERING
PESD 0402 - 060 Series EIA Size
The operating voltage is used to measure leakage current @ 1s
PRODUCT: PESD0402-060
ESD Protector
Overvoltage Protection Device
DOCUMENT: SCD 26105 REV LETTER: I REV DATE: DECEMBER 7, 2007 PAGE NO.: 7 OF 8
EIA referenced Reel Dimensions for PESD Devices
RECOMMENDED LAND PATTERN:
X
W
Y Solder thickness 0.15 to 0.2mm Z
W mm: in: * Min 0.6 (0.024) Max 0.7 (0.028) Min 0.3 (0.012)
X Max 0.4 (0.016)
Y (Ref) Min Max 0.8 0.9 (0.031) (0.035)
几种ESD器件的特性及选型原则
ESD器件ESD器件概述ESD保护元件的作用是转移来自敏感元件的ESD应力，使电流流过保护元件而非敏感元件，同时维持敏感元件上的低电压；ESD保护元件还应具有低泄漏和低电容特性，不会降低电路功能；不会对高速信号造成损害，在多重应力作用下保护元件的功能不会下降。
瞬态电压抑制器(TVS)、压敏电阻和聚合物是近几年发展起来的几种专用ESD保护元件。
其中前两种元件均采用电压钳位的方式进行保护，采用带导电粒子的聚合物则是采用消弧(crowbar)保护策略。
压敏电阻和聚合物支持双向保护，但TVS可支持单向或双向保护。
传统的压敏电阻虽然在成本上具有一定优势，但它存在的一个最大问题是体积太大，无法满足手持设备的封装要求。
事实上，与压敏电阻相比，基于硅材料的TVS和聚合物材料ESD具有更好的钳制性能、更低的泄漏和更长的使用寿命。
高分子聚合物和TVS在多重应力下仍然可保持强大的性能，而压敏电阻则会随着使用次数的增多性能下降。
TVS技术利用的是半导体的钳位原理，在经受瞬时高压时，会立即将能量释放出去，而压敏电阻采用的是物理吸收原理，因此每经过一次ESD事件，材料就会受到一定的物理损伤，形成无法恢复的漏电通道。
“TVS技术的原理就好像传统的打太极，可以轻松释放掉能量而不是直接与之对抗”。
这样做的好处是器件不会受到损害，基本上没有寿命限制。
从现场展示的TVS与压敏电阻的钳制电压曲线来看，TVS器件可以在极短时间内将输入的大电压钳制到5至6伏的水平，而压敏电阻的曲线则下降得非常缓慢，并且无法达到TVS 器件的效果。
这表明TVS器件在响应时间和钳制性能方面均优于压敏电阻。
几种ESD器件的比较1、普通二极管，只能起到箝制电压的作用，不能响应高达几百兆频率的ESD脉冲。
2、压敏电阻/热敏电阻/PTC，压敏电阻抗一次ESD脉冲后特性就会改变，而ESD 保护器件抗几万次也不会改变特性。
3、压敏电阻能承受更大的浪涌电流，而且其体积越大所能承受的浪涌电流越大，最大可达几十kA到上百kA；但压敏电阻的非线性特性较差，大电流时限制电压较高，低电压时漏电流较大。