第3章教学过程与方法 (1)

1)第3章门电路(72张,4学时,张/学时)概述晶体二极管和三极管的开关特性分立元件门TTL集成门其他类型的双极型集成电路MOS集成门2)3.1 概述门电路指能实现基本和常用逻辑关系的电路，简称“门”。

最基本的逻辑门是与门、或门和非门。

按集成度分类集成电路按单位芯片面积集成门电路的个数(即集成度)分为按制造工艺分类数字集成电路3)3.2 晶体二极管和三极管的开关特性半导体器件如晶体二极管、三极管和MOS管都有导通和截止两种状态，在导通状态下，允许电信号通过，在截止状态下，禁止电信号通过，这就是它们的开关特性。

半导体器件的开关特性又分为:静态特性，器件稳定在导通和截止两种状态下的特性动态特性，器件在状态发生变化过程中的特性。

6)3.2.1 晶体二极管的开关特性PN结具有单向导电性7)PN结的电容效应PN结位垒的宽度及位垒中的电荷量随外加电压而变化。

其等效电容，称为位垒电容。

当PN结外加正向电压时，PN结两边的扩散区中的少数载流子电荷量，也会随着外加电压的大小而变化。

其等效电容，称为扩散电容。

PN结电容由位垒电容和扩散电容构成，它是影响开关速度的重要因素。

在二极管制作时，应尽量减少PN结电容，PN结电容小的二极管称为开关管。

8)2.晶体二极管的稳态开关特性晶体二极管是一个PN结，它具有单向导电性，外加正偏置电压时导通，外加反偏置电压时截止，相当于一个受外加电压极性控制的开关。

晶体二极管的稳态开关特性是其稳定在正向导通与反向截止两种状态下的特性。

9)(1)二极管的理想特性当开关K闭合时，开关电阻R K=0，开关上的电压U K=0，流过开关的电流I K=V I／R；当开关K断开时，开关电阻R K=∞，开关上的电压U K=V I，流过开关的电流I K=0。

10)(2)实际二极管的开关特性实际二极管的特性可由伏安特性曲线和它的特性方程描述11)3.晶体二极管的瞬态开关特性理想二极管瞬态开关特性12)3.2.2 晶体三极管的开关特性在各种电子电路中，晶体三极管得到广泛的应用。

在模拟电子电路中，晶体三极管主要作为线性放大元件和非线性元件；在数字电路中，晶体三极管主要作为开关元件。

13)1.晶体三极管的稳态开关特性在开关电路中，广泛使用晶体管共发射极电路。

14)[例3.1] 已知RC=1kΩ，V cc=12V，β=60。

在下列条件下计算I B，I c及V o，并确定三极管T的工作状态。

①当VI=-3V时；②当VI=+3V，RB=20kΩ时；③当VI=+3V，RB=10kΩ时。

15)2.晶体三极管的瞬态开关特性理想三极管瞬态开关特性实际三极管瞬态开关特性16)平均传输延迟时间输出信号Vo与输入Vi信号之间，存在时间上的延迟和波形上的畸变，影响了开关的速度。

在数字电路中，一般用平均传输延迟时间tpd来衡量开关电路的速度。

17)3.3 分立元件门由电阻、电容、二极管、三极管等分立元件构成的逻辑门称为分立元件门。

分立元件门的体积大、耗电高、故障多，现在几乎很少使用。

这一节介绍的分立元件门，仅作为逻辑门电路学习的入门基础。

18)3.3.1 二极管与门输出与输入之间能满足“与”逻辑关系的电路，称为与门。

19)3.3.2 二极管或门半导体二极管组成的两个输入端或门电路20)3.3.3 三极管非门三极管非门电路21)3.3.4 复合逻辑门实际使用的逻辑门除了与、或、非3种基本逻辑门外，还有复合逻辑门，它们都是与、或、非门的组合结构。

常用的复合逻辑门有与非门、或非门、与或非门和异或门等。

下面以与非门和或非门为例，介绍复合门的电路结构和功能。

22)1.与非门与非门电路结构23)2.或非门或非门电路结构24)3.3.5 正逻辑和负逻辑高电平赋值为1是正逻辑状态赋值，高电平赋值0就是负逻辑状态赋值。

输入输出采用正逻辑状态赋值，所得逻辑关系是正逻辑关系；输入输出采用负逻辑状态赋值，所得逻辑关系是负逻辑关系。

输入输出采用不同的状态赋值称混合逻辑。

正逻辑与负逻辑是一种相对关系。

25)正逻辑和负逻辑举例某逻辑电路采用正逻辑时输入输出是与非关系，采用负逻辑时输入输出间是什么逻辑关系？输入采用负逻辑，输出采用正逻辑时输入输出间又是什么逻辑关系？26)3.4 TTL集成门TTL集成电路是一种单片集成电路，其输入端和输出端都是由晶体三极管构成的电路，称为晶体管—晶体管逻辑，简称TTL(Transistor-Transistor Logic)。

TTL门是构成数字逻辑系统的基本器件。

下面以与非门为典型电路，介绍TTL集成电路的结构、工作原理、外部特性和使用方法。

27)3.4.1 TTL集成与非门典型TTL与非门的电路28)3.4.2 TTL与非门的外部特性从使用角度出发，了解集成电路的外部特性是重要的。

所谓外部特性，是指通过集成电路芯片引脚反映出来的特性。

TTL与非门的外部特性主要有电压传输特性、输入特性、输出特性、电源特性和传输延迟特性。

291.电压传输特性TTL与非门的电压传输特性是指输出电压Vo随输入电压VI变化的曲线。

30)2.输入特性输入特性是指输入电流II随输入电压VI变化的曲线。

31)2.输入特性32)3.输入负载特性TTL与非门的输入负载特性是指在输入端加上负载电阻RI后，电路表现出的特性。

33)4.电源特性TTL集成电路的工作电源是+5V，并允许在±10％范围内波动，即Vcc=4.5—5.5V。

空载截止功耗：电路处于稳定关态的空载功耗空载导通功耗：电路处于稳定开态的空载功耗平均功耗：空载截止功耗和空载导通功耗的平均值约为10mW34)5.输出特性输出特性是指输出电压Vo随输出电流Io变化的曲线。

输出状态和开态的输出特性不同,分别讨论35)开态输出特性开态(输出低电平)当VO=VOL时T3,T4截止,T2,T5导通,可作如下等效36)6.传输延迟特性平均传输延迟时间tpd是衡量TTL集成门电路开关速度快慢的动态参数tpd=10—20ns(纳秒)。

根据tpd的不同，把TTL集成电路又分为中速TTL和高速TTL。

37)3.4.3 TTL与非门的主要参数扇入系数和扇出系数两个参数。

38)3.4.4 TTL与非门的改进电路工作速度、静态功耗、抗干扰能力和可靠性，是衡量数字集成电路的重要技术指标。

随着集成电路工艺的不断发展，集成电路的电路结构也不断改进，使技术指标不断提高。

下面主要介绍输入保护电路、有源泄放电路和肖特基电路等改进电路。

39)1.输入保护电路由输入端增加的两只二极管D1和D2构成40)3.肖特基TTL由晶体管的开关特性可知，当晶体管由饱和状态转为截止状态时，需要驱散基区的饱和电荷，经历一段较长的存储时间，影响门的工作速度。

为了提高速度，肖特基TTL采用了抗饱和电路，因此称为抗饱和TTL或STTL(Schottky Transistor-Transistor Logic)。

41)3.4.5 TTL其他类型的集成电路TTL集成门电路除了与非门外还有:与门、或门、非门、或非门、与或非门、异或门、集电极开路门(OC门)和三态输出门等产品。

下面重点介绍后两种集成门电路。

42)1.集电极开路门集电极开路门简称为OC门(OpenCollectorGate)。

集电极开路与非门在电路制作时，把T3、T4晶体管去掉，形成输出为集电极开路结构43)OC门应用直接驱动继电器、电阻、发光二极管等实现电平转换实现线与44)2.三态输出门三态输出门(简称为三态门)是在普通门电路基础上，增加控制输入端和控制电路构成45)3.4.6 TTL集成电路多余输入端的处理多余输入端的处理是在使用数字集成电路时，经常遇到的实际问题。

46)3.5 其他类型的双极型集成电路在双极型数字集成电路中，TTL电路的应用最广泛。

其他种类的电路有：47)3.5.1 ECL电路由于TTL门中三极管工作在饱和状态，开关速度受到了限制。

只有改变电路的工作方式，从饱和型变为非饱和型，才能从根本上提高速度。

发射极耦合逻辑电路ECL，也称电流开关型逻辑电路CML，就是一种非饱和型高速数字集成电路。

48)3.5.2 I2L电路集成注入逻辑电路I2L的电路简单，它的基本结构是由一个NPN型多集电极三极管和一个PNP型恒流源负载组成的反相器。

由于I2L电路的驱动电流是由PNP管的发射极注入的，所以称为集成注入逻辑，它的功耗低，集成度高。

I2L电路的每个基本逻辑单元占的芯片面积很小，工作电流不超过1nA，因而其集成度可达500门／mm2以上(一般TTL电路集成度在20门／mm2左右)。

注入逻辑电路可以在低电压下工作，其高电平VH=0.7V，低电平VL=0.1V。

注入逻辑电路的缺点是抗干扰能力差，开关速度也较低。

49)3.6 MOS集成门MOS集成电路是用MOS管作基本元件构成的。

MOS管是金属-氧化物-半导体场效应管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的简称。

在MOS管内，只有一种载流子参与导电，因此MOS集成电路称为单极型集成电路。

50)3.6.1 MOS管1.MOS管的结构MOS管分为NMOS和PMOS两种类型。

51)PMOS管PMOS管也有增强型和耗尽型两种类型。

52)2.MOS管的开关特性在数字电路中，MOS管主要作为开关元件来使用。

下面以增强型NMOS管为例，介绍MOS管的开关特性。

53)(1)输出特性NMOS管的基本开关电路如图示，这种结构也称为共源接法电路。

共源接法电路的输出特性(也称为漏极特性)曲线54)(2)转移特性MOS管的转移特性是VDS不变化条件下的ID电流与VGS之间的曲线关系，增强型NMOS管的转移特性曲线如图55)(3)输入电阻与输入电容MOS管的输入电阻实际就是SiO2的绝缘电阻，其阻值RI 可达1012Ω以上。

使MOS 管在静态时基本不需要输入电流，即II≈0 。

因此，MOS 管开关电路的静态输入功耗极低，负载能力很强。

56)3.6.2 MOS反相器57)1.电阻负载反相器共源电路实际就是一个反相器，R D是负载电阻。

从电路输出特性曲线可以看出，当输入为低电平，即V I=V IL时，MOS管工作在截止区，输出为高电平，V O≈V DD：当输入为高电平，即V I=V IH时，MOS管工作在非饱和区，输出为低电平，V O≈0V。

电路的输出电平与输入电平相反，所以称为反相器。

58)2.MOS管负载反相器在MOS集成电路中，制作MOS晶体管要比制作电阻容易，因此MOS反相器都采用MOS管代替电阻负载。

59)3.CMOS反相器在制作NMOS反相器时，如果负载管的导通电阻小，则在驱动管导通时，电路的功耗大；如果导通电阻大，则在驱动管截止时，电路提供的拉电流负载小，驱动能力弱。