LCD生产工艺流程
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LCD生产工艺流程
工艺环境：净房洁净度 1000级，温度：23±2℃， 湿度：55±10％RH。
工艺条件：酸刻液配比： 纯水:HCl:HNO3＝10:20:1 （体积比）；HCl浓度36～ 38％，HNO3浓度65～68％， 酸刻液当量浓度：7.0～ 7.5N，脱膜液：5±1％ KOH溶液；温度：40±1℃
LCD生产工艺流程
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2020/11/2
LCD生产工艺流程
工艺重点管控：酸刻液/
脱膜浓度及温度、喷淋的 流量，玻璃节拍，过滤芯 规格及定期更换，气刀压 力等。
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LCD生产工艺流程
定向段
TOP前清洗 TOP印刷 TOP主固化 PI前清洗
PI印刷
PI主固化
PI预固化
摩擦
清洗
清洗：机械清洗如刷洗、冲洗，超声波清洗，臭氧洗、UV清洗，溶剂洗 （KOH溶液等）等，评价手段：接触角（小于7度）或蒸汽检查。
度及温度、喷淋的流量，玻 璃节拍，过滤芯规格及定期 更换，气刀压力，UV光积量， 温度曲线等。
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LCD生产工艺流程
TOP/PI印刷标记
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LCD生产工艺流程
工艺环境：工艺环境：净房 洁净度100级；温度23±2℃； 湿度55±5%RH； 机器内洁净度100级；温度 23±2℃；湿度48±5%RH；
工艺环境：工艺环境：净房 洁净度100级；温度23±2℃； 湿度55±5%RH； 机器内洁净度100级；温度 23±2℃；湿度48±5%RH；
工艺条件：单面印TOP固化 工艺（即CF玻璃不印刷TOP 固化工艺）：UV光积量： 6000 MJ/MM² TOP主固化温度：300℃
工艺重点管控：清洗液浓
预烘温度：玻璃表面实际
温度100 ±5℃，100 ~120 秒。光积量为 100~150mj/cm2 。
工艺重点管控：光刻胶 粘度，涂胶轮转数、压 入量，光刻胶前烘温度 及时间，洁净度等。
光强强度及其分布，曝光 机内温度，环境的温湿度 及洁净度，CF玻璃的流向 及曝光精度（±2u）等
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LCD生产工艺流程
品质检验设备
盒厚测量仪 TOP/PI测量仪
CNC 长度测量仪
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显微镜
热冲击箱
LCD生产工艺流程
LCD测量仪器
LCD5200测量仪
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接触角测量仪
LCD生产工艺流程
设备 Cell Gap & Film Thickness Measurement System CNC Video Measuring System Automatic Glass Cleanness and Treatment Analyzer COG Inspection Microscope Electricity Lighting Characteristic Test Liquid-crystal Display Parameter Colligation Test Fold-up Rester Electrostatic Shock tester Heat Shock tester High/Low Temp. Storage Chamber Glass-check Microscope Polarizing Microscope
Otsuka changchung
Electricity Lighting Characteristic Liquid-crystal Display Parameter
Self-made
Taray Terchy Nikon Nikon
Fold-up Electrostatic Reliability Reliability Reliability
评价手段：水煮可靠性试验、拉力效果 主要不良：盒厚不均（边厚/边薄/团状不均等）/框胶断开/显示黑
白点（盒内污点造成）/断路（金球少）/粉聚（喷粉结团造 成）等
LCD生产工艺流程
粉聚
粉聚
异物
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异物
异物
异物
LCD生产工艺流程
•工艺环境：净房洁净度100级；温度 23±2℃；湿度:57±5%RH。
• 主要不良：边蹦/表面划伤/欠灌（LC未灌满）/封口对比 度（LC污染或封口污染）/封口处显示黑白点（LC污染或 封口污染）
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LCD生产工艺流程
•工艺环境：灌液净房洁净度1000级；温度23±2℃； 湿度55±15%RH。
工艺条件：灌液机内抽真空在10PA以下。
工艺重点管控：灌液机真空度/对位/N2流量/LC污染 （使用过一次的LC都需要过滤后才能使用）/整平压 力等。
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生产商
控制项目
Otsuka Nikon
Photoresist film thickness PI/TOP film thickness/Cell Gap Microcosmic Dimension
Kyowa Interface Science
Leica Microsystem
Glass cleanness COG/TAB Bonding
线同层或不同层之间短路为不合格标准判定；
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CF面BM层（约13um左右）
SSEG线（较CF面RGB条形 像素稍宽2-4um），SEG的 线间距设计一般是10U，酸 刻后一般是10~12u
LCD生产工艺流程
后段
切割
断粒 插条 灌晶 加压封口 清
洗 电测 分色 二次清洗 贴片
COG
TAB 模组
工艺重点管控：清洗液及
DIW的温度、流量，玻璃传 送的节拍，毛轮的压入量， 气刀的压力、角度，DIW的 电阻率（离子的含量）不小 于15兆欧，过滤芯的规格及 定期更换等。
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ITO层 Substrate
LCD生产工艺流程
工艺环境：净房洁净度 100级，温度：23±2℃， 湿度：55±5％RH，黄 灯区。
LCD生产工艺流程
工艺环境：净房洁净度1000 级，温度：23±2℃，湿度： 55±10％RH。
工艺条件：显影剂溶液的浓 度：0.70～0.73%的KOH, 温 度：23±2℃，坚膜炉温度： 玻璃表面实际温度130±5℃， 100 ~120秒。
工艺重点管控：显影液浓
度及温度、喷淋的流量，玻 璃节拍，过滤芯规格及定期 更换，光刻胶后烘温度及时 间，气刀压力等。
溶剂洗等
评价手段：接触角、强光检查表面、显微镜检查
涂感光胶：正性胶、负性胶，我们使用正性胶。
评价手段：膜厚度、显影效果、去除效果
曝光：由光路产生的平行紫外线曝光，接触式、恒温、自动对位
评价手段：光强均匀性、对位精度、图形精度
酸刻：盐酸、硝酸混合物，温度对酸刻效果影响大，温度过低生
产效率降低快，过高同光刻胶有反应，生产物质难以脱膜除去。
工艺重点管控：摩擦效果/压
入量/摩擦力矩/摩擦角度。
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LCD生产工艺流程
制盒段
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印框 预烘 点胶 贴合 热压
印点 预烘 喷粉
丝印：用聚酯、尼龙、钢网在单个CELL四周印刷一个起密闭作用 的环氧树脂胶框，同时导通点起上下片导通作用
评价手段：丝印下胶量、热压后延展效果 热压：贴合后的玻璃在加压加热的环境下，环氧树脂交连固化，一 般分热压夹具、气囊、热压机等几种热压方式
LCD生产工艺流程
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2020/11/2
LCD生产工艺流程
CSTN/STN液晶显示屏生产线
前清洗及涂光刻胶
曝光
显影/酸刻
TOP / PI
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摩擦
装配
LCD生产工艺流程
图形段
来料玻璃
清洗
涂感光胶 前烘 曝光
显影 显影检查 后烘 酸刻 图形检查
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清洗：机械清洗如刷洗、冲洗，超声波清洗，臭氧洗、UV清洗，
PI印刷：电压主要影响因素，定向效果（显示均匀性等）的关键 评价手段：膜厚、尺寸位置、均匀性
固化：主要有炉子固化和热板固化两种 评价手段：温度均匀性、温度曲线
摩擦：用绒毛布在玻璃表面打磨出均匀定向沟槽 评价手段：蒸汽检查摩擦效果
主要不良：PI斜纹/PI白条/PI黑条/显示不均等
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LCD生产工艺流程
工艺条件：双面都需要印刷 PI，PI预固化温度70~80 ℃ PI主固化温度：230℃
工艺重点管控：清洗液浓
度及温度、喷淋的流量，玻 璃节拍，过滤芯规格及定期 更换，气刀压力，UV光积量 （UV清洗），温度曲线等。
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LCD生产工艺流程
工艺环境：净房洁净度1000级， 温度：23±2℃，湿度： 65±5%RH；机器内温度 23±2℃，湿度 58±5%RH； 工艺条件：：转速为1000rpm， 台板前进速度为30mm/s；设置 压入量：0.3mm；摩擦角度一 般STN/FSTN/CSTN扭曲角 240～260度。
也可以使用4价铁离子作为酸刻剂。
评价手段：线条宽度、微短路、侧蚀
主要不良：断路（ITO线断开）/短路（不该相连的两条ITO线连
在一起）
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浮胶
wk.baidu.com
微断
微断
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短路
短路
短路
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原材料玻璃极板
工艺环境：工艺环境：净
房洁净度1000级，温度： 23±2℃，湿度： 55±15%RH。 工艺条件：KOH：纯水=3： 100（3～4%KOH溶液）； 温度：40±2℃， IR炉板实 际温度100±10℃。每月测 一次。UV照度： ≥19.6mu/cm2 .每月测一次.
• 工艺条件：边框胶预固化温度90~100度 。 喷粉液用IPA/DI水配置。
• 工艺重点管控：边框胶印刷效果，金球/ 硅球分布均匀性，预固化温度曲线，喷 粉密度，喷粉结团等。
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LCD生产工艺流程
•工艺环境：净房洁净度1000级； 温度23±2℃；湿度 55±15%RH。
工艺条件： 待机：2min；低压： 0.08Mpa，60min；高压 0.08Mpa，135min；释放： 1min或60min(即热烘)； 温度： 175±5℃(XN-5A框胶)或 150±5℃(XN-665框胶);
工艺重点管控：固化炉温度曲 线，热压压力，热压纸洁净度， 对位精度，牛顿环等。
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LCD生产工艺流程
热压出货检查对位位置要求：
对盒错位要求： SEG线与CF面 R像素偏位覆盖BM层， 刚好进入到另一个像素G 或B判定为合 。转印点区域不能有上下电极错开为最佳，错开位置以引起SEG线，COM
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工艺环境：净房洁净度 1000级，温度：23±2℃， 湿度：55±10％RH。
工艺条件：酸刻液配比： 纯水:HCl:HNO3＝10:20:1 （体积比）；HCl浓度36～ 38％，HNO3浓度65～68％， 酸刻液当量浓度：7.0～ 7.5N，脱膜液：5±1％ KOH溶液；温度：40±1℃
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演讲完毕，谢谢听讲!
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LCD生产工艺流程
工艺重点管控：酸刻液/
脱膜浓度及温度、喷淋的 流量，玻璃节拍，过滤芯 规格及定期更换，气刀压 力等。
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LCD生产工艺流程
定向段
TOP前清洗 TOP印刷 TOP主固化 PI前清洗
PI印刷
PI主固化
PI预固化
摩擦
清洗
清洗：机械清洗如刷洗、冲洗，超声波清洗，臭氧洗、UV清洗，溶剂洗 （KOH溶液等）等，评价手段：接触角（小于7度）或蒸汽检查。
度及温度、喷淋的流量，玻 璃节拍，过滤芯规格及定期 更换，气刀压力，UV光积量， 温度曲线等。
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LCD生产工艺流程
TOP/PI印刷标记
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LCD生产工艺流程
工艺环境：工艺环境：净房 洁净度100级；温度23±2℃； 湿度55±5%RH； 机器内洁净度100级；温度 23±2℃；湿度48±5%RH；
工艺环境：工艺环境：净房 洁净度100级；温度23±2℃； 湿度55±5%RH； 机器内洁净度100级；温度 23±2℃；湿度48±5%RH；
工艺条件：单面印TOP固化 工艺（即CF玻璃不印刷TOP 固化工艺）：UV光积量： 6000 MJ/MM² TOP主固化温度：300℃
工艺重点管控：清洗液浓
预烘温度：玻璃表面实际
温度100 ±5℃，100 ~120 秒。光积量为 100~150mj/cm2 。
工艺重点管控：光刻胶 粘度，涂胶轮转数、压 入量，光刻胶前烘温度 及时间，洁净度等。
光强强度及其分布，曝光 机内温度，环境的温湿度 及洁净度，CF玻璃的流向 及曝光精度（±2u）等
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LCD生产工艺流程
品质检验设备
盒厚测量仪 TOP/PI测量仪
CNC 长度测量仪
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显微镜
热冲击箱
LCD生产工艺流程
LCD测量仪器
LCD5200测量仪
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接触角测量仪
LCD生产工艺流程
设备 Cell Gap & Film Thickness Measurement System CNC Video Measuring System Automatic Glass Cleanness and Treatment Analyzer COG Inspection Microscope Electricity Lighting Characteristic Test Liquid-crystal Display Parameter Colligation Test Fold-up Rester Electrostatic Shock tester Heat Shock tester High/Low Temp. Storage Chamber Glass-check Microscope Polarizing Microscope
Otsuka changchung
Electricity Lighting Characteristic Liquid-crystal Display Parameter
Self-made
Taray Terchy Nikon Nikon
Fold-up Electrostatic Reliability Reliability Reliability
评价手段：水煮可靠性试验、拉力效果 主要不良：盒厚不均（边厚/边薄/团状不均等）/框胶断开/显示黑
白点（盒内污点造成）/断路（金球少）/粉聚（喷粉结团造 成）等
LCD生产工艺流程
粉聚
粉聚
异物
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异物
异物
异物
LCD生产工艺流程
•工艺环境：净房洁净度100级；温度 23±2℃；湿度:57±5%RH。
• 主要不良：边蹦/表面划伤/欠灌（LC未灌满）/封口对比 度（LC污染或封口污染）/封口处显示黑白点（LC污染或 封口污染）
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LCD生产工艺流程
•工艺环境：灌液净房洁净度1000级；温度23±2℃； 湿度55±15%RH。
工艺条件：灌液机内抽真空在10PA以下。
工艺重点管控：灌液机真空度/对位/N2流量/LC污染 （使用过一次的LC都需要过滤后才能使用）/整平压 力等。
PPT文档演模板
生产商
控制项目
Otsuka Nikon
Photoresist film thickness PI/TOP film thickness/Cell Gap Microcosmic Dimension
Kyowa Interface Science
Leica Microsystem
Glass cleanness COG/TAB Bonding
线同层或不同层之间短路为不合格标准判定；
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CF面BM层（约13um左右）
SSEG线（较CF面RGB条形 像素稍宽2-4um），SEG的 线间距设计一般是10U，酸 刻后一般是10~12u
LCD生产工艺流程
后段
切割
断粒 插条 灌晶 加压封口 清
洗 电测 分色 二次清洗 贴片
COG
TAB 模组
工艺重点管控：清洗液及
DIW的温度、流量，玻璃传 送的节拍，毛轮的压入量， 气刀的压力、角度，DIW的 电阻率（离子的含量）不小 于15兆欧，过滤芯的规格及 定期更换等。
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ITO层 Substrate
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工艺环境：净房洁净度 100级，温度：23±2℃， 湿度：55±5％RH，黄 灯区。
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工艺环境：净房洁净度1000 级，温度：23±2℃，湿度： 55±10％RH。
工艺条件：显影剂溶液的浓 度：0.70～0.73%的KOH, 温 度：23±2℃，坚膜炉温度： 玻璃表面实际温度130±5℃， 100 ~120秒。
工艺重点管控：显影液浓
度及温度、喷淋的流量，玻 璃节拍，过滤芯规格及定期 更换，光刻胶后烘温度及时 间，气刀压力等。
溶剂洗等
评价手段：接触角、强光检查表面、显微镜检查
涂感光胶：正性胶、负性胶，我们使用正性胶。
评价手段：膜厚度、显影效果、去除效果
曝光：由光路产生的平行紫外线曝光，接触式、恒温、自动对位
评价手段：光强均匀性、对位精度、图形精度
酸刻：盐酸、硝酸混合物，温度对酸刻效果影响大，温度过低生
产效率降低快，过高同光刻胶有反应，生产物质难以脱膜除去。
工艺重点管控：摩擦效果/压
入量/摩擦力矩/摩擦角度。
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LCD生产工艺流程
制盒段
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印框 预烘 点胶 贴合 热压
印点 预烘 喷粉
丝印：用聚酯、尼龙、钢网在单个CELL四周印刷一个起密闭作用 的环氧树脂胶框，同时导通点起上下片导通作用
评价手段：丝印下胶量、热压后延展效果 热压：贴合后的玻璃在加压加热的环境下，环氧树脂交连固化，一 般分热压夹具、气囊、热压机等几种热压方式
LCD生产工艺流程
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2020/11/2
LCD生产工艺流程
CSTN/STN液晶显示屏生产线
前清洗及涂光刻胶
曝光
显影/酸刻
TOP / PI
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摩擦
装配
LCD生产工艺流程
图形段
来料玻璃
清洗
涂感光胶 前烘 曝光
显影 显影检查 后烘 酸刻 图形检查
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清洗：机械清洗如刷洗、冲洗，超声波清洗，臭氧洗、UV清洗，
PI印刷：电压主要影响因素，定向效果（显示均匀性等）的关键 评价手段：膜厚、尺寸位置、均匀性
固化：主要有炉子固化和热板固化两种 评价手段：温度均匀性、温度曲线
摩擦：用绒毛布在玻璃表面打磨出均匀定向沟槽 评价手段：蒸汽检查摩擦效果
主要不良：PI斜纹/PI白条/PI黑条/显示不均等
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LCD生产工艺流程
工艺条件：双面都需要印刷 PI，PI预固化温度70~80 ℃ PI主固化温度：230℃
工艺重点管控：清洗液浓
度及温度、喷淋的流量，玻 璃节拍，过滤芯规格及定期 更换，气刀压力，UV光积量 （UV清洗），温度曲线等。
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LCD生产工艺流程
工艺环境：净房洁净度1000级， 温度：23±2℃，湿度： 65±5%RH；机器内温度 23±2℃，湿度 58±5%RH； 工艺条件：：转速为1000rpm， 台板前进速度为30mm/s；设置 压入量：0.3mm；摩擦角度一 般STN/FSTN/CSTN扭曲角 240～260度。
也可以使用4价铁离子作为酸刻剂。
评价手段：线条宽度、微短路、侧蚀
主要不良：断路（ITO线断开）/短路（不该相连的两条ITO线连
在一起）
LCD生产工艺流程
浮胶
wk.baidu.com
微断
微断
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短路
短路
短路
LCD生产工艺流程
原材料玻璃极板
工艺环境：工艺环境：净
房洁净度1000级，温度： 23±2℃，湿度： 55±15%RH。 工艺条件：KOH：纯水=3： 100（3～4%KOH溶液）； 温度：40±2℃， IR炉板实 际温度100±10℃。每月测 一次。UV照度： ≥19.6mu/cm2 .每月测一次.
• 工艺条件：边框胶预固化温度90~100度 。 喷粉液用IPA/DI水配置。
• 工艺重点管控：边框胶印刷效果，金球/ 硅球分布均匀性，预固化温度曲线，喷 粉密度，喷粉结团等。
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LCD生产工艺流程
•工艺环境：净房洁净度1000级； 温度23±2℃；湿度 55±15%RH。
工艺条件： 待机：2min；低压： 0.08Mpa，60min；高压 0.08Mpa，135min；释放： 1min或60min(即热烘)； 温度： 175±5℃(XN-5A框胶)或 150±5℃(XN-665框胶);
工艺重点管控：固化炉温度曲 线，热压压力，热压纸洁净度， 对位精度，牛顿环等。
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LCD生产工艺流程
热压出货检查对位位置要求：
对盒错位要求： SEG线与CF面 R像素偏位覆盖BM层， 刚好进入到另一个像素G 或B判定为合 。转印点区域不能有上下电极错开为最佳，错开位置以引起SEG线，COM