大工16秋《电力电子技术》在线作业1满分答案

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大工16秋《电力电子技术》在线作业1

大工16秋《电力电子技术》在线作业1

大工16秋《电力电子技术》在线作业1奥鹏大工16秋《电力电子技术》在线作业1一、单选(共6 道,共30 分。

)1. 使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取()V。

A. 0-5B. 5-10C. 10-15D. 15-20标准解:2. ()是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施,常与电力电子器件直接串联。

A. 交流断路器B. 快速熔断器C. 直流快速断路器D. 快速短路器标准解:3. ()指的是电力二极管所能承受的最大的连续一个或几个工频周期的过电流。

A. 正向平均电流B. 反向重复峰值电流C. 额定电流D. 浪涌电流标准解:4. ()的英文缩写是GTR。

A. 电力二极管B. 门极可关断晶闸管C. 电力晶体管D. 电力场效应晶体管标准解:5. 控制极信号能控制器件的导通,但不能控制其关断,器件的关断完全由其承受的电压和电流决定,这样的电力电子器件称为()。

A. 半控型器件B. 全控型器件C. 不可控器件D. 自关断器件标准解:6. 下列不是晶闸管的主要参数的选项是()。

A. 额定电压B. 额定电流C. 静态参数D. 维持电流标准解:大工16秋《电力电子技术》在线作业1二、多选(共6 道,共30 分。

)1. 电力二极管的主要类型有()。

A. 普通二极管B. 整流二极管C. 快恢复二极管D. 肖特基二极管标准解:BCD2. 采用性能良好的驱动电路,可使电力电子器件工作在较理想的开关状态,会带来下列哪些优点?()A. 缩短开关时间B. 拉长开关时间C. 减小开关损耗D. 增大开关损耗标准解:3. 导通缓冲电路,()。

A. 可以用于吸收器件导通时的电流过冲和di/dtB. 可以用于抑制器件导通时的电流过冲和di/dtC. 可以减小器件的关断损耗D. 可以减小器件的导通损耗标准解:4. 下列哪些选项可以应用到电力电子技术?()A. 一般工业B. 交通运输C. 电力系统D. 通信系统标准解:BCD5. 按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?()A. 耗尽型B. 增强型C. P沟道D. N沟道标准解:6. GTO的主要参数有()。

电力电子技术习题(附参考答案)

电力电子技术习题(附参考答案)

电力电子技术习题(附参考答案)一、单选题(共20题,每题1分,共20分)1、单相全控桥式整流电路电阻性负载中,控制角的最大移相范围是()A、150°B、180°C、120°D、90°正确答案:B2、电流型三相桥式逆变电路,120°导通型,则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂( )。

A、共三只B、共四只C、各一只D、各二只正确答案:C3、单相全控桥式整流电路大电感性负载中,控制角的最大移相范围是()A、180°B、90°C、120°D、150°正确答案:B4、对于升降压直流斩波器,当其输出电压小于其电源电压时,有()。

A、α无法确定B、0.5<α<1C、0<α<0.5D、以上说法均是错误的正确答案:C5、为了防止逆变失败,最小逆变角限制为(),单位为度。

A、30~35B、20~25C、10~15D、40~45正确答案:A6、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流()A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下正确答案:A7、电力电子器件一般工作在()状态A、开关B、放大C、开关和放大D、其他正确答案:A8、在晶闸管整流电路中,变压器二次侧所供给的有功功率P=()A、I2RdB、I2dRdC、UIdD、U2Id正确答案:D9、正弦波脉冲宽度调制英文缩写是()。

A、PWMB、PAMC、SPWMD、SPAM正确答案:C10、在晶闸管应用电路中,为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是()A、干扰信号和触发信号B、干扰信号C、触发电流信号D、触发电压信号正确答案:B11、当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在()A、关断状态B、饱和状态C、不定D、导通状态正确答案:A12、单相全控桥式整流大电感负载电路中,控制角α的移相范围是()A、0度-90度B、0度C、90度-180度D、180度-360度正确答案:A13、IGBT属于()控制型元件。

大工22秋《发电厂电气部分》在线作业1-辅导资料

大工22秋《发电厂电气部分》在线作业1-辅导资料

大工22秋《发电厂电气部分》在线作业1
试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)
1.电动机用文字符号()来表示。

A.T
B.M
C.G
D.FU
【正确答案】:B
2.熔断器用文字符号()来表示。

A.C
B.T
C.G
D.FU
【正确答案】:D
3.下列各项中不是一次设备的是()。

A.继电保护装置
B.电动机
C.变压器
D.调相机
【正确答案】:A
4.有关发热对导体和电器产生的影响,说法错误的是()。

A.机械强度下降
B.接触电阻增加
C.绝缘性能上升
D.导体抗拉强度下降
【正确答案】:C
5.有关电弧说法不正确的是()。

A.游离的气体
B.质量很轻
C.温度很低
D.容易变形
【正确答案】:C
6.下列选项()不满足电气主接线的经济性要求。

A.合理选择主变压器
B.主接线简单
C.节省安装费用
D.尽量选择单相组式变压器
【正确答案】:D。

大工19秋《模拟电子技术》在线作业1满分答案

大工19秋《模拟电子技术》在线作业1满分答案

大工19秋《模拟电子技术》在线作业1-0001试卷总分:100 得分:100一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)【题目】在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。

A.饱和失真B.线性失真C.截止失真D.交越失真正确的选择是:A【题目】温度升高,晶体管的管压降│Ube│()。

A.增大B.减小C.不确定D.不变正确的选择是:B【题目】反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能()。

A.越差B.越好C.无变化D.不确定正确的选择是:B【题目】在共射、共集和共基三种组态中,只具有电压放大作用的组态是()。

A.无法确定B.共集组态C.共射组态D.共基组态正确的选择是:D【题目】关于BJT的结构特点说法错误的是()。

A.集电区面积大于发射区面积B.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C.基区很薄且掺杂浓度很低D.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度正确的选择是:B【题目】当温度升高时,三极管的电流放大系数β将()。

A.增大B.减小C.不确定D.不变正确的选择是:A【题目】在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。

A.温度B.杂质浓度C.晶体缺陷D.掺杂工艺正确的选择是:B【题目】在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。

A.相差90°B.同相C.反相D.不确定正确的选择是:B【题目】引起共射极放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。

A.静态工作点偏高B.静态工作点偏低C.输出电阻太小D.输入电阻太小正确的选择是:A【题目】已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为【题目】3V、2V和6V,则6V所对应的电极为()。

A.集电极B.无法确定C.基极D.发射极正确的选择是:A二、判断题 (共 10 道试题,共 50 分)1【题目】与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高。

正确的选择是:正确1【题目】对于电压放大器来说,输出电阻越小,电路的带负载能力越强。

大工18秋《模拟电子线路》在线作业123满分答案

大工18秋《模拟电子线路》在线作业123满分答案

大工18秋《模拟电子线路》在线作业123满分答案大工18秋《模拟电子线路》在线作业1PN结加正向电压时,()。

A.扩散运动大于漂移运动B.扩散运动小于漂移运动C.扩散运动与漂移运动平衡D.没有运动正确答案:A发光二极管发光时,其工作在()。

A.正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区D.反向饱和区正确答案:A当晶体管工作在截止区时,发射结电压和集电结电压应为()。

A.前者反偏、后者反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者正偏D.前者反偏,后者正偏正确答案:AXXX工作在放大区的工作条件是:()。

A.发射结正偏,集电结反偏B.发射结正偏,集电结正偏C.发射结反偏,集电结正偏D.发射结反偏,集电结反偏精确答案:A稳压管的稳压区是其事情在()。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿D.反向饱和精确答案:C用万用表鉴别放大电路中处于正常事情的某个晶体管的类型(指NPN型照旧PNP型),以测出()最为方便。

A.各极间电阻B.各极对地电位C.各极电流D.各极间的电压正确答案:B在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体。

A.五价B.四价C.三价D.二价精确答案:A整流的目的是()。

A.将交流变成直流B.将高频变成低频C.将正弦波变成XXXD.以上均正确正确答案:APN结加正向电压时,空间电荷区将()。

A.变窄B.基本不变C.变宽D.完全不变精确答案:A共发射极放大电路输入输出电压相位关系是()。

A.同相B.反相C.不确定D.随机正确答案:B三极管构成的放大电路首要有:共射极放大电路、共基极放大电路、共集电极放大电路。

A.对B.错正确答案:A因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

T.对F.错正确答案:B晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。

T.对F.错正确答案:A杂质半导体的导电能力受温度的影响很小。

T.对F.错精确答案:A在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

大工16秋《工程力学(二)》在线作业2满分答案

大工16秋《工程力学(二)》在线作业2满分答案

大工16秋《工程力学(二)》在线作业2
一、单选题(共 5 道试题,共 20 分。


1. 超静定结构中,去掉一根支座链杆相当于解除()约束。

A. 一个
B. 两个
C. 三个
D. 四个
正确答案:A
2. 下列哪种情况不一定是无多余约束的几何不变体系()。

A. 三刚片以三个铰两两相连且三铰不在一条直线上
B. 两刚片以三根链杆相连且三根链杆不平行不汇交
C. 两刚片以1个铰和一根链杆相连
D. 刚片加上二元体
正确答案:C
3. 静定结构的支座产生位移时,结构会产生()。

A. 内力
B. 应力
C. 刚体位移
D. 变形
正确答案:C
4. 结构力学计算中,将多余力作为基本未知量的计算方法称为()。

A. 力法
B. 位移法
C. 结点法
D. 截面法
正确答案:A
5. 对称结构在对称荷载的作用下()是反对称的。

A. 弯矩图
B. 剪力图
C. 轴力图
D. 位移
正确答案:B
大工16秋《工程力学(二)》在线作业2
二、多选题(共 5 道试题,共 40 分。


1. 关于去掉多余约束的方式,下列说法正确的是()。

大工20秋《模拟电子线路》在线作业1答卷

大工20秋《模拟电子线路》在线作业1答卷

16.如果输入信号的幅度过大,即使静态工作点的大小设置合理,也会产生失真。
答案:正确
17.二极管加正向电压截止,加反向电压导通。
答案:错误
18.晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。
答案:正确
19.集电结处于正偏的BJT,它一定工作在饱和区。
D.线性失真
答案:A
7.当晶体管工作在截止区时,发射结电压和集电结电压应为()。
A.前者反偏、后者反偏
B.前者正偏、后者反偏
C.前者正偏、后者正偏
D.前者反偏,后者正偏
答案:A
8.关于BJT的结构特点说法错误的是()。
A.基区很薄且掺杂浓度很低
B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
大工20秋《模拟电子线路》在线作业1
试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)
1.半导体二极管的重要特性之一是()。
A.温度稳定性
B.单向导电性
C.放大作用
流放大系数β将()。
A.增大
B.减小
答案:错误
20.温度升高,晶体管输入特性曲线右移。
答案:错误
C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D.集电区面积大于发射区面积
答案:C
9.PN结加反向电压时,空间电荷区将()。
A.变窄
B.不变
C.变宽
D.不确定
答案:C
10.当温度升高时,三极管的反向饱和电流ICBO将()。
A.增大
B.减小
C.不变
D.不确定
答案:A

2021知到答案【 电力电子技术(山东联盟—青岛理工大学)】智慧树网课章节测试答案

2021知到答案【 电力电子技术(山东联盟—青岛理工大学)】智慧树网课章节测试答案
选项:
A:错
B:对
答案: 【对】
3、选择题: 同时需要串联和并联晶闸管时,通常采用先并后串的方法。
选项:
A:对
B:错
答案: 【错】
4、选择题: 使电力MOSFET开通的栅源极间驱动电压一般取()。
选项:
A:
~20V
B:
5~15V
C:
10~15V
D:
5~10V
答案: 【
10~15V

5、选择题:快速熔断器可以用于短路电流保护。
选项:
A:
2,3
B:
2,5
C:
3,5
D:
3,2
答案: 【
3,2

4、选择题:有关滞环比较方式的电流跟踪技术,下面说法错误的是()。
选项:
A:
不用载波,输出电压波形中不含特定频率的谐波重量
B:
属于闭环掌握方式
C:
不能对电压进行跟踪
D:
属于实时掌握,电流响应快
答案: 【
不能对电压进行跟踪

5、选择题:实用的PWM逆变电路大多都是()电路。
2021知到答案【 电力电子技术(山东联盟—青岛理工大学) 】智慧树网课章节测试答案
第一章 章节测试
1、选择题:脉冲宽度调制PWM是一种相位掌握方式。
选项:
A:错
B:对
答案: 【错】
2、选择题:电力电子器件的发展挨次正确的是()。
选项:
A:晶闸管-晶体管-IGBT-MOSFET
B:晶闸管-晶体管-MOSFET-IGBT
选项:
A:对
B:错
答案: 【对】
8、选择题:基于面积等效原理,正弦交流波形可以等效成等幅不等宽的PWM波形。

东北大学16春学期《电力电子电路》在线作业答案..

东北大学16春学期《电力电子电路》在线作业答案..

东北大学16春学期《电力电子电路》在线作业答案..一、单选题:1. 三相桥式全控整流电路,各晶闸管的触发脉冲依次间隔( )。

(满分:5)A. 30°B. 60°C. 90°D. 120°2. 三相半波可控整流电路一共有( )只晶闸管。

(满分:5)A. 1B. 2C. 3D. 43. 单相桥式全控整流电路一共有( )只晶闸管。

(满分:5)A. 1B. 2C. 3D. 44. 可控整流电路中的晶闸管在( )换流。

(满分:5)A. 通电时B. 断电时C. 触发时D. 电压过零时5. 三相半波可控整流电路,阻感性负载,脉冲的移相范围是( )。

(满分:5)A. 90°B. 120°C. 150°D. 180°6. 晶闸管三个电极分别为( )。

(满分:5)A. 发射极,基极,集电极;B. 第一基极,发射极,第二基极;C. 源极,栅极,漏极;D. 阴极,门极,阳极。

7. 单相全波可控整流电路,大电感负载,晶闸管的电流平均值是( )。

(满分:5)A. AB. BC. CD. D8. 晶闸管的额定电压是( )。

(满分:5)A. 断态重复峰值电压B. 反向重复峰值电压C. A和B中较大者D. A和B中较小者9. 三相桥式全控整流电路,全部自然换相点是( )。

A. B. C. D. 答:(D ) (满分:5)A. 三相电源线电压的过零点B. 三相电源相电压正半周波形的交点C. 三相电源相电压负半周波形的交点D. 三相电源线电压正半周波形的交点10. 绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。

(满分:5)A. 发射极,基极,集电极;B. 发射极,栅极,集电极;C. 源极,栅极,漏极;D. 阴极,门极,阳极。

三、判断题:1. 降压式直流斩波器也称为Boost变换器。

(满分:5)A. 错误2.晶闸管的导通条件是阳极电位高于阴极电位,且控制极有满足要求的触发脉冲。

电力电子技术试题套答案

电力电子技术试题套答案

20套答案第一套题答案!一、填空题(共8小题,每空1分,共20分)1、空1信息电子技术2、空1开关;空2开关3、空1载波比;空2同步;空3分段同步4、空1冲量;空2形状5、空1MOSFET;空2GTO;空3IGBT6、空1;空27、空1有源;空2无源8、空1VD1;空2V1;空3VD2;空4V2;空5VD1二、选择题(共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、(B)2、(D)3、(C)4、(C)5、(D)6、(A)7、(C)8、(B)9、(A)10、(B)三、简答题(共3小题,共22分)1、(7分)晶闸管导通的条件是:阳极承受正向电压,处于阻断状态的晶闸管,只有在门极加正向触发电压,才能使其导通。

门极所加正向触发脉冲的最小宽度,应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流,即擎住电流IL以上。

导通后的晶闸管管压降很小。

(3分)使导通了的晶闸管关断的条件是:使流过晶闸管的电流减小至某个小的数值-维持电流IH以下。

其方法有二:(1)减小正向阳极电压至某一最小值以下,或加反向阳极电压;(2分)(2)增加负载回路中的电阻。

(2分)2、(8分)(1)直流侧为电压源或并联大电容,直流侧电压基本无脉动;(2分)(2)输出电压为矩形波,输出电流因负载阻抗不同而不同;(3分)(3)阻感负载时需提供无功。

为了给交流侧向直流侧反馈的无功提供通道,逆变桥各臂并联反馈二极管。

(3分)3、(7分)(1)外部条件:要有一个能提供逆变能量的直流电源,且极性必须与直流电流方向一致,其电压值要稍大于Ud;(2分)(2)内部条件:变流电路必须工作于β<90°区域,使直流端电压Ud的极性与整流状态时相反,才能把直流功率逆变成交流功率返送回电网。

这两个条件缺一不可。

(2分)当出现触发脉冲丢失、晶闸管损坏或快速熔断器烧断、电源缺相等原因都会发生逆变失败。

当逆变角太小时,也会发生逆变失败。

(3分)四、作图题(共2小题,每题12分,共24分)1、(12分)同步变压器的钟点数为Y/Y-10,42、(12分)五、计算题(共1小题,20分)1、(1)(a)Ud=α=×220×cos600=99V?(1分)Id=Ud/R=99/4=(1分)I2=Id=(1分)IdVT=1800/3600×Id=2=(1分)IVT=(2分)(b)波形如图1所示(3分)(2)(a)Ud=(1+cosα)/2=×220×(1+cos600)/2=(1分)Id=Ud/R=4=?IdVT=(1800-α)/3600×Id=(1800-600)/3600×=(1分)(1分)(2分)IdVD=2α/3600×Id=2×600/3600×=(1分)(2分)(b)波形如图2所示(3分)图1??波形图图2波形图试卷参考答案及评分标准(2卷)一、填空题:(本题共6小题,每空1分,共15分)1、空1GTR;空2IGBT2、空1基波电流相移;空2电流波形畸变3、空1均压4、空12~45、空1交流变直流;空2直流变交流;空3直流变直流;空4交流变交流6、空1V1;空2VD1;空3V2;空4VD2;空5第2二、选择题:(本题共11小题,9,10,11小题每题2分,其余每题1分,共14分)1、(D)2、(A)3、(B)4、(C)5、(D)6、(B)7、(C)8、(C)9、(D)10、(B)11、(C)三、简答题:(本题共4小题,共30分)1、(7分)答:(1)直流侧为电压源或并联大电容,直流侧电压基本无脉动;(2分)(2)输出电压为矩形波,输出电流因负载阻抗不同而不同;(3分) (3)阻感负载时需提供无功。

(完整版)电力电子技术试题20套及答案

(完整版)电力电子技术试题20套及答案

1.考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。

4、面积等效原理指的是,_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是_________,单管输出功率最大的是_____________,应用最为广泛的是___________。

6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。

8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内,电流的通路为________;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为_______;(3) t2~t3时间段内,电流的通路为_______;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为_______;(5) t4~t5时间段内,电流的通路为_______;二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是()A、V1与V4导通,V2与V3关断B、V1常通,V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断,V2常通,V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是()A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2时间段内,有()晶闸管导通。

大工16秋《电力系统继电保护》在线作业123

大工16秋《电力系统继电保护》在线作业123

大工16秋《电力系统继电保护》在线作业1试卷总分:100 测试时间:--一、单选题(共10 道试题,共50 分。

)1. 在双侧电源系统中,采用方向元件是为了提高保护的D()。

A. 方向性B. 可靠性C. 灵敏性D. 选择性满分:5 分2. 主保护或断路器拒动时,用来切除故障的保护是(C)。

A. 辅助保护B. 异常运行保护C. 后备保护D. 安全自动装置满分:5 分3. 大接地电流系统,发生单相接地故障,故障点距母线远近与母线上零序电压值的关系是C()。

A. 与故障点位置无关B. 故障点越远零序电压越高C. 故障点越远零序电压越低D. 零序电压为零满分:5 分4. 距离保护动作时整定阻抗Zset与被保护线路的测量阻抗Zm之间的关系是B()。

A. Zm>ZsetB. Zm<ZsetC. Zm=ZsetD. Zm≥Zset满分:5 分5. 单侧电源网络三段式电流保护中,第二段为(B)。

A. 无时限电流速断保护B. 限时电流速断保护C. 定时限过电流保护D. 反时限过电流保护满分:5 分6. 加到阻抗继电器的电压电流的比值是该继电器的(A)。

A. 测量阻抗B. 整定阻抗C. 动作阻抗D. 无法确定满分:5 分7. 单侧电源供电系统短路点的过渡电阻对距离保护的影响是(B)。

A. 使保护范围伸长B. 使保护范围缩小C. 保护范围不变D. 使保护范围不定满分:5 分8. 当系统发生故障时,正确地切断故障点最近的断路器,是继电保护的(B)的体现。

A. 快速性B. 选择性C. 可靠性D. 灵敏性满分:5 分9. 继电保护装置主要由(B)组成。

A. 二次回路各元件B. 测量元件、逻辑元件、执行元件C. 包括各种继电器、仪表回路D. 仪表回路满分:5 分10. 使电流速断保护有最小保护范围的运行方式为系统(B)。

A. 最大运行方式B. 最小运行方式C. 正常运行方式D. 事故运行方式满分:5 分二、判断题(共10 道试题,共50 分。

大工17秋《电力电子技术》在线作业1.2.3教材

大工17秋《电力电子技术》在线作业1.2.3教材

大工17秋《电力电子技术》在线作业1 总分:100分100分一、单选题共10题,50分15分下列选项()是电力晶体管。

•••学生答案:C得分:5分25分下列各项中不是电平控制型器件的是()。

•••学生答案:A得分:5分35分有关肖特基二极管的特点描述错误的是()。

•••学生答案:D得分:5分45分有关晶闸管的特点,说法错误的是()。

•••电流IG,晶闸管仍然导通学生答案:D得分:5分55分RCT是指()。

•••学生答案:C得分:5分65分RCT是()晶闸管。

•••学生答案:C得分:5分75分有关电力晶体管的说法错误的是()。

•••学生答案:A得分:5分85分有关电力MOSFET的说法错误的是()。

•••学生答案:B得分:5分95分下列说法正确的是()。

•••学生答案:D得分:5分105分IGCT是()缩写。

•••学生答案:B得分:5分二、判断题共10题,50分15分电力电子器件既可工作在开关状态,也可工作在线性放大状态。

•学生答案:B得分:5分25分晶闸管是电平控制型器件。

•学生答案:B得分:5分35分电力二极管一般都工作在大电流、高电压场合。

•学生答案:A得分:5分45分电力电子技术就是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的电子技术。

•学生答案:A得分:5分55分电导调制效应使电力二极管在正向电流较大时管压降仍然会很低。

•学生答案:A得分:5分65分在实际应用中,应对晶闸管施加足够长时间的反向电压,使晶闸管充分恢复其对正向电压的阻力,电路才能可靠工作。

•学生答案:A得分:5分75分晶闸管的型号为KP1-2表示为快速反向阻断型晶闸管。

•学生答案:B得分:5分85分GTR上的电压超过规定值时会击穿,击穿电压不仅和晶体管本身特性有管,还与外电路接法有•学生答案:A得分:5分95分电力MOSFET主要指N沟道增强型器件。

•学生答案:A得分:5分105分电力电子装置可能出现的过电压有外因过电压和内因过电压两种。

大工16秋《电力系统分析》期末考试复习题

大工16秋《电力系统分析》期末考试复习题

大工16秋《电力系统分析》期末考试复习题work Information Technology Company.2020YEAR机密★启用前大连理工大学网络教育学院2016年秋《电力系统分析》课程期末考试复习题☆注意事项:本复习题满分共:400分。

学习中心______________ 姓名____________ 学号____________一、单项选择题(本大题共50小题,每小题3分,共150分)1、医院属于()负荷。

A.一级 B.二级C.三级 D.四级2、电力线路中导纳支路为()。

A.容性 B.阻性C.感性 D.性质不确定3、环形网络中的无功功率分点通常是系统()A.电流最低点B.电流最高点C.电压最低点D.电压最高点4、功率方程中,每个节点有()个变量。

A.7 B.6C.5 D.45、下列各选项中属于热备用的是()。

A.国民经济备用 B.检修备用C.事故备用 D.负荷备用6、我国对电压偏移的规定:农村电网电压偏移范围在()。

A.±5%之内B.±7%之内C.5%-﹣10%之间D.﹢7.5%-﹣10%之间7、短路电流的最大有效值为短路后第()个周期内的电流有效值。

A.一 B.二C.三 D.四8、电力线路的零序电抗与其正序电抗相比较,()。

A.前者大 B.二者相等C.后者大 D.二者大小不定9、功角变小,说明此时发电机转子的转速()系统同步转速。

A.大于 B.小于C.等于D.不等于10、电力系统扰动后暂态过程按时间划分阶段,中间阶段指的是()。

A.小于1s B.1s-5sC.5s-10s D.大于10s11、通常同步发电机接在线路首端,它的额定电压为电力线路额定电压的()。

A.1.05倍B.1.0倍C.1.1倍D.1.15倍12、变压器的电导参数主要决定于实验数据()。

A.短路损耗B.空载损耗C.短路电压百分比D.空载电流百分比13、线路两端的电压相量之差称为()。

A.电压调整B.电压损耗C.电压偏移D.电压降落14、下列关于节点导纳矩阵说法不正确的是()。

大工16秋《机械加工基础》在线作业1满分答案

大工16秋《机械加工基础》在线作业1满分答案

大工16秋《机械加工基础》在线作业1满分答案B.正确4.在机床中,切削速度越大,切削力越小.A.错误B.正确5.刀具的前角越大,切削力越小.A.错误B.正确6.在机床中,直齿圆柱齿轮传动的传动效率比斜齿轮传动高.A.错误B.正确7.切削层公称厚度与主偏角无关.A.错误B.正确8.卧式车床的立柱不属于主要部件.A.错误B.正确9.切削平面是通过切削刃选定点,垂直于基面并平行于假定进给运动方向的平面.A.正确B.错误10.在机床中,平带传动比V带传动效率高.A.错误B.正确一、单选题(共10道试题,共60分。

)1.以下不属于蜗杆传动优点的是()。

A.可以获得较大的降速比B.传动平稳C.传动效率高D.噪声小答案:C2.车削时,切削热传出的途径中占比例最大的是()。

A.刀具B.工件C.切屑D.空气介质答案:C3.在机床的齿轮传动中,最常用的类型是()。

A.直齿圆柱齿轮传动B.斜齿轮传动C.人字齿轮传动D.圆弧齿轮传动答案:A4.以下属于立式钻床的部件是()。

A.横梁B.垂直刀架C.变速箱D.侧刀架答案:C5.在机床中,一般常用的带传动类型是()。

A.平带传动B。

V带传动C.多楔带传动D.同步齿形带传动答案:B6.下列部件不属于卧式车床的是()。

A.主轴箱B.刀架C.立柱D.进给箱答案:C7.影响刀具锋利程度、切削变形及切削力的刀具角度是()。

A.主偏角B.前角C.副偏角D.刃倾角答案:B8.下列参数中,()是影响切削层公称厚度的主要因素。

A.切削速度和进给量B.背吃刀量和主偏角C.进给量和主偏角D.切削速度和主偏角答案:C9.下列部件不属于立式车床的是()。

A.底座B.尾架C.工作台D.方刀架答案:B10.以下各平面中,通过切削刃选定点,垂直于基面并平行于假定进给运动方向的平面是()。

A.假定工作平面B.正交平面C.切削平面D.主切削平面答案:A二、判断题(共10道试题,共40分。

)1.切削层公称宽度是在给定瞬间,切削层在切削层尺寸平面内的实际横截面积。

最新《电力电子技术》第1章课后习题答案

最新《电力电子技术》第1章课后习题答案

1.1 晶闸管导通的条件是什么?由导通变为关断的条件是什么?答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。

或:u AK>0且u GK>0。

要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。

1.2晶闸管非正常导通方式有几种?(常见晶闸管导通方式有5种,见课本14页,正常导通方式有:门级加触发电压和光触发)答:非正常导通方式有:(1) Ig=0,阳极加较大电压。

此时漏电流急剧增大形成雪崩效应,又通过正反馈放大漏电流,最终使晶闸管导通;(2) 阳极电压上率du/dt过高;产生位移电流,最终使晶闸管导通(3) 结温过高;漏电流增大引起晶闸管导通。

1.3 试说明晶闸管有那些派生器件。

答:晶闸管派生器件有:(1)快速晶闸管,(2)双向晶闸管,(3)逆导晶闸管,(4)光控晶闸管1.4 GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能?答:GTO和普通晶闸管同为PNPN 结构,由P1N1P2 和N1P2N2 构成两个晶体管V1、V2 分别具有共基极电流增益α1 和α2,由普通晶闸管的分析可得,α1 + α2 = 1 是器件临界导通的条件。

α1 + α2>1 两个等效晶体管过饱和而导通;α1 + α2<1 不能维持饱和导通而关断。

GTO 之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同:1)GTO 在设计时α2 较大,这样晶体管T2 控制灵敏,易于GTO 关断;2)GTO 导通时α1 + α2 的更接近于l,普通晶闸管α1 + α2 ≥1.5 ,而GTO 则为α1 + α2 ≈1.05 ,GTO 的饱和程度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制关断提供了有利条件;3)多元集成结构使每个GTO 元阴极面积很小, 门极和阴极间的距离大为缩短,使得P2 极区所谓的横向电阻很小, 从而使从门极抽出较大的电流成为可能。

大工16春《电源技术》大作业 答案

大工16春《电源技术》大作业 答案

大工16春《电源技术》大作业答案大工16春《电源技术》大作业答案大连理工大学电源技术大作业姓名:学号:自学中心:题目三:升压斩波电路分析总则:紧紧围绕降压斩波电路,了解其工作原理、主要参数及对应计算方法,并简述其在实际中的应用。

编写建议:(1)介绍基本斩波电路的分类。

(2)了解降压斩波电路的工作原理、主要参数及对应计算方法。

(3)详述降压斩波电路在实际中的应用领域。

(4)学习心得升压斩波电路分析(1)了解基本斩波电路的分类。

随着电力电子技术的迅速发展,高压开关稳压电源已广泛用于计算机、通信、工业加工和航空航天等领域。

所有的电力设备都需要良好稳定的供电,而外部提供的能源大多为交流,电源设备担负着把交流电源转换为电子设备所需的各种类别直流任务。

但有时所供的直流电压不符合设备需要,仍需变换,称为dc/dc变换。

直流斩波电路作为直流电变成另一种固定电压的dc-dc变换器,在直流传动系统.、充电蓄电电路、开关电源、电力电子变换装置及各种用电设备中得到普通的应用。

随之出现了诸如降压斩波电路、升压斩波电路、升降压斩波电路、复合斩波电路等多种方式的变换电路。

直流斩波技术已被广泛运用开关电源及直流电动机驱动中,使其控制获得加速平稳、快速响应、节约电能的效果。

全控型电力电子器件igbt在牵引电传动电能传输与变换、有源滤波能领域得到了广泛的应用。

但以igbt为功率器件的直流斩波电路在实际应用中需要注意以下问题:(1)系统损耗的问;(2)栅极电阻;(3)驱动电路实现过流过压保护的问题。

直流斩波电路实际上使用的就是pwm技术,这种电路把直流电甩撕成一系列脉冲,发生改变脉冲的充电电流去赢得所须要的输入电压。

pwm掌控方式就是目前才用最为广为的一种掌控方式,它具备较好的调整特性。

随其电子技术的发展,近年来已发展各种集成式掌控芯片,这种芯片只需外接少量元器件就可以工作,这不但精简设计,还大幅度的增加元器件数量、连线和焊点(2)介绍升压斩波电路的工作原理、主要参数及对应计算方法。

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大工16秋《电力电子技术》在线作业1
1:使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取()V。

A:0-5
B:5-10
C:10-15
D:15-20
正确答案:C
2:()是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施,常与电力电子器件直接串联。

A:交流断路器
B:快速熔断器
C:直流快速断路器
D:快速短路器
正确答案:B
3:()指的是电力二极管所能承受的最大的连续一个或几个工频周期的过电流。

A:正向平均电流
B:反向重复峰值电流
C:额定电流
D:浪涌电流
正确答案:D
4:()的英文缩写是GTR。

A:电力二极管
B:门极可关断晶闸管
C:电力晶体管
D:电力场效应晶体管
正确答案:C
5:控制极信号能控制器件的导通,但不能控制其关断,器件的关断完全由其承受的电压和电流决定,这样的电力电子器件称为()。

A:半控型器件
B:全控型器件
C:不可控器件
D:自关断器件
正确答案:A
6:下列不是晶闸管的主要参数的选项是()。

A:额定电压
B:额定电流
C:静态参数
D:维持电流
正确答案:C
7:电力二极管的主要类型有()。

A:普通二极管
B:整流二极管
C:快恢复二极管
D:肖特基二极管。

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