第四章--主存储器PPT课件

2114芯片为1K×4位，片内寻址需要10根地址线，为A0~A9
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2114（1K×4）SRAM芯片组成容量为4K×8的存储器
芯片 芯片地址 片选信号 片选逻辑
1K
A9～A0
CS0
1K
A9～A0
CS1
1K
A9～A0
CS2
1K
A9～A0
CS3
整个存储器的地址范围：000H~FFFH
A11A10 A11A10 A11A10 A11A10
共分为4组，每组的地址范围为：
第一组：000H~3FFH
第二组：400H~7FFH
第三组：800H~BFFH
第四组：C00H~FFFH 18
2114（1K×4）SRAM芯片组成容量为4K×8的存储器
所连地址线才有效，才能进行读/写操作。
读/写信号WE：为0，控制写入电路进行写入； 为1，控制读出电路进行读出。
电源线、地线
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复习（二）
例1：某RAM芯片，其存储容量为16K×8位，问： （1）该芯片引出线的最小数目应为多少？ （2）存储器芯片的地址范围是什么？
解： （1）16K=214，所以地址线14根；字长8位，所以数据线8根。
字扩展 —— 扩展存储单元的个数 (扩展长度)
字位扩展—— 两者的综合
(扩展宽度和长度)
假设扩展同种芯片，则需要的芯片 ： 总片数＝总容量/（容量/片）
… … …
… …
位扩展
字扩展
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…
字位扩展
1、存储器容量扩展——位扩展
例2 使用8K×1位RAM芯片组成8K×8位的存 储器，画出逻辑框图。
分析： ①芯片位数小于存储器所要求的位数，需进行位扩 展。 ②8个芯片的关系是平等的，同时工作，并联的，对 应的地址一一相连。 ③详细的连接见下图：
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…
1、存储器容量扩展——字位扩展
❖ 实际存储器往往需要在字向、位向两个方向同时 扩展。
❖ 一个存储器的容量为M×N位，若使用L×K位的存 储芯片，则该存储器共需的芯片个数为：
M× N
L
K
❖ 需解决：芯片的选用、
…
地址分配与片选逻辑、
…
…
信号线的连接。 …
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2114（1K×4）SRAM芯片组成容量为4K×8的存储器
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16K×8位的RAM芯片组成一个64K×8位的存储器
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地 CS
址 端
WE
地 CS
址 端
WE
地 CS
址 端
WE
地 CS
址 端
WE
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字扩展总结：
❖ 特点: 地址空间的扩展。芯片每个单元中的字长满足，
但单元数不满足。 ❖ 扩展原则：
每个芯片的地址线、数据线、读写控制线并 联，仅片选端分别引出，以实现每个芯片占据不 同的地址范围。
❖ 位扩展特点： 存储器的单元数不变，位数增加。
…
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1、存储器容量扩展——字扩展
例3 使用16K×8位的RAM芯片组成一个 64K×8位的存储器。
分析： ①芯片的字数不够，需进行字扩展。 ②共需芯片数目是64K÷16K＝4。将4片RAM的地 址线、数据线、读写线一一对应并联。 ③出现地址线不够问题，如何解决？ 可以用高2位 地址作为选片端。 ④详细的连接见下图：
芯片外的地址分配与片选逻辑
为芯片分配哪几位地址， 以便寻找片内的存储单元
由哪几位地址形成芯 片选择逻辑，以便寻 找芯片
存储空间分配： 4KB存储器在16位地址空间(64KB）中占据任意 连续区间。
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2114（1K×4）SRAM芯片组成容量为4K×8的存储器
片选 芯片地址 A11 A10 A9 …… A0 0 0 0 …… 0
例4 用2114（1K×4）SRAM芯片组成容量为 4K×8的存储器。
要求： 1、确定整个存储器所需的芯片数及芯片的分
组情况 ； 2、确定存储器及每组芯片的地址范围； 3、说明地址线的分配方法，并画出存储器的
结构图。
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2114（1K×4）SRAM芯片组成容量为4K×8的存储器
分析：
1.计算芯片数
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地址端： A9～A0（入）
1
2114（1K×4） 10
9
数据端： D3～D0（入/出）
A6 A5 A4 A3 A0 A1 A2 CS GND
控制端： 片选CS
= 0 选中芯片 = 1 未选中芯片
写使能WE 电源、地
=0写 =1读
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1、存储器容量扩展
位扩展 —— 扩展每个存储单元的位数 (扩展宽度)
0 0 1 …… 1 0 1 0 …… 0
0 1 1 …… 1 1 0 0 …… 0
1 0 1 …… 1 1 1 0 …… 0
1 1 1 …… 1
64KB
1K×4 1K×4
1K×4 1K×4 1K×4 1K×4 1K×4 1K×4
4KB
需12位地 址寻址：
A11～A0
低位地址分配给芯片，高位地址形成片选逻辑。
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8K×1位RAM芯片组成8K×8位的存储器
地 A0 址 线 A12
D0
数 据 线
D7
CS
I/O I/O I/O I/O
8K×1
I/O I/O I/O
I/O
WE
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位扩展总结：
❖当构成内存的存储芯片的字长 < 内存单元的字长时， 就要进行位扩展，使每个单元的字长满足要求。
❖ 位扩展方法： 将每片的地址线、片选CS、读写控制线并联，数据 线分别引出。
计算机组成原理
——第4章 主存储器
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4.8 半导体存储器的组成与控制
1. 存储器容量扩展
位扩展 字扩展 字位扩展
2. 存储控制
集中刷新 分散刷新 异步刷新
3. 存储校验线路
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复习（一）
❖RAM存储器芯片总结
RAM存储器芯片有多种型号，每一RAM存储器芯 片具有：
地址线Ai：引脚数与存储芯片的单元数有关； 数据线Di：引脚数与存储芯片的字长有关； 片选信号CS：只有CS有效时，芯片才被选中，
14 + 8 + 1 + 1 + 1 + 1 = 26
地址线 数据线 片选 读/写 电源线 地线
（2）存储器芯片的地址范围为0000H~3FFFH
存储器芯片的地址范围： 地址线从全“0”到全“1”的所有编码
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复习（三）
❖SRAM芯片2114（1K×4位）
外特性：
Vcc A7 A8 A9 D0 D1 D2 D3 WE
整个存储器所需要芯片数=（4×8）/ （1×4）=8片
先扩展位数，再扩展单元数。
2片1K×4 4组1K×8
1K×8
8片
4K×8
每组需2114（1K×4）SRAM 芯片2片，共4组。
位扩展2片芯片CS连在一起，4组字扩展CS要分开。
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2114（1K×4）SRAM芯片组成容量为4K×8的存储器
2.地址分配与片选逻辑 存储器寻址逻辑 芯片内的寻址系统(二级译码)