金属薄膜电容参数 - 360文档中心

cbb电容104j

CBB电容104J1. 什么是CBB电容104JCBB电容104J是一种多层聚酯薄膜电容器，也被称为金属化聚酯薄膜电容器。

它的名称中的”104J”代表了其规格和参数。

在这个规格中，“104”表示电容器的电容量为100000pF，而字母”J”表示其精度等级为5%。

2. CBB电容器的结构和工作原理CBB电容器由两个金属箔之间夹着一层聚酯薄膜构成。

金属箔被涂覆上导电材料，形成两个极板。

而聚酯薄膜则起到绝缘隔离的作用。

当外加直流或交流信号通过CBB电容器时，金属箔上的导体会在极板之间产生一个静电场。

这个静电场会导致金属箔上的正负离子在极板之间移动，从而形成一个等效的电荷分布。

CBB电容器具有良好的频率响应特性和稳定性。

它们可以用于直流和低频交流信号的耦合、滤波和解耦等应用。

3. CBB电容器的特点和优势CBB电容104J具有以下特点和优势：3.1 高精度和稳定性CBB电容104J的精度等级为5%，这意味着它的实际电容值与标称值之间的偏差不会超过5%。

这种高精度可以满足许多应用的要求。

同时，CBB电容器具有良好的温度稳定性和频率响应特性，能够在不同环境条件下保持稳定性能。

3.2 低损耗和低噪声CBB电容器采用聚酯薄膜作为介质，具有较低的损耗因子和噪声水平。

这使得它们在高频应用中表现出色，并且能够提供清晰、准确的信号传输。

3.3 耐高温和耐压能力强CBB电容104J可以在较高温度下正常工作，通常可以承受高达125°C的温度。

此外，它们还具有较高的耐压能力，通常可承受数百伏特的工作电压。

这些特性使得CBB电容器适用于各种高温和高压环境下的应用。

3.4 尺寸小巧、重量轻CBB电容器通常采用SMD封装形式，尺寸小巧且重量轻。

这使得它们非常适合在有限空间和重量要求较低的应用中使用，如电子产品、通信设备等。

4. CBB电容104J的应用领域CBB电容104J广泛应用于各种电子设备和电路中，包括但不限于：•消费类电子产品：如手机、平板电脑、相机等。

薄膜电容器的使用要求和电性能参数(精)

薄膜电容器的使用要求和电性能参数电磁加热设备把工频的交流电或纯直流电 , 通过半桥 /全桥逆变技术 , 变为高频交流电 (1KHz— 1MHz. 高频交流电通过各种电感性负载后会产生高频交变磁场 . 当金属物体处于高频交变磁场中 , 金属分子会产生无数小涡流 . 涡流使金属分子高速无规则运动 , 金属分子间互相碰撞、磨擦而产生热能 , 最终达到把电能转换为热能的目的 . 电磁加热设备在我们的工作和生活中大量的频繁的使用 . 例如电磁炉 /电磁茶炉 , 电磁炉 , 高频淬火机 , 封口机 , 工业熔炼炉等等 . 本文以三相大功率电磁灶为例 , 浅析薄膜电容器在电磁加热设备中的应用 .一电磁灶三相全桥电路拓扑图二 C1— C6功能说明C1/C2:三相交流输入滤波、纹波吸收 , 提高设备抗电网干扰的能力C1,C2和三相共模电感组成 Pi 型滤波 , 在设备中起电磁干扰抑制和吸收的作用 . 该电路一方面抑制 IGBT 由于高速开关而产生的电磁干扰通过电源线传送到三相工频电网中 , 影响其他并网设备的正常使用 . 另一方面防止同一电网中其他设备产生的电磁干扰信号通过电源线传送到三相工频电网中 , 影响电磁加热设备自身的正常使用 .(对内抑制自身产生的干扰 , 对外抵抗其他设备产生的干扰 , 具有双面性EMC=EMI+EMS在实际使用中 ,C1可以选择 MKP-X2型 (抑制电磁干扰用固定电容器 , 容量范围在 3µF-10µF之间 , 额定电压为 275V.AC -300V.AC. 采用 Y 型接法 , 公共端悬空不接地 . C2可以选择 MKP 型金属化薄膜电容器 , 容量范围在 3µF-10µF之间 , 额定电压为 450V.AC -500V.AC ,采用三角形接法 .新晨阳C1和 C2原则上选用的电容量越大 , 那么对于电磁干扰的抑制和吸收效果越好 . 但是电容量越大 , 那么设备待机时的无功电流就越大 . 耐压方面要根据设备使用地域的电网情况而合理保留一定的余量 , 防止夜间用电量非常小的时候 , 电网电压过高而导致电容器电压击穿或寿命受到一定的影响 .C3: 整流后平滑滤波、直流支撑 (DC-Link,吸收纹波和完成交流分量的回路。

薄膜电容器选型与应用

薄膜电容器选型与行业应用————光伏逆变器行业变频器行业风电行业交流滤波电容其他场合一、光伏行业DC-link电容DC-link电容（大功率27μF-30μF/KW 薄膜电容）二、变频器行业DC-link电容输入电压等级 DC-Link 电容吸收电容 LC 交流滤波电容 220V.AC-440V.AC 薄膜电容电压Un=700V.DC 0.1-2μF/1200V.DC Un=450V.AC 660V.AC-690V.AC薄膜电容电压 Un=1100V.DC 0.47-2.5μF/1600V.DC Un=850V.AC 1140V.AC薄膜电容电压 Un=2000V.DC0.47-3μF/3000V.DCUn=1140V.AC2000μF/1200VDCSVG客户的选型420/470 uf –1100/1200V .DC500/1200/2000/3000 uf –1200V .DC功率P DC-Link 电容吸收电容交流滤波电容500KW 园柱SCREW 型400μF-500μF/1100V .DC 27-30只并联采用6只方块铜片型0.47-1.5μF/1600V .DC 金属盒三角接法SCREW 型 3×200μF/450V .AC 250KW 园柱SCREW 型200-420 多只并联总容量在6000uf采用3只方块铜片型0.47-1.5μF/1600V .DC金属盒三角接法SCREW 型 3×200μF/450V .AC 100K 园柱SCREW 型 420uf 6只并联方块铜片型 1μF/1200V .DC 金属盒三角接法SCREW 型 3×200μF/450V .AC50K 方块导针型 10μF-50μF 多只并联方块铜片型0.47μF/1200V .DC20μF/450V .AC (自己采用三角接法)，会选园柱SCREW 型的备注采用容量小，多只并联，这样同等容量流过DC-LINK 电容有效电流大， I 总rms≥nI 输出电流容量选取不是容量越大越好，主要通过IGBT 开关频率和功率选取容量选择交流电容设计电容的有效电流多少，这主要载波频率有关系逆变器输出总功率对应４７０ＵＦ电容折算数量6kv/250A =1.5兆瓦10kv/200A/400A/600A/800A/1000A,=2/4/6/8/10兆瓦1.5MW2MW4MW6MW8MW 10MW180只198只429只648只864只1080只――－依470 uf –1100/1200V.DC折算出的电容数量；---风电变流器行业容量选取可参照此案，但务必对电压考虑裕量；三、IGBT 保护电容（snubber）IGBT 实际工作电流每 100A 使用容量大约 1UF。

金属化薄膜电容器资料-1

650
600
550 500
450
400
350 20
40 60 80 100 120 140 temperature( ° C )
Dissipation Factor vs Frequency
BDB(V/μm)
Breakdown Voltage vs Temperature 5μm
650
600
550 500
2.照明用 3.車輛用.車載變壓器用 4.其他
TD 型安全膜
B/TD 寬 C/間隔寬
A /制品寬白邊寬
T 型安全膜
D/(保險絲) B/(MD 寬)F/(網邊部)
C/TD 寬 E/間隔寬
A /制品寬 G/(白邊寬)
FISH NET 網狀型安全膜(A 型)
D/網邊部 C/MD
華容國際集團(HJC )專門研究相關資料,匯總使用金屬化聚酯薄膜,金屬化聚丙烯薄膜的經驗,所列數據和結論是大新電機股份有限公司陳澤民董事長指導,經過三十五年電容器製造經驗和試驗所獲得的。
聚酯薄膜: 聚丙烯薄膜:
POLYESTER FILM
(PET)
POLYPROPYLENE FILM (OPP)
第 1頁第 2頁第 3頁第 4頁第 5頁第 6頁第 7頁第 8頁第 9頁第 10 頁第 11 頁
HUA JUNG ELECTRONICS GUANG DONG CO.,LTD.
華容國際集團陳光裕編訂
CAPACITORS
第1頁
聚酯薄膜 ﹑聚丙烯薄膜
隨著電容器制造技術的進步,金屬化聚酯薄膜﹑金屬化聚丙烯薄膜制造的電容器,依其適用性﹑體積大小﹑重量﹑成本﹑簡單化制造工程,良好的電氣性能,己獲得電容器制造工廠充分使用。從其最終用途來看,金屬化聚酯薄膜﹑金屬化聚丙烯薄膜電容器有可能被用於替代其它類型的電容器,諸如金屬化紙介質電容器或箔式電容器,甚至電解電容器。

薄膜电容讲解PPT课件

3）介电常数大。 4）易于金属化，容积比高。 5）但与其他塑料薄膜相比，聚酯膜的体积电阻率较低，损
耗角正切也较大；当使用温度高于100 ℃时，其体积电阻率直线下降，损耗角正切值也迅速增大，所以使用温度要求较高时，可以选用PEN材料。
聚酯和聚丙烯薄膜的特点
2、聚丙烯（OPP）
1）具有很高的耐水性，且不受强酸强碱腐蚀，对有机溶剂也有较强的抵抗力。
制造工艺－有感箔式CL11/CBB11
卷绕/焊接热压定型包封
外检、电测试、打标志
制造工艺金属化卷绕式CBB21等
卷绕定型喷金焊接
包封
外检、电测试、打标志
金属化聚酯膜电容器
主要用于直流耦合、滤波、旁路、隔直等场合。是薄膜电容器里最通用的一类电容器。一般用于中、低频场合。在照明或者低端电源市场，有被用于高频场合，但要确保电容器的本体温升在10 ℃以内。
物料描述：
R_电容_CL21_224K/400V_10mm_K脚_短脚
RoHS_名称(电容)_类型(CL21)_容量(224)_误差(K)_额定电压(400V)_脚距(10mm)_引脚形状(K脚)_短脚_尺寸 (14*13*7.5)_脚径(0.6)
R_电容_CBB21/22_333K/630V_10mm直脚_短脚
聚丙烯电容的应用
CBB21II和MKP21将是未来通用类聚丙烯电容器的主力。照明/彩电/电源
典型应用：高频脉冲场合。选用依据：
电压电流波形；频率；爬升速率：dv/dt。
确保电容器的本体温升在5或者8℃以下
最大电压与频率特性
i=V/Xc Xc=1/(2πfc)
i= 2πfcV
公司内部薄膜电容命名规则
RoHS_名称(电容)_型号(CBB21/22)_容量(15*10^3PF)_误差(K)_额定电压(630V)_脚距(7.5mm)_引脚形状(K脚)_编带_ 尺寸(12.5*10*6)_脚径(0.6)

Shiny Space 金属化聚丙烯薄膜电容器Type SX1 Class X1 X2 说明书

250/300
31.5
22.5
13
27.5
0.8
1.0 -1
250/300
25
23.5
14
22.5
0.8
1.0 -2
250/300
30
21
11.5
27.5
0.8
* 1.2
300/300
37
24
13.5
32.5
0.8
1.2 -1
300/300
31.5
22.5
13
27.5
0.8
* 1.5
300/300
37
(UF)
(VAC)
W
H
T
P
d
0.0047
250/300
18
13
10
11
5
5
15
10
0.8
0.6
0.0056
250/300
18
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10
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5
5
15
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0.8
0.6
0.0068
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5
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10
0.8
0.6
0.0082
250/300
18
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5
5
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10
0.8
0.6
0.01
3
2
1
0
-1
-2 101 2
5 102 2 5 103 2 )UHT Hz
5 104 2
5 105
Dissipation Factor VS. Temperature at 10KHz

5种薄膜电容的性能

5种薄膜电容的性能及参数介绍1、碳酸酯薄膜电容此电容性能比聚酯电容好，耐热与聚酯电容相同，可替代聚酯，纸介电容，广泛应用于直流交流，脉动电路中。

型号：CQ10 容量：0.1-0.68uf 额定工作电压：40V 绝缘性能：500mohm./uf 损耗角正切：（正常气候条件下）<0.015 试验电压： 60V2、复合薄膜电容器：此电容选择了两种不同的薄膜（或纸与薄膜）复合做介质。

例如聚苯乙烯薄膜与聚丙烯薄膜复合制作的电容器，这种电容比聚苯乙烯电容提高了抗电强度和温度，减小了体积，但是电容的温度系数和损耗稍差。

聚苯乙烯薄膜电容器：主要特点是绝缘电阻高，损耗小，容量精度高，电参数随频率温度变化小，缺点是体积大，工作温度不高（上限为70C ）该电容主要应用于滤波，高频调谐器，均衡器中。

型号：CB40 容量：0.015-2uf 额定工作电压： 250-1000v 绝缘性能：引出头之间：50000mohm 引出头与外壳之间：10000S 损耗角正切：（正常气候条件下）<0.001 试验电压：2uw 容量允差:J,K,F,G型号：CB14 容量：10P-0.16uf 额定工作电压： 100—1600v 绝缘性能：引出头之间：20000mohm. 容量允差：D ,F,J,G 损耗角正切：（正常气候条件下）<0.001 试验电压：2uw3、聚丙烯薄膜电容器此电容性能和聚苯乙烯电容相似，但体积小，工作温度上限可达85-100C 损耗为 0.01-0.001 温度系数为-100*(10 负6) ---- -400*(10 负6) 容量稳定性比聚丙乙烯电容稍差。

可用于交流，激光，耦合，等电路。

型号：CBB121 容量： 0.001-0.47uf 额定工作电压：63—400v 绝缘性能：引出头之间：100000mohm 引出头与外壳之间：10000S 损耗角正切：（正常气候条件下）<0.01 试验电压：2uw 容量允差:J,K,M型号：CBB12 容量：0.001-0.39uf 额定工作电压：100—1600v 绝缘性能：引出头之间：3000mohm.UF 引出头与外壳之间：10000S 损耗角正切：（正常气候条件下）<0.001 试验电压： 2.5uw 容量允差:J,K,4、聚四氟乙烯薄膜电容器：此电容损耗小，耐热性好，工作温度可达-150---200C 电参数的温度频率特性稳定，耐化学腐蚀好，缺点是耐电晕性差，成本高，主要应用于高温高绝缘，高频的场合。

金属化薄膜电容器

-40~+105
低E.S.R、高频脉动电流电路
35,63
4.7,10,22
-40~+85
125(V.a.c)
小型品、交流電源雑音防止用
0.010~1.0
-40~+105
250(V.a.c)
ＭＭＤ
金属化聚丙烯薄膜
ＭＰＥ
ＭＭＴ
叠片形树金属化聚脂浸封酯薄膜
ＭＴＦ
金属化硫化聚苯
（薄膜）
ＣＨＡ
金属化薄膜电容器.
结构介质材料品名
形状
特点及用途
额定电压容量范围(F)※ 使用温度范
(V.d.c)
1
(℃)
ＡＭＺ
一般电路用
50~400 0.00010~0.47
聚酯薄膜ＡＭＣ
ＡＭＦ
金属化聚二酸二乙
酯薄膜
ＡＮＲ
树脂浸封聚酯薄膜ＮＳＭ
聚丙烯薄膜
ＡＰＳ
小型品
50
0.00047~0.1
-40~+85
100,250,
低损耗高频回路、缓冲电路、音
频电路
0.00010~0.22 -25~+85
400※3
聚酯/聚丙烯薄膜
ＡＷＳ
硫化聚苯 (PPS)薄膜
ＡＨＳ
ＭＭＸ
ＭＭＣ
ＭＭＨ
金属化聚酯薄膜
阻燃性树脂浸封
ＭＭＢ（Ａ）
ＭＭＬ
定时电路、振荡电路、杜比电路
50,100
0.0010~0.47
-25~+85
0.010~3.3
高可靠性,流/回流焊接对应，滤波电路、谐振电路、自定时电路等表面安装型电

cbb薄膜电容100v 10uf

cbb薄膜电容100v 10uf
（原创实用版）
目录
1.薄膜电容的基本概念和特点
2.cbb 薄膜电容的性能参数
3.100V 和 10uF 的含义
4.cbb 薄膜电容的应用领域
5.结论
正文
薄膜电容是一种电子元器件，它是通过将金属箔片和塑料薄膜制成的。

薄膜电容具有许多优点，例如体积小、重量轻、可靠性高、自我恢复能力强等。

在电子设备中，薄膜电容被广泛应用，可以用于滤波、信号处理、电源管理等电路。

cbb 薄膜电容是一种常见的薄膜电容类型，它具有优良的电气性能和机械强度。

cbb 薄膜电容的性能参数包括额定电压、电容值、容差、漏电流等。

其中，额定电压是指电容器可以承受的最高电压，电容值是指电容器存储电荷的能力，容差是指电容器电容值的允许偏差，漏电流是指电容器在额定电压下的漏电电流。

在本文中，我们讨论的是 cbb 薄膜电容 100V 10uF。

其中，100V 是指电容器的额定电压为 100 伏特，10uF 是指电容器的电容值为 10 微
法拉。

这种电容器具有较高的额定电压和较大的电容值，因此可以存储更多的电荷，承受更高的电压。

cbb 薄膜电容广泛应用于各种电子设备中，例如电视机、收音机、计算机、通信设备等。

它们可以用于滤波、信号处理、电源管理等电路，可以提高电路的稳定性和可靠性。

总之，cbb 薄膜电容 100V 10uF 是一种性能优良的电子元器件，它具有许多优点，例如体积小、重量轻、可靠性高、自我恢复能力强等。

CBB、CL电容介绍大全(原版)

CBB、CL交流薄膜电容器大全一、交流薄膜电容器分类主要是特性和用途不同,例如:产品名称型号常见电容容量常见工作电压特性及用途金属化聚乙酯膜电容器MEF0.01uF-10uF100VDC,250VDC,400VDC,630VDCMEF是非感应式,用镀金属聚酯薄膜作为电介质/电极,镀锡铜包钢线,具有环氧树酯包封.本品适合于耦合,滤波,整流和计时电路中,在远程通讯,数据处理,工业仪表和自动控制系统的设备中得到运用.金属化聚丙烯电容器MPF0.001uF-10uF100VDC,250VDC,400VDC,630VDCMPF是非感应式,用镀金属聚丙烯电介质/电极,绕制而成,镀锡铜包钢线,用环氧树酯包封,本品应用于要求高频率下高电流,高稳定性的电路中,尤其用于CRT电路的S-校正中.聚酯薄膜电容器PEN 0.001-0.47uF50VDC,100VDC,200VDCPEN是非感应式,用聚酯薄膜作为介质和铝箔为电极绕制成,镀锡铜包钢线,具有环氧树酯包封.本品用ZYL于需要降躁音的小信号电路的工商业设备中十分理想. 聚丙烯薄膜电容器PPN 0.001-0.47uF250VDC,400VDC,630VDCPPN为非感应式,用聚丙烯薄膜电介质和铝箔为电极绕制成,镀锡铜包钢线,具有环氧树酯包封.本品用于无程通讯,数据处理,工业仪表和自动化控制的系统的设备.金属化聚丙烯薄膜电容器(高压 PPS 0.001-0.33uF1000VDC,1200VDC,1600VDC,2000VDCPPS为非感应式,用聚丙烯电介质和镀金属聚丙烯薄膜串联以铝箔为电极绕制而成,镀锡铜包钢线,环氧树酯包封.本品用于高频率,高脉冲上升时间电路十分理想,在缓冲器,转接开关和高压电源器以及电子照明镇流器中得到广泛的应用.聚乙酯膜电容器PEI 0.001-0.47uF50VDC,100VDCPEI是感应式,用聚酯薄膜电介和铝箔为电极绕制成,镀锡铜包钢线,具有环氧树酯包封.本品适合于计时电路和滤波,耦合的用途,用于电视机,收音机,磁带录音机,音响和其它消费性电子设备十分理想. MKT82 圆轴向金属化聚酯膜电容器MKT83扁轴向0.001-33uF50,63V,100V,160V,250V,400V,630V(DCMKT82、MKT83以金属化聚脂膜作介质和电极,用阻燃胶带外包和环氧树酯密封,具有电性能优良,可靠性好,耐温高,体积小,容量大和良好自愈性能.本品适用于仪器,仪表,家用电器的交/直流电路,广泛应用于音响系统分频线路中.安規濾波電容器MPX ——MPX 是非感应式聚丙烯膜介质,真空蒸金属电极, 径向镀锡导线点焊于电容器两端面金属层,装于加强阻燃型盒子并用环氧树脂灌封,阻燃要求达到UL94V-0。

金属化薄膜电容器自愈性的影响因素及控制措施

金属化薄膜电容器自愈性的影响因素及控制措施闫欣，王赫颖（国网绥化供电公司，黑龙江　绥化　１５２０００）摘要：电容器作为电器设备的重要电子元件，在日常电器中应用非常广泛，在电器设备中主要负责信息的传递以及能量的储存，下文详细说明电容器的作用、特点以及电容器的表征指标，阐述了金属化膜电容器的内外界影响因素，提高了金属化薄膜电容器质量的具体方法。

关键词：金属化薄膜电容器；自愈性；影响因素；降损措施中图分类号：ＴＭ５３３．３文献标识码：Ａ文章编号：１００２－５０６５（２０１６）２３－００９５－２Metallized film capacitor self-healing effect factors and control measuresYAN Xin,WANG He-ying（Ｓｔａｔｅ　Ｇｒｉｄ　Ｓｕｉｈｕａ　Ｐｏｗｅｒ　Ｓｕｐｐｌｙ　Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｓｕｉｈｕａ　１５２０００，Ｃｈｉｎａ）Abstract: Ｃａｐａｃｉｔｏｒ　ａｓ　ａｎ　ｉｍｐｏｒｔａｎｔ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ，　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ　ｉｓ　ｗｉｄｅｌｙ　ａｐｐｌｉｅｄ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｄａｉｌｙ　ａｐｐｌｉａｎｃｅｓ，　ｍａｉｎｌｙ　ｒｅｓｐｏｎｓｉｂｌｅ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　ｏｆ　ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ　ａｓ　ｗｅｌｌ　ａｓ　ｔｈｅ　ｅｎｅｒｇｙ　ｓｔｏｒａｇｅ，　ｂｅｌｏｗ　ｄｅｔａｉｌｓ　ｔｈｅ　ｒｏｌｅ　ａｎｄ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ　ｏｆ　ｃａｐａｃｉｔｏｒ　ａｎｄ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｃａｐａｃｉｔｏｒ，　ｅｌａｂｏｒａｔｅｄ　ｔｈｅ　ｍｅｔａｌｌｉｚｅｄ　ｆｉｌｍ　ｃａｐａｃｉｔｏｒ　ｉｎｓｉｄｅ　ｏｕｔｓｉｄｅ　ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ　ｆａｃｔｏｒｓ，　ｓｐｅｃｉｆｉｃ　ｍｅｔｈｏｄｓ　ｔｏ　ｉｍｐｒｏｖｅ　ｔｈｅ　ｑｕａｌｉｔｙ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｍｅｔａｌｌｉｚｅｄ　ｆｉｌｍ　ｃａｐａｃｉｔｏｒ．　Keywords: ｍｅｔａｌｌｉｚｅｄ　ｆｉｌｍ　ｃａｐａｃｉｔｏｒ；　ｓｅｌｆ－ｈｅａｌｉｎｇ；　ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ　ｆａｃｔｏｒ1 金属化薄膜电容器的基本参数1.1 金属化薄膜电容器的概念金属化薄膜电容器属于电子元件的一种，它由一块中间介质分开的两块金属极板构成。

薄膜电容额定电压和最高耐压关系

薄膜电容额定电压和最高耐压关系1.引言1.1 概述薄膜电容是一种常见的电子元件，广泛应用于各种电路中。

它的主要作用是存储和释放电荷，以实现电路的正常工作。

在使用薄膜电容时，我们需要考虑它的额定电压和最高耐压。

额定电压是指薄膜电容所能承受的最大电压，超过这个电压范围就可能导致电容器损坏。

而最高耐压则是指在额定电压之上，电容器还能承受的最大电压。

薄膜电容的额定电压和最高耐压之间存在一定的关系。

一般来说，额定电压越高，电容器的最高耐压也会相应增加，这是为了保证电容器在额定电压下的正常工作。

然而，我们需要注意的是，薄膜电容的额定电压和最高耐压并不是线性关系。

因为电容器的结构和材料对其性能有着重要影响，所以不同类型的薄膜电容其额定电压和最高耐压之间的关系也不尽相同。

在本文中，我们将详细探讨薄膜电容的额定电压和最高耐压之间的关系，以帮助读者更好地理解和应用薄膜电容。

同时，我们还将总结这种关系的一些规律，并探讨对薄膜电容额定电压和最高耐压关系的一些启示。

通过深入研究薄膜电容额定电压和最高耐压关系的原理和应用，我们可以更好地选择和使用薄膜电容，从而提高电路的稳定性和可靠性。

我们相信，在本文的阅读过程中，读者将会对薄膜电容额定电压和最高耐压关系有一个更清晰的认识，并能够在实际应用中能够灵活运用这种关系。

1.2文章结构1.2 文章结构本文将从以下几个方面对薄膜电容的额定电压和最高耐压关系进行探讨。

首先，我们将在引言部分对薄膜电容的概述进行介绍。

我们将简要概括薄膜电容的定义和应用，并指出额定电压和最高耐压对薄膜电容的重要性。

这将为读者提供对薄膜电容额定电压和最高耐压关系的背景知识。

其次，在正文部分，我们将详细讨论薄膜电容的额定电压和最高耐压的概念。

我们将解释额定电压和最高耐压的含义，并介绍它们在薄膜电容设计和制造过程中的作用。

我们将探讨薄膜电容的额定电压和最高耐压如何影响电容器的可靠性和性能。

最后，在结论部分，我们将总结薄膜电容的额定电压和最高耐压之间的关系。

薄膜电容额定功率

薄膜电容额定功率全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：薄膜电容是一种常见的电子元件，用于存储电荷或者在电路中传递信号。

薄膜电容的额定功率是指其能够承受的最大功率值，在使用时需要注意不要超过这个数值，以免损坏电容或导致其他故障。

薄膜电容的额定功率通常由厂家在生产过程中确定，并在电容的外包装或技术规格中明确标示。

额定功率的单位一般为瓦特（W），表示电容可以吸收的最大功率。

当电容吸收的功率超过额定值时，就有可能导致电容过热、烧坏甚至爆炸等危险情况发生。

为了保证薄膜电容的安全使用，用户在选择薄膜电容时应按照实际需要选择符合要求的额定功率。

在实际使用中，也应严格遵守额定功率标准，避免超负荷使用电容，以免造成损坏。

薄膜电容的额定功率与电容的尺寸、材料、工艺等因素有关。

通常情况下，额定功率越大的薄膜电容，体积也越大，价格也相对较高。

在选择薄膜电容时，除了关注额定功率外，还需考虑到实际的使用需求和经济成本。

当薄膜电容在工作环境中受到较高温度、过电压等因素影响时，额定功率也会受到影响，容易出现故障。

在设计电路时应合理考虑环境因素，选择适合的薄膜电容，以保证电路的稳定性和可靠性。

为了确保薄膜电容的长期稳定性，制造商通常会在制造过程中进行严格的测试和质量控制，以确保电容的额定功率和其他性能指标达到标准要求。

用户在购买电容时，应选择正规的厂家和可靠的产品品牌，避免购买低质量或假冒伪劣产品。

薄膜电容的额定功率是影响其使用性能和稳定性的重要指标，用户在选择和使用薄膜电容时，应注意该参数，并注意遵守相关规定和标准，以保证电容在电路中的正常工作和安全使用。

【字数达到要求】第二篇示例：薄膜电容是一种非常常见的电子元件，它在电路中起着存储能量、隔直通交等作用。

在现代电子技术中，薄膜电容的应用非常广泛，其功率等级也是多种多样的。

对于薄膜电容的额定功率，很多人可能并不了解，接下来我们就来详细介绍一下关于薄膜电容额定功率的知识。

薄膜电容的额定功率是指在一定的工作条件下，电容器能够稳定地工作并发挥其功能的最大功率。

薄膜电容器基本知识

行逆程电路：CBB81、CBB81B、CBB81A S校正电路：CBB21、CBB21B、CBB21A、CBB13
电子镇流器：MKP21、MKP81、 MMKP82、MMKP84
节能灯：CL11、CBB11、CL21、CL23B、 CL25、CBB21
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三、薄膜电容器的选用
1.3安规电容器的选用：电源跨线（抑制差模干扰）：X类
2、叠片型：这是一种新型的无感电容，性能优越，易于
生产自动化。如：CL23B、CL25、表面安装电容器。
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二、电容器的特性参数
1、电容量 2、电容器损耗 3、绝缘电阻 4、耐电压 5、电容器的吸收现象 6、温度系数 7、电容器阻抗频率特性
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二、电容器的特性参数
1. 电容量
☆ 极化的定义：在外加电场的作用下，电介质内
部沿电场方向出现宏观偶极矩，在电介质表面出现束缚电荷，这就是电介质的极化。
2、吸收系数：
☆ Ka越小越好，说明电容器能越快完成充放电
过程。
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电容器的温度特性
1、类别温度范围定义：电容器能连续工作的环境温度范围，即类
别温度范围。也就是说电容器应在某一最低环境温度（下限类别温度）和某一最高环境温度（上限类别温度）之间工作。
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电容器损耗
2. 电容器损耗与温度关系，电容器损耗的温度特
性主要取决于介质的损耗曲线。
OPP
tgδ（×10-4）
PET
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T(℃)
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电容器损耗
3. 电容器损耗与电压关系，一般来讲电压对损耗影响很小，但当电压足够高引起气隙电离时将致使损耗增大。

薄膜电容器特性

CBB80
高频损耗小，适用于较大电流。绝缘电阻高，自愈性好，寿命长。有可靠的安全保护功能。
广泛用于日光灯，高效金属卤化物灯
CBB81(PPS)
高频损耗小，适用于大电流，优异的高频，温度特性，绝缘电阻高，寿命长
广泛用于高频，直流，交流和脉冲电路中
CBB85
非感应式结构，电感量低，自愈性好，可靠性高，内串式结构，电压分布均匀，寿命长
CL20
CL20(MET)
容量范围宽，体积小。自愈性好，寿命长。适用于直流和VHF级信号的隔直流，旁路和耦合
广泛用于滤波，降噪，低脉冲电路
CL20(MEA)
CL21
CL21-B(MEB)
CL21(MEF)
CL21S(MES)
抗脉冲能力强，比率容量大，自愈性好，寿命长适用于直流和VHF级信号的隔直流，旁路和耦合
CBB21(MPP)
CBB6
CBB6-H
高频损耗小，适用于大电流。绝缘电阻高，自愈性好，寿命长
广泛用于高温大功率补偿电路
CBB60
适用于频率为50Hz（60 Hz）的交流电源供电的单相电动机的起动和运转
CBB61
CBB65
保护等级:P2,高频损耗小，适用于较大电流。绝缘电阻高，自愈性好，寿命长。
CBB8
CBB91适用于小功率1GBT模块，CBB92适用于较大功率1GBT模块
CBB92
CBB11 (OPP)
CH11 (OPP&PET)
CL系列金属
化聚酯薄膜电容器聚酯
X2-MKT
绝缘电阻高，自愈性好，寿命长，能承受2.5kV的脉冲电压，属X2类
适用于电源跨线降噪电路，及其它交流场合
X1-MEX
高频损耗小，适用于较大电流，绝缘电阻高，自愈性好，寿命长，能承受4kV的脉冲电压，属X2类

金属薄膜电容

金属薄膜电容
金属薄膜电容是一种电容器，由一层金属蒙皮，一层介质以及一层与金属蒙皮表面密切接触的二极材料组成。

它天然具有低自放电率、高耐久性和高准确性等特点，是一种先进的技术电容器。

当前，金属薄膜电容在电子产品中的应用越来越广泛，经常用于电子设备的保险器、电源、过滤器、测量器、时钟、计算机存储等领域，以及电脑、收录机、电视机、音响系统、汽车设备、照明系统等领域。

金属薄膜电容具有良好的绝缘性，可以保护电子设备免受电压波动、冲击、雷电等损伤，从而提高设备的可靠性。

它具有高精度和高电容值，可以有效抑制电子产品的辐射噪声、抗变形能力也比较强，能够很好的满足电子设备对电容器要求。

此外，与普通电容器相比，金属薄膜电容的耐温性更好。

它具有良好的热稳定性和耐老化性。

使用时，其使用寿命可以达到几十年，可以满足电子设备长期使用的要求。

另外，金属薄膜电容的可重复性和可靠性也比传统电容器要高。

使用金属薄膜电容，在经过多次重复使用后，其电容值仍可以得到良好的恢复。

这使得金属薄膜电容在高要求的应用中表现出良好的品质与可靠性。

金属薄膜电容具有许多优点，以上是其主要特点。

它不仅为电子设备提供了先进的保护，而且可以降低复杂的系统和维护工作。

它的稳定性和丰富的特性也为电子设备的可靠性提供了保障。

金属薄膜电
容的广泛应用将进一步推动现代电子设备的发展。

金属化聚丙烯薄膜介质电容器商品说明书

规格承认书SPECIFICATION FOR APPROV AL产品名称:金属化聚丙烯薄膜介质电容器Product Name:Metallized polypropylene film dielectric capacitor产品型号:MPBHProduct Type:MPBH产品编码:Product Code:客户名称:深圳华秋电子有限公司Customers Name:客户编码:Customers Code:日期:2019.07.31Issue Date:2019.07.31浙江七星电子股份有限公司Zhejiang Qixing Electronics Corp.,Ltd.地址：中国浙江省长兴县煤山镇发展大道50号No.50,Development Avenue，Meishan Town,Changxing County,Zhejiang Province,P.R.ChinaTel：************Fax：************CBB21/22CBB21/22金属化聚丙烯薄膜介质电容器CBB21/22Metallized polypropylene film dielectric capacitor■特点●金属化聚丙烯膜■Characteristic:●Metallized polypropylene film.●高频损耗小●内部温升小●Low loss at high frequency.●Internal temperature rise ■主要用途●广泛用于高频、直流、交流和脉冲电流中●适用于大屏幕显示器的S 校正电路●适用于各种高频、大电流场合■Main purpose●Widely used in high frequency,dc,ac and pulsecurrent.●S correction circuit for large screen display.●Suitable for high frequency and large currentmotor suppression interference■技术要求Technical requirements 引用标准Reference criteriaGB/T 10190〔IEC 60384-16〕气候类别Climate category 40/105/21额定温度Rated temperature 85℃工作温度Operating temperature -40℃~105℃〔+85℃to+105℃：decreasing factor 1.25%per ℃for Ur(dc)〕额定电压Rated voltage100V ；250v ；400v ；630v ；1000V ；1250V 电容量范围Electricity capacity range 0.001μF~3.3μF电容量偏差Capacitance deviation ±5%〔J 〕,±10%〔K 〕,±20%〔M 〕耐电压Voltage resistance 1.6Ur 〔5s 〕损耗角正切值Loss angle tangent≤8×10-4（+20℃±5℃,1kH z ）≤15×10-4（+20℃±5℃,10kH z ）绝缘电阻Insulation resistanceR ≥30000M Ω，C N ≤0.33μF（20℃，100V,1min ）RC N ≥10000S ，C N ＞0.33μF最大脉冲爬升：Maximum Pulse Climbing Rate ：若实际工作电压U 比额定电压Ur 低，电容器可工作在更高的dv/dt 场合，这样dv/dt 允许值应为右表值乘以Ur/UIf the actual working voltage U is lower than the rated voltage Or,the capacitor can work in a higher dv/dt case so that the dv/dt allowed value should be multiplied by the right table value Ur/UPattern IIUr 〔V 〕dV/dt 〔V/μs 〕P=7.5P=10P=15P=22.5250V 660560310130400V 900780600300630V 150012009004001250V25002200--■电容器外形尺寸Capacitor dimensionsMPBH系列100VDC100VDC〔63VAC〕/250VDC〔160VAC〕电容量CAP电容器外形尺寸Capacitordimensions电容器代码Part number电容量CAP电容器外形尺寸Capacitordimensions电容器代码Part number T H W PΦd T H W PΦd0.2 3.58.09.57.50.5MPB0100V204J*0.010 4.07.79.87.50.6B210***V103*** 0.25 4.07.89.57.50.5MPB0100V254J*0.015 4.27.89.87.50.6B210***V153*** 0.3 3.78.49.77.50.5MPB0100V304J*0.022 4.88.49.87.50.6B210***V223*** 0.33 3.79.79.77.50.5MPB0100V334J*0.033 4.27.99.87.50.6B210***V333*** 0.35 3.79.49.57.50.5MPB0100V354J*0.047 4.88.59.87.50.6B210***V473*** 0.39 4.310.39.57.50.5MPB0100V394J*0.068 4.88.512.5100.6B210***V683*** 0.4 4.010.610.57.50.5MPB0100V404J*0.10 4.78.312.5100.6B210***V104*** 0.42 4.010.59.57.50.5MPB0100V424J*0.15 5.28.912.5100.6B210***V154*** 0.4 3.51012.5100.5MPB0100V404J*0.22 6.19.812.5100.6B210***V224***0.33 5.81117.5150.6B210***V334***0.47 6.61217.5150.6B210***V474***0.567.212.417.5150.6B210***V564***0.687.813.517.5150.8B210***V684***0.828.514.217.5150.8B210***V824***1.09.315.017.5150.8B210***V105***1.27.514.825.222.50.8B210***V125***1.58.315.625.222.50.8B210***V155***2.29.918.325.222.50.8B210***V225***3.312.120.525.222.50.8B210***V335***400VDC〔200VAC〕630VDC〔220VAC〕电容量CAP电容器外形尺寸Capacitor dimensions电容器代码Part number电容量CAP电容器外形尺寸Capacitor dimensions电容器代码Part number T H W PΦd T H W PΦd0.010 4.17.89.87.50.6B210400V103***0.001 4.37.9107.50.6B210630V102*** 0.015 4.78.49.87.50.6B210400V153***0.01 4.17.812.5100.6B210630V103*** 0.022 5.59.19.87.50.6B210400V223***0.015 4.78.312.5100.6B210630V153*** 0.033 4.88.512.3100.6B210400V333***0.022 5.38.912.5100.6B210630V223*** 0.047 5.49.012.5100.6B210400V473***0.033 6.29.912.5100.6B210630V333*** 0.068 5.49.112.5100.6B210400V683***0.047 5.610.817.5150.6B210630V473*** 0.10 6.41012.5100.6B210400V104***0.068 6.511.717.5150.6B210630V683*** 0.15 6.011.217.5150.6B210400V154***0.107.612.817.5150.8B210630V104*** 0.227.012.217.5150.6B210400V224***0.159.014.717.5150.8B210630V154*** 0.338.414.117.5150.8B210400V334***0.227.915.225.222.50.8B210630V224*** 0.479.815.517.5150.8B210400V474***0.331016.825.222.50.8B210630V334*** 0.567.915.225.222.50.8B210400V564***0.4711.818.625.222.50.8B210630V474*** 0.689.115.925.222.50.8B210400V684***0.5612.819.625.222.50.8B210630V564***0.821016.725.222.50.8B210400V824***1.010.917.725.222.50.8B210400V105***■承认规格登记表Size and specification●尺寸（mm）（T*H*W）max---最大宽度Hmax---最大高度Tmax---最大厚度P-----脚距±0.5L-----脚长±2.0●.规格Specification:序号NO客户料号CustomerNO 七星料号Spec NO规格型号Specification尺寸SizeT*H*W*P线径Line脚长Length备注Note1-MPB0100V204J7ABLTY**MPBH-100V204J 3.8*8.0*9.8*7.50.524镀锡铜线2-MPB0100V204J10BLTY**MPBH-100V204J 3.6*6.8*12.5*100.524镀锡铜线-MPB0100V334J7ABLTY**MPBH-100V334J 3.7*9.7*9.8*7.50.524镀锡铜线-MPB0100V334J10BLTY**MPBH-100V334J 3.6*9.0*12.5*100.524镀锡铜线-MPB0100V404J7ABLTY**MPBH-100V404J 4.0*10.6*9.8*7.50.524镀锡铜线-MPB0100V404J10BLTY**MPBH-100V404J 3.5*10*12.5*100.524镀锡铜线■电容器编码说明Capacitor coding specification●20位电容器代码如下：The code of the20-bit capacitor at the center is as follows:CBB21/22■特性曲线图Characteristic curve电容量随温度变化的曲线﹝1KHz ﹞电容量随频率变化的曲线Is the temperature curve of the capacitance Capacitance may vary in frequency损耗角正切值随温度变化的曲线﹝1KHz ﹞损耗角正切值随频率变化的曲线The curve of the tangent of loss Angle with temperatureCurve of the change of the tangent value of the loss angle with frequency绝缘电阻随温度变化的曲线﹝1KHz ﹞The curve of insulation resistance totemperature电容量随温度变化的曲线(1KHz)电容量随频率变化的曲线损耗角正切值随温度变化的曲线(1KHz)损耗角正切值随频率变化的曲线绝缘电阻随温度变化的曲线(1KHz)■性能及测试方法Performance and test methodsNo项目Item性能与判据Performance and criteria测试方法Test method(IEC60384-2)1电容量允许偏差Capacitance tolerance±5%〔J〕,±10%〔K〕,±20%〔M〕2损耗角的正切Tangent of the loss angle tgδ≤0.0008〔1KHz〕tgδ≤0.0015〔10KHz〕典型测量频率：1KHzTypical measuringfrequency:1KHz3耐电压Dielectric strength无飞弧或击穿There shall be no breakdown or flashover1.4Ur2sec4绝缘电阻Insulation resistance R≥30000MΩ,Cn≤0.33μFIR≥10000S Cn＞0.33μF充电电压Ur＜500V Charging voltage100v环境温度20℃，测量时间60S充电电压Ur＞500V Charging voltage500v环境温度20℃，测量时间60S5可焊性Solder ability Good quality of tinning镀锡良好锡炉温度Soldre temperature245℃±5℃浸渍时间Immersion time2.S±0.5S6初始测量Initialmeasurement电容量与损耗Capacitance&tgδ〔10KHz〕引线抗拉强度强度Terminal strength外观无可见损伤There shall be no visible damage拉力试验Tension Ual:拉力Pull：φd=0.5mm5Nφd=0.6mm10N弯曲试验bend Ub:弯力The qull of bendφd=0.5mm2.5Nφd=0.6mm5N端子应向每个方向弯曲2次The terminals shall be bent2times in each direction耐焊接热Resistance to solder heat无可见损伤There shall be no visible damage锡炉温度Soldre temperature260℃±5℃浸渍时间Immersion time10.S±1S最后的测量Final measurementΔC/C≤±2%相对于初始值Relative to the initialvalue.tgδ≤0.0015〔10KHz〕7初始测量Initial measurement电容量与损耗Capacitance&tgδ〔10KHz〕温度快速变化Rapid change of temperature外观无可见损伤There shall be no visible damageΘa=-55℃Θb=+125℃持续的时间=30分钟■最大电压﹝Vr.m.s〕/频率表〔正弦波形/环境温度≤40°C﹞MAX.VOLTAGE(Vr.m.s.)VERSUS FREQUENCY(sinusoidal wave-form/Th≤40°C)●径向编带包装箱尺寸Box sizes for Ammo-packA=48±3;B=260±3;C=330±3■波峰焊接Wave soldering电容器的内部温度必须保持如下:聚酯:预热温度+125°C 聚丙烯:预热温度+100°C 单波峰焊接焊接浴温度:T=260°C停留时间:5秒双波峰焊接焊接浴温度:T=260°C停留时间:5秒由于不同的焊接工艺和热量要求图形仅作为推荐Internal temperature of the capacitor mustbe kept as follows:Polyester:preheating:T max.T125°CPolypropylene:preheating:T max.T100°CSingle wave solderingSoldering bath temperature:T260°CDwell time:t5secDouble wave solderingSoldering bath temperature:T260°CDwell time:St5secDue to different soldering processes andheat requirements the graphs are to beregarded as a recommendation only.双波焊接的典型温度/时间图Typical temperature/time graph for double wave soldering。

薄膜电容器的使用要求和电性能参数(精)

薄膜电容器的使用要求和电性能参数电磁加热设备把工频的交流电或纯直流电 , 通过半桥 /全桥逆变技术 , 变为高频交流电 (1KHz— 1MHz. 高频交流电通过各种电感性负载后会产生高频交变磁场 . 当金属物体处于高频交变磁场中 , 金属分子会产生无数小涡流 . 涡流使金属分子高速无规则运动 , 金属分子间互相碰撞、磨擦而产生热能 , 最终达到把电能转换为热能的目的 . 电磁加热设备在我们的工作和生活中大量的频繁的使用 . 例如电磁炉 /电磁茶炉 , 电磁炉 , 高频淬火机 , 封口机 , 工业熔炼炉等等 . 本文以三相大功率电磁灶为例 , 浅析薄膜电容器在电磁加热设备中的应用 .一电磁灶三相全桥电路拓扑图二 C1— C6功能说明C1/C2:三相交流输入滤波、纹波吸收 , 提高设备抗电网干扰的能力C1,C2和三相共模电感组成 Pi 型滤波 , 在设备中起电磁干扰抑制和吸收的作用 . 该电路一方面抑制 IGBT 由于高速开关而产生的电磁干扰通过电源线传送到三相工频电网中 , 影响其他并网设备的正常使用 . 另一方面防止同一电网中其他设备产生的电磁干扰信号通过电源线传送到三相工频电网中 , 影响电磁加热设备自身的正常使用 .(对内抑制自身产生的干扰 , 对外抵抗其他设备产生的干扰 , 具有双面性EMC=EMI+EMS在实际使用中 ,C1可以选择 MKP-X2型 (抑制电磁干扰用固定电容器 , 容量范围在 3µF-10µF之间 , 额定电压为 275V.AC -300V.AC. 采用 Y 型接法 , 公共端悬空不接地 . C2可以选择 MKP 型金属化薄膜电容器 , 容量范围在 3µF-10µF之间 , 额定电压为 450V.AC -500V.AC ,采用三角形接法 .新晨阳C1和 C2原则上选用的电容量越大 , 那么对于电磁干扰的抑制和吸收效果越好 . 但是电容量越大 , 那么设备待机时的无功电流就越大 . 耐压方面要根据设备使用地域的电网情况而合理保留一定的余量 , 防止夜间用电量非常小的时候 , 电网电压过高而导致电容器电压击穿或寿命受到一定的影响 .C3: 整流后平滑滤波、直流支撑 (DC-Link,吸收纹波和完成交流分量的回路。