半导体器件(二极管、三极管、场效应管、差动放大电路、集成运放)
模电基础知识教程
模电基础知识教程 -CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1-CAL-本页仅作为文档封面，使用请直接删除模电基础教程01单元半导体器件基础半导体的导电特性导体、绝缘体和半导体本征半导体的导电特性杂质半导体的导电特性PN结晶体二极管二极管的结构与伏安特性半导体二极管的主要参数半导体二极管的等效电路与开关特性稳压二极管晶体三极管三极管的结构与分类三极管内部载流子的运动规律、电流分配关系和放大作用三极管的特性曲线三极管的主要参数三极管的开关特性场效应管结型场效应管绝缘栅型场效应管特殊半导体器件发光二极管光敏二极管和光敏三极管02单元基本放大电路基本放大电路的工作原理基本放大电路的组成直流通路与静态工作点交流通路与放大原理放大电路的性能指标放大电路的图解分析法放大电路的静态图解分析放大电路的动态图解分析输出电压的最大幅度与非线性失真分析微变等效电路分析法晶体管的h参数晶体管的微变等效电路用微变等效电路法分析放大电路静态工作点的稳定温度变化对静态工作点的影响工作点稳定的电路场效应管放大电路场效应管放大电路的静态分析多级放大电路多级放大电路的级间耦合方式多级放大电路的分析方法放大电路的频率特性单级阻容耦合放大电路的频率特性多级阻容耦合放大电路的频率特性03单元负反馈放大电路反馈的基本概念和分类反馈的基本概念和一般表达式反馈放大电路的类型与判断负反馈放大电路基本类型举例电压串联负反馈放大电路电流并联负反馈放大电路电流串联负反馈放大电路电压并联负反馈放大电路负反馈对放大电路性能的影响降低放大倍数提高放大倍数的稳定性展宽通频带减小非线性失真改变输入电阻和输出电阻负反馈放大电路的分析方法深度负反馈放大电路的近似计算*方框图法分析负反馈放大电路04单元功率放大器功率放大电路的基本知识概述甲类单管功率放大电路互补对称功率放大电路OCL类互补放大电路OTL甲乙类互补对称电路复合互补对称电路变压器耦合推挽功率放大电路05单元直接耦合放大电路概述直接耦合放大电路中的零点漂移基本差动放大电路的分析基本差动放大电路基本差动放大电路抑制零点漂移的原理基本差动放大电路的静态分析基本差动放大电路的动态分析差动放大电路的改进06单元集成运算放大器集成电路基础知识集成电路的特点集成电路恒流源有源负载的基本概念集成运放的典型电路及参数典型集成运放F007电路简介集成运放的主要技术参数集成运放的应用概述运放的基本连接方式集成运放在信号运算方面的应用集成运放在使用中应注意的问题07单元直流电源整流电路半波整流电路全波整流电路桥式整流电路倍压整流电路滤波电路电容滤波电路电感滤波电路复式滤波电路有源滤波电路稳压电路并联型硅稳压管稳压电路串联型稳压电路的稳压原理带有放大环节的串联型稳压电路稳压电源的质量指标提高稳压电源性能的措施08单元正弦波振荡电路自激振荡原理自激振荡的条件自激振荡的建立和振幅的稳定正弦波振荡电路的组成LC正弦波振荡电路变压器反馈式振荡电路三点式LC振荡电路三点式LC振荡电路的构成原则电感三点式振荡电路电容三点式振荡电路克拉泼与席勒振荡电路（改进型电容三点式振荡电路）石英晶体振荡器石英晶体的基本特性和等效电路石英晶振：并联型晶体振荡电路石英晶振：串联型晶体振荡电路RC振荡电路RC相移振荡电路文氏电桥振荡电路09单元调制、解调和变频调制方式调幅调幅原理调幅波的频谱调幅波的功率调幅电路检波小信号平方律检波大信号直线性检波调频调频的特点调频波的表达式调频电路：变容二极管调频电路调频与调幅的比较鉴频对称式比例鉴频电路不对称式比例鉴频电路变频变频原理变频电路10单元无线广播与接受无线电广播与接收无线电波的传播超外差收音机超外差收音机方框图超外差收音机性能指标LC谐振回路LC串联谐振回路LC并联谐振回路输入回路统调中频放大电路自动增益电路整机电路分析本征半导体的导电特性半导体导电特性导体、绝缘体和半导体自然界的各种物质就其导电性能来说、可以分为导体、绝缘体和半导体三大类。
电子元器件的缩写
电子元器件的缩写1.电阻固定电阻：RES半导体电阻：RESSEMT电位计；POT变电阻；RVAR可调电阻;res1.....2.电容定值无极性电容；CAP定值有极性电容;CAP半导体电容：CAPSEMI可调电容：CAPVAR3.电感：INDUCTOR4.二极管：DIODE.LIB发光二极管：LED5.三极管 :NPN16.结型场效应管：JFET.lib7.MOS场效应管8.MES场效应管9.继电器：PELAY. LIB10.灯泡:LAMP11.运放:OPAMP12.数码管：DPY_7-SEG_DP (MISCELLANEOUS DEVICES.LIB)13.开关;sw_pb14.磁珠：BD：BEAD的缩写，15.负载电阻：RL：，L指Load，负载的意思16.变压器：T17.调试时用的器件：OP：，正式电路中不焊接18.变压器绕组：NS：一般指变压器绕组19.接插件、U型跳线：JP：原理图常用库文件：Miscellaneous Devices.ddbDallas Microprocessor.ddbIntel Databooks.ddbProtel DOS Schematic Libraries.ddb PCB元件常用库：Advpcb.ddbGeneral IC.ddbMiscellaneous.ddb部分分立元件库元件名称及中英对照AND 与门ANTENNA 天线BATTERY 直流电源BELL 铃,钟BVC 同轴电缆接插件BRIDGE 1 整流桥(二极管)BRIDGE 2 整流桥(集成块)BUFFER 缓冲器BUZZER 蜂鸣器CAP 电容CAPACITOR 电容CAPACITOR POL 有极性电容CAPVAR 可调电容CIRCUIT BREAKER 熔断丝COAX 同轴电缆CON 插口CRYSTAL 晶体整荡器DB 并行插口DIODE 二极管DIODE SCHOTTKY 稳压二极管DIODE VARACTOR 变容二极管DPY_3-SEG 3段LEDDPY_7-SEG 7段LEDDPY_7-SEG_DP 7段LED(带小数点) ELECTRO 电解电容FUSE 熔断器INDUCTOR 电感INDUCTOR IRON 带铁芯电感INDUCTOR3 可调电感JFET N N沟道场效应管JFET P P沟道场效应管LAMP 灯泡LAMP NEDN 起辉器LED 发光二极管METER 仪表MICROPHONE 麦克风MOSFET MOS管MOTOR AC 交流电机MOTOR SERVO 伺服电机NAND 与非门NOR 或非门NOT 非门NPN NPN三极管NPN-PHOTO 感光三极管OPAMP 运放OR 或门PHOTO 感光二极管PNP 三极管NPN DAR NPN三极管PNP DAR PNP三极管POT 滑线变阻器PELAY-DPDT 双刀双掷继电器RES1.2 电阻RES3.4 可变电阻RESISTOR BRIDGE 桥式电阻RESPACK 电阻SCR 晶闸管PLUG ? 插头PLUG AC FEMALE 三相交流插头SOCKET 插座SOURCE CURRENT 电流源SOURCE VOLTAGE 电压源SPEAKER 扬声器SW 开关SW-DPDY 双刀双掷开关SW-SPST 单刀单掷开关SW-PB 按钮THERMISTOR 电热调节器TRANS1 变压器TRANS2 可调变压器TRIAC 三端双向可控硅TRIODE 三极真空管VARISTOR 变阻器ZENER 齐纳二极管DPY_7-SEG_DP 数码管SW-PB 开关其他元件库Protel Dos Schematic 4000 Cmos .Lib （40.系列CMOS管集成块元件库）4013 D 触发器4027 JK 触发器Protel Dos Schematic Analog Digital.Lib（模拟数字式集成块元件库）AD系列 DAC系列 HD系列 MC系列Protel Dos Schematic Comparator.Lib（比较放大器元件库）Protel Dos Shcematic Intel.Lib（INTEL公司生产的80系列CPU 集成块元件库）Protel Dos Schematic Linear.lib（线性元件库）Protel Dos Schemattic Memory Devices.Lib（内存存储器元件库）Protel Dos Schematic SYnertek.Lib（SY系列集成块元件库）Protes Dos Schematic Motorlla.Lib（摩托罗拉公司生产的元件库）Protes Dos Schematic NEC.lib（NEC公司生产的集成块元件库）Protes Dos Schematic Operationel Amplifers.lib（运算放大器元件库）Protes Dos Schematic TTL.Lib（晶体管集成块元件库 74系列）Protel Dos Schematic Voltage Regulator.lib（电压调整集成块元件库）Protes Dos Schematic Zilog.Lib（齐格格公司生产的Z80系列CPU集成块元件库）元件属性对话框中英文对照Lib ref 元件名称Footprint 器件封装Designator 元件称号Part 器件类别或标示值Schematic Tools 主工具栏Writing T ools 连线工具栏Drawing Tools 绘图工具栏部分分立元件库元件名称及中英对照Power Objects 电源工具栏Digital Objects 数字器件工具栏Simulation Sources 模拟信号源工具栏PLD Toolbars 映象工具栏7407 驱动门1N914 二极管74Ls00 与非门74LS04 非门74LS08 与门74LS390 TTL 双十进制计数器7SEG 4针BCD-LED 输出从0-9 对应于4 根线的BCD码7SEG 3-8 译码器电路BCD-7SEG[size=+0]转换电路ALTERNATOR 交流发电机AMMETER-MILLI mA安培计AND 与门BATTERY 电池/电池组BUS 总线CAP 电容CAPACITOR 电容器CLOCK 时钟信号源CRYSTAL 晶振D-FLIPFLOP D 触发器FUSE 保险丝GROUND 地LAMP 灯LED-RED 红色发光二极管LOGIC ANALYSER 逻辑分析器LOGICPROBE 逻辑探针LOGICPROBE[BIG] 逻辑探针用来显示连接位置的逻辑状态LOGICSTATE 逻辑状态用鼠标点击,可改变该方框连接位置的逻辑状态LOGICTOGGLE 逻辑触发MASTERSWITCH 按钮手动闭合,立即自动打开MOTOR 马达OR 或门POT-LIN 三引线可变电阻器POWER 电源RES 电阻RESISTOR 电阻器SWITCH 按钮手动按一下一个状态SWITCH-SPDT 二选通一按钮VOLTMETER 伏特计VOLTMETER-MILLI mV伏特计VTERM 串行口终端Electromechanical 电机Inductors 变压器Laplace Primitives 拉普拉斯变换Memory IcsMicroprocessor IcsMiscellaneous 各种器件AERIAL-天线；ATAHDD；ATMEGA64；BATTERY；CELL；CRYSTAL-晶振；FUSE；METER-仪表；Modelling Primitives 各种仿真器件是典型的基本元器模拟，不表示具体型号，只用于仿真，没有PCBOptoelectronics 各种发光器件发光二极管，LED，液晶等等PLDs & FPGAsResistors 各种电阻Simulator Primitives 常用的器件Speakers & SoundersSwitches & Relays开关，继电器，键盘Switching Devices 晶阊管Transistors 晶体管（三极管，场效应管）TTL 74 seriesTTL 74ALS seriesTTL 74AS seriesTTL 74F seriesTTL 74HC seriesTTL 74HCT seriesTTL 74LS seriesTTL 74S seriesAnalog Ics 模拟电路集成芯片Capacitors 电容集合CMOS 4000 seriesConnectors 排座，排插Data Converters ADC,DACDebugging Tools 调试工具ECL 10000 SeriesAND 与门ANTENNA 天线BATTERY 直流电源BELL 铃,钟BVC 同轴电缆接插件BRIDEG 1 整流桥(二极管) BRIDEG 2 整流桥(集成块) BUFFER 缓冲器BUZZER 蜂鸣器CAP 电容CAPACITOR 电容CAPACITOR POL 有极性电容CAPVAR 可调电容CIRCUIT BREAKER 熔断丝COAX 同轴电缆CON 插口CRYSTAL 晶体整荡器DB 并行插口DIODE 二极管DIODE SCHOTTKY 稳压二极管DIODE VARACTOR 变容二极管DPY_3-SEG 3 段LEDDPY_7-SEG 7 段LEDDPY_7-SEG_DP 7 段LED(带小数点) ELECTRO 电解电容FUSE 熔断器INDUCTOR 电感INDUCTOR IRON 带铁芯电感INDUCTOR3 可调电感JFET N N 沟道场效应管JFET P P沟道场效应管LAMP 灯泡LAMP NEDN 起辉器LED 发光二极管METER 仪表MICROPHONE 麦克风MOSFETMOS管MOTOR AC 交流电机MOTOR SERVO 伺服电机NAND 与非门NOR 或非门NOT 非门NPN NPN 三极管NPN-PHOTO 感光三极管OPAMP 运放OR 或门PHOTO 感光二极管Device.lib 包括电阻、电容、二极管、三极管和PCB的连接器符号ACTIVE.LIB 包括虚拟仪器和有源器件DIODE.LIB 包括二极管和整流桥DISPLAY.LIB 包括 LCD、LEDBIPOLAR.LIB 包括三极管FET.LIB 包括场效应管ASIMMDLS.LIB 包括模拟元器件VALVES .LIB 包括电子管ANALOG.LIB 包括电源调节器、运放和数据采样IC CAPACITORS.LIB 包括电容COMS.LIB 包括 4000 系列ECL.LIB 包括 ECL10000 系列OPAMP.LIB 包括运算放大器RESISTORS.LIB 包括电阻FAIRCHLD .LIB 包括 FAIRCHLD 半导体公司的分立器件LINTEC.LIB 包括 LINTEC 公司的运算放大器NATDAC.LIB 包括国家半导体公司的数字采样器件NATOA.LIB 包括国家半导体公司的运算放大器TECOOR.LIB 包括TECOOR公司的SCR 和TRIACTEXOAC.LIB 包括德州仪器公司的运算放大器和比较器PNP 三极管NPN DAR NPN 三极管PNP DAR PNP三极管POT 滑线变阻器PELAY-DPDT 双刀双掷继电器RES1.2 电阻RES3.4 可变电阻RESISTOR BRIDGE ? 桥式电阻RESPACK ? 电阻SCR 晶闸管PLUG 插头PLUG AC FEMALE 三相交流插头SOCKET 插座SOURCE CURRENT 电流源SOURCE VOLTAGE 电压源SPEAKER 扬声器SW 开关SW-DPDY 双刀双掷开关SW-SPST 单刀单掷开关SW-PB 按钮THERMISTOR 电热调节器TRANS1 变压器TRANS2 可调变压器TRIAC 三端双向可控硅TRIODE 三极真空管VARISTOR 变阻器ZENER 齐纳二极管DPY_7-SEG_DP 数码管SW-PB 开关序号英文简写元件英文名元件中文名1 Res semi Semiconductor Resistor 半导体电阻2 Cap semi Semiconductor Capacitor 半导体电容器3 Cap Var Variable or AdjustableCapacitor可变或可调电容4 Cap Pol1 Polarized Capacitor (Radial) 极化电容（径向）5 Cap Pol2 Polarized Capacitor (Axial) 极化电容（轴向）6 Cap Capacitor 电容（径向）7 Cap Pol3 Polarized Capacitor (SurfaceMount)极化电容（表面贴装）8 Cap Feed Feed-Through Capacitor 馈通电容9 Cap2 Capacitor 电容10 ResVaristorVaristor (Voltage-SensitiveResistor)压敏电阻（电压敏感电阻）11 Res Tap Tapped Resistor 抽头电阻12 Res Thermal T hermal Resistor 热敏电阻13 Rpot Potentiometer Resistor （侧调或顶调）电位器14 Rpot SM Square Trimming Potentiometer （顶调）方形电位器15 Res Bridge Resistor Bridge 电阻桥16 Bridge1 Full Wave Diode Bridge 整流桥17 Bridge2 Bridge Rectifier 整流桥集成组件（比1封装较大）18 Res Adj Variable Resistor 可变电阻19 Res3 Resistor IPC的高密度贴片电阻20 D Tunnel2 Tunnel Diode - Dependent SourceModel隧道二极管 - 依赖源模型21 D Varactor Variable Capacitance Diode 变容二极管22 D Schottky Schottky Diode 肖特基二极管23 Diode1N54023 Amp General Purpose Rectifier 3放大器通用整流器其中，cap，cap2，cap pol1和cap pol2分别如下图所示：有极性电容为电解电容，无极性电容为普通电容，电解电容的容量一般比普通电容的大，在滤波时电解电容用于滤低频，普通电容用于滤高频。
集成运放电路技术题目解答共8题
集成运放电路技术题目解答共8题【题目1】：E4a046如何阅读运算放大器电路图？【相关知识】：集成运算放大电路的一般组成及其单元结构，如恒流源电路、差分放大电路、CC-CE、CC-CB电路和互补输出电路等。
【解题方法】：运算放大器主要由输入级、中间放大级、输出级和偏置电路等四部分组成，如图1所示。
图1运算放大器的偏置电路与分立放大电路的偏置电路设计有很大不同，主要由各种形式的恒流源电路实现，熟悉各种形式的恒流源电路是阅读运放电路的基础。
运算放大器的输入级通常是差分放大电路，其主要功能是抑制共模干扰和温漂，双极型运放中差分管通常采用CC-CB复合管，以便拓展通频带；运算放大器的中间级采用共射或共源电路，并采用恒流源负载和复合管以增加电压放大倍数。
双极型运算放大器的输出级采用互补输出形式，其主要功能是提高负载能力并增大输出电压和电流的动态范围。
二只输出管轮流导通，每管工作在乙类状态。
为消除交越失真，通常会给输出管提供适当的偏置电流，让其工作在甲乙类状态。
由于集成电路工艺的限制，各级之间采用直接耦合。
为保证输入短路时，输出直流电平为零，有时还需要在级间加入电平移动电路。
运算放大器的读图过程如下：（1）运放电路结构分解根据运放结构特点，将运放分解成输入级、中间级和输出级、基准电流源等四个基本部分。
（2）基准电流分析运放电路中均有一个供偏置用的基准电流源，由它产生基准参考电流。
（3）静态偏置分析在基准电流基础上，通过镜像直流电流或微镜像直流电流源，产生各种大小的直流恒流源或直流微恒流源，这些直流恒流源提供放大用晶体管的静态偏置。
将镜像直流源电路用等效恒流源代替，可以得到等效直流通路，用于分析各级直流偏置。
（4）交流分析运算放大电路的主要功能是进行线性放大。
此外还有一些附加功能电路，如交流镜像电流源电路，输出保护电路，交越失真补偿电路，电平移动电路等，这些电路为保证放大功能提供辅助作用，通常并不影响放大电路指标计算。
中央电大(国开)专科《电工电子技术》机考题库及答案
电工电子技术第一套单项选择题（共8题，共40分）1.题图所示电路中，电阻R1支路的电流I为。
(B)A -3AB 5AC 2A2.三相电路中，三相对称负载做Y连接，三个线电流均为3A，则中线电流是。
(C)A 3AB 6AC 0A3.题图所示变压器，已知初级绕组N1=300匝，R=8Ω，从原方看入的电阻R i是72Ω，则变压器次级绕组N2为。
(C)A 200匝B 300匝C 100匝4.当0<s<1时，说明异步电机工作在状态。
(A)A 电动机B 发电机C 电磁制动5.题图所示电路中，硅稳压二极管VZ1的稳定电压为6V，VZ2的稳定电压为8V，两管的正向压降均为0.7V，则输出端的电压U o为。
(C)A 14VB 8V C8.7V6.放大电路引入电压串联负反馈，可以使电路的输入电阻。
(A)A增大 B 减小 C 不变7.数字电路内部电路器件如二极管、三极管、场效应管，它们一般处于___工作状态。
(C)A 截止 B 导通C 截止或导通8.JK触发器除了具有基本的置位和复位功能，还有功能。
（C）A 保持 B 翻转 C 保持和翻转判断题（共6题，共30分）1.基尔霍夫定律的理论依据是电荷守恒定律及能量守恒定律，对电路中各元件的种类、性质需加以限制。
错2.三相交流电路中，无论负载是对称还是不对称，三相电路总的有功功率都等于各相负载的有功功率之和。
对3.在三相异步电动机的三个单相绕组中，三相对称正弦交流电的幅值相等，相位互差150°。
错4.基本放大电路在输入端无输入信号时的状态被称为静态，此时电路内器件各点电位、各支路电流作静态运行，几乎不消耗直流电源提供的能量。
错5.当电路引入深度负反馈时，放大倍数A f可以认为与原放大倍数A无关，它取决于反馈回路的反馈系数F的大小。
对6.组合逻辑电路的电路结构中包含门电路和触发器。
错分析计算题（共2题，共30分）1.现有一台三相异步电动机，已知其额定功率为10KW，额定电压为380V，额定转速980r/min，额定工作效率η=95%，额定工作电流I N=18A，启动能力系数为1.5，过载系数为2.2。
各种二极管的性能和应用
⑤结温T最高温度。
Schottky Diode (肖特基二极管)
SBD的结构及特点使其 适合于在低压、大电流 输出场合用作高频整流， 在非常高的频率下用于 检波和混频，在高速逻 辑电路中用作箝位。不 足之处是反向耐压较低， 不适于高反压电路。
半导体二极管导通时相当于 开关闭合（电路接通），截止时 相当于开关打开（电路切断）， 所以二极管可作开关用。
Zener Diode （稳压二极管）
TVS Diode （瞬态抑制电压二极管）
稳压二极管是利用PN结反 向击穿特性所表现出的稳压性能 制成的器件。稳压二极管也称齐 纳二极管或反向击穿二极管，在 电路中起稳定电压作用。它是利 用二极管被反向击穿后，在一定 反向电流范围内反向电压不随反 向电流变化这一特点进行稳压的。
Switching Diode （开关二极管）
选择开关二极管的时候 主要考虑一下参数，反 向恢复时间Trr，开启 电压VFM 替换：
①对于没有恃殊要 求的电路可选用普通开 关二极管。
②对于高频头中用 的开关二极管，要选用 反向工作电压大于高频 头的开关电压的二极管。
③对于过电压保护、 触发器、逆变器、脉冲 发生器等可选用硅开关 二极管
3.检波电路 检波电路是把信号从已调波中检出来的电路。
2/33
Diode
HZ
二极管的应用
4.钳位电路
钳位电路是使输出电位钳制在某一数值上保持不变的电路。 设二极管为理想元件， 当输入UA＝UB＝3V时，二极管V1，V2正偏导通，输出被钳制在UA和UB上， 即UF＝3V；当UA＝0V，UB＝3V，则V1导通，输出被钳制在UF＝UA＝0V， V2反偏截止
第4章 差动放大电路与集成运算放大器
id
图3-3 差动放大电路的输入方式
共模信号 与差模信号
Ui1 Ui2
线性放 大电路
Uo
1 共模信号输入电压： U ic (U i1 U i 2 ) 2
差模信号输入电压：U
id
(U i1 U i 2 )
差模信号：是指在两个输入端加幅度相等， 极性相反的信号。
共模信号 ：是指在两个输入端加幅度相等， 极性相同的信号。
在放大器的两个输入端分别输入大小相等、 极性相同的信号，即 ui1 ui 2 时，这种输入方 式称为共模输入，所输入的信号称为共模 （输入）信号。共模输入信号常用 uic 来表 示，即 uic ui1 ui 2 。在放大器的两个输入端 分别输入大小相等、极性相反的信号，即 时这种输入方式为差模输入，所输 入的信号称为差模输入信号。差模输入信 号常用 u 来表示，即 ui1 uid / 2 ui 2 uid / 2
输入信号种类
ui1 = ui2 共模输入
(common mode)
uC ud
ui1 = -ui2 差模输入
(differential mode) 任意输入ui1, ui2（既非差模又非共模）
3.2 相关的理论知识
(2)共模输入
如图3-3（a）所示为共模输入方式，由图中可以看出，当差动放大器输 入共模信号时，由于电路对称，两管的集电极电位变化相同，因而输出 电压 u oc 恒为零。
Rod 2RC
5.共模抑制比 如果温度变化，两个差放管的电流将按相同的方向一起增大或减小，相当于给放大电路 加上一对共模输入信号。所以差模输入信号反映了要放大的有效信号，而共模输入信号 可以反映由温度等原因而产生的漂移信号或其它干扰信号。通常希望差分放大电路的差 模电压放大倍数愈大愈好，而共模电压放大倍数愈小愈好。 共模抑制比反映了差分放大电路放大差模信号、抑制零漂和共模信号的能力。
模电重点总结复习必备
混合型等效电路
简化的混合型等效电路
场效应管等效电路
其中：gmugs是压控电流源，它体现了输入电压对输出电流的控制作用。
—
-
+
+
d
g
s
gs
u
u
ds
i
d
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—
+
+
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gs
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gs
u
u
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S
ds
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g
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S
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i
运算放大器
工作在线性区时的特点
虚短 虚断
工作在非线性区时的特点
虚断
波特图
画复杂电路或系统的波特图，关键在于一些基本因子
(4)输出电阻
反馈放大电路
反馈类型的判断
负反馈对放大电路性能的影响
深度负反馈下的近似估算
反馈稳定性判断
深度负反馈条件下的近似计算
一、 估算的依据
深度负反馈：
深度负反馈条件下，闭环增益只与反馈系数有关。
由
得
方法一：
估算电压增益
方法二：
根据
将
代入上式
得
即：输入量近似等于反馈量
净输入量近似等于零
截止频率的计算方法是“时间常数法”，即根据信号传递的具体情况，求出每一个起作用的电容所在RC回路的时间常数，进而求出截止频率。
直流稳压电源
工作原理
整流
滤波
稳压
计算
(1)差模电压增益
(3)差模输入电阻
不论是单端输入还是双端输入，差模输入电阻Rid是基本放大电路的两倍。
单端输出时， 双端输出时，
等效电路法
(完整版)模拟电子技术基础_知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
电子管,晶体管,三极管,场效应管,MOS以及CMOS的区别和联系
电子管，晶体管，三极管，场效应管，MOS以及CMOS的区别和联系
电子管：一种在气密性封闭容器中产生电流传导，利用电场对真空中的电子流的作用以获得信号放大或振
荡的电子器件，常用于早期电子产品中。
晶体管（transistor）：一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。
晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常
之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。
电子管与晶体管代表了电子元器件发展过程中的两个阶段：电子管——晶体管——集成电路。
电子管可分为电子二极管，电子三极管等，晶体管也分为半导体二极管，半导体三极管等。
三极管：半导体三极管的简称，是一种电流控制型半导体器件，由多子和少子同时参与导电，也称双极型
晶体管（BJT）或晶体三极管。
场效应管(FET)：Field Effect Transistor，一种电压控制型半导体器件，由多数载流子参与导电,也称为单极
型晶体管。
MOS：场效应管的一种。
CMOS：互补金属氧化物半导体，是一种类似MOS管设计结构的多MOS结构组成的电路，是一种由无数
电子元件组成的储存介质。
模电_填空
填空题一、半导体器件1．杂质半导体分为 ( N ) 型和 ( P ) 型。
电子 是N 型半导体中的多子 , 少数载流子是 空穴 。
空穴是P 型半导体中的少子 。
杂质半导体中的少子 因本征激发而产生，多子 主要因掺杂 而产生。
2.电子系统中常用的半导体器件有 二极管 管、 三极管 管和场效应管。
3．常温下多子浓度等于 ( 杂质 ) 浓度，而少于浓度随 ( 温度 ) 变化显著。
4．PN 结具有 单向导电性能， PN 结的正向接法是P 型区接电源的正 极，N 型区接电源的负 极。
即加正向电压时，PN 结导通 ，加反向电压时，PN 结 截止 。
5．PN 结又称为 ( 空间电荷区 )、( 耗尽层 )、( 阻挡层 )和 ( 势垒区 )。
6普通Si 二极管的导通电压的典型值约为 ( 0.7 ) 伏，而Ge 二极管导通电压的典型值约为( 0.3 )伏。
7．( 锗 ) 二极管的反向饱和电流远大于( 硅 ) 二极管的反向饱和电流。
8．晶体二极管主要参数是 最大正向电流 与 最高反向电压 。
9．PN 结的反向击穿分为( 齐纳 )击穿和( 雪崩 )击穿两种机理。
10．稳压管是利于PN 结(反向击穿 )特性工作的二极管。
变容二极管是利于PN 结( 反向 )特性工作的二极管。
1．半导体中有 空穴 和 自由电子 两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是 电子 ；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是 空穴 。
3．PN 结在 正偏 时导通 反偏 时截止，这种特性称为 单向导电 性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 增大 ，正向压降将 减小 。
5．整流电路是利用二极管的 单向导电 性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的 反向击穿 特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以 正向 电流就会 发光 的二极管。
7．光电二极管能将 光 信号转变为 电 信号，它工作时需加 反向 偏置电压。
电子电路基础_刘京南_课后习题解答
U AO 0V ，
U
15V U
UA
∵ ∴ 题 1.4
U P1 12V U P 2 12V
U N 1 0V U N 2 6V
U P1 U N 1 U P2 U N 2 ；
VD1、VD2 均处于反偏而截止。 电路如题图 1.4 所示，稳压管Ｄ Ｚ 的稳定电压Ｕ Ｚ =8V，限流电阻Ｒ = 3k ，设
第一章例题分析
题 1.1 电路如题图 1.1 所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求出ＡＯ两端的电压 ＵＡＯ。设二极管是理想的。
解： 分析：二极管在外加正偏电压时是导通，外加反偏电压时截止。正偏时硅管的导通压降 为 0.6～0.8V。锗管的导通压降为 0.2～0.3V。理想情况分析时正向导通压降为零，相当于 短路；反偏时由于反向电流很小，理想情况下认为截止电阻无穷大，相当于开路。 分析二极管在电路中的工作状态的基本方法为“开路法” ，即：先假设二极管所在支路 断开，然后计算二极管的阳极（P 端）与阴极（N 端）的电位差。若该电位差大于二极管的 导通压降，该二极管处于正偏而导通，其二端的电压为二极管的导通压降；如果该电位差小 于导通压降，该二极管处于反偏而截止。如果电路中存在两个以上的二极管，由于每个二极 管的开路时的电位差不等，以正向电压较大者优先导通，其二端电压为二极管导通压降，然 后再用上述“开路法”法判断其余二极管的工作状态。一般情况下，对于电路中有多个二极 管的工作状态判断为：对于阴极（N 端）连在一起的电路，只有阳极（P 端）电位最高的处 于导通状态；对于阳极（P 端）连在一起的二极管，只有阴极（N 端）电位最低的可能导通。 图（a）中，当假设二极管的 VD 开路时，其阳极（P 端）电位 U P 为-6V，阴极（N 端） 电位
模拟电子技术复习题及答案
模拟电⼦技术复习题及答案⼀、填空题：1、电⼦电路中常⽤的半导体器件有⼆极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体，例如硅和锗等。
半导体中中存在两种载流⼦：电⼦和空⽳。
纯净的半导体称为本征半导体，它的导电能⼒很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种：N型半导体——多数载流⼦是电⼦；P型半导体——多数载流⼦是空⽳。
当把P型半导体和N型半导体结合在⼀起时，在两者的交界处形成⼀个PN结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：截⽌区、放⼤区区和饱和区。
为了对输⼊信号进⾏线形放⼤，避免产⽣严重的⾮线形性失真，应使三极管⼯作在放⼤区内。
当三极管的静态⼯作点过分靠近截⽌区时容易产⽣截⽌失真，当三极管的静态⼯作点靠近饱和区时容易产⽣饱和失真。
3、半导体⼆极管就是利⽤⼀个PN结加上外壳，引出两个电极⽽制成的。
它的主要特点是具有单向性，在电路中可以起整流和检波等作⽤。
半导体⼆极管⼯作在反向击穿区时，即使流过管⼦的电流变化很⼤，管⼦两端的电压变化也很⼩，利⽤这种特性可以做成稳压管。
4、场效应管利⽤栅源之间电压的电场效应来控制漏极电流，是⼀种电压控制器件。
场效应管分为结型型和绝缘栅型两⼤类。
5、多极放⼤电路常⽤的耦合⽅式有三种：阻容耦合、直接耦合和变压器耦合。
6、在本征半导体中加⼊ 5 价元素可形成N型半导体，加⼊ 3 价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常⽤的偏置电路有镜像电流源、⽐例电流源和微电流源等。
8、不同类型的反馈对放⼤电路产⽣的影响不同。
正反馈使放⼤倍数提⾼；负反馈使放⼤倍数降低；但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作⽤是稳定静态⼯作点，交流负反馈能够改善放⼤电路的各项动态技术指标。
9、电压负反馈使输出电压保持稳定，因⽽减⼩了放⼤电路的输出电阻；⽽电流负反馈使输出电流保持稳定，因⽽增⼤了输出电阻。
串联负反馈增⼤了放⼤电路的输⼊电阻；并联负反馈则减⼩了输⼊电阻。
电工总复习
第一章 半导体器件• 考核内容：填空与选择; 二极管应用分析1、半导体特性：导电导特性；载流子类型；N 型和P 型掺杂情况、带电情况等。
2、半导体二极管：特性；应用电路。
3、三极管：三个工作区对应特点；判断工作状态；由电极电位判断类型、电极等。
4、稳压管工作特点 一、填空1杂质半导体可分为P 型半导体和N 型半导体，其中P 型半导体多数载流子为 ，而N 型半导体的多数载流子 。
2、稳压管是特殊的二极管，它一般工作在 状态。
3、当温度降低时,晶体三极管的变化规律是β值将 （变大、减小或不变）。
4、半导体根据其掺入不同的杂质，可形成和 两种类型的半导体，由它们组成的二极管最重要的特性是 。
1 、N 型半导体的多数载流子是电子，因此它（ ）。
(a) 带负电 (b) 带正电 (c) 不带 电 2、当温度升高时，半导体的导电能力将（ ）。
(a) 增 强 (b) 减 弱 (c) 不 变3、半导体二极管的主 要特点是具有（ ）。
(a) 电流放大作用(b) 单向导电性 (c) 电压放大作用 4、理想二极管的正向电阻为（ ）。
(a) 零 (b) 无穷大 (c) 约几千 欧5、二极管接在电路中， 若测得a 、b 两端电位如图所示，则 二 极管工作状态为（ ）。
(a) 导 通 (b) 截 止 (c) 击 穿6、如果把 一个小功率二极管直接同一个电源电压 为1.5V 、内阻为零的电池实行正向连接，电路如 图所示，则后果是该管（ ）。
(a) 击穿(b) 电流为零(c) 电流正常(d)电流大使管子烧坏7、 电路如图所示 ，二极管D 为理想元件，U S =5 V ，则 电 压u O=（ ）。
(a) U s (b) U S / 2 (c) 零8、电路如图所示, 所有二极管均为理想元件，则D1、D2、D3的工作状态为（ ）。
(a) D1导通，D2、D 3截止-6.3VDu O(b) D1、D2截止 ， D3导通(c) D1、D3截止， D2导通(d) D1、D2、D3均截止9、型号为2CP10 的硅二极管正向导通后的 正向压降约为（ c ）。
极管、三极管、电阻等
极管、三极管、电阻等
极管、三极管和电阻是电子元件中常见的三种器件，它们在电
路中扮演着不同的角色和功能。
首先，让我们来谈谈极管。
极管是一种半导体器件，也被称为
二极管。
它具有两个引脚，即阳极和阴极。
极管的主要作用是只允
许电流在一个方向上流动，因此它常被用作整流器，将交流电转换
为直流电。
极管还可以用作电压稳压器、光电二极管等。
接下来是三极管，也称为晶体三极管或晶体管。
三极管是一种
半导体器件，具有三个引脚，分别是发射极、基极和集电极。
它的
主要作用是放大电流和控制电路。
在电子设备中，三极管常用于放
大信号、作为开关以及构建逻辑门电路等。
最后是电阻，电阻是一种 passiv器件，用于限制电流的流动。
电阻的作用是通过阻碍电流的流动来调节电路中的电压和电流。
它
通常用于分压、限流、消耗功率、稳定电压和电流等。
电阻的阻值
可以根据实际需要选择，常见的有固定电阻和可变电阻两种。
总的来说，极管、三极管和电阻都是电子元件中常见的器件，
它们在电路中扮演着不同的角色和功能。
极管用于整流和光电转换，三极管用于放大和控制电路，电阻用于调节电路中的电压和电流。
它们共同构成了电子设备中复杂的电路系统，发挥着重要的作用。
硬件电路设计基础知识
硬件电子电路基础第一章半导体器件§1-1 半导体基础知识一、什么是半导体半导体就是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。
（导电能力即电导率）（如：硅Si 锗Ge等＋4价元素以及化合物）二、半导体的导电特性本征半导体――纯净、晶体结构完整的半导体称为本征半导体。
硅和锗的共价键结构。
（略）1、半导体的导电率会在外界因素作用下发生变化•掺杂──管子•温度──热敏元件•光照──光敏元件等2、半导体中的两种载流子──自由电子和空穴•自由电子──受束缚的电子（－）•空穴──电子跳走以后留下的坑（＋）三、杂质半导体──N型、P型（前讲）掺杂可以显著地改变半导体的导电特性，从而制造出杂质半导体。
•N型半导体（自由电子多）掺杂为＋5价元素。
如：磷；砷P──＋5价使自由电子大大增长原理：Si──＋4价P与Si形成共价键后多余了一个电子。
载流子组成：o本征激发的空穴和自由电子──数量少。
o掺杂后由P提供的自由电子──数量多。
o空穴──少子o自由电子──多子•P型半导体（空穴多）掺杂为＋3价元素。
如：硼；铝使空穴大大增长原理：Si──＋4价B与Si形成共价键后多余了一个空穴。
B──＋3价载流子组成：o本征激发的空穴和自由电子──数量少。
o掺杂后由B提供的空穴──数量多。
o空穴──多子o自由电子──少子结论：N型半导体中的多数载流子为自由电子；P型半导体中的多数载流子为空穴。
§1-2 PN结一、PN结的基本原理1、什么是PN结将一块P型半导体和一块N型半导体紧密第结合在一起时，交界面两侧的那部分区域。
2、PN结的结构分界面上的情况：P区：空穴多N区：自由电子多扩散运动：多的往少的那去，并被复合掉。
留下了正、负离子。
（正、负离子不能移动）留下了一个正、负离子区──耗尽区。
由正、负离子区形成了一个内建电场（即势垒高度）。
方向：N--> P大小：与材料和温度有关。
（很小，约零点几伏）漂移运动：由于内建电场的吸引，个别少数载流子受电场力的作用与多子运动方向相反作运动。
模电第一章常用半导体器件
一、本征半导体
4.半导体的主要导电特性 （1）掺杂性：本征半导体虽然有自由电子和空穴两 种载流子，但由于数量极少，所以导电能力很差，若 在其中掺杂微量的杂质，导电能力会大大增强。 （2）热敏性：有的半导体导电能力随温度的升高而 增强，利用这种情况可以制作热敏元件。
价 电 子
共 价 键
当温度T=0K时，半导体不导电，如同绝缘体。
一、本征半导体 1.电子和空穴的概念
若T， 将有少数价电子克服共价键 的束缚成为自由电子（热激
空穴 复合 自由电子
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
发或本征激发），在原来的
共价键中留下一个空位，成为
空穴。 空穴可看成带正电的载流子。
自由电子（带负电） 空穴（带正电）
※ 电子技术的发展
※ 模拟信号与模拟电路 ※ 模拟电子技术基础课的特点
※ 如何学习这门课程
※ 课程的目的 ※ 本课程的主要内容
一、电子技术的发展 所谓电子技术，简单地说就是研究电子器件、电子电 路及其应用的科学技术。 电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展上：
• • • •
1947年 1958年 1969年 1975年
六、本课程的主要内容
1.半导体器件：模电数电的公共部分。 2.放大电路：由半导体器件组成，用于将微弱的信号放大。 3.频率特性：模拟电路对低、中、高频率的电路体现出不 同的特性。 4.集成运放：模拟集成电路、第一级差放、末级功放。 5.负反馈：内容较多，单列。 6.集成运放构成的电路：运算电路、有源滤波器、电压比 较器等。 7.波形发生电路
三、模拟电子技术基础课的特点 1、工程性 实际工程需要证明其可行性。强调定性分析。
实际工程在满足基本性能指标的前提下总是容许
电子技术基础第14章 半导体器件
+4表示除 去价电子 后的原子
+4
+4
共价键共
用电子对
+4
+4
(a) 硅晶体的空间排列
电子学教研室 张智娟
14.2 PN 结及其单向导电性
1、 PN 结的形成
如图所示：在一块本征半导体在两侧 通过扩散不同的杂质,分别形成P型半导体 和N 型半导体。此时将在P型半导体和N 型半导体的结合面上形成如下物理过程:
漂移运动
空间电荷区 （PN结）
耗尽层
两侧载流子存在浓度差
多子扩散运动 空穴：PN；电子NP
电子技术基础
电子学教研室 张智娟
总结
1. 本征半导体中受激发产生的电子很少。 2. N型半导体中电子是多子，其中大部分是掺杂
提供的电子，N型半导体中空穴是少子，少子 的迁移也能形成电流，由于数量的关系，起导
电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质
浓度相等。
3. P型半导体中空穴是多子，电子是少子。
电子技术基础
电子与通信工程系 电子学教研室 张智娟
Email: zhzhijuan@
电子技术基础
课程
一、电子技术组成
1.模拟电子技术：
简 介 电子学教研室 张智娟
• 半导体器件：二极管D，三极管（晶体管）,场效应管
• 分立元件电路：共射极、共基极、共集电极放大电路， 差放，功放
• 集成电路：集成运放，集成功放
2. 反向工作峰值电压URWM
经典模拟电子技术基础知识总结习题(选择,填空,解答题)
第一章 半导体二极管及其应用电路 第六章 运放应用电路
第二章
半导体三极管及其放大电路
第七章
功率放大电路
第三章
场效应晶体管及其放大电路
第八章
波形发生和变换电路
第四章
集成运算放大器
第九章
直流稳压电源
第五章
负反馈放大电路
第十一章～第二十一章
应用篇
第一章 半导体二极管及其应用电路
一、填空： 绝缘体 之间的物 导体 和_______ 1．半导体是导电能力介于_______ 质。 掺杂 特性，制成杂质半导体；利 2．利用半导体的_______ 光敏 特性,制成光敏电阻，利用半 用半导体的_______ 热敏 特性,制成热敏电阻。 导体的_______ 导通 ，加反向电压时 3．PN结加正向电压时_______ 截止 ，这种特性称为PN结的 单向导电 _______ _______ 特性。
饱和 8.当三极管工作在＿＿＿＿区时， UCE ≈0。发射极 正向 正向 ＿＿＿＿偏置，集电极＿＿＿＿偏置。 9.当NPN硅管处在放大状态时，在三个电极电位中， 集电 发射 以＿＿＿＿极的电位最高，＿＿＿＿极电位最低， 基 发射 ＿＿＿＿极和＿＿＿＿极电位差等于＿＿＿＿。 0.7V 10.当 PNP锗管处在放大状态时，在三个电极电位中， 以＿＿＿＿极的电位最高，＿＿＿＿极电位最低， 发射 集电 UBE等于＿＿＿＿。 -0.3V 三个电极的电位分别为 11.晶体三极管放大电路中 ,试判断三极管的 V ,V2 1.2V ,V3 1.5V 类型是 ＿＿＿＿，材料是＿＿＿＿。 1 4V 锗 PNP
T 10．单相桥式整流电容滤波电路，当满足 RLC （3～5） 2 时，负载电阻上的平均电压为_______。 A.1.1U2 B. 0.9U2 C. 1.2 U2 D. 0.45U2
电工电子技术-国家开放大学电大机考网考题目答案
一、单选题1. 题图所示电路中 , 由 R1,R2, 支路的电流可计算出 R, 支路的电流 I 为 _ ( C )A 5AB 15AC-15A2. 题图所示是某一支路的电压 u 和电流 I 的波形,可以判断该支路是(A)A 电阻电感串联电路B 电阻电容串联电路c 纯电感电路3. 题图所示变压器，初级绕组 N1=300 匝，次级绕组 N2=100 匝,R=8 Ω,则从初级看入的电阻 Ri 是(B)A 8 ΩB 72 ΩC 24Ω4.当 s>1 时,说明异步电机工作在(C)状态。
A 电动机B 发电机C 电磁制动5 稳压二极管是利用其工作在 (C)时电压变化极小的特性,使两端电压得以稳定。
A 正向B 反向C 反向击穿6.集成运放工作在非线性区，当(B)时,u｡=U。
M。
A u+ =uB u+>u-C u+<u-7. OC 门输出端处在集电极(A)状态,使用时要加一个上拉电阻与电源连接。
A 开路B 团合c 短路8. (B)能用于脉冲整形的电路。
A 单稳态触发器B 施密特触发器c 多谐振荡器9.题图所示电路中，电压 U ab 的数值是 B _。
A 10VB 8VC 6V10.在电容元件上，电压与电流的关系为 U c= A _。
11.变压器初级绕组的输入功率 C_次级绕组的输出功率。
A 小于B 等于C 大于12.一台 4 极三相异步电动机定子磁场的同步转速是 B _r/min 。
A 1000B 1500C 300013.有一只用三极管构成的放大器，测得管子的三个极对的电压为14.理想集成运放u 1=u +-u -=0，说明运放输入端 C _。
A 短路B 断路C 相当于短路15.比较下列数值，最大数是 A _。
A (157) 16B (316) 8C (10110011) 216.某二进制计数器的计数长度为 16，利用置数功能，可将其设置成长度 B _的其他进制计 数器。
则管脚为 C 。
A 集电极B 发射极C 基极A 0.9A 大于 16B 小于 16C 任意17 题图所示电路为三个二端网络，其中 C 可以相互等效变换。
半导体器件(二极管、三极管、场效应管、差动放大电路、集成运放)
半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的（）A. 多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。
A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( ) 载流子。
A.有B.没有C.少数D.多数6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。
A．减小温漂B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻D. 减小输出电阻7、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。
A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时，（）。
A. 发射结和集电结均反偏B.发射结正偏，集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在( )，A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区 D.不确定10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。
A.差放B.正弦C.数字D.功率放大11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。
A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管ArrayC.PNP 型硅管D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。
A．P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管13、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。
A．输入电阻高 B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 = 50，则复合后的β约为（）。
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半导体基本知识和
半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）
一、选择题：
1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变
B.变宽
C.变窄
D.无法确定
2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变
B.变宽
C.变窄
D.无法确定
3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的（）
A. 多数载流子浓度增大
B.少数载流子浓度增大
C.多数载流子浓度减小
D.少数载流子浓度减小
4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。
A.削弱
B.增强
C.不变
D.不确定
5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( ) 载流子。
A.有
B.没有
C.少数
D.多数
6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。
A．减小温漂B. 增大放大倍数
C. 提高输入电阻
D. 减小输出电阻
7、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。
A、光电二极管
B、发光二极管
C、变容二极管
D、稳压管
8、当晶体管工作在放大区时，（）。
A. 发射结和集电结均反偏
B.发射结正偏，集电结反偏
C.发射结和集电结均正偏
D.发射结反偏，集电结正偏
9、稳压二极管稳压时，其工作在( )，
A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区 D.不确定
10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。
A.差放
B.正弦
C.数字
D.功率放大
11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。
A．NPN 型硅管B.NPN 型锗管Array
C.PNP 型硅管
D.PNP 型锗管
12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。
A．P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管
C.N沟道增强型MOS管
D.N沟道耗尽型MOS管
13、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。
A．输入电阻高 B.输出电阻低
C.共模抑制比大
D.电压放大倍数大
14、如右图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 = 50，则复合后的β约为（）。
A ．1500 B.80 C.50 D.30
15、发光二极管发光时，工作在( )。
A ．正向导通区
B ．反向截止区
C ．反向击穿区
D ．不确定
16、当温度升高时，二极管反向饱和电流将（ ）
A. 增大
B. 减小
C. 不变
D. 等于零
17、场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ ） 。
A. 非饱和区
B. 饱和区
C. 截止区
D. 击穿区
18、稳压二极管稳压时，其工作在( )。
A ．正向导通区
B ．反向截止区
C ．反向击穿区 D.饱和区
19、集成运放电路采用直接耦合方式是因为 （ ）
A. 可获得较高增益
B. 可使温漂变小
C. 在集成工艺中难于制造大电容
D. 可以增大输入电阻
20、测得BJT 各电极对地电压为：V B =4.7V ，V C =4.3V ，V E =4V ，则该BJT 工作在
（ ）状态。
A.截止
B.饱和
C.放大
D. 无法确定
21、FET 是（ ）控制器件。
A . 电流
B .电压
C .电场 D.磁场
22、通常要求运算放大器带负载能力强，在这里，负载的大小是指负载（ ）。
A.电阻大
B. 功率大
C. 电压高
D.功率小
23、二极管的电流方程是（ ）。
A ．u S e I
B .T V u
S e I C.)1( T V u S e I D . T V S e I
24、FET 是（ ）控制器件。
A . 电流
B .电压
C .电场
D .磁场
25、三极管工作在饱和状态的条件是（ ）。
A.发射结正偏，集电结正偏
B.发射结正偏，集电结反偏
C.发射结反偏，集电结反偏
D.发射结反偏，集电结正偏
26、测得工作在放大状态的BJT 三个管脚1、2、3对地电位分别为0V ，-0.2V ，-3V ，则1、2、3脚对应的三个极是（ ）。
A .ebc
B .ecb
C .cbe D.bec
27、稳压二极管是利用PN 结的（ ）。
A.单向导电性 B .反向击穿性
C.电容特性
D.正向特性
28、测得工作在放大状态的BJT 三个管脚1、2、3对地电位分别为0V ，-0.2V ，-3V ，则1、2、3脚对应的三个极是（ ）。
A .ebc
B .ecb
C .cbe D.bec
29、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ）。
A.反向偏置击穿状态
B.反向偏置未击穿状态
C.正向偏置导通状态
D.正向偏置未导通状态
30、 当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（ ）
A ．集电极最大允许功耗ＰＣＭ
B ．集电极最大允许电流ＩＣＭ
C ．集－基极反向击穿电压Ｕ（ＢＲ）ＣＢＯ D. Ｕ（ＢＲ）ＣE Ｏ
31、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。