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小编为您解读半导体生产过程中的主要设备概况。
1、单晶炉设备名称：单晶炉。
设备功能：熔融半导体材料，拉单晶，为后续半导体器件制造，提供单晶体的半导体晶坯。
主要企业（品牌）：国际：德国 PVA TePla AG 公司、日本 Ferrotec 公司、美国 QUANTUM DESIGN公司、德国 Gero 公司、美国KAYEX公司。
国内：北京京运通、七星华创、北京京仪世纪、河北晶龙阳光、西安理工晶科、常州华盛天龙、上海汉虹、西安华德、中国电子科技集团第四十八所、上海申和热磁、上虞晶盛、晋江耐特克、宁夏晶阳、常州江南、合肥科晶材料技术有限公司、沈阳科仪公司。
2、气相外延炉设备名称：气相外延炉。
设备功能：为气相外延生长提供特定的工艺环境，实现在单晶上，生长与单晶晶相具有对应关系的薄层晶体，为单晶沉底实现功能化做基础准备。
气相外延即化学气相沉积的一种特殊工艺，其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系。
主要企业（品牌）：ProtoFlex公司、国际：美国 CVD Equipment 公司、美国GT公司、法国Soitec公司、法国AS公司、美国美国科特·莱思科（Kurt J.Lesker）公司、美国Applied Materials公司。
国内：中国电子科技集团第四十八所、青岛赛瑞达、合肥科晶材料技术有限公司、北京金盛微纳、济南力冠电子科技有限公司。
3、分子束外延系统（MBE，Molecular Beam Epitaxy System）设备名称：分子束外延系统。
设备功能：分子束外延系统，提供在沉底表面按特定生长薄膜的工艺设备；分子束外延工艺，是一种制备单晶薄膜的技术，它是在适当的衬底与合适的条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜。
主要企业（品牌）：国际：法国 Riber 公司、美国Veeco 公司、芬兰DCA Instruments公司、美国SVTAssociates公司、美国NBM公司、德国 Omicron 公司、德国 MBE-Komponenten公司、英国 Oxford Applied Research（OAR）公司。
半导体相关技术及流程可编辑全文
我们一般会听到是几寸的晶圆厂。一般现在有6寸,8寸,12 寸晶圆。正在研究16寸400mm晶圆。这里的几寸是指 Wafer的直径。
1英寸=25.4mm，6寸晶圆就是直径为150mm的晶圆。8 寸 200mm,12寸 300mm。
封装测试生产流程：
点INK(晶圆来料测试）——Grading研磨—— SAWING划片——die bonding固晶——Wire Bonding固线——Molding封胶——Tirm From 切筋——Test测试——包装
Customer 客户
SMT IC组装
Wafer Probe 晶圆测试
Assembly& Test IC 封装测试
一颗完整的芯片制造出需要经过300多道工序，历时3个月。
芯片的原料晶圆：晶圆的成分是硅，硅是由石英沙所精练 出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是
将些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的 材料，将其切片就是芯片制作具体需要的晶圆。晶圆越薄
机器构造
主电控
模具预热台
去残胶/ 塑封料 进料
LF进料
LF Shifter 进 料
塑封料 手 进料 臂
模具
出
料
产品出料
手
臂
MD(封胶）的作用：是为了保护器件不受环境影响（外 部冲击，热及水伤）而能长期可靠工作,在表面封一层 胶。
封装形式按封装材料划分为：金属封装、陶瓷封装、塑料封装。 塑料封装材料：环氧树脂塑封料。
，成产的成本越低，但对工艺就要求的越高。
石英/沙子
初步提纯
一定纯度的硅
高度提纯
（多晶硅）纯硅
溶
单晶 硅晶 棒
经过一系列的操作
◦ 多晶硅硅锭中晶体的晶向是杂乱无章的，如果使用 它来制作半导体器件，其电学特性将非常糟糕，所 以必须把多晶硅制作成单晶硅，这个过程可以形象 地称作拉单晶(Crystal Pulling)。
半导体制程工艺流程及设备
半导体制程工艺流程及设备嘿，你有没有想过，那些小小的芯片是怎么被制造出来的呢？今天呀，我就来给你讲讲半导体制程工艺流程以及用到的设备，这可真是个超级有趣又超级复杂的事儿呢！咱先从最开始的晶圆制造说起。
晶圆就像是盖房子的地基一样，是整个半导体的基础。
晶圆是由硅这种材料制成的，你可别小看硅，它就像半导体世界里的超级明星。
这硅啊，要经过一系列的处理。
首先是提纯，这过程就像是把一堆沙子里的金子给挑出来一样困难。
要把硅提纯到非常非常高的纯度，几乎没有杂质才行。
我有个朋友在硅提纯的工厂工作，他就经常跟我抱怨说：“哎呀，这提纯工作可真不是人干的呀，一点点的差错就可能毁了一整批硅呢！”提纯之后呢，就要把硅做成圆柱体的硅锭，然后再把这个硅锭切割成一片片薄薄的晶圆。
这个切割过程可得非常小心，就像切一块超级薄的豆腐一样，一不小心就碎了。
这时候就用到了专门的切割设备，那些设备就像是精密的手术刀，把硅锭精准地切成一片片的晶圆。
有了晶圆之后，就要开始在上面进行各种加工了。
这就像是在一张白纸上画画一样，只不过这个画画的过程超级复杂。
其中一个重要的步骤是光刻。
光刻呀，你可以想象成是用光照在晶圆上画画。
这时候就需要光刻设备了，光刻设备就像是一个超级厉害的投影仪。
它把设计好的电路图案通过光线投射到晶圆上，而且这个图案超级精细，就像头发丝的千分之一那么细呢！我记得我第一次看到光刻图案的时候，我都惊呆了，我就想：“我的天呐，这怎么可能做到这么精细呢？”我当时就问一个做光刻的工程师，他就很自豪地说：“这就是科技的力量呀，我们通过各种技术手段才能把图案刻得这么精细呢。
”光刻完了之后，就是蚀刻。
蚀刻就像是把光刻出来的图案进行雕刻一样，把不需要的部分去掉，只留下我们想要的电路图案。
这就好比是雕刻一个石像，把多余的石头去掉，留下精美的雕像。
蚀刻用到的设备会喷出一些化学物质，这些化学物质就像小雕刻家一样，把晶圆上的材料按照光刻的图案进行去除。
不过这个过程可危险了，那些化学物质可都是腐蚀性很强的东西，就像一群小恶魔，要是不小心泄露了，可就会造成大麻烦。
半导体工艺主要设备大全
清洗机超音波清洗机是现代工厂工业零件表面清洗的新技术,目前已广泛应用于半导体硅片的清洗。
超声波清洗机“声音也可以清洗污垢”——超声波清洗机又名超声波清洗器，以其洁净的清洗效果给清洗界带来了一股强劲的清洗风暴。
超声波清洗机（超声波清洗器）利用空化效应，短时间内将传统清洗方式难以洗到的狭缝、空隙、盲孔彻底清洗干净，超声波清洗机对清洗器件的养护，提高寿命起到了重要作用。
CSQ系列超声波清洗机采用内置式加热系统、温控系统，有效提高了清洗效率；设置时间控制装置，清洗方便；具有频率自动跟踪功能，清洗效果稳定；多种机型、结构设计，适应不同清洗要求。
CSQ系列超声波清洗机适用于珠宝首饰、眼镜、钟表零部件、汽车零部件，医疗设备、精密偶件、化纤行业（喷丝板过滤芯）等的清洗；对除油、除锈、除研磨膏、除焊渣、除蜡，涂装前、电镀前的清洗有传统清洗方式难以达到的效果。
恒威公司生产CSQ系列超声波清洗机具有以下特点：不锈钢加强结构，耐酸耐碱；特种胶工艺连接，运行安全；使用IGBT模块，性能稳定；专业电源设计，性价比高。
反渗透纯水机去离子水生产设备之一，通过反渗透原理来实现净水。
纯水机清洗半导体硅片用的去离子水生产设备，去离子水有毒，不可食用。
净化设备主要产品：水处理设备、灌装设备、空气净化设备、净化工程、反渗透、超滤、电渗析设备、EDI装置、离子交换设备、机械过滤器、精密过滤器、UV紫外线杀菌器、臭氧发生器、装配式洁净室、空气吹淋室、传递窗、工作台、高校送风口、空气自净室、亚高、高效过滤器等及各种配件。
风淋室：运用国外先进技术和进口电器控制系统,组装成的一种使用新型的自动吹淋室.它广泛用于微电子医院\制药\生化制品\食品卫生\精细化工\精密机械和航空航天等生产和科研单位,用于吹除进入洁净室的人体和携带物品的表面附着的尘埃,同时风淋室也起气的作用,防止未净化的空气进入洁净区域,是进行人体净化和防止室外空气污染洁净的有效设备.抛光机整个系统是由一个旋转的硅片夹持器、承载抛光垫的工作台和抛光浆料供给装置三大部分组成。
半导体封装制程及其设备介绍详解演示文稿
半导体封装制程及其设备介绍详解演示文稿尊敬的各位听众我将在接下来的时间中为您详解半导体封装的制程及其设备。
铭记电子发展的历史，即能明其过程，又能知其未来。
今天共划时代的创新，无一漏缺地离不开半导体封装。
首先，让我们理解什么是半导体封装。
半导体封装是一种将半导体芯片（例如CPU或内存）与外界物理连接的技术，它将半导体芯片从硅片（wafer）切割下来，封装到保护壳内，然后通过金线或铜线与焊带或引脚建立电连接，使之能够与电路板对接，实现电子器件的封装和连接。
然后是半导体封装的流程。
典型的封装流程包括:芯片切割、引脚安装、芯片粘合、线键合、模塑、切割、测试等步骤。
每一步都需要高精度的设备保障生产效率和产品品质。
现在，我们详细讨论一下封装过程中的关键设备。
首先是切割设备，使用硅切割机将硅片切成单独的芯片。
这需要极高的精度和稳定性，以确保芯片切割在正确的位置，并且每颗芯片的尺寸一致。
其次是引脚设备，通常会使用引脚机或复合机进行安装。
引脚机会安装各种类型的引脚，包括直插式、SMT式等等。
复合机则可以一次完成多个步骤，例如引脚安装、芯片粘合和线键合。
接着是芯片粘合设备，使用芯片粘合机，将芯片粘合到基板或框架上。
粘合需要高温，通常使用电热板或光源加热。
此外，粘合需要一定的压力，通常使用空气压缩机提供。
然后是线键合设备，使用线键合机，通过金线或铜线将芯片和引脚连接起来。
这也需要高精度和稳定性，以确保线键合的位置准确，连接的可靠性。
紧接着的工艺是模塑过程，它使用模塑机将塑料封装材料注入至芯片上，形成一层保护壳，保护芯片不被外界环境侵蚀。
最后的设备是测试设备，通过测试机对每一颗半导体进行电气性能和可靠性测试，确保每一颗产品都符合规格要求。
这既包括初级的模拟测试，也包括复杂的数字和混合信号测试。
半导体封装领域的设备技术不断进步，智能制造技术、精密测量技术、自动化技术等不断引入，提升了封装品质和效率，降低了成本，为推动半导体科技的发展，帮助创造出越来越多的高效实用的电子产品，充满了无尽的可能。
半导体工艺技术及设备设施(精品)
A、大直径硅片生产成本比较：
200mm
成本/片
成本/CM*CM
300MM
成本/片
成本/CM*CM
自200MM到300MM 成本/片
成本/CM*CM
$2122 $6.76 $3328 $4.71 +17% -30%
B。经济竞争。
投资成本指数增加：
700M（1995）
3B（2001） 24B（2010）
湿法刻蚀：
刻蚀硅和多晶硅的湿法刻蚀采用的是硝酸和氢氟酸的混 合液，也可以采用含KOH的溶液来刻蚀硅。
由于氢氟酸可以在室温下与二氧化硅快速地反应，而不 会刻蚀硅或多晶硅，因此是二氧化硅刻蚀的最佳选择。 在实际的应用中都是采用稀释过的氢氟酸溶液，或添 加了氟化氨（NH4F）作为缓冲剂的混合液。
氮化硅可以用加热的（约180℃）磷酸溶液来刻蚀。
铝或铝合金的湿法刻蚀主要是采用加热的磷酸、硝酸、 醋酸和水的混合液来进行。加热温度大约在30~60℃之 间。
干法刻蚀：就是利用辉光放电的方法，产生等离子体来 进行薄膜刻蚀的一种技术。
SiO2的刻蚀主要是靠氟碳化物的等离子体来完成的，反应 的产物是SiF4、CO和CO2。早期CF4应用最普遍，现在 通常用CHF3、C2F6、C3F8。
3．扩散技术：
用人为的方法将所需杂质按要求的浓度和分布掺入到半 导体材料中,达到改变材料的电学性质,形成半导体器 件的目的,称之为“掺杂”。
掺杂的方法很多，在IC制造中主要用扩散法和离子注入 法。
高浓度深结掺杂采用热扩散法，浅结高精度掺杂用离子 注入法。
半导体器件制造中常用的掺杂杂质有：P、B、As、Sb。
表3-1
三种方法的比较
由于溅射法可以同时达到极佳的 （1）淀积效率、（2） 大尺寸的淀积厚度控制、（3）精确的成分控制、（4） 较低的制造成本，所以溅射是现今硅基半导体工业中 所采用的方式溅射工艺及设备。
最新半导体工艺流程总文档110
半导体工艺流程总文档110第一章概述从20世纪后半叶开始电子技术的发展速度是令人膛目结舌的，许多传统由机械技术支持的产品逐步改由电子技术来支持，例如数字CD播放机取代了磁带播放机，汽车发动机也由电子点火系统控制，电子计算机已深入到社会的各方面。
所有这些电子产品都离不开半导体器件，目前微电子技术已进入甚大规模集成电路和系统集成时代，微电子技术已经成了整个信息时代的标志和基础。
1.1半导体产业的发展半导体制造技术很复杂,要求许多特殊工艺步骤、材料、设备以及供应产业。
半导体产业发展的基础是真空管电子学、无线电通信、固体物理等理论。
放大电子信号的三极真空管是由Lee De Forest于1906年发明的，三极管由三个部件构成，在一个抽空气体的玻璃容器中分别封入两个电极和一个栅极。
为了使部件不被烧毁，同时还要保证电子能够在电极间传输，必须采用真空。
真空管被用于开发第一台电子计算机(ENIAC)，ENIAC重达50吨、占地3000平方英尺、需要19000只真空管，并且使用相当于160个灯塔的电量.ENIAC除了体积大之外，它的主要缺点是伴随着真空管出现的问题。
真空管体积大、不可靠以及耗电量大。
由于会烧毁，真空管寿命有限。
为了迎合迅速发展的电子市场的需求来生产体积小、可靠的电子产品，真空管显然不是优选技术。
1947年贝尔实验室的威廉·肖克利(William Shockley)\约翰·巴丁(John Bardeen)\和沃尔特·布拉顿(Walter Brattain)发明了固态晶体管。
晶体管的名字取自“跨导”和“变阻器”两词，提供了与真空管同样的电功能，但具有固态的显著优点：尺寸小、无真空、可靠、重量轻、最小的发热及低功耗。
这一发现发动了以固体材料和技术为基础的现代半导体产业。
1.2集成电路制造由半导体材料生产的半导体器件我们叫做芯片，仅具有单一功能的半导体器件称为分离元件。
在半导体产业向前迈进的重要一步是将多个电子元件集成在一个半导体材料衬底上，就是集成电路。
半导体工艺流程所需设备及材料
半导体工艺流程所需设备及材料
一、工艺流程
1.氧化
氧化是一个重要的步骤，可以建立半导体的表面结构。
这一步骤包括
清洗表面，控制一定的温度和电压，形成薄的氧化层。
2.在氧化物上沉积金属
沉积金属可以形成金属膜，如铜或铝，然后形成连接电路，保证信号
的传输和连接。
3.层次化处理
通过层次化处理，可以形成复杂的半导体结构，如金属氧化物半导体
晶体管，通过不同的层次处理，可以实现不同的功能。
4.测试
测试是半导体制造的重要环节，可以对半导体材料的性能进行检测，
检查半导体制造过程中产生的缺陷，确保半导体产品质量。
二、设备及材料
1.氧化设备
a)氧化炉：采用国际先进的技术，温度精度高，热效率高，稳定可靠。
比如日本古野电子公司的T-82系列氧化炉，可满足各种氧化处理。
b)平板热压机：采用先进技术，温度精度高，热效率高，能够实现有效的氧化处理。
比如日本古野电子公司的KD-1000系列热压机，可以有效地进行氧化处理。
2.沉积金属设备
a)电镀设备：采用先进的技术，能够实现各种金属沉积，用于制造半导体器件，如铜铝等。
比如日本古野电子公司的SP-1000系列电镀设备。
半导体工艺设备基础知识概况.doc
半导体工艺设备半导体工艺设备表一、半导体工艺主要设备大全清洗机超音波清洗机是现代工厂工业零件表而清洗的新技术前己广泛应用于半导体硅片的清洗。
超声波清洗机“声咅也可以清洗污垢”——超声波清洗机又名超声波清洗器，以其洁净的清洗效果给清洗界带来了一股强劲的清洗风暴。
超声波清洗机（超声波清洗器）利用空化效应，短吋间恒威公司牛产CSQ系列超声波清洗机具有以下特点：不锈钢加强结构，耐酸耐碱；特种胶工艺连接，运行安全；使用IGBT 模块,性能稳定;专业电源设计,性价比高。
反渗透纯水机去离子水牛产设备之一，通过反渗透原理来实现净水。
纯水机清洗半导体硅片用的去离子水牛产设备，去离子水有毒，不可食用。
净化设备主要产詁：水处理设备、灌装设备、空气净化设备、净化工程、反渗透、超滤、电渗析设备、EDI装置、离子交换设备、机械过滤器、精密过滤器、UV 紫外线杀菌器、臭氧发牛器、装配式洁净室、空气吹淋室、传递窗、工作台、高校送风口、空气自净室、亚高、高效过滤器等及各种配件。
风淋室：运用国外先进技术和进口电器控制系统，组装成的一-种使用新型的自动吹淋室•它广泛用于微电子医院\制药\牛化制品\食詁卫牛\精细化工\精密机械和航空航天等牛产和科研单位，用于吹除进入洁净室的人体和携带物品的表面附着的尘埃，同时风淋室也起气的作用，防止未净化的空气进入洁净区域，是进行人体净化和防止室外空气污染洁净的有效设备.抛光机整个系统是由一个旋转的硅片夹持器、承载抛光垫的工作台和抛光浆料供给装置三大部分组成。
化学机械抛光时，旋转的工件以-•定的压力压在旋转的抛光梨上，而由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的抛光液在工件与抛光架Z 间流动，并产牛化学反应，工件表面形成的化学反应物由磨粒的机械作用去除，即在化学成膜和机械去膜的交替过程屮实现超精密表面加工，人们称这种CMP 为游离磨料CMP。
电解抛光电化学抛光是利用金属电化学阳极溶解原理进行修磨抛光。
将电化学预抛光和机械精抛光有机的结合在一起，发挥了电化学和机构两类抛光特长。
半导体工艺流程所需设备及材料(有厂家信息)
生产 区域
扩 散
光 刻
刻 蚀
离 子 注 入
晶 圆 制 造
薄 膜 沉 积 （ 生 长 ）
抛 光 C M P
金 属 化
半导体制造工艺流程及其需要的设备和材料
工艺
设备
设备厂商
国外
国内
氧化
氧化炉
日本东京电子 日立国际电气
北方华创
英国Thermco
RTP
RTP设备
\
\
激光退火
激光退火设备 \
北方华创
日本TEL
生产 区域
工艺
设备
设备厂商
国外
国内
所需材料
进料检测
检测设备
\
\
背
贴膜
贴膜机
\
\
蓝膜/TAPE 麦粒
面
减 背面研磨 薄
减薄机
ASM Pacific 日本DISCO 日本OKAMOTO 以色列Camtek
中电科45所 方达研磨 大族激光 中电科电子装备等
研磨液 砂轮
测量
厚度/粗糙度测量仪 \
\
\
剥膜
剥膜机
涂胶
涂胶/显影设备 德国SUSS
沈阳芯源
奥地利EVG
测量
CD SEM等 \
\
荷兰ASML
光刻
光刻机
美国Lam Research 美国AMT 日本东京电子 日本尼康
中科院光电研究院 上海微电子装备
日本佳能
韩国SEMES
日本TEL
显影
涂胶/显影设备 德国SUSS
沈阳芯源
奥地利EVG
美国应用材料 美国维利安半导体
美国ProtoFlex
涨知识了半导体生产过程有这么多设备
涨知识了半导体生产过程有这么多设备半导体是一种具有特殊导电特性的材料，广泛应用于电子器件制造中。
半导体工艺是指将纯净的硅晶体转变为半导体器件的过程。
半导体生产过程包括多个步骤和使用了许多设备。
以下是一些常见的半导体生产设备及其功能。
1.气相沉积设备（CVD）：气相沉积是一种将薄膜材料沉积到基板上的过程。
CVD设备通过将气态前驱物注入到高温反应室中，并使其在基板表面发生化学反应，从而沉积薄膜。
这些设备通常用于制造金属薄膜、氮化物薄膜和二氧化硅薄膜等。
2. 离子注入设备（Ion Implanter）：离子注入是一种将离子注入到半导体材料中的过程。
离子注入设备使用高能粒子轰击半导体晶体，将离子嵌入到晶格中，从而改变材料的导电性质。
这些设备广泛用于制造掺杂层、引入杂质等。
3. 薄膜蒸镀设备（Thin Film Deposition）：薄膜蒸镀是一种通过将金属或其他材料蒸发并在基板上沉积形成薄膜的过程。
这些设备使用高真空环境和加热源，使材料蒸发并在基板上沉积。
薄膜蒸镀广泛应用于制造金属薄膜、透明导电薄膜等。
4. 制程设备（Etching Equipment）：制程设备用于去除薄膜上的不需要的部分，例如通过化学或物理的方式去除部分材料。
这些设备可以使用化学气相刻蚀（CVD）或离子束刻蚀（IBE）等方法。
制程设备广泛应用于制造微细电路、平面化薄膜等。
5. 光刻设备（Photolithography Equipment）：光刻设备用于在半导体材料的表面上制造微细结构。
光刻设备通过将光敏胶涂覆在基板上，然后使用模板或掩膜进行曝光，最后通过显影过程形成所需的结构。
光刻设备在制造微处理器、存储芯片等中起着关键作用。
6. 清洁设备（Cleaning Equipment）：清洁设备用于去除杂质、污染物和残留物。
这些设备可以通过干法或湿法的方式进行清洁。
清洁设备将被加工的半导体材料放置在特定的环境中，使用化学溶剂或物理方法清洁。
史上最全的半导体材料工艺设备汇总
史上最全的半导体材料工艺设备汇总半导体材料工艺设备是制造半导体器件所必需的关键工具和设备，涵盖了从原始材料制备到最终器件组装的各个环节。
下面是史上最全的半导体材料工艺设备汇总，详细介绍了常用的设备和其工艺原理。
1.单晶生长设备：单晶生长是制备高纯度晶体的关键步骤，其中最常用的方法是蒸发法、溶液法和气相传递法。
著名的单晶生长设备包括气相村田炉、石英管感应加热炉和悬浮区域溶液法生长设备等。
2.制备工艺设备：用于制备半导体器件的设备，如光刻机、薄膜沉积设备、离子注入机和扩散炉等。
光刻机用于在硅片表面绘制图案，薄膜沉积设备用于在硅片上沉积薄膜，离子注入机用于将杂质注入硅片中以改变其电学性质，而扩散炉则用于在高温下将杂质扩散到硅片中。
3.工艺控制设备：用于控制制备过程中的温度、压力和流量等参数，保证器件质量的一致性。
常见的工艺控制设备有真空泵、温度控制器、压力调节器和流量计等。
4.测试和检测设备：用于测试和评估半导体器件的性能和品质。
测试和检测设备有各种测试仪器，如电子显微镜、扫描电镜、红外摄像头和光学显微镜等。
5.清洗设备：用于去除制备过程中的杂质和污染物，确保器件的纯净度。
常见的清洗设备包括酸洗机、溶液喷淋机和超声波清洗机等。
6.封装设备：用于将单个芯片封装成完整的器件，保护芯片免受外界环境的影响。
封装设备有多种形式，如焊接机、贴片机和封装材料等。
7.气体和液体供应设备：用于提供制备过程中所需的气体和液体，如氢气、氮气、甲烷和硫酸等。
供应设备有蓄压罐、瓶装气体和化学品储存柜等。
8.废气处理设备：用于处理制备过程中产生的废气，防止对环境的污染。
常见的废气处理设备包括废气吸收装置、废气净化器和废气燃烧器等。
9.冷却和加热设备：用于控制制备过程中的温度，保持设备稳定运行。
常见的冷却和加热设备有冷却塔、冷却循环泵和加热炉等。
10.自动化控制系统：用于自动化监控和管理整个制备过程，提高生产效率和产品质量。
自动化控制系统包括各种传感器、控制器和计算机软件等。
半导体工艺主要设备大全
半导体工艺主要设备大全半导体工艺主要设备是制造集成电路和其他半导体器件所必需的设备。
随着半导体行业的发展，设备种类越来越多，功能越来越齐全。
本文将介绍半导体工艺主要设备的种类及其功能。
晶圆清洗设备晶圆清洗设备是用于清洗半导体晶圆表面的设备。
其主要目的是使晶圆表面干净、平整、无缺陷，便于后续工艺的进行。
晶圆清洗设备的种类相当多，常用的有：超声波清洗机、湿法清洗机和气体清洗机等。
溅射设备溅射设备是用来在晶圆表面上形成薄膜的设备。
可以制备出各种特殊功能的薄膜，如金属膜、氧化物膜、氮化物膜等。
常用的溅射设备有磁控溅射设备、电弧溅射设备、离子束溅射设备等。
电镀设备电镀设备可在晶圆表面上形成金属或合金薄膜。
主要用于制备电极、引线、信号铝等。
常用的电镀设备有旋转电镀机、静电电镀机等。
光刻设备光刻设备是制作微电子器件的关键设备之一。
它的主要作用是将对电路图案进行光刻图案转移。
常用的光刻设备有接触式光刻机、近场光刻机和投影光刻机等。
离子注入设备离子注入设备主要用于将杂质或镭等离子注入半导体材料中，从而改变其电学特性。
常用的离子注入设备有离子注入机、深度控制注入机等。
气相沉积设备气相沉积设备在制造微电子器件中起到重要作用。
它的主要功能是在晶圆表面上制备各种气相沉积膜，如多晶硅膜、氢化非晶硅膜、PECVD膜等。
常用的气相沉积设备有PECVD设备、LPCVD设备等。
热处理设备热处理设备主要用于在制造过程中对晶圆进行各种热处理。
常见的热处理设备有快速热退火炉、氮化炉等。
化学机械抛光设备化学机械抛光设备是用于岛屿型、桥接型和过渡区处理的设备。
这种设备的主要作用是通过化学作用和物理抛光作用，去除晶圆表面的缺陷和粗糙度。
常用的化学机械抛光设备有CMP设备等。
随着半导体器件的迅速发展，半导体工艺主要设备也在不断地升级和发展。
相信随着技术的不断提高，设备的种类和功能还将会更加完善。
半导体工艺流程所需设备及材料
半导体工艺流程所需设备及材料1. 芯片设计：芯片设计软件是用来设计芯片电路的主要工具。
常用的芯片设计软件有Cadence和Synopsys等。
这些软件由相应的厂家提供。
2.晶圆制备：晶圆制备是将单晶硅材料生长成具有特定晶面方向的圆片。
晶圆切割机是用来将单晶硅棒切割成固定尺寸的圆片的设备。
较常见的晶圆切割机厂家有DISCO和ADE等。
3. 清洗和薄膜沉积：清洗是为了去除晶圆表面的杂质和污染物，常用的清洗设备有湿法清洗设备和干法清洗设备。
薄膜沉积是为了在晶圆表面上形成一层薄膜，在半导体工艺中常用的薄膜沉积设备有化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）设备。
较常见的薄膜沉积设备厂家有Applied Materials、Tokyo Electron和Lam Research等。
4. 光刻图案制作：光刻是在晶圆表面上通过光学曝光形成特定图案的过程。
光刻设备使用的是光刻胶和光刻胶图案制作设备。
常见的设备厂家有ASML和Nikon等。
而常用的光刻胶厂家有东京欢迎(Tokyo Ohka Kogyo, TOK)和JSR等。
5. 离子注入：离子注入是将特定的掺杂原子注入到晶圆表面的过程，以改变晶圆的电学性质。
离子注入设备由AMAT（Applied Materials）、Axcelis和DEU等厂家提供。
6. 局部导电：局部导电是为了在晶圆上形成导电通路。
常用的局部导电设备有离子束刻蚀机和激光刻蚀机。
设备厂家有Carl Zeiss、Lasertec和KLA-Tencor等。
7. 成像和固化：成像是为了检查已形成的芯片图案的质量，并进行修复。
而固化是为了在芯片上形成可靠的电器连接。
常用的成像和固化设备有显微镜、电子束曝光机和高温热处理设备等。
设备厂家有ASML、JEOL和Canon等。
8. 封装：封装是将芯片封装到合适的封装材料中，以保护芯片并提供外部引脚。
封装设备厂家主要有胜达(Shuntong)、ASE和Amkor等。
半导体制造主要设备及工艺流程
半导体制造主要设备及工艺流程主要设备：1.清洗设备：用于清洗硅片，去除表面的杂质和污染物。
主要有超声波清洗机和流体喷洗机。
2.涂覆设备：用于在硅片表面涂覆光刻胶。
主要有旋涂机和喷涂机。
3.曝光设备：用于将光刻胶上的图案转移到硅片上。
主要有光刻机和直写机。
4.退火设备：用于去除光刻胶和修复表面缺陷。
主要有热退火炉和激光退火机。
5.切割设备：用于将硅片切割成单个芯片。
主要有切割机和钻孔机。
6.清除设备：用于清除硅片表面的残留物。
主要有湿法清洗机和干法清洗机。
主要工艺流程：1.接收硅片：开始时，原始硅片被送至半导体制造工厂，并经过检查和测试，以确保质量符合要求。
2.清洗：硅片被放入超声波清洗机或流体喷洗机中进行清洗，以去除表面的杂质和污染物。
3.涂覆：清洗后的硅片被放入旋涂机或喷涂机中，涂覆一层光刻胶在硅片表面。
4.曝光：涂覆光刻胶的硅片被放入光刻机或直写机中，通过曝光机将图案转移到光刻胶上。
5.退火：曝光后的硅片经过热退火炉或激光退火机退火，以去除光刻胶和修复表面缺陷。
6.切割：退火后的硅片被送到切割机或钻孔机中进行切割，将硅片切割成单个芯片。
7.清除：切割后的芯片进一步进行清除，以去除硅片表面的残留物。
8.检验和测试：清除后的芯片被检查和测试，以确保质量和功能合格。
9.封装：通过封装设备将芯片封装到塑料封装中，并连接到引脚。
10.测试：封装后的芯片被送到测试设备中进行功能测试和性能评估。
11.校准：测试后的芯片也经过校准，以确保准确性和一致性。
12.包装和出货：测试和校准后，芯片被放入包装盒中，然后运送到客户。
以上是半导体制造的主要设备及工艺流程的详细介绍。
这个过程需要高度的精确性和技术要求，以确保半导体产品的质量和性能。
半导体制造工艺设备及材料2020
半导体制造工艺设备及材料半导体设备和材料处于产业链上游，是推动技术进步的关键环节。
半导体设备和材料应用于集成电路（IC）、LED、MEMS、分立器件等领域，其中以IC领域的占比和技术难度最高。
IC制造分为前道、后道，以及中道制程，主要有氧化炉、PVD、CVD、光刻、涂胶显影、刻蚀、CMP、晶圆键合、离子注入、清洗、测试、减薄、划片、引线键合、电镀等设备，半导体材料主要包括衬底（硅片/蓝宝石/GaAs等）、光刻胶、电子气体、溅射靶材、CMP材料、掩膜版、电镀液、封装基板、引线框架、键合丝、塑封材料等。
1半导体制造工艺流程及其需要的设备和材料半导体产品的加工过程主要包括晶圆制造（前道，Front-End）和封装（后道，Back-End）测试，随着先进封装技术的渗透，出现介于晶圆制造和封装之间的加工环节，称为中道（Middle-End）。
由于半导体产品的加工工序多，所以在制造过程中需要大量的半导体设备和材料。
在这里，我们以最为复杂的晶圆制造（前道）和传统封装（后道）工艺为例，说明制造过程的所需要的设备和材料。
集成电路产业链晶圆生产线可以分成7个独立的生产区域：扩散（Thermal Process）、光刻（Photo- lithography）、刻蚀（Etch）、离子注入（Ion Implant）、薄膜生长（Dielectric Deposition）、抛光（CMP）、金属化（Metalization）。
这7个主要的生产区和相关步骤以及测量等都是晶圆洁净厂房进行的。
在这几个生产区都放置有若干种半导体设备，满足不同的需要。
例如在光刻区，除了光刻机之外，还会有配套的涂胶/显影和测量设备。
先进封装技术及中道（Middle-End）技术IC晶圆制造流程图IC晶圆生产线的7个主要生产区域及所需设备和材料传统封装工艺流程传统封装（后道）测试工艺可以大致分为背面减薄、晶圆切割、贴片、引线键合、模塑、电镀、切筋/成型和终测等8个主要步骤。
半导体生产工艺及设备
半导体生产工艺及设备英文回答：Semiconductor production processes and equipment play a crucial role in the manufacturing of electronic devices. As a semiconductor engineer, I am responsible for understanding and implementing these processes to ensure the production of high-quality semiconductors.The semiconductor production process begins with wafer fabrication. This involves the creation of a silicon wafer, which serves as the base material for the semiconductor devices. The wafer is first cleaned and polished to remove any impurities. Then, a series of photolithography steps are performed to create the desired circuit patterns on the wafer. This involves exposing the wafer to ultravioletlight through a mask, which transfers the pattern onto a photosensitive material on the wafer. The exposed areas are then chemically etched to remove the unwanted material.After the wafer fabrication, the next step is the deposition of various thin films on the wafer surface. This is done using techniques such as chemical vapor deposition (CVD) or physical vapor deposition (PVD). These processes allow the controlled deposition of materials like silicon dioxide, metal layers, or polysilicon on the wafer. These thin films are essential for creating the different components of the semiconductor devices.Once the thin films are deposited, the next step is the etching process. This involves selectively removing the deposited material to create the desired circuit patterns. Etching can be done using either wet etching or dry etching techniques. Wet etching involves immersing the wafer in a chemical solution that selectively removes the unwanted material. Dry etching, on the other hand, uses plasma to remove the material through a chemical reaction.After etching, the wafer goes through a series of cleaning and inspection steps to ensure the quality of the fabricated devices. This includes removing any residues or contaminants and checking for any defects or deviationsfrom the desired specifications. Various metrology tools, such as scanning electron microscopes and optical inspection systems, are used for this purpose.Once the wafer fabrication is complete, individual devices are separated from the wafer through a process called dicing. This involves cutting the wafer into smaller pieces, each containing a single device. The diced devices are then packaged into individual semiconductor packages, which provide protection and electrical connections to the outside world.In terms of equipment, semiconductor production facilities are equipped with a wide range of specialized tools and machines. These include wafer cleaning systems, photolithography equipment, deposition chambers, etching systems, metrology tools, and dicing saws, among others. These equipment are designed to handle the delicate nature of semiconductor materials and ensure precise control over the fabrication process.中文回答：半导体生产工艺及设备在电子设备的制造过程中起着至关重要的作用。
三代半导体材料制造工艺共38张
三代半导体材料制造工艺共38张三代半导体材料的制造工艺可分为几个关键的步骤，其中的“生长”过程是其中最重要的一步。
本文将对三代半导体材料制造工艺中的“生长”相关文档进行详细的介绍，包括材料的选择、生长方法以及生长条件等内容，以确保文档内容完整。
第一部分：材料选择材料的选择在三代半导体材料的制造过程中至关重要。
不同的应用需要不同的材料，因此在选择材料时需要考虑其物理和化学性质，以及其与其他材料的相容性。
通常，三代半导体材料选择为氮化物材料，包括氮化镓、氮化铝和氮化铟等。
这些材料的优点是宽能隙、高电子迁移率以及较好的热稳定性，适用于高温高功率等应用。
第二部分：生长方法生长方法是三代半导体材料制造工艺中的关键步骤之一、常用的生长方法有金属有机气相沉积(MOVPE)和分子束外延(MBE)等。
MOVPE是一种较为常用的方法，通过金属有机气体和载气在高温条件下进行反应，使材料以晶体生长的方法沉积在衬底上。
MBE则是通过在超高真空下，将材料中的原子逐层沉积在衬底上，实现材料的生长。
第三部分：生长条件在进行材料生长时，需要控制一系列生长条件以实现所需的材料性质。
这些生长条件包括温度、压力、气体流量以及衬底选择等。
例如，在MOVPE过程中，需要控制衬底的温度和气氛的组成，以控制沉积材料的优质度和厚度均匀性。
在MBE过程中，需要控制衬底的温度、真空度以及挥发源的温度等参数，以控制形成的材料的晶体质量。
综上所述，三代半导体材料制造工艺中的“生长”过程至关重要，涉及材料选择、生长方法以及生长条件等多个方面。
通过合理的材料选择、合适的生长方法以及精确的生长条件控制，可以获得高质量的三代半导体材料，为该领域的发展做出积极贡献。
以上为三代半导体材料制造工艺“生长”相关文档的完整内容，共计1500字。
半导体制造工艺中的主要设备及材料大盘点
半导体制造工艺中的主要设备及材料大盘点本文首先介绍了半导体制造工艺流程及其需要的设备和材料，其次阐述了IC晶圆生产线的7个主要生产区域及所需设备和材料，最后详细的介绍了半导体制造工艺，具体的跟随小编一起来了解一下。
一、半导体制造工艺流程及其需要的设备和材料半导体产品的加工过程主要包括晶圆制造（前道，Front-End）和封装（后道，Back-End）测试，随着先进封装技术的渗透，出现介于晶圆制造和封装之间的加工环节，称为中道（Middle-End）。
由于半导体产品的加工工序多，所以在制造过程中需要大量的半导体设备和材料。
在这里，我们以最为复杂的晶圆制造（前道）和传统封装（后道）工艺为例，说明制造过程的所需要的设备和材料。
集成电路产业链晶圆生产线可以分成7个独立的生产区域：扩散（Thermal Process）、光刻（Photo- lithography）、刻蚀（Etch）、离子注入（Ion Implant）、薄膜生长（Dielectric Deposition）、抛光（CMP）、金属化（Metalization）。
这7个主要的生产区和相关步骤以及测量等都是晶圆洁净厂房进行的。
在这几个生产区都放置有若干种半导体设备，满足不同的需要。
例如在光刻区，除了光刻机之外，还会有配套的涂胶/显影和测量设备。
先进封装技术及中道（Middle-End）技术IC晶圆制造流程图二、IC晶圆生产线的7个主要生产区域及所需设备和材料传统封装工艺流程传统封装（后道）测试工艺可以大致分为背面减薄、晶圆切割、贴片、引线键合、模塑、电镀、切筋/成型和终测等8个主要步骤。
与IC晶圆制造（前道）相比，后道封装相对简单，技术难度较低，对工艺环境、设备和材料的要求远低于晶圆制造。
三、传统封装的主要步骤及所需设备和材料传统封装（后道）测试工艺可以大致分为背面减薄、晶圆切割、贴片、引线键合、模塑、电镀、切筋/成型和终测等8个主要步骤。
与IC晶圆制造（前道）相比，后道封装相对简单，技术难度较低，对工艺环境、设备和材料的要求远低于晶圆制造。
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小编为您解读半导体生产过程中的主要设备概况。
1、单晶炉设备名称：单晶炉。
设备功能：熔融半导体材料，拉单晶，为后续半导体器件制造，提供单晶体的半导体晶坯。
主要企业（品牌）：国际：德国PVA TePla AG公司、日本Ferrotec公司、美国QUANTUM DESIGN公司、德国Gero公司、美国KAYEX公司。
国内：北京京运通、七星华创、北京京仪世纪、河北晶龙阳光、西安理工晶科、常州华盛天龙、上海汉虹、西安华德、中国电子科技集团第四十八所、上海申和热磁、上虞晶盛、晋江耐特克、宁夏晶阳、常州江南、合肥科晶材料技术有限公司、沈阳科仪公司。
2、气相外延炉设备名称：气相外延炉。
设备功能：为气相外延生长提供特定的工艺环境，实现在单晶上，生长与单晶晶相具有对应关系的薄层晶体，为单晶沉底实现功能化做基础准备。
气相外延即化学气相沉积的一种特殊工艺，其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系。
主要企业（品牌）：国际：美国CVD Equipment公司、美国GT公司、法国Soitec公司、法国AS公司、美国ProtoFlex公司、美国科特·莱思科（Kurt J.Lesker）公司、美国Applied Materials公司。
国内：中国电子科技集团第四十八所、青岛赛瑞达、合肥科晶材料技术有限公司、北京金盛微纳、济南力冠电子科技有限公司。
3、分子束外延系统（MBE，Molecular Beam Epitaxy System）设备名称：分子束外延系统。
设备功能：分子束外延系统，提供在沉底表面按特定生长薄膜的工艺设备；分子束外延工艺，是一种制备单晶薄膜的技术，它是在适当的衬底与合适的条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜。
主要企业（品牌）：国际：法国Riber公司、美国Veeco公司、芬兰DCA Instruments公司、美国SVT Associates公司、美国NBM公司、德国Omicron公司、德国MBE-Komponenten公司、英国Oxford Applied Research（OAR）公司。
国内：沈阳中科仪器、北京汇德信科技有限公司、绍兴匡泰仪器设备有限公司、沈阳科友真空技术有限公司。
4、氧化炉（VDF）设备名称：氧化炉。
设备功能：为半导体材料进行氧化处理，提供要求的氧化氛围，实现半导体预期设计的氧化处理过程，是半导体加工过程的不可缺少的一个环节。
主要企业（品牌）：国际：英国Thermco公司、德国Centrothermthermal solutions GmbH Co.KG公司。
国内：北京七星华创、青岛福润德、中国电子科技集团第四十八所、青岛旭光仪表设备有限公司、中国电子科技集团第四十五所。
5、低压化学气相淀积系统（LPCVD，Low Pressure Chemical Vapor Deposition System）设备名称：低压化学气相淀积系统设备功能：把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入LPCVD设备的反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜。
主要企业（品牌）：国际：日本日立国际电气公司、国内：上海驰舰半导体科技有限公司、中国电子科技集团第四十八所、中国电子科技集团第四十五所、北京仪器厂、上海机械厂。
6、等离子体增强化学气相淀积系统（PECVD，Plasma Enhanced CVD）设备名称：等离子体增强化学气相淀积系统设备功能：在沉积室利用辉光放电，使其电离后在衬底上进行化学反应，沉积半导体薄膜材料。
主要企业（品牌）：国际：美国Proto Flex公司、日本Tokki公司、日本岛津公司、美国泛林半导体（Lam Research）公司、荷兰ASM国际公司。
国内：中国电子科技集团第四十五所、北京仪器厂、上海机械厂。
7、磁控溅射台（MagnetronSputter Apparatus）设备名称：磁控溅射台。
设备功能：通过二极溅射中一个平行于靶表面的封闭磁场，和靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域，实现高离子密度和高能量的电离，把靶原子或分子高速率溅射沉积在基片上形成薄膜。
主要企业（品牌）：国际：美国PVD公司、美国Vaportech公司、美国AMAT公司、荷兰Hauzer公司、英国Teer公司、瑞士P latit公司、瑞士Balzers公司、德国Cemecon公司。
国内：北京仪器厂、沈阳中科仪器、成都南光实业股份有限公司、中国电子科技集团第四十八所、科睿设备有限公司、上海机械厂。
8、化学机械抛光机（CMP，Chemical Mechanical Planarization）设备名称：化学机械抛光机设备功能：通过机械研磨和化学液体溶解“腐蚀”的综合作用，对被研磨体（半导体）进行研磨抛光。
主要企业（品牌）：国际：美国Applied Materials公司、美国诺发系统公司、美国Rtec公司、。
国内：兰州兰新高科技产业股份有限公司、爱立特微电子。
9、光刻机（Stepper，Scanner）设备名称：光刻机。
设备功能：在半导体基材上（硅片）表面匀胶，将掩模版上的图形转移光刻胶上，把器件或电路结构临时“复制”到硅片上。
主要企业（品牌）：国际：荷兰阿斯麦（ASML）公司、美国泛林半导体公司、日本尼康公司、日本Canon公司、美国ABM公司、德国德国SUSS公司、美国MYCRO公司。
国内：中国电子科技集团第四十八所、中国电子科技集团第四十五所、上海机械厂、成都南光实业股份有限公司。
10、反应离子刻蚀系统（RIE，Reactive Ion Etch System）设备名称：反应离子刻蚀系统。
设备功能：。
平板电极间施加高频电压，产生数百微米厚的离子层，放入式样，离子高速撞击式样，实现化学反应刻蚀和物理撞击，实现半导体的加工成型。
主要企业（品牌）：国际：日本Evatech公司、美国NANOMASTER公司、新加坡REC公司、韩国JuSung公司、韩国TES公司。
国内：北京仪器厂、北京七星华创电子有限公司、成都南光实业股份有限公司、中国电子科技集团第四十八所。
11、ICP等离子体刻蚀系统（ICP, Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching System）设备名称：ICP等离子体刻蚀系统。
设备功能：一种或多种气体原子或分子混合于反应腔室中，在外部能量作用下（如射频、微波等）形成等离子体，一方面等离子体中的活性基团与待刻蚀表面材料发生化学反应，生成可挥发产物；另一方面等离子体中的离子在偏压的作用下被引导和加速，实现对待刻蚀表面进行定向的腐蚀和加速腐蚀。
主要企业（品牌）：国际：英国牛津仪器公司、美国Torr公司、美国Gatan公司、英国Quorum公司、美国利曼公司、美国Pe lco公司。
国内：北京仪器厂、北京七星华创电子有限公司、中国电子科技集团第四十八所、戈德尔等离子科技（香港）控股有限公司、中国科学院微电子研究所、北方微电子、北京东方中科集成科技股份有限公司、北京创世威纳科技。
12、离子注入机（IBI，Ion Beam Implanting）设备名称：离子注入机。
设备功能：对半导体表面附近区域进行掺杂。
主要企业（品牌）：国际：美国维利安半导体设备公司、美国CHA公司、美国AMAT公司、Varian半导体制造设备公司（被AM AT收购）。
国内：北京仪器厂、中国电子科技集团第四十八所、成都南光实业股份有限公司、沈阳方基轻工机械有限公司、上海硅拓微电子有限公司。
13、探针测试台（VPT，Wafer prober Test）设备名称：探针测试台。
设备功能：通过探针与半导体器件的pad接触，进行电学测试，检测半导体的性能指标是否符合设计性能要求。
主要企业（品牌）：国际：德国Ingun公司、美国QA公司、美国MicroXact公司、韩国Ecopia公司、韩国Leeno公司。
国内：中国电子科技集团第四十五所、北京七星华创电子有限公司、瑞柯仪器、华荣集团、深圳市森美协尔科技。
14、晶片减薄机（Back-sideGrinding）设备名称：晶片减薄机。
设备功能：通过抛磨，把晶片厚度减薄。
主要企业（品牌）：国际：日本DISCO公司、德国G&N公司、日本OKAMOTO公司、以色列Camtek公司。
国内：兰州兰新高科技产业股份有限公司、深圳方达研磨设备制造有限公司、深圳市金实力精密研磨机器制造有限公司、炜安达研磨设备有限公司、深圳市华年风科技有限公司。
15、晶圆划片机（DS，Die Sawwing）设备名称：晶圆划片机。
设备功能：把晶圆，切割成小片的Die。
主要企业（品牌）：国际：德国OEG公司、日本DISCO公司。
国内：中国电子科技集团第四十五所、北京科创源光电技术有限公司、沈阳仪器仪表工艺研究所、西北机器有限公司（原国营西北机械厂709厂）、汇盛电子电子机械设备公司、兰州兰新高科技产业股份有限公司、大族激光、深圳市红宝石激光设备有限公司、武汉三工、珠海莱联光电、珠海粤茂科技。
16、引线键合机（Wire Bonder）设备名称：引线键合机。
设备功能：把半导体芯片上的Pad与管脚上的Pad，用导电金属线（金丝）链接起来。
主要企业（品牌）：国际：美国奥泰公司、德国TPT公司、奥地利奥地利FK公司、马来西亚友尼森（UNISEM）公司。
国内：中国电子科技集团第四十五所、北京创世杰科技发展有限公司、宇芯（成都）集成电路封装测试有限公司（马来西亚友尼森投资）、深圳市开玖自动化设备有限公司。