半导体器件(二极管、三极管、场效应管、差动放大电路、集成运放)

半导体基本知识和

半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）

一、选择题：

1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。

A.不变

B.变宽

C.变窄

D.无法确定

2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。

A.不变

B.变宽

C.变窄

D.无法确定

3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的（）

A. 多数载流子浓度增大

B.少数载流子浓度增大

C.多数载流子浓度减小

D.少数载流子浓度减小

4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。

A.削弱

B.增强

C.不变

D.不确定

5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( ) 载流子。

A.有

B.没有

C.少数

D.多数

6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。

A．减小温漂B. 增大放大倍数

C. 提高输入电阻

D. 减小输出电阻

7、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。

A、光电二极管

B、发光二极管

C、变容二极管

D、稳压管

8、当晶体管工作在放大区时，（）。

A. 发射结和集电结均反偏

B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结和集电结均正偏

D.发射结反偏，集电结正偏

9、稳压二极管稳压时，其工作在( )，

A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区 D.不确定

10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。

A.差放

B.正弦

C.数字

D.功率放大

11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。

A．NPN 型硅管B.NPN 型锗管Array

C.PNP 型硅管

D.PNP 型锗管

12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。

A．P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

13、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。

A．输入电阻高 B.输出电阻低

C.共模抑制比大

D.电压放大倍数大

14、如右图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 = 50，则复合后的β约为（）。

A ．1500 B.80 C.50 D.30

15、发光二极管发光时，工作在( )。

A ．正向导通区

B ．反向截止区

C ．反向击穿区

D ．不确定

16、当温度升高时，二极管反向饱和电流将（ ）

A. 增大

B. 减小

C. 不变

D. 等于零

17、场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ ） 。

A. 非饱和区

B. 饱和区

C. 截止区

D. 击穿区

18、稳压二极管稳压时，其工作在( )。

A ．正向导通区

B ．反向截止区

C ．反向击穿区 D.饱和区

19、集成运放电路采用直接耦合方式是因为 （ ）

A. 可获得较高增益

B. 可使温漂变小

C. 在集成工艺中难于制造大电容

D. 可以增大输入电阻

20、测得BJT 各电极对地电压为：V B =4.7V ，V C =4.3V ，V E =4V ，则该BJT 工作在

（ ）状态。

A.截止

B.饱和

C.放大

D. 无法确定

21、FET 是（ ）控制器件。

A . 电流

B .电压

C .电场 D.磁场

22、通常要求运算放大器带负载能力强，在这里，负载的大小是指负载（ ）。

A.电阻大

B. 功率大

C. 电压高

D.功率小

23、二极管的电流方程是（ ）。

A ．u S e I

B .T V u

S e I C.)1( T V u S e I D . T V S e I

24、FET 是（ ）控制器件。

A . 电流

B .电压

C .电场

D .磁场

25、三极管工作在饱和状态的条件是（ ）。

A.发射结正偏，集电结正偏

B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结反偏，集电结反偏

D.发射结反偏，集电结正偏

26、测得工作在放大状态的BJT 三个管脚1、2、3对地电位分别为0V ，-0.2V ，-3V ，则1、2、3脚对应的三个极是（ ）。

A .ebc

B .ecb

C .cbe D.bec

27、稳压二极管是利用PN 结的（ ）。

A.单向导电性 B .反向击穿性

C.电容特性

D.正向特性

28、测得工作在放大状态的BJT 三个管脚1、2、3对地电位分别为0V ，-0.2V ，-3V ，则1、2、3脚对应的三个极是（ ）。

A .ebc

B .ecb

C .cbe D.bec

29、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ）。

A.反向偏置击穿状态

B.反向偏置未击穿状态

C.正向偏置导通状态

D.正向偏置未导通状态

30、 当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（ ）

A ．集电极最大允许功耗ＰＣＭ

B ．集电极最大允许电流ＩＣＭ

C ．集－基极反向击穿电压Ｕ（ＢＲ）ＣＢＯ D. Ｕ（ＢＲ）ＣE Ｏ

31、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。